具体实施方式

以下，一边参照附图、一边对本发明的各实施方式进行说明。

附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等不限于一定与现实的相同。在表示相同部分的情况下，也存在彼此的尺寸和/或比率根据附图而不同地表示的情况。

在本申请说明书与各图中，对于与关于出现过的图在前面描述过的要素同样的要素，标注同一标号，并适当省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1的(a)～图1的(c)及图2是例示第1实施方式所涉及的传感器的示意图。

图1的(a)是从图1的(b)及图1的(c)的箭头AA方向观察的俯视图。图1的(b)是图1的(a)的A1-A2线剖视图。图1的(c)是图1的(a)的B1-B2线剖视图。图2是图1的(a)的C1-C2线剖视图。

如图1的(a)所示，实施方式所涉及的传感器110包括基体50、第1结构体11及第2结构体12。第1结构体11包括第1固定部11f、第1导电部11c及多个第1电极11e。如图2所示，在该例子中，传感器110还包括第1绝缘部51及第2绝缘部52。

如图2所示，第1固定部11f被固定于基体50。在该例子中，第1绝缘部51被设置于基体50与第1固定部11f之间。第1固定部11f被经由第1绝缘部51而固定于基体50。

如图1的(a)所示，第1导电部11c被保持于第1固定部11f。例如，第1导电部11c与第1固定部11f连接。在该例子中，第1结构体11还包括第1连接部11n。通过第1连接部11n，将第1固定部11f与第1导电部11c互相连接。第1连接部11n例如为弹簧。

如图1的(b)所示，第1导电部11c在第1方向上与基体50分离。如图1的(b)所示，在第1导电部11c与基体50之间设置有间隙gc1。例如第1导电部11c能够变形。

将第1方向设为Z轴方向。将相对于Z轴方向垂直的一个方向设为X轴方向。将相对于Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。基体50例如实质上相对于X-Y平面平行。

如图1的(a)所示，多个第1电极11e被保持于第1导电部11c。例如，多个第1电极11e与第1导电部11c连接。如图1的(b)所示，在多个第1电极11e与基体50之间设置有间隙ge1。多个第1电极11e与基体50之间的距离de1(参照图1的(b))是可变的。如图1的(a)所示，从多个第1电极11e中的一个朝向多个第1电极11e中的另一个的方向沿着第2方向。第2方向与第1方向(Z轴方向)交叉。在该例子中，第2方向为Y轴方向。

如图1的(a)所示，第2结构体12包括第2导电部12c及多个第2电极12e。如图1的(c)所示，第2导电部12c被固定于基体50。例如，第2绝缘部52被设置于基体50与第2导电部12c之间。第2导电部12c经由第2绝缘部52而固定于基体50。如图1的(a)所示，多个第2电极12e被保持于第2导电部12c。例如，多个第2电极12e与第2导电部12c连接。多个第2电极12e中的一个位于多个第1电极11e中的一个与多个第1电极11e中的另一个之间。例如，多个第1电极11e中的一个位于多个第2电极12e中的一个与多个第2电极12e中的另一个之间。

如图1的(a)所示，第1电极11e与第2电极12e沿着Y轴方向交替地排列。例如，多个第1电极11e及多个第2电极12e形成梳齿电极。

通过多个第1电极11e及多个第2电极12e，形成电容器。电容器的静电电容取决于多个第1电极11e与多个第2电极12e相对向的面积。

例如，对传感器110施加外力等的加速度。通过加速度，第1结构体11的一部分变形，多个第1电极11e与基体50之间的距离de1会变化。另一方面，多个第2电极12e与基体50之间的距离de2实质上不变化。因此，加速度等的外力施加于传感器110时的静电电容从加速度等的外力没有施加于传感器110时的静电电容开始变化。通过检测静电电容的变化，能够检测施加于传感器110的外力等。传感器110例如为MEMS(Micro Electro MechanicalSystems，微机电系统)型的传感器。

例如，多个第1电极11e与多个第2电极12e之间的静电电容与多个第1电极11e与基体50之间的距离de1的变化相应地变化。在传感器110中，例如检测沿着Z轴方向的加速度。

