具体实施方式

通过参考以下详细描述的示例性实施例以及附图，本公开的优点和特性以及实现这些优点和特性的方法将是清楚的。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施例，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供示例性实施例，使得本领域技术人员能够完全理解本公开的公开和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。

在用于描述本公开的示例性实施例的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细解释，以避免不必要地使本公开的主题模糊。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由…组成”的术语通常旨在允许添加其它部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另外明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括平常的误差范围。

当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“下一个”的术语描述两个部件之间的位置关系时，一个或多个部件可以位于两个部件之间，除非这些术语与术语“立即”或“直接”一起使用。

当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可直接插入在别的元件上或插入在其间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其它部件区分开。因此，在本公开的技术概念中，下面要提到的第一部件可以是第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，示出了附图中所示的每一个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示的部件的尺寸和厚度。

本公开的各种实施例的特征可以部分地或全部地彼此粘附或组合，并且可以以各种技术方式互锁和操作，并且可以彼此独立地或相关联地执行实施例。

在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的示例性实施例的显示装置。

图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的平面图。为了便于描述，图1仅示出了显示装置100的各个部件中的多个子像素SP和基板110。

基板110是用于支撑显示装置100的其它部件的支撑构件，并且可以由绝缘材料形成。例如，基板110可以由玻璃或树脂形成。另外，基板110可以由聚合物或塑料(诸如，聚酰亚胺(PI))形成，或者可以由具有柔性的材料形成。

基板110包括显示区域AA以及非显示区域NA。

显示区域AA是用于显示图像的区域。在显示区域AA中，可以设置用于显示图像的多个子像素SP和用于驱动多个子像素SP的驱动电路。驱动电路可以包括各种薄膜晶体管、存储电容器和用于驱动子像素SP的线。例如，电路可以由诸如驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、存储电容器、栅极线、数据线等的各种部件形成，但不限于此。

非显示区域NA是不显示图像的区域。在非显示区域NA中，设置用于驱动设置在显示区域AA中的子像素SP的各种线、驱动IC等。例如，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动IC可以设置在非显示区域NA中。

同时，虽然图1示出非显示区域NA围绕显示区域AA，但是非显示区域NA可以是从显示区域AA的一侧延伸的区域，并且不限于此。

多个子像素SP设置在基板110的显示区域AA中。多个子像素SP中的每一个子像素是发光的独立单元，并且多个子像素SP中的每一个子像素设置有发光元件和驱动电路。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，但不限于此。

在下文中，将参照图2详细描述多个子像素SP的驱动电路。

图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置的子像素的电路图。参照图2，用于驱动多个子像素SP的发光元件160的驱动电路包括第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、栅极线GL、数据线DL、高电位电源线VDD、感测线SL以及参考线RL。

参照图2，包括在子像素SP的驱动电路中的第一晶体管120、第二晶体管130和第三晶体管140中的每一个包括栅极电极、源极电极和漏极电极。第一晶体管120、第二晶体管130和第三晶体管140可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，在P型薄膜晶体管中，由于空穴从源极电极流向漏极电极，所以电流可以从源极电极流向漏极电极。在N型薄膜晶体管中，由于电子从源极电极流向漏极电极，所以电流可以从漏极电极流向源极电极。在下文中，假设第一晶体管120、第二晶体管130和第三晶体管140是N型薄膜晶体管，其中电流从漏极电极流向源极电极，但是本公开不限于此。

第一晶体管120包括第一有源层、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极。第一栅极电极连接到第一节点N1，第一源极电极连接到发光元件160的第一电极，并且第一漏极电极连接到高电位电源线VDD。当第一节点N1的电压高于阈值电压时，第一晶体管120导通，并且当第一节点N1的电压低于阈值电压时，第一晶体管120截止。另外，当第一晶体管120导通时，第一晶体管120可以将功率信号从高电位电源线VDD传输到发光元件160。第一晶体管120也可以称为驱动晶体管。

第二晶体管130包括第二有源层、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极。第二栅极电极连接到栅极线GL，第二源极电极连接到第一节点N1，且第二漏极电极连接到数据线DL。第二晶体管130可以基于来自栅极线GL的栅极信号而导通或截止。当第二晶体管130导通时，来自数据线DL的数据信号可以被充电至第一节点N1。第二晶体管130也可以称为开关晶体管。

第三晶体管140包括第三有源层、第三栅极电极、第三源极电极和第三漏极电极。第三栅极电极连接到感测线SL，第三源极电极连接到第二节点N2，且第三漏极电极连接到参考线RL。第三晶体管140可以基于来自感测线SL的感测信号而导通或截止。当第三晶体管140导通时，来自参考线RL的参考电压可以被传输至存储电容器150。第三晶体管140也可以称为感测晶体管。同时，在图2中，栅极线GL和感测线SL被示出为分开的线，但是栅极线GL和感测线SL可以被实现为单条线。

存储电容器150包括第一电容器电极和第二电容器电极。第一电容器电极连接到第一节点N1，并且第二电容器电极连接到第二节点N2。当发光元件160发光时，存储电容器150保持第一晶体管120的第一栅极电极与第一源极电极之间的电势差，从而允许恒定电流被提供给发光元件160。

