具体实施方式

现在，将更详细地参考在附图中示出的一些示例实施例的各方面，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释本说明书的各方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、全部a、b和c或者它们的变型。

在下文中，参考附图更详细地描述本实施例。在附图中，相同的附图标记被赋予相同或相应的元件，并且省略其重复描述。

将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。如本文中使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。

还将理解的是，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在陈述的特征或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征或组件。将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。

为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。

在下面的描述中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

当特定实施例可以被不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。

图1是根据一些示例实施例的显示装置1的透视图。

参照图1，显示装置1可以包括其上显示图像的显示区域DA和其上不显示图像的外围区域PA。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来显示图像。在外围区域PA上不显示图像。外围区域PA可以是显示区域DA外部的区域。

在下文中，尽管作为示例将根据一些示例实施例的显示装置1描述为有机发光显示装置，但是根据本公开的实施例的显示装置不限于此。根据一些示例实施例，显示装置1可以是各种显示装置，例如，无机发光显示器和量子点发光显示器。例如，提供给显示装置1的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。

尽管图1示出了具有平坦的显示表面的显示装置1，但是实施例不限于此。根据一些示例实施例，显示装置1可以包括三维显示表面或弯曲显示表面。

在显示装置1包括三维显示表面的情况下，显示装置1可以包括各自指示不同方向的多个显示区域，例如，包括多棱柱型显示表面。根据一些示例实施例，在显示装置1包括弯曲显示表面的情况下，显示装置1可以实现为各种类型，诸如柔性显示装置、可折叠显示装置和可卷曲显示装置。

另外，根据一些示例实施例，图1示出了可应用于移动电话终端的显示装置1。根据一些示例实施例，安装在主板上的电子模块、相机模块、电源模块等与显示装置1一起布置在支架/壳体上，以构成移动电话终端。根据一些示例实施例的显示装置1可应用于诸如电视机、监视器的大型电子装置以及诸如平板装置、汽车导航装置、游戏机和智能手表的中小型电子装置。

尽管图1示出了显示装置1的显示区域DA为四边形的情况，但是根据一些示例实施例，显示区域DA的形状可以为圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形。

图2和图3是根据一些示例实施例的显示装置1的平面图。

参照图2，根据一些示例实施例的显示装置1的显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。另外，显示区域DA的四个角部DA-C可以具有倒圆形状，该倒圆形状具有曲率(例如，设定或预定的曲率)。外围区域PA可以围绕显示区域DA。然而，可以相对地设计显示区域DA的形状和外围区域PA的形状。

参照图3，显示装置1可以包括布置在显示区域DA中的多个像素P。多个像素P中的每一个可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，像素P可以是发射如上描述的红光、绿光、蓝光或白光的像素。由于薄膜封装层TFE(例如，参见图7)覆盖显示区域DA，可以保护显示区域DA免受外部空气或湿气的影响。

每个像素P可以电连接到布置在外围区域PA中的外部电路。驱动电路120、焊盘单元140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以布置在外围区域PA中。

驱动电路120可以通过扫描线SL向每个像素P提供扫描信号，并且通过发射控制线EL向每个像素P提供发射控制信号。驱动电路120可以设置在显示区域DA的左侧和右侧，显示区域DA介于驱动电路120之间。布置在显示区域DA中的多个像素P中的一些像素P可以电连接到设置在显示区域DA的左侧和右侧的驱动电路120中的至少一个驱动电路120。

焊盘单元140可以布置在基底100的一侧或边缘上。焊盘单元140可以由于未被绝缘层覆盖而被暴露并电连接到印刷电路板PCB(未示出)。印刷电路板PCB的焊盘单元可以电连接到显示装置1的焊盘单元140。印刷电路板PCB可以向显示装置1传送控制器的信号或电力。

由控制器生成的控制信号可以通过印刷电路板PCB分别传送到位于显示区域DA的左侧和右侧的驱动电路120。控制器可以通过第一连接线161向第一电源线160提供第一电源电压，并且通过第二连接线171向第二电源线170提供第二电源电压。

第一电源电压可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线PL被提供给每个像素P，并且第二电源电压可以被提供给连接到第二电源线170的每个像素P的相对电极。驱动电压线PL可以在第一方向(y方向)上延伸。例如，第一电源电压可以包括驱动电压ELVDD(参见图4)，并且第二电源电压可以包括公共电压ELVSS(参见图4)。