加速度等的外力没有施加于传感器110时的传感器110的静电电容(初始电容C0)取决于多个第1电极11e与多个第2电极12e相对向的面积。在加速度等的外力施加于传感器110时，多个第1电极11e与多个第2电极12e相对向的面积会变化。关于此时的静电电容，将面积变化后的电容灵敏度设为C1。一般而言，传感器的电容灵敏度C1通过C-V转换电路进行电压转换而作为输出电压被检测。要提高输出电压的SNR(Signal-to-Noise Ratio，信噪比)，提高电容灵敏度C1相对于初始电容C0的比即可。在传感器110中，检测的电容灵敏度C1不取决于初始电容C0，而取决于由外力引起的位移量。因此，如果减小初始电容C0，则能够提高电容灵敏度C1相对于初始电容C0的比，能够提高SNR。作为结果，可得到高灵敏度。

在实施方式中，如图1的(b)所示，例如缩短多个第1电极11e的高度方向的长度。如图1的(c)所示，例如缩短多个第2电极12e的高度方向的长度。由此，能够减小初始电容C0。另一方面，电容灵敏度C1不发生变化。由此，可得到高灵敏度。

例如，如图1的(b)所示，将多个第1电极11e中的一个的沿着第1方向(Z轴方向)的长度设为第1电极长度Le1。将第1导电部11c的沿着第1方向的长度设为第1导电部长度Lc1。在实施方式中，第1电极长度Le1比第1导电部长度Lc1短。由此，与第1电极长度Le1和第1导电部长度Lc1相同的情况相比，能够减小多个第1电极11e与多个第2电极12e相对向的面积。

例如，如图1的(c)所示，将多个第2电极12e中的一个的沿着第1方向(Z轴方向)的长度设为第2电极长度Le2。将第2导电部12c的沿着第1方向的长度设为第2导电部长度Lc2。在实施方式中，第2电极长度Le2比第2导电部长度Lc2短。由此，与第2电极长度Le2和第2导电部长度Lc2相同的情况相比，能够减小多个第1电极11e与多个第2电极12e相对向的面积。

在实施方式中，能够减小初始电容C0。另一方面，电容灵敏度C1不变化。由此，能够提供可以提高灵敏度的传感器。

这样，在实施方式中，第1电极长度Le1比第1导电部长度Lc1短。或者，第2电极长度Le2比第2导电部长度Lc2短。在形成这样的构造的情况下，例如制造工艺变得复杂。因此，一般而言，第1电极长度Le1与第1导电部长度Lc1相同。第2电极长度Le2与第2导电部长度Lc2相同。

在实施方式中，考虑到制造工艺的复杂化等，也使电极长度比导电部长度短。由此，减小初始电容C0，得到高灵敏度。

在实施方式中，例如第1电极长度Le1比第2导电部长度Lc2短。例如，第2电极长度Le2比第1导电部长度Lc1短。

例如，第1电极长度Le1也可以与第2电极长度Le2实质上相同。第1电极长度Le1也可以为第2电极长度Le2的0.9倍以上且1.1倍以下。在这些长度实质上相同的情况下，制造工艺变得简单。

例如，第1导电部长度Lc1也可以与第2导电部长度Lc2实质相同。第1导电部长度Lc1也可以为第2导电部长度Lc2的0.9倍以上且1.1倍以下。在这些长度实质上相同的情况下，制造工艺变得简单。

在实施方式中，第1电极长度Le1为第1导电部长度Lc1的1/10以上且9/10以下。通过第1电极长度Le1为第1导电部长度Lc1的1/10以上，例如，容易抑制初始电容C0的偏差的影响等。通过第1电极长度Le1为第1导电部长度Lc1的9/10以下，例如，容易提高灵敏度。例如，能够稳定地减小初始电容C0，容易稳定地得到高灵敏度。

在实施方式中，第2电极长度Le2为第2导电部长度Lc2的1/10以上且9/10以下。通过第2电极长度Le2为第2导电部长度Lc2的1/10以上，例如，容易抑制初始电容C0的偏差的影响等。通过第2电极长度Le2为第2导电部长度Lc2的9/10以下，例如，容易提高灵敏度。例如，能够稳定地减小初始电容C0，容易稳定地得到高灵敏度。

如已经说明过的那样，如图1的(a)所示，第1结构体11包括第1连接部11n。第1连接部11n将第1固定部11f与第1导电部11c连接。如图1的(b)及图1的(c)所示，第1连接部11n在第1方向(Z轴方向)上与基体50分离。如图1的(b)所示，在第1连接部11n与基体50之间设置有间隙gn1。例如，第1连接部11n能够变形。如图1的(a)所示，第1连接部11n及第1导电部11c沿着第2方向(例如，Y轴方向)延伸。第1连接部11n的一个端部11ne被固定于第1固定部11f。第1连接部11n的另一个端部11nf与第1导电部11c的一个端部11ce连接。在传感器110中，第1连接部11n为扭力型弹簧。