发光元件160的第一电极连接到第二节点N2，并且第二电极连接到低电位电源线VSS。发光元件160可以从第一晶体管120接收电流以发光。此时，来自低电位电源线的低电位功率信号可以是地电压。

同时，在图2中，根据本公开的示例性实施例的显示装置100的子像素SP的驱动电路被描述为具有包括三个晶体管和一个存储电容器的3T1C结构。然而，晶体管和存储电容器的数量和连接关系可以根据设计而不同地改变，并且不限于此。

在下文中，将参照图3和图4更详细地描述多个子像素SP。

图3是图1的区域A的放大平面图。图4是沿图3的线IV-IV’截取的截面图。图3是示出四个子像素SP的平面图。参照图3及图4，根据本公开的示例性实施例的显示装置100包括基板110、栅极线GL、数据线DL、高电位电源线VDD、感测线SL、参考线RL、发光元件160、第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、缓冲层111、栅极绝缘层112、钝化层113及平坦化层114。在图3中，为了便于说明，没有示出多个滤色器。在图4中，仅示出了多个滤色器中的第一滤色器171。

首先，参照图3，多个子像素SP包括红色子像素SPR、绿色子像素SPG、蓝色子像素SPB以及白色子像素SPW。多个子像素SP中的每一个子像素包括发射区域和电路区域CA。

发射区域EA是能够独立地发射一种颜色的光的区域。发光元件160可以设置在发射区域EA中。红色子像素SPR的发射区域EA是发射红光的红色发射区域，绿色子像素SPG的发射区域EA是发射绿光的绿色发射区域，蓝色子像素SPB的发射区域EA是发射蓝光的蓝色发射区域，并且白色子像素SPW的发射区域EA可以是发射白光的白色发射区域。

电路区域CA是设置用于驱动多个发光元件160的驱动电路所在的区域。在电路区域CA中，可以设置第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140以及存储电容器150。

参照图3和图4，在基板110上设置有多条高电位电源线VDD、多条数据线DL以及在多个子像素SP之间沿列方向延伸的参考线。多条高电位电源线VDD、多条数据线DL和参考线RL可以设置在基板110上的相同的层上，并且可以由相同的导电材料形成。例如，多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、和参考线RL可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料形成，但不限于此。

多条高电位电源线VDD是用于将功率信号传输到多个子像素SP中的每一个子像素的线，并且包括第一高电位电源线VDD1和第二高电位电源线VDD2。在行方向上彼此相邻的两个子像素SP可以共享多条高电位电源线VDD中的一条高电位电源线VDD。例如，第一高电位电源线VDD1设置在红色子像素SPR的左侧，并将功率信号传输到红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一晶体管120。第二高电位电源线VDD2设置在绿色子像素SPG的右侧，并将功率信号传输到蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一晶体管120。

多条数据线DL是用于将数据信号传输到多个子像素SP中的每一个子像素的线，并且包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4。第一数据线DL1设置在红色子像素SPR与白色子像素SPW之间，即位于红色子像素SPR的右侧，并将数据信号传输到红色子像素SPR的第二晶体管130。第二数据线DL2设置在第一数据线DL1与白色子像素SPW之间，即位于白色子像素SPW的左侧，并将数据信号传输到白色子像素SPW的第二晶体管130。第三数据线DL3设置在蓝色子像素SPB与绿色子像素SPG之间，即位于蓝色子像素SPB的右侧，并将数据信号传输到蓝色子像素SPB的第二晶体管130。第四数据线DL4设置在第三数据线DL3与绿色子像素SPG之间，即位于绿色子像素SPG的左侧，并将数据信号传输到绿色子像素SPG的第二晶体管130。

参考线RL是用于将参考信号传输到多个子像素SP中的每一个子像素的线，并且可以设置在白色子像素SPW与蓝色子像素SPB之间。构成一个像素的多个子像素SP可以共享一条参考线RL。参考线RL可以将参考信号传输到红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB以及绿色子像素SPG的第三晶体管140。

缓冲层111设置在多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、和参考线RL上。缓冲层111可以减少湿气或杂质通过基板110的渗透。缓冲层111可以由例如氧化硅(SiO_x)或氮化硅(SiN_x)的单层或多层形成，但不限于此。根据基板110的类型或薄膜晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但是不限于此。

第一晶体管120设置在子像素SP中的每一个子像素SP的电路区域CA中。第一晶体管120包括第一栅极电极121、第一源极电极122、第一漏极电极123和第一有源层124。电连接到发光元件160的第一电极161和高电位电源线VDD的第一晶体管120可以是驱动晶体管。

首先，第一漏极电极123设置在缓冲层111上。第一漏极电极123电连接到多条高电位电源线VDD。具体地，红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一漏极电极123可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接到第一高电位电源线VDD1。蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一漏极电极123可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接到第二高电位电源线VDD2。

第一有源层124设置在缓冲层111上。第一有源层124可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。例如，当第一有源层124由氧化物半导体形成时，第一有源层124可以由沟道区、源极区和漏极区形成，并且源极区和漏极区可以是导体区。然而，本公开不限于此。