数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到焊盘单元140的连接线和连接到该连接线的数据线DL提供给每个像素P。尽管在图3中示出了数据驱动电路150在基底100上方布置在第一电源线160和焊盘单元140之间，但是根据一些示例实施例，数据驱动电路150可以布置在印刷电路板PCB上。

第一电源线160可以包括彼此平行且在第二方向(x方向)上延伸的第一子线162和第二子线163，显示区域DA介于第一子线162和第二子线163之间。第二电源线170可以具有环形形状，该环形形状具有一个开口侧且部分地围绕显示区域DA。

图4和图5是根据一些示例实施例的可以被包括在显示装置1中的像素的等效电路图。

参照图4，每个像素P可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED，像素电路PC连接到扫描线SL和数据线DL。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管Td。

存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管Ts传送的电压与供应到驱动电压线PL的第一电源电压之间的差对应的电压。

驱动薄膜晶体管Td连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过使用驱动电流发射具有亮度(例如，设定或预定的亮度)的光。

尽管在图4中示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，如图5中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。尽管在图5中示出了像素电路PC包括一个存储电容器，但是像素电路PC可以包括两个或更多个存储电容器。

参照图5，像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。

尽管在图5中示出了像素P连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL，但是实施例不限于此。根据一些示例实施例，信号线SL、SL-1、EL或DL、初始化电压线VL或者驱动电压线PL中的至少一个可以由彼此邻近的像素共用。

信号线包括扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和数据线DL，扫描线SL传送扫描信号Sn，前一扫描线SL-1将前一扫描信号Sn-1传送到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，发射控制线EL将发射控制信号En传送到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6，并且数据线DL与扫描线SL交叉并传送数据信号Dm。驱动电压线PL将驱动电压传送到驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL传送使驱动薄膜晶体管T1和有机发光二极管OLED的像素电极初始化的初始化电压Vint。因此，如图5中所示，根据一些示例实施例，驱动薄膜晶体管T1的栅电极和有机发光二极管OLED的像素电极可以被配置为响应于使第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7导通的前一扫描信号Sn-1通过接收初始化电压Vint而被初始化。

驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的底电极Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且可以将驱动电流I_OLED供应到有机发光二极管OLED。

开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1并通过操作控制薄膜晶体管T5并发地(或同时地)连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL传送的扫描信号Sn而导通，并且可以执行将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。

补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1并通过发射控制薄膜晶体管T6并发地(或同时地)连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的底电极Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3响应于通过扫描线SL传送的扫描信号Sn而导通，并且可以通过将驱动栅电极G1电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1以二极管方式连接驱动薄膜晶体管T1。

第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的底电极Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以执行将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的初始化操作，从而使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化。

操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。

发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。

操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线EL传送的发射控制信号En并发地(或同时地)导通，以使驱动电压ELVDD传送到有机发光二极管OLED，因此使驱动电流I_OLED流过有机发光二极管OLED。

第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7响应于通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。

尽管图5示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一扫描线SL-1的情况，但是实施例不限于此。根据一些示例实施例，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SL-1并且可以响应于前一扫描信号Sn-1而被驱动，并且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)并且可以响应于通过单独的信号线传送的信号而被驱动。

存储电容器Cst的顶电极Cst2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的相对电极连接到公共电压。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流I_OLED并且发光，从而显示图像。

尽管在图5中示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4各自具有双栅电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4各自可以具有一个栅电极。

图6是根据实施例的显示装置1的平面图。例如，图6是根据实施例的显示装置1中的显示区域DA的倒圆的角部DA-C的区域AA的放大图。尽管在图6中示出了第一扇出部分165包括第一扇出线166和第二扇出线167，但是第一扇出部分165可以包括多条扇出线。另外，尽管在图6中示出了第二扇出部分175包括第三扇出线176和第四扇出线177，但是第二扇出部分175可以包括多条扇出线。

根据一些示例实施例，显示装置1可以包括：基底100，包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域PA，显示区域DA包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2；第一扇出部分165、第二扇出部分175，第一扇出部分165布置在位于第一显示区域DA1外部的外围区域PA的一部分中，并且第二扇出部分175布置在第一扇出部分165外部；第一电源线160和第二电源线170，第一电源线160与显示区域DA的一侧对应地布置在外围区域PA中并且与第一扇出部分165的一部分重叠，并且第二电源线170布置在位于显示区域DA外部的外围区域PA中并且与第二扇出部分175的至少一部分重叠。