如图1的(a)所示，传感器110可以还包括第3结构体13。第3结构体13包括第3导电部13c及多个第3电极13e。如图1的(b)及图1的(c)所示，第3导电部13c被固定于基体50。在该例子中，设置有第3绝缘部53。第3绝缘部53位于基体50与第3导电部13c之间。第3导电部13c经由第3绝缘部53而固定于基体50。如图1的(a)所示，多个第3电极13e被保持于第3导电部13c。例如，多个第3电极13e与第3导电部13c连接。

如图1的(a)所示，第1结构体11包括第4导电部14c及多个第4电极14e。第4导电部14c被保持于第1固定部11f。第4导电部14c与第1固定部11f连接。如图1的(b)所示，第4导电部14c在第1方向(Z轴方向)上与基体50分离。例如，在第4导电部14c与基体50之间形成间隙gc4。例如，第4导电部14c能够变形。

多个第4电极14e被保持于第4导电部14c。例如，多个第4电极14e与第4导电部14c连接。多个第4电极14e与基体50之间的距离de4(参照图1的(b))是可变的。如图1的(a)所示，从多个第4电极14e中的一个朝向多个第4电极14e中的另一个的方向沿着第2方向(Y轴方向)。在多个第4电极14e与基体50之间形成间隙ge4。

如图1的(a)所示，多个第3电极13e中的一个位于多个第4电极14e中的一个与多个第4电极14e中的另一个之间。例如，多个第4电极14e中的一个位于多个第3电极13e中的一个与多个第3电极13e中的另一个之间。多个第3电极13e与多个第4电极14e形成例如梳齿电极。通过多个第3电极13e及多个第4电极14e形成电容器。该电容器的静电电容取决于多个第3电极13e与多个第4电极14e相对向的面积。

例如，在外力等加速度施加于传感器110时，距离de4发生变化。例如，在距离de1变长时，距离de4变短。例如，在距离de1变短时，距离de4变长。

如图1的(c)所示，将多个第3电极13e的一个的沿着第1方向(Z轴方向)的长度设为第3电极长度Le3。将第3导电部13c的沿着第1方向的长度设为第3导电部长度Lc3。在实施方式中，例如，第3电极长度Le3比第3导电部长度Lc3短。由此，能够减小由多个第3电极13e及多个第4电极14e形成的静电电容(初始电容)。由此，可得到高灵敏度。

例如，如图1的(b)所示，将多个第4电极14e的一个的沿着第1方向(Z轴方向)的长度设为第4电极长度Le4。将第4导电部14c的沿着第1方向的长度设为第4导电部长度Lc4。在实施方式中，第4电极长度Le4比第4导电部长度Lc4短。由此，能够减小由多个第3电极13e及多个第4电极14e形成的静电电容(初始电容)。由此，可得到高灵敏度。

如图1的(a)所示，例如，将第3方向设为X轴方向。第3方向与包含第1方向及第2方向的平面交叉。在第3方向上，第1导电部11c位于第2导电部12c与第3导电部13c之间。在第3方向上，第4导电部14c位于第1导电部11c与第3导电部13c之间。

如图1的(a)所示，将第1导电部11c的沿着第3方向(例如，为X轴方向，与包含第1方向及第2方向的平面交叉的方向)的长度设为第1导电部宽度Lx1。将第4导电部14c的沿着第3方向的长度设为第4导电部宽度Lx4。第1导电部宽度Lx1与第4导电部宽度Lx4不同。在该例子中，第1导电部宽度Lx1比第4导电部宽度Lx4窄。在实施方式中，第1导电部宽度Lx1也可以比第4导电部宽度Lx4宽。通过将第1导电部11c与第4导电部14c设为不对称，在施加了外力时，这些导电部高效地进行位移。由此，静电电容的变化能够增大。会容易得到高灵敏度。

如图1的(a)所示，例如，第1连接部11n、第1导电部11c及第4导电部14c沿着第2方向(例如，Y轴方向)延伸。第1连接部11n的一个端部11ne被固定于第1固定部11f。第1连接部11n的另一个端部11nf与第1导电部11c的一个端部11ce及第4导电部14c的一个端部14ce连接。传感器110例如为扭力型MEMS传感器。