同时，红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一漏极电极123可以一体地形成，并且蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一漏极电极123可以一体地形成。具体地，红色子像素SPR的第一漏极电极123和白色子像素SPW的第一漏极电极123可以一体地形成，以共享一条第一高电位电源线VDD1。例如，来自第一高电位电源线VDD1的功率信号可以通过红色子像素SPR的第一漏极电极123传输到白色子像素SPW的第一漏极电极123。来自第二高电位电源线VDD2的功率信号可以通过绿色子像素SPG的第一漏极电极123传输到蓝色子像素SPB的第一漏极电极123。然而，本公开不限于此。红色子像素SPR的第一漏极电极123和白色子像素SPW的第一漏极电极123可以分别地形成，并且蓝色子像素SPB的第一漏极电极123和绿色子像素SPG的第一漏极电极123可以分别地形成。

多个子像素SP中的每一个子像素的第一有源层124和第一漏极电极123可以一体地形成。例如，当向红色子像素SPR中的第一栅极电极121施加电压时，与第一有源层124一体地形成并且是导体区的第一漏极电极123将来自第一高电位电源线VDD1的功率信号传输到第一有源层124和第一源极电极122。第一漏极电极123可以被限定为与第一高电位电源线VDD1集成，但不限于此。

栅极绝缘层112设置在第一有源层124和第一漏极电极123上。栅极绝缘层112是用于使第一栅极电极121和第一有源层124彼此绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以由氧化硅(SiO_x)或氮化硅(SiN_x)的单层或多层形成，但不限于此。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第一栅极电极121设置在栅极绝缘层112上，以与第一有源层124重叠。第一栅极电极121可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第一源极电极122设置在栅极绝缘层112上，以与第一栅极电极121间隔开。第一源极电极122可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第一有源层124。第一源极电极122和第一栅极电极121可以设置在相同的层上，并且可以由相同的导电材料形成。然而，本公开不限于此。第一源极电极122可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

第二晶体管130设置在多个子像素SP中的每一个子像素的电路区域CA中。第二晶体管130包括第二栅极电极131、第二源极电极132、第二漏极电极133和第二有源层134。电连接至栅极线GL、数据线DL和第一晶体管120的第一栅极电极121的第二晶体管130可以是开关晶体管。

首先，在多个子像素SP中的每一个子像素中，第二漏极电极133设置在基板110与缓冲层111之间。第二漏极电极133电连接到多条数据线DL中的一条数据线DL。第二漏极电极133可以与多条数据线DL一体地形成，并且可以由与多条数据线DL相同的导电材料形成。例如，红色子像素SPR的第二漏极电极133可以与第一数据线DL1一体地形成，白色子像素SPW的第二漏极电极133可以与第二数据线DL2一体地形成，蓝色子像素SPB的第二漏极电极133可以与第三数据线DL3一体地形成，以及绿色子像素SPG的第二漏极电极133可以与第四数据线DL4一体地形成。第二漏极电极133可以由导电材料形成，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第二源极电极132设置为与基板110与缓冲层111之间的第二漏极电极133间隔开。第二源极电极132和第二漏极电极133可以设置在相同的层上，并且可以由相同的导电材料形成。然而，本公开不限于此。第二源极电极132可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第二有源层134设置在缓冲层111和栅极绝缘层112之间。第二有源层134可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接到第二源极电极132和第二漏极电极133。第二有源层134可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第二栅极电极131设置在栅极绝缘层112上，以与第二有源层134重叠。第二栅极电极131可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

第二栅极电极131从栅极线GL延伸。因此，第二栅极电极131和栅极线GL可以由相同的导电材料形成。栅极线GL可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

栅极线GL是将栅极信号传输到多个子像素SP中的每一个子像素的线。栅极线GL横穿多个子像素SP并沿行方向延伸。例如，栅极线GL设置为在多个子像素SP中的每一个子像素的电路区域CA与发射区域EA之间沿行方向延伸，并且与沿列方向延伸的多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、和参考线RL交叉。

第三晶体管140设置在子像素SP中的每一个子像素SP的电路区域CA中。第三晶体管140包括第三栅极电极141、第三源极电极142、第三漏极电极143和第三有源层144。电连接到参考线RL、感测线SL以及存储电容器150的第二电容器电极152的第三晶体管140可为感测晶体管。

首先，在多个子像素SP中的每一个子像素中，第三源极电极142设置在基板110与缓冲层111之间。第三源极电极142设置在与多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、和参考线RL相同的层上，并由与多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、和参考线RL相同的导电材料形成。第三源极电极142可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

第三源极电极142可以电连接到第一源极电极122。具体地，第三源极电极142朝向第一源极电极122延伸，以与第一有源层124的与第一源极电极122重叠的部分接触，从而电连接到第一源极电极122。另外，第三源极电极142也可以电连接到构成存储电容器150的第二电容器电极152，这将在稍后描述。