驱动电路120可以与第一显示区域DA1对应地布置在第一扇出部分165和第二扇出部分175之间，并且可以与第二显示区域DA2对应地布置在第二显示区域DA2和第二扇出部分175之间。驱动电路120可以包括各自布置在第一扇出部分165和第二扇出部分175之间且对应于第一显示区域DA1的第一子驱动电路121和第二子驱动电路122，第一子驱动电路121与第二子驱动电路122间隔开。驱动电路120可以包括各自布置在第二显示区域DA2和第二扇出部分175之间且对应于第二显示区域DA2的第三子驱动电路123和第四子驱动电路124，第三子驱动电路123与第四子驱动电路124间隔开。

根据一些示例实施例，第一子驱动电路121可以与第一显示区域DA1对应地在第一扇出部分165和第二扇出部分175之间与第二子驱动电路122间隔开。第一子驱动电路121可以与第二子驱动电路122间隔开。第二子驱动电路122可以与第一子驱动电路121间隔开。例如，第一子驱动电路121和第二子驱动电路122可以重复地彼此间隔开。另外，如同第一子驱动电路121和第二子驱动电路122那样，第三子驱动电路123和第四子驱动电路124可以与第二显示区域DA2对应地在第二显示区域DA2和第二扇出部分175之间重复地彼此间隔开。

与第二显示区域DA2对应且被包括在布置在外围区域PA中的驱动电路120中的子驱动电路可以彼此间隔开。与第一显示区域DA1对应且被包括在布置在外围区域PA中的驱动电路120中的子驱动电路可以彼此间隔开。子驱动电路的分离间隔可以从与第二显示区域DA2对应的外围区域PA朝向与第一显示区域DA1对应的外围区域PA逐渐增大。

多条扫描线SL可以布置在显示区域DA中，并且可以在与第一方向(y方向)交叉的第二方向(x方向)上延伸。驱动电路120可以通过多条扫描线SL向每个像素P传送扫描信号，并且可以通过多条发射控制线EL向每个像素P传送发射控制信号。

第一电源线160可以通过驱动电压线PL连接到每个像素P并可以向像素P提供第一电源电压，并且第二电源线170可以连接到每个像素P并可以向像素P提供第二电源电压。在这种情况下，第一电源电压可以包括驱动电压ELVDD，并且第二电源电压可以包括公共电压ELVSS。

第一扇出部分165可以包括第一扇出线166和第二扇出线167，并且第二扇出部分175可以包括第三扇出线176和第四扇出线177。

如图6中所示，第三扇出线176可以在第三子驱动电路123和第四子驱动电路124之间穿过。尽管在图6中示出了第三扇出线176在第三子驱动电路123和第四子驱动电路124之间穿过，但是实施例不限于此。连接到布置在第二显示区域DA2中的多条第二数据线DL2的多条扇出线可以在布置在第二显示区域DA2和第二扇出部分175之间的多个子驱动电路之间穿过并且彼此间隔开。连接到布置在第一显示区域DA1中的多条第一数据线DL1的多条扇出线可以在布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的多个子驱动电路之间穿过并且彼此间隔开。

根据一些示例实施例，显示装置1可以包括布置在第一显示区域DA1中并在第一方向(y方向)上延伸的多条第一数据线DL1。第一扇出线166和第二扇出线167可以通过多条第一数据线DL1向像素P提供数据信号。另外，显示装置1可以包括布置在第二显示区域DA2中并在第一方向(y方向)上延伸的多条第二数据线DL2。第三扇出线176和第四扇出线177可以通过多条第二数据线DL2向像素P提供数据信号。

图7是沿着图6的线I-I'截取的显示装置1的截面图。例如，图7是用于说明根据实施例的显示装置1的一个像素P的堆叠顺序的视图。

参照图7，根据一些示例实施例的显示装置1可以包括基底100、布置在基底100上方的薄膜晶体管TFT、有机发光二极管OLED以及薄膜封装层TFE，有机发光二极管OLED连接到薄膜晶体管TFT并布置在薄膜晶体管TFT上方，并且薄膜封装层TFE布置在有机发光二极管OLED上。