如图2所示，传感器110也可以包括第1电极焊盘11E、第2电极焊盘12E及第3电极焊盘13E。第1电极焊盘11E例如与第1导电部11c电连接。在该例子中，第1电极焊盘11E经由第1固定部11f与第1导电部11c电连接。第2电极焊盘12E例如与第2导电部12c电连接。第3电极焊盘13E例如与第3导电部13c电连接。

例如，通过检测第1电极焊盘11E与第2电极焊盘12E之间的电特性(例如电压等)，能够得知多个第1电极11e与多个第2电极12e之间的静电电容的变化。例如，通过检测第1电极焊盘11E与第3电极焊盘13E之间的电特性(例如电压等)，能够得知多个第4电极14e与多个第3电极13e之间的静电电容的变化。

(第2实施方式)

图3的(a)～图3的(c)、图4的(a)及图4的(b)是例示第2实施方式所涉及的传感器的示意图。

图3的(a)是从图3的(b)及图3的(c)的箭头AA观察的俯视图。图3的(b)是图3的(a)的D1-D2线剖视图。图3的(c)是图3的(a)的E1-E2线剖视图。图4的(a)是图3的(a)的F1-F2线剖视图。图4的(b)是图3的(a)的G1-G2线剖视图。

如图3的(a)所示，传感器120也包括基体50、第1结构体11及第2结构体12。

第1结构体11包括第1固定部11f、第1导电部11c及多个第1电极11e。如图4的(a)所示，第1固定部11f被固定于基体50。在该例子中，第1固定部11f经由第1绝缘部51而固定于基体50。如图3的(a)所示，第1导电部11c被保持于第1固定部11f。如图3的(b)所示，第1导电部11c在第1方向(例如，Z轴方向)上与基体50分离。在第1导电部11c与基体50之间形成间隙gc1。如图3的(a)所示，多个第1电极11e被保持于第1导电部11c。例如，第1导电部11c与第1固定部11f连接。如图3的(b)所示，在多个第1电极11e与基体50之间形成间隙ge1。多个第1电极11e与基体50之间的距离de1可变。如图3的(a)所示，从多个第1电极11e中的一个朝向多个第1电极11e中的另一个的方向沿着第2方向。第2方向与第1方向交叉。第2方向例如为Y轴方向。

如图3的(a)所示，第2结构体12包括第2导电部12c及多个第2电极12e。如图3的(c)所示，第2导电部12c被固定于基体50。在该例子中，第2导电部12c经由第2绝缘部52而固定于基体50。如图3的(a)所示，多个第2电极12e被保持于第2导电部12c。例如，多个第2电极12e与第2导电部12c连接。多个第2电极12e中的一个位于多个第1电极11e中的一个与多个第1电极11e的所述另一个之间。

在该例子中，也如图3的(a)所示，多个第1电极11e的一个的沿着第1方向(Z轴方向)的第1电极长度Le1比第1导电部11c的沿着第1方向的第1导电部长度Lc1短。由此，能够减小初始电容C0。由此，可得到高灵敏度。

例如，如图3的(c)所示，多个第2电极12e的一个的沿着第1方向的第2电极长度Le2比第2导电部12c的沿着第1方向的第2导电部长度Lc2短。由此，能够减小初始电容C0。由此，可得到高灵敏度。

传感器120例如为梁式弹簧型。如图3的(a)所示，第1结构体11包括第1连接部11n。第1连接部11n将第1固定部11f与第1导电部11c连接。在该例子中，第1结构体11还包括第2固定部11g及第2连接部11o。如图4的(b)所示，第2固定部11g被固定于基体50。在第2固定部11g与基体50之间设置有间隙go1。如图3的(a)所示，第2连接部11o将第2固定部11g与第1导电部11c连接。第1连接部11n及第2连接部11o例如为梁式弹簧。

如图4的(a)所示，第1连接部11n在第1方向(Z轴方向)上与基体50分离。如图3的(a)所示，第1导电部11c沿着第2方向(例如Y轴方向)延伸。第1连接部11n的一个端部11ne被固定于第1固定部11f。第1连接部11n的另一个端部11nf与第1导电部11c的一个端部11ce连接。