同时，第三源极电极142可以用作阻挡入射到第一晶体管120的第一有源层124的光的光阻挡层。例如，当光照射在第一有源层124上时，可能发生漏电流，并且因此，第一晶体管120的可靠性可能降低。在这种情况下，由非透明导电材料形成的第三源极电极142设置在第一有源层124和第一栅极电极121之下，从而阻挡从基板的底部入射到第一有源层124上的光。因此，可以提高第一晶体管120的可靠性。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第三有源层144设置在缓冲层111与栅极绝缘层112之间。第三有源层144可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接到第三源极电极142，并且可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第三漏极电极143。第三有源层144可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第三栅极电极141设置在栅极绝缘层112上，以与第三有源层144重叠。第三栅极电极141电连接到感测线SL。第三栅极电极141可以与感测线SL一体地形成，并且可以由与感测线SL相同的导电材料形成。第三栅极电极141可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

感测线SL是将感测信号传输到多个子像素SP中的每一个子像素的线，并且在多个子像素SP之间沿行方向延伸。例如，感测线SL可以设置成在多个子像素SP之间的边界处沿行方向延伸，并且与沿列方向延伸的多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、和参考线RL交叉。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第三漏极电极143设置在栅极绝缘层112上。第三漏极电极143可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第三有源层144。第三漏极电极143可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

第三漏极电极143通过辅助参考线SRL电连接到参考线RL。构成一个像素的多个子像素SP可以共享一条参考线RL。在这种情况下，为了将参考信号从参考线RL传输到多个子像素SP中的每一个子像素，可以设置电连接到参考线RL并沿行方向延伸的辅助参考线SRL。辅助参考线SRL可以通过形成在缓冲层111和栅极绝缘层112中的接触孔电连接到在白色子像素SPW和蓝色子像素SPB之间沿列方向延伸的参考线RL。另外，辅助参考线SRL可以从参考线RL沿行方向延伸，并且电连接到多个子像素SP中的每一个子像素的第三漏极电极143。辅助参考线SRL与第三漏极电极143一体地形成，并可由相同的导电材料形成。辅助参考线SRL可以由导电材料形成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

存储电容器150设置在每一个子像素SP的电路区域CA中。存储电容器150可以存储第一晶体管120的第一栅极电极121与第一源极电极122之间的电压，使得发光元件160在一个帧周期期间连续地保持相同的状态。存储电容器150包括第一电容器电极151和第二电容器电极152。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第一电容器电极151设置在基板110与缓冲层111之间。在设置在基板110上的导电部件中，第一电容器电极151可以最靠近基板110设置。第一电容器电极151可以与第二源极电极132一体地形成，并且电连接到第二源极电极132。另外，第一电容器电极151可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接到第一栅极电极121。即，第二晶体管130的第二源极电极132和第一晶体管120的第一栅极电极121可以通过第一电容器电极151彼此电连接。与第二源极电极132一体地形成的第一电容器电极151可以由与第二源极电极132相同的材料形成。第一电容器电极151可以由导电材料形成，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

在这种情况下，第一电容器电极151设置在第一栅极电极121和第一源极电极122下方。第一电容器电极151设置为与第一源极电极122重叠。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第二电容器电极152设置在栅极绝缘层112上。第二电容器电极152可以设置在第一电容器电极151上，以与第一电容器电极151重叠。第二电容器电极152可以与第一源极电极122一体地形成，并且电连接到第一源极电极122。第一源极电极122的与第一电容器电极151重叠的部分可以被限定为第二电容器电极152。与第一源极电极122一体地形成的第二电容器电极152可以由与第一源极电极122相同的材料形成。第二电容器电极152可由导电材料形成，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

总之，存储电容器150的第一电容器电极151可以与第二源极电极132一体地形成，并且可以电连接到第一晶体管120的第一栅极电极121和第二晶体管130的第二源极电极132。另外，第二电容器电极152可以与第一源极电极122一体地形成，并且可以电连接到第一晶体管120的第一源极电极122和第三晶体管140的第三源极电极142。

接着，钝化层113设置在第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、参考线RL、栅极线GL以及感测线SL上。钝化层113是用于保护钝化层113之下的部件的绝缘层。例如，钝化层113可以由氧化硅(SiO_x)或氮化硅(SiN_x)的单层或多层形成，但不限于此。此外，根据实施例，可以省略钝化层113。

多个滤色器设置在钝化层113上。具体地，多个滤色器可以设置在平坦化层114与钝化层113之间。多个滤色器包括第一滤色器171、第二滤色器和第三滤色器。例如，第一滤色器571可以是红色滤色器，第二滤色器可以是蓝色滤色器，并且第三滤色器可以是绿色滤色器。

第一滤色器171设置在多个子像素SP中的一个子像素SP的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间。例如，第一滤色器171是红色滤色器，并且第一滤色器171可以设置在红色子像素SPR的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间。

尽管在图3和图4中未示出，但是第二滤色器可以设置在多个子像素SP中的另一子像素SP的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间。例如，第二滤色器是蓝色滤色器，并且第二滤色器可以设置在蓝色子像素SPB的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间。

另外，尽管在图3和图4中未示出，但是第三滤色器可以设置在多个子像素SP中的另一子像素SP的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间。例如，第三滤色器是绿色滤色器，并且第三滤色器可以设置在绿色子像素SPG的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间。