基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、多芳基化合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。包括聚合物树脂的基底100可以为柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有多层结构，该多层结构包括包含以上聚合物树脂的层和无机层。根据一些示例实施例，基底100可以包括柔性基底。

缓冲层101定位在基底100上，可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基底100下方渗透，并在基底100上提供平坦的表面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合材料，并且可以包括包含无机材料和有机材料的单层或多层。阻挡外部空气的渗透的屏障层可以进一步布置在基底100和缓冲层101之间。缓冲层101可以布置在显示区域DA和外围区域PA上方。

薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED可以布置在基底100上方，薄膜晶体管TFT设置在与显示区域DA对应的位置处，并且有机发光二极管OLED电连接到薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。图7的薄膜晶体管TFT可以对应于参照图5描述的像素电路PC的薄膜晶体管之一，例如，驱动薄膜晶体管T1。

薄膜晶体管TFT可以包括半导体层134、栅电极136、源电极137和漏电极138。半导体层134可以包括沟道区131、源极区132和漏极区133，沟道区131与栅电极136重叠，并且源极区132和漏极区133布置在沟道区131的两个相对侧并且包括具有比沟道区131的杂质的浓度高的浓度的杂质。这里，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源极区132和漏极区133可以分别电连接到薄膜晶体管TFT的源电极137和漏电极138。

半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。在半导体层134包括氧化物半导体的情况下，半导体层134可以包括例如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。例如，半导体层134可以包括ITZO(InSnZnO)、IGZO(InGaZnO)等。在半导体层134包括硅半导体的情况下，半导体层134可以包括例如非晶硅(a-Si)或者其中使非晶硅(a-Si)结晶化的低温多晶硅(LTPS)。

栅电极136可以包括单层或多层，所述单层或多层包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。栅电极136可以连接到向栅电极136施加电信号的栅极线。根据一些示例实施例，栅电极136可以包括与第一扇出线166、第二扇出线167、第三扇出线176和第四扇出线177的材料相同的材料。

因为栅极绝缘层103布置在半导体层134和栅电极136之间，所以半导体层134可以与栅电极136绝缘。栅极绝缘层103可以包括至少一种无机绝缘材料，所述至少一种无机绝缘材料包含氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和氧化锌(ZnO₂)。栅极绝缘层103可以包括包含以上无机绝缘材料的单层或多层。

存储电容器Cst可以包括底电极144和位于底电极144上方的顶电极146。存储电容器Cst的底电极144可以与存储电容器Cst的顶电极146重叠。根据一些示例实施例，第一扇出线166、第二扇出线167、第三扇出线176和第四扇出线177可以包括与底电极144或顶电极146的材料相同的材料，并且可以布置在与其上布置有底电极144或顶电极146的层相同的层上。

第一层间绝缘层105可以布置在底电极144和顶电极146之间。第一层间绝缘层105是具有介电常数(例如，设定或预定的介电常数)的层，第一层间绝缘层105可以包括包含氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiO_x)和/或氮化硅(SiN_x)的无机绝缘层，并且第一层间绝缘层105可以包括单层或多层。

尽管在图7中示出了存储电容器Cst与薄膜晶体管TFT重叠，并且底电极144与薄膜晶体管TFT的栅电极136为一体，但是在实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠，并且底电极144可以是独立于薄膜晶体管TFT的栅电极136的单独元件。

第二层间绝缘层107可以布置在存储电容器Cst的顶电极146上。第二层间绝缘层107可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO₂)，并且可以包括单层或多层。

源电极137和漏电极138可以布置在第二层间绝缘层107上。源电极137和漏电极138可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。源电极137和漏电极138中的每一个可以包括Ti/Al/Ti的堆叠结构。根据一些示例实施例，源电极137和漏电极138可以包括与第一电源线160和第二电源线170的材料相同的材料。

第一平坦化层111和第二平坦化层113可以布置在源电极137和漏电极138上。第一平坦化层111和第二平坦化层113可以使像素电路PC的顶表面平坦化，以使其上将定位有机发光二极管OLED的表面平坦化。

第一平坦化层111和第二平坦化层113可以包括：诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟基聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的共混物。第一平坦化层111和第二平坦化层113可以包括无机材料。第一平坦化层111和第二平坦化层113可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO₂)。在第一平坦化层111和第二平坦化层113包括无机材料的情况下，可以根据情况执行化学平坦化抛光。第一平坦化层111和第二平坦化层113可以包括有机材料和无机材料两者。