同样，如图4的(b)所示，第2连接部11o在第1方向(Z轴方向)上与基体50分离。第2连接部11o的一个端部被固定于第1固定部11f。第2连接部11o的另一个端部与第1导电部11c的另一个端部连接。

如图3的(a)所示，传感器120也可以包括第3结构体13。第3结构体13包括第3导电部13c及多个第3电极13e。如图3的(c)所示，第3导电部13c被固定于基体50。在该例子中，第3导电部13c经由第3绝缘部53而固定于基体50。如图3的(a)所示，多个第3电极13e被保持于第3导电部13c。例如，多个第3电极13e与第3导电部13c连接。

如图3的(a)所示，第1结构体11包括多个第4电极14e。多个第4电极14e被保持于第1导电部11c。例如，多个第4电极14e与第1导电部11c连接。如图3的(b)所示，在多个第4电极14e与基体50之间设置间隙ge4。多个第4电极14e与基体50之间的距离de4可变。如图3的(a)所示，从多个第4电极14e中的一个朝向多个第4电极14e中的另一个的方向沿着第2方向(例如Y轴方向)。

在与包含第1方向及第2方向的平面交叉的第3方向(例如，X轴方向)上，第1导电部11c位于第2导电部12c与第3导电部13c之间。在第3方向(例如，X轴方向)上，第1导电部11c位于多个第1电极11e与多个第4电极14e之间。如图3的(a)所示，多个第3电极13e中的一个位于多个第4电极14e中的一个与多个第4电极14e中的另一个之间。多个第4电极14e中的一个位于多个第3电极13e中的一个与多个第3电极13e中的另一个之间。通过多个第3电极13e及多个第4电极14e，形成梳齿电极。

如图3的(c)所示，多个第3电极13e的一个的沿着第1方向(Z轴方向)的第3电极长度Le3比第3导电部13c的沿着第1方向的第3导电部长度Lc3短。由此，能够减小初始电容C0。由此，可得到高灵敏度。

如图3的(b)所示，多个第4电极14e的一个的沿着第1方向的第4电极长度Le4比第1导电部长度Lc1短。由此，能够减小初始电容C0。

由此，可得到高灵敏度。

例如，第1电极长度Le1为第1导电部长度Lc1的1/10以上且9/10以下。例如，第2电极长度Le2为第2导电部长度Lc2的1/10以上且9/10以下。

如图3的(a)所示，传感器120也可以还包括第1固定结构体21。第1固定结构体21包括第1固定导电部21c及多个第1固定电极21e。如图3的(b)所示，第1固定导电部21c被固定于基体50。如图3的(a)所示，多个第1固定电极21e被保持于第1固定导电部21c。例如，多个第1固定电极21e与第1固定导电部21c连接。

如图3的(a)所示，第2结构体12包括多个第5电极15e。多个第5电极15e被保持于第2导电部12c。例如，多个第5电极15e与第2导电部12c连接。从多个第5电极15e中的一个朝向多个第5电极15e中的另一个的方向沿着第2方向(例如，Y轴方向)。

在与包含第1方向及第2方向的平面交叉的第3方向(例如，X轴方向)上，第2导电部12c位于第1固定导电部21c与第1导电部11c之间。在第3方向上，第2导电部12c位于多个第5电极15e与多个第2电极12e之间。多个第1固定电极21e中的一个位于多个第5电极15e中的一个与多个第5电极15e中的另一个之间。多个第5电极15e中的一个位于多个第1固定电极21e中的一个与多个第1固定电极21e中的另一个之间。通过多个第1固定电极21e及多个第5电极15e形成梳齿电极。

例如，多个第1固定电极21e与基体50之间的距离dex1(参照图3的(b))实质上被固定。例如，多个第5电极15e与基体50之间的距离de5(参照图3的(c))实质上被固定。由多个第1固定电极21e及多个第5电极15e形成的电容器的静电电容，在施加了外力的情况下实质上也不变化。

多个第1固定电极21e与多个第5电极15e之间的静电电容例如可以作为参照值而使用。例如，进行使用了多个第1固定电极21e与多个第5电极15e之间的静电电容和多个第1电极11e与多个第2电极12e之间的静电电容之差的检测。由此，能够进行更高精度的检测。

第2固定结构体22能够具有与第1固定结构体21同样的构成。通过设置于第2固定结构体22的多个电极和设置于第3结构体13的多个电极，形成梳齿电极。例如，进行使用了该梳齿电极的静电电容和多个第4电极14e与多个第3电极13e之间的静电电容之差的检测。由此，能够进行更高精度的检测。