平坦化层114设置在钝化层113和多个滤色器上。平坦化层114是用于平坦化基板110的上部的绝缘层，在该上部上设置有第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、参考线RL、栅极线GL和感测线SL。平坦化层114可以由有机材料形成，并且可以由例如聚酰亚胺或光亚克力的单层或多层形成。然而，本公开不限于此。

发光元件160设置在多个子像素SP中的每一个子像素中。在多个子像素SP中的每一个子像素中，发光元件160设置在平坦化层114上。发光元件160包括第一电极161、发光层164和第二电极165。

第一电极161设置在发射区域EA中的平坦化层114上。由于第一电极161向发光层164供应空穴，所以第一电极161可以由具有高功函数的导电材料形成，并且可以被称为阳极。第一电极161可以由例如透明导电材料形成，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)，但不限于此。

同时，当根据本公开的示例性实施例的显示装置100是顶部发射型时，由具有优异反射效率的金属材料(例如，铝(Al)或银(Ag))形成的反射层可被添加到第一电极161的下部，使得从发光层164发射的光在第一电极161上反射，以沿向上的方向被引导，即被引导到第二表面165。与此相反，当显示装置100是底部发射型时，第一电极161可以仅由透明导电材料形成。在下文中，将在根据本公开的示例性实施例的显示装置100是底部发射型的假设下进行描述。

发光层164在发射区域EA和电路区域CA中设置在第一电极161上。发光层164可以形成为遍及多个子像素SP的单层。即，多个子像素SP的相应发光层164可以彼此连接并一体地形成。发光层164可以被配置为单个发光层164，或者可以具有其中堆叠发射不同颜色的光的多个发光层164的结构。发光层164还可以包括有机层，诸如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。

第二电极165在发射区域EA和电路区域CA中设置在发光层164上。由于第二电极165向发光层164供应电子，所以第二电极165可由具有低功函数的导电材料形成，并可被称为阴极。第二电极165可以形成为遍及多个子像素SP的单层。即，多个子像素SP的相应第二电极165可彼此连接并一体地形成。第二电极165可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料或镱(Yb)的合金形成，并且还可以包括掺杂金属的层。然而，本公开不限于此。同时，尽管在图3和图4中未示出，但是发光元件160的第二电极165可以电连接到低电位电源线VSS，从而被供应有低电位功率信号。

发光元件160包括从第一电极161朝向电路区域CA延伸的延伸部分162。延伸部分162从发射区域EA的第一电极161朝向电路区域CA的第一源极电极122延伸，并可通过形成在平坦化层114和钝化层113中的接触孔电连接到第一源极电极122。因此，发光元件160的第一电极161可以通过延伸部分162电连接到第一晶体管120的第一源极电极122和存储电容器150的第二电容器电极152。

发光元件160还包括修复部分163，修复部分163从设置在多个子像素SP中的一个子像素SP中的第一电极161朝向与该一个子像素SP相邻的另一个子像素SP的电路区域CA延伸。修复部分163朝向与该一个子像素SP相邻的子像素SP中的发射与该一个子像素SP相同颜色的光的另一个子像素SP的电路区域CA延伸。例如，一个红色子像素SPR的修复部分163可以在垂直方向上朝向与该一个红色子像素SPR相邻的另一红色子像素SPR的电路区域CA延伸。修复部分163可以朝向相邻子像素SP的电路区域CA中的第三晶体管140的第三源极电极142延伸。修复部分163可以与第三源极电极142重叠，并且平坦化层114和钝化层113插入在它们之间。

如果在电路区域CA中的多个晶体管和存储电容器150中出现缺陷，则可以将激光照射到朝向相邻子像素SP的第三源极电极142延伸的修复部分163，从而修复部分163和相邻子像素SP的第三源极电极142可以彼此电连接。在这种情况下，第三源极电极142可电连接在第一晶体管120的第一源极电极122与发光元件160的第一电极161之间，即，在从第一晶体管120提供给发光元件160的电流流动的点处。因此，即使在驱动电路中出现缺陷，第一晶体管120和修复部分163也可以通过相邻子像素SP的第三源极电极142彼此电连接，并且两个发光元件160可以由一个驱动电路驱动。同时，在附图中，修复部分163被示出为与第三源极电极142重叠。然而，修复部分163可以与第一晶体管120重叠，但不限于此。

修复图案RP设置在修复部分163与第三源极电极142之间。修复图案RP形成在与第一漏极电极123、第一栅极电极121和栅极线GL相同的层上，并由与第一漏极电极123、第一栅极电极121和栅极线GL相同的材料形成。岛形状修复图案RP设置为与第三源极电极142和修复部分163重叠。如果在驱动电路中出现缺陷，则可以将激光照射到修复部分163，从而修复部分163、修复图案RP和第三源极电极142可以彼此电连接。在这种情况下，在第三源极电极142与修复部分163之间设置诸如缓冲层111、栅极绝缘层112、钝化层113和平坦化层114的多个绝缘层。并且，修复图案RP还可以设置在第三源极电极142与修复部分163之间，从而容易地将第三源极电极142和修复部分163彼此连接。然而，修复部分163和修复图案RP可以根据设计而省略，并且不限于此。