有机发光二极管OLED可以在基底100的显示区域DA中定位在第二平坦化层113上，有机发光二极管OLED包括像素电极210、中间层220和相对电极230，相对电极230面对像素电极210，中间层220介于相对电极230和像素电极210之间。

像素电极210可以布置在第二平坦化层113上。像素电极210可以包括(半)透明电极或反射电极。根据一些示例实施例，像素电极210可以包括反射层和位于反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者它们的化合物。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。根据一些示例实施例，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。

像素限定层180可以布置在第二平坦化层113上。像素限定层180可以通过包括暴露像素电极210的中央部分的开口来限定像素的发射区域。另外，像素限定层180可以通过增加像素电极210的边缘与位于像素电极210上方的相对电极230之间的距离防止在像素电极210的边缘处发生电弧等。像素限定层180可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO或酚醛树脂。像素限定层180可以通过诸如旋涂的方法来形成。

间隔件可以布置在像素限定层180上。间隔件可以防止有机发光二极管OLED在使用掩模的制造工艺期间因掩模的下垂而被损坏。间隔件可以包括单层或多层，所述单层或多层包含诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO或酚醛树脂的有机绝缘材料。间隔件可以通过诸如旋涂的方法来形成。

中间层220可以布置在像素电极210的由像素限定层180暴露的部分上。中间层220可以包括发射层，并且还可以包括位于发射层下方和位于发射层上的功能层，所述功能层包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

发射层可以包括有机材料，所述有机材料包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。发射层可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。

在发射层包括低分子量材料的情况下，中间层220可以具有其中HIL、HTL、发射层(EML)、ETL、EIL等以单一构造或复合构造堆叠的结构。中间层220可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)或者三-8-羟基喹啉铝(Alq₃)的各种有机材料作为低分子量材料。这些层可以通过真空沉积来形成。

在发射层包括聚合物材料的情况下，中间层220可以具有通常包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可以包括诸如聚苯撑乙烯(PPV)类材料或聚芴类材料的聚合物材料。发射层可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。

像素电极210可以提供为多个像素电极210，并且中间层220可以布置为对应于多个像素电极210中的每个像素电极210。然而，实施例不限于此。中间层220可以包括在多个像素电极210上方为一体的层。可以进行各种修改。根据一些示例实施例，中间层220可以布置为对应于多个像素电极210中的每个像素电极210，并且除了中间层220之外的功能层可以在多个像素电极210上方设置为一体。

相对电极230可以布置在中间层220上。相对电极230可以布置在中间层220上，并且可以完全地覆盖中间层220。相对电极230可以布置在显示区域DA中，并且可以布置在显示区域DA的整个表面上。即，相对电极230可以设置为一体，以覆盖多个像素。

相对电极230可以包括透明电极或反射电极。根据一些示例实施例，相对电极230可以是透明或半透明电极，并且可以包括金属薄层，所述金属薄层具有小功函数且包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/铝(Al)、Al、银(Ag)、镁(Mg)和它们的化合物中的至少一种。另外，透明导电氧化物(TCO)层可以进一步布置在金属薄层上，TCO层包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃。

在像素电极210包括反射电极并且相对电极230包括透明电极的情况下，从中间层220发射的光朝向相对电极230发射，因此，显示装置1可以是顶发射型显示装置。根据一些示例实施例，在像素电极210包括透明或半透明电极并且相对电极230包括反射电极的情况下，从中间层220发射的光朝向基底100发射，因此，显示装置1可以是底发射型显示装置。然而，本实施例不限于此，且根据一些示例实施例的显示装置1可以是在包括显示装置1的顶侧和底侧的两个方向上发射光的双发射型显示装置。

薄膜封装层TFE可以布置在相对电极230上，以保护有机发光二极管OLED免受外部湿气和氧的影响。薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。薄膜封装层TFE可以完全地覆盖显示区域DA，并且可以延伸到外围区域PA以覆盖外围区域PA的一部分。

薄膜封装层TFE可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和有机封装层320，第二无机封装层330布置在第一无机封装层310上方，并且有机封装层320介于第一无机封装层310和第二无机封装层330之间。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)、氧化锌(ZnO₂)、氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括包含以上材料的单层或多层。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括相同的材料或不同的材料。