同时，在多个接触孔、高电位电源线VDD和参考线RL中的一些接触孔上设置由与栅极线GL相同的材料形成的虚设图案DP。岛形状虚设图案DP可以设置成与高电位电源线VDD、参考线RL或接触孔重叠。虚设图案DP是在掩模设计中形成的图案，并且虚设图案DP的布置可以根据掩模设计而改变，但不限于此。

在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，通过设置延伸部分162，可以降低发光元件160的功耗，并且可以使色彩坐标失真最小化。首先，在整个发射区域和电路区域CA中设置发光层164和第二电极165。发光层164设置在整个发射区域EA和电路区域CA中。然而，光可以不从整个发光层164发射，而可以仅从发光层164的与第二电极165和第一电极161重叠的部分发射。在这种情况下，当第一电极161设置在整个电路区域CA中时，光也从电路区域CA发射，并且因此，发光元件160的功耗和光量会增大。然而，由于根据本公开的示例性实施例的显示装置100是底部发射型的，所以即使当光从电路区域CA发射时，光也被设置在电路区域CA中的多个晶体管和存储电容器150阻挡。因此，光提取效率降低了。另外，当使用从发射区域EA发射的光来实现图像时，从电路区域CA发射不期望的光，即，可能发生漏光，从而导致色彩坐标失真。因此，仅电连接到第一电极161的延伸部分162最低限度地设置在电路区域CA中，由此可以最小化电路区域CA中的光发射，并且可以减小发光元件160的功耗和色彩坐标失真。

根据本公开的示例性实施例，在显示装置100中还设置有修复部分163，由此当一个驱动电路有缺陷时，可以利用另一个驱动电路来驱动两个发光元件160。修复部分163从设置在多个子像素SP中的一个子像素SP中的第一电极161朝向与该一个子像素SP相邻的子像素SP中的发射与该一个子像素SP相同颜色的光的另一个子像素SP的电路区域CA延伸。修复部分163可在相邻子像素SP的电路区域CA中朝向第三晶体管140的第三源极电极142延伸，并与第三源极电极142重叠。如果在电路区域CA中的多个晶体管和存储电容器150中出现缺陷，则将激光照射到朝向相邻子像素SP的第三源极电极142延伸的修复部分163，从而修复部分163和相邻子像素SP的第三源极电极142可彼此电连接。在这种情况下，由于第三源极电极142电连接到从第一晶体管120提供给发光元件160的电流流动的点，所以即使在驱动电路中出现缺陷，修复部分163和相邻子像素SP的第三源极电极142也彼此电连接，从而用一个驱动电路驱动两个发光元件160。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，即使在驱动电路中出现缺陷，也可以驱动多个子像素SP的相应发光元件160，从而使光效率的降低最小化。

同时，存储电容器150保持第一晶体管120的第一栅极电极121与第一源极电极122之间的电势差，从而允许向发光元件160提供恒定电流。另外，为了向发光元件160提供恒定电流，重要的是维持连接到存储电容器150的第一栅极电极121的第一电容器电极151中的电压。然而，当第一电容器电极151设置为与连接到低电位电源线VSS的发光元件160的第二电极165相邻时，第一电容器电极151与第二电极165之间的寄生电容增大，从而来自数据线DL的数据信号可能失真。

在现有技术中，在在整个电路区域与发射区域之间的边界处形成堤之后，在堤上形成第二电极，使得第二电极和第一电容器电极可以设置为彼此隔开足以减小寄生电容的距离。同时，根据本公开的示例性实施例的显示装置100是通过去除堤而允许简化工艺的显示装置100。因此，在显示装置100中，由于去除了堤，所以第一电容器电极151与第二电极165之间的距离可能缩短，从而导致寄生电容问题。

因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一电容器电极151设置为在设置在基板110上的导电部件中最靠近基板110，由此可使第一电容器电极151与第二电极165之间的寄生电容最小化。具体地，可以通过将第一电容器电极151设置为最靠近基板110来增大第一电容器电极151与第二电极165之间的距离。首先，在基板110上，与高电位电源线VDD、多条数据线DL、和参考线RL一起设置第一电容器电极151。另外，缓冲层111和栅极绝缘层112设置在第一电容器电极151上，并且用作第二电容器电极152的第一源极电极122设置在栅极绝缘层112上。另外，在钝化层113和平坦化层114设置在第一源极电极122上之后，第二电极165可以设置在平坦化层114上。即，由于多个绝缘层和第二电容器电极152设置在第一电容器电极151与第二电极165之间，所以第一电容器电极151与第二电极165之间的距离可以增大。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，通过将第一电容器电极151设置为最靠近基板110，可以使第一电容器电极151与第二电极165之间的寄生电容最小化，并且可以稳定地维持流向发光元件160的电流。

图5是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的放大平面图。图6是沿图5的线VI-VI’截取的截面图。图5和图6的显示装置500与图1至图4的显示装置100的不同之处仅在于还包括多个滤色器570，并且其其它配置与图1至图4的显示装置100的配置基本相同。因此，将省略重复的描述。