有机封装层320可以包括单体类材料或聚合物类材料。有机封装层320可以包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚丙烯酸酯、六甲基二硅醚、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或者它们的任意组合。

图8A至图8C是沿着图6的线II-II'截取的显示装置1的截面图。例如，图8A是示出了在根据一些示例实施例的显示装置1中被包括在第一扇出部分165中的第一扇出线166和第二扇出线167与第一电源线160的至少一部分重叠的视图，图8B是示出了在根据一些示例实施例的显示装置1中被包括在第一扇出部分165中的第一扇出线166和第二扇出线167交替地布置的视图，并且图8C是示出了在根据实施例的显示装置1中第一扇出线166通过接触孔CNT电连接到第一数据线DL1的视图。

各自布置在显示区域DA中的缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107、第一平坦化层111和第二平坦化层113可以延伸到外围区域PA。

参照图8A，缓冲层101可以布置在基底100上，栅极绝缘层103可以布置在缓冲层101上，并且第一扇出线166和第二扇出线167可以布置在栅极绝缘层103上。第一扇出线166和第二扇出线167可以通过第一数据线DL1向第一显示区域DA1中的每个像素P提供数据信号。根据一些示例实施例，第一扇出线166和第二扇出线167可以包括与栅电极136的材料相同的材料。

第一层间绝缘层105可以布置在第一扇出线166和第二扇出线167上，第二层间绝缘层107可以布置在第一层间绝缘层105上，并且第一电源线160可以布置在第二层间绝缘层107上。第一电源线160可以通过驱动电压线PL向每个像素P提供第一电源电压。根据一些示例实施例，第一电源线160可以包括与源电极137和漏电极138的材料相同的材料。第一平坦化层111可以布置在第一电源线160上。

第一扇出线166可以通过第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107与第一电源线160绝缘。第一扇出线166可以在基底100上方与第一电源线160的至少一部分重叠。

第二扇出线167可以通过第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107与第一电源线160绝缘。第二扇出线167可以在基底100上方与第一电源线160的至少一部分重叠。

参照图8B，第一扇出部分165可以包括在基底100上方分别布置在不同的层上的第一扇出线166和第二扇出线167。第一扇出线166和第二扇出线167可以交替地布置。例如，第一扇出部分165可以包括布置在栅极绝缘层103上的第一扇出线166和布置在第一层间绝缘层105上的第二扇出线167。第一扇出线166和第二扇出线167可以交替地布置在基底100上方。因为第一扇出线166和第二扇出线167可以交替地且分别地布置在不同的层上，所以可以减小外围区域PA的面积，即，无效空间(dead space)。尽管在图8B中示出了第一扇出线166布置在栅极绝缘层103上并且第二扇出线167布置在第一层间绝缘层105上，但是实施例不限于此。根据一些示例实施例，第一扇出线166可以布置在第一层间绝缘层105上，并且第二扇出线167可以布置在栅极绝缘层103上。

参照图8C，缓冲层101可以布置在基底100上，栅极绝缘层103可以布置在缓冲层101上，并且第一扇出线166可以布置在栅极绝缘层103上。第一层间绝缘层105可以布置在第一扇出线166上，第二层间绝缘层107可以布置在第一层间绝缘层105上，并且第一数据线DL1和第一电源线160可以布置在第二层间绝缘层107上。第一数据线DL1可以通过穿过第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107的接触孔CNT电连接到第一扇出线166。第一电源线160可以与第一扇出线166的至少一部分重叠，第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107介于第一电源线160和第一扇出线166之间。

图9A和图9B是沿着图6的线III-III'截取的显示装置1的截面图。例如，图9A是示出了在根据一些示例实施例的显示装置1中被包括在第二扇出部分175中的第三扇出线176和第四扇出线177与第二电源线170的至少一部分重叠的视图，并且图9B是示出了在根据实施例的显示装置1中被包括在第二扇出部分175中的第三扇出线176和第四扇出线177交替地布置的视图。

参照图9A，缓冲层101可以布置在基底100上，栅极绝缘层103可以布置在缓冲层101上，并且第三扇出线176和第四扇出线177可以布置在栅极绝缘层103上。第三扇出线176和第四扇出线177可以通过第二数据线DL2向第二显示区域DA2中的每个像素提供数据信号。根据一些示例实施例，第三扇出线176和第四扇出线177可以包括与栅电极136的材料相同的材料。