参照图5及图6，多个滤色器570设置在平坦化层114及发光元件160之下。具体地，多个滤色器570可以设置在平坦化层114与钝化层113之间。多个滤色器570包括第一滤色器571、第二滤色器572和第三滤色器573。例如，第一滤色器571可以是红色滤色器，第二滤色器572可以是蓝色滤色器，并且第三滤色器573可以是绿色滤色器。

第一滤色器571设置在多个子像素SP中的一个子像素SP的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间，并且设置在该一个子像素SP的电路区域CA中的平坦化层114与第一晶体管120之间。例如，第一滤色器571为红色滤色器，并且第一滤色器571可设置在红色子像素SPR的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间，并可设置在红色子像素SPR的电路区域CA中的第一晶体管120与平坦化层114之间。除了红色子像素SPR之外，第一滤色器571可设置在白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每一个子像素的电路区域CA中的平坦化层114与基板110之间。因此，设置在多个子像素SP的红色子像素SPR的发射区域和多个子像素SP中的每一个子像素的电路区域CA中的第一滤色器571可形成为具有网格形状。

第二滤色器572设置在多个子像素SP中的另一子像素SP的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间、设置在另一子像素SP的电路区域CA中的平坦化层114与第一晶体管120之间、并且设置在该一个子像素SP的电路区域CA中的平坦化层114与第一滤色器571之间。例如，第二滤色器572是蓝色滤色器。第二滤色器572设置在蓝色子像素SPB的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间、设置在蓝色子像素SPB的电路区域CA中的第一晶体管120与平坦化层114之间、并且设置在红色子像素SPR的电路区域CA中的平坦化层114与第一滤色器571之间。另外，除了蓝色子像素SPB和红色子像素SPR的电路区域CA之外，第二滤色器572可设置在白色子像素SPW和绿色子像素SPG中的每一个子像素的电路区域CA中的平坦化层114与基板110之间。因此，设置在多个子像素SP中的蓝色子像素SPB的发射区域和多个子像素SP中的每一个子像素的电路区域CA中的第二滤色器572可形成为具有网格形状。

此外，设置在多个子像素SP中的每一个子像素的电路区域CA中的第一滤色器571和第二滤色器572可以彼此部分地重叠。在多个子像素SP的相应电路区域CA中，第一滤色器571可以设置在基板110与平坦化层114之间，并且第二滤色器572可以设置在第一滤色器571与平坦化层114之间。因此，第一滤色器571和第二滤色器572可以设置成在多个子像素SP的相应电路区域CA中彼此重叠。

同时，示出了第一滤色器571和第二滤色器572设置为在多个子像素SP的相应电路区域CA中彼此重叠，但是这仅仅是根据工艺顺序的布置。堆叠在电路区域CA上的多个滤色器570的类型不限于此。例如，在第三滤色器573和第一滤色器571顺序形成在钝化层113上的情况下，第三滤色器573和第一滤色器571也可以设置并堆叠在多个子像素SP的整个相应电路区域CA中。

第三滤色器573设置在多个子像素SP中的另一子像素SP的发射区域EA中。例如，第三滤色器573是绿色滤色器，并且第三滤色器573设置在绿色子像素SPG的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间。在这种情况下，代替第三滤色器573，第一滤色器571和第二滤色器572可以设置在绿色子像素SPG的电路区域CA中。因此，由于第三滤色器573仅设置在绿色子像素SPG的发射区域EA中，所以第三滤色器573可形成为具有岛形状。

在根据本公开的另一实施例的显示装置500中，多个滤色器570的至少一部分可以堆叠在电路区域CA中，从而最小化第一电容器电极151与第二电极165之间的寄生电容。首先，由于根据本公开的另一示例性实施例的显示装置500是底部发射型的，所以从发光元件160发射的光被发射到基板110的底部。因此，多个滤色器570可设置在发光元件160与基板110之间，以将从发光元件160发射的光的颜色转换为各种颜色。在这种情况下，多个滤色器570中的每一个不仅设置在发射区域EA中，而且还布置在电路区域CA中，使得第一电容器电极151与第二电极165之间的分离距离可以增大。例如，多个滤色器570中的第一滤色器571可以在红色子像素SPR的发射区域以及多个子像素SP的整个电路区域CA中设置在基板110与平坦化层114之间，即，发光元件160与存储电容器150之间。此外，多个滤色器570中的第二滤色器572可以设置在蓝色子像素SPB的发射区域EA中的平坦化层114与基板110之间，并且可以设置在多个子像素SP的整个电路区域CA中的存储电容器150与发光元件160之间。因此，第一滤色器571和第二滤色器572还设置在电路区域CA中的第二电极165与存储电容器150之间，从而第一电容器电极151与第二电极165之间的距离可以增大，并且第一电容器电极151与第二电极165之间的寄生电容也可以最小化。因此，在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置500中，至少一个滤色器570还设置在电路区域CA中的第二电极165与存储电容器150之间，从而可使由于第一电容器电极151与第二电极165之间的寄生电容导致的数据信号的失真最小化。

本公开的示例性实施例还可以描述如下：

根据本公开的一方面，一种显示装置包括：基板，在基板中限定有多个子像素，多个子像素中的每一个子像素包括发射区域和电路区域；驱动晶体管，其设置在电路区域中，并且包括设置在相同的层上的第一栅极电极和第一源极电极；存储电容器，其设置在电路区域中，并且包括电连接到第一栅极电极并设置在第一栅极电极下方的第一电容器电极；绝缘层，其使驱动晶体管和存储电容器的上部平坦化；以及发光元件，其设置在绝缘层上。

第一电容器电极可以与第一源极电极重叠，并且存储电容器还可以包括与第一源极电极一体地形成的第二电容器电极。

第二电容器电极可以设置在第一电容器电极上。

发光元件可以包括：第一电极，其设置在发射区域中并且在绝缘层上；发光层，其设置在整个发射区域和电路区域中并且在第一电极上；以及第二电极，其设置在整个发射区域和电路区域中并且在发光层上，其中，在绝缘层的上表面中，除了接触第一电极的部分之外的其余部分可以与发光元件接触。

设置在多个相应子像素中的第一电极可以设置为彼此间隔开，并且发光层可以设置在彼此间隔开的第一电极之间。

发光元件还可以包括延伸部分，延伸部分从发射区域的第一电极朝向电路区域的第一源极电极延伸。

发光元件还可以包括修复部分，修复部分从设置在多个子像素中的一个子像素中的第一电极朝向与该一个子像素相邻的另一子像素的电路区域延伸。

显示装置还可以包括：光阻挡层，其设置在基板与驱动晶体管的第一有源层之间，并且第一电容器电极可以设置在与光阻挡层相同的层上。

显示装置还可以包括：开关晶体管，其设置在电路区域中，并且包括电连接到第一栅极电极和第一电容器电极的第二源极电极；感测晶体管，其设置在电路区域中，并且包括电连接到驱动晶体管、存储电容器和发光元件的第三源极电极；栅极线，其电连接到开关晶体管的第二栅极电极；数据线，其电连接到开关晶体管的第二漏极电极；高电位电源线，其电连接到驱动晶体管的第一漏极电极；感测线，其电连接到感测晶体管的第三栅极电极；以及参考线，其电连接到感测晶体管的第三漏极电极，其中，数据线、高电位电源线和感测线可以设置为在与光阻挡层相同的层上沿列线延伸，其中，栅极线和参考线可以设置为在与第一栅极电极相同的层上沿行方向延伸。

显示装置还可以包括：第一滤色器，其设置在多个子像素中的一个子像素的发射区域中的绝缘层与基板之间，并设置在该一个子像素的电路区域中的绝缘层与驱动晶体管之间；以及第二滤色器，其设置在多个子像素中的另一子像素的发射区域中的绝缘层与基板之间，并设置在该一个子像素的电路区域中的绝缘层与第一滤色器之间。

第一电容器电极、第一滤色器和第二滤色器可以在一个子像素的电路区域中彼此重叠。

根据本公开的另一方面，一种显示装置包括：基板，在基板中限定有包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素的多个子像素；第一电容器电极，其设置在多个子像素中的每一个子像素中；驱动晶体管，其设置在多个子像素中的每一个子像素中，并且包括电连接到第一电容器电极的第一栅极电极和设置在第一电容器电极上的第一源极电极；以及发光元件，其包括设置在多个子像素中的每一个子像素中的驱动晶体管上的多个阳极，以及设置在整个多个子像素上以覆盖多个阳极的阴极和发光层，其中发光层的下表面的一部分可以设置在与多个阳极的相应下表面相同的平面上。

多个子像素中的每一个子像素还可以包括：发射区域，在其中设置有多个阳极；以及电路区域，在其中设置有驱动晶体管及第一电容器电极，其中，发光元件还可以包括从多个阳极中的每一个阳极朝向驱动晶体管延伸的延伸部分。

发光元件还可以包括修复部分，该修复部分从多个阳极中的设置在红色子像素中的阳极朝向与红色子像素相邻的另一红色子像素延伸。

显示装置还可以包括：红色滤色器，其设置在发射区域中的红色子像素的发射区域中和多个子像素中的每一个子像素的电路区域中；蓝色滤色器，其设置在发射区域中的蓝色子像素的发射区域中和多个子像素中的每一个子像素的电路区域中；以及绿色滤色器，其设置在发射区域中的绿色子像素的发射区域中，其中，在多个子像素中的每一个子像素的电路区域中，红色滤色器和蓝色滤色器可以彼此重叠。

红色滤色器和蓝色滤色器可以形成为具有网格形状，其中，绿色滤色器可以形成为具有岛形状。

第一电容器电极和第一源极电极可以构成存储电容器，并且第一源极电极、红色滤色器和蓝色滤色器可以设置在第一电容器电极与阴极之间。

第一电容器电极可以设置为在设置于基板上的导电部件中最靠近基板。

尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此，并且在不脱离本公开的技术概念的情况下，可以以许多不同的形式来实施本公开。因此，本公开的示例性实施例仅是出于说明的目的而提供的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施例在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且其等同范围中的所有技术概念应当被解释为落入本公开的范围内。