第一层间绝缘层105可以布置在第三扇出线176和第四扇出线177上，第二层间绝缘层107可以布置在第一层间绝缘层105上，并且第二电源线170可以布置在第二层间绝缘层107上。第二电源线170可以向每个像素提供第二电源电压。根据一些示例实施例，第二电源线170可以包括与源电极137和漏电极138的材料相同的材料。第一平坦化层111可以布置在第二电源线170上。

第三扇出线176可以通过第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107与第二电源线170绝缘。第三扇出线176可以在基底100上方与第二电源线170的至少一部分重叠。

第四扇出线177可以通过第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107与第二电源线170绝缘。第四扇出线177可以在基底100上方与第二电源线170的至少一部分重叠。

参照图9B，第二扇出部分175可以包括在基底100上方分别布置在不同的层上的第三扇出线176和第四扇出线177。第三扇出线176和第四扇出线177可以交替地布置。例如，第二扇出部分175可以包括布置在栅极绝缘层103上的第三扇出线176和布置在第一层间绝缘层105上的第四扇出线177。第三扇出线176和第四扇出线177可以在基底100上方交替地布置。因为第三扇出线176和第四扇出线177交替地且分别地布置在不同的层上，所以可以减小外围区域PA的面积，即，无效空间。尽管在图9B中示出了第三扇出线176布置在栅极绝缘层103上，并且第四扇出线177布置在第一层间绝缘层105上，但是实施例不限于此。根据一些示例实施例，第三扇出线176可以布置在第一层间绝缘层105上，并且第四扇出线177可以布置在栅极绝缘层103上。

图10是沿着图6的线IV-IV'截取的显示装置1的截面图，并且图11是沿着图6的线V-V'截取的显示装置1的截面图。例如，图10和图11是用于说明在根据实施例的显示装置1中被包括在驱动电路120中的第一子驱动电路121和第二子驱动电路122之间的分离间隔以及被包括在驱动电路120中的第三子驱动电路123和第四子驱动电路124之间的分离间隔的视图。

参照图10，驱动电路120可以包括第一子驱动电路121和第二子驱动电路122。第一子驱动电路121和第二子驱动电路122中的每一个可以包括薄膜晶体管TFT和连接到薄膜晶体管TFT的布线。薄膜晶体管TFT可以在与形成像素电路PC的薄膜晶体管TFT的工艺相同的工艺期间形成。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A、栅电极G、源电极S以及漏电极D。

第一子驱动电路121和第二子驱动电路122可以彼此间隔开。例如，第一子驱动电路121和第二子驱动电路122可以在基底100上方通过第一距离d1彼此间隔开。

参照图11，驱动电路120可以包括第三子驱动电路123和第四子驱动电路124。第三子驱动电路123和第四子驱动电路124中的每一个可以包括薄膜晶体管TFT和连接到薄膜晶体管TFT的布线。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A、栅电极G、源电极S以及漏电极D。

第三子驱动电路123和第四子驱动电路124可以彼此间隔开。例如，第三子驱动电路123和第四子驱动电路124可以在基底100上方通过第二距离d2彼此间隔开。第三扇出线176可以布置在第三子驱动电路123和第四子驱动电路124之间，第三扇出线176连接到布置在第二显示区域DA2中的第二数据线DL2。

作为第一子驱动电路121和第二子驱动电路122之间的分离距离的第一距离d1可以大于作为第三子驱动电路123和第四子驱动电路124之间的分离距离的第二距离d2。例如，布置在与第一显示区域DA1和第二显示区域DA2对应的外围区域PA中的子驱动电路之间的分离距离可以从与第二显示区域DA2对应的外围区域PA朝向与第一显示区域DA1对应的外围区域PA逐渐地增大。

为了解决在根据现有技术的显示装置中角部的无效空间大于直线部分的无效空间的问题，一些示例实施例提供了一种显示装置，其中，因为电源线与角部的扇出线重叠，所以使外围区域最小化或减小，因此，可以高效地利用空间。

根据具有上述构造的实施例，可以实现包括其中电源线与角部的扇出线重叠的被最小化的外围区域的显示装置。然而，根据本公开的实施例的范围不受此效果限制。

应当理解，本文中描述的实施例应仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。对每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如由本公开及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。