例如，传感器120也可以包括第1电极焊盘11E、第2电极焊盘12E、第3电极焊盘13E、电极焊盘11F、电极焊盘21E及电极焊盘22E。第1电极焊盘11E例如与第1导电部11c电连接。在该例子中，第1电极焊盘11E及电极焊盘11F与第1导电部11c电连接。第2电极焊盘12E例如与第2导电部12c电连接。第3电极焊盘13E例如与第3导电部13c电连接。电极焊盘21E与多个第1固定电极21e电连接。电极焊盘22E与第2固定结构体22所包括的多个电极电连接。通过检测这些电极焊盘之间的电特性，能够检测外力等。

在上述的实施方式中，例如基体50包含硅。多个电极(多个第1电极11e、多个第2电极12e、多个第3电极13e、多个第4电极14e、多个第5电极15e及多个第1固定电极21e等)例如包含硅及第1元素。第1元素例如包含选自锗、磷、砷、锑、硼、镓及铟中的至少一种。第1元素例如为杂质。

实施方式也可以包括以下的技术方案。

(技术方案1)

一种传感器，具备：

基体；

第1结构体，所述第1结构体包括第1固定部、第1导电部及多个第1电极，所述第1固定部被固定于所述基体，所述第1导电部被保持于所述第1固定部，所述第1导电部在第1方向上与所述基体分离，所述多个第1电极被保持于所述第1导电部，所述多个第1电极与所述基体之间的距离是可变的，从所述多个第1电极中的一个第1电极朝向所述多个第1电极中的另一个第1电极的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向；和

第2结构体，所述第2结构体包括第2导电部及多个第2电极，所述第2导电部被固定于所述基体，所述多个第2电极被保持于所述第2导电部，所述多个第2电极中的一个第2电极位于所述多个第1电极中的所述一个第1电极与所述多个第1电极中的所述另一个第1电极之间，

所述多个第1电极中的所述一个第1电极的沿着所述第1方向的第1电极长度比所述第1导电部的沿着所述第1方向的第1导电部长度短。

(技术方案2)

根据技术方案1所述的传感器，所述多个第2电极中的所述一个第2电极的沿着所述第1方向的第2电极长度比所述第2导电部的沿着所述第1方向的第2导电部长度短。

(技术方案3)

根据技术方案2所述的传感器，

所述第1电极长度比所述第2导电部长度短，

所述第2电极长度比所述第1导电部长度短。

(技术方案4)

根据技术方案1～3中的任一方案所述的传感器，

所述第1电极长度为所述第1导电部长度的1/10以上且9/10以下。

(技术方案5)

一种传感器，具备：

基体；

第1结构体，所述第1结构体包括第1固定部、第1导电部及多个第1电极，所述第1固定部被固定于所述基体，所述第1导电部被保持于所述第1固定部，所述第1导电部在第1方向上与所述基体分离，所述多个第1电极被保持于所述第1导电部，所述多个第1电极与所述基体之间的距离是可变的，从所述多个第1电极中的一个第1电极朝向所述多个第1电极中的另一个第1电极的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向；和

第2结构体，所述第2结构体包括第2导电部及多个第2电极，所述第2导电部被固定于所述基体，所述多个第2电极被保持于所述第2导电部，所述多个第2电极中的一个第2电极位于所述多个第1电极中的所述一个第1电极与所述多个第1电极中的所述另一个第1电极之间，

所述多个第2电极中的所述一个第2电极的沿着所述第1方向的第2电极长度比所述第2导电部的沿着所述第1方向的第2导电部长度短。

(技术方案6)

根据技术方案2～4中的任一方案所述的传感器，

所述第2电极长度为所述第2导电部长度的1/10以上且9/10以下。

(技术方案7)

根据技术方案1～6中的任一方案所述的传感器，

所述第1结构体还包括将所述第1固定部与所述第1导电部连接的第1连接部，

所述第1连接部在所述第1方向上与所述基体分离，

所述第1连接部及所述第1导电部沿着所述第2方向延伸，

所述第1连接部的一个端部被固定于所述第1固定部，

所述第1连接部的另一个端部与所述第1导电部的一个端部连接。

(技术方案8)

根据技术方案1～6中的任一方案所述的传感器，

还具备第3结构体，所述第3结构体包括第3导电部及多个第3电极，所述第3导电部被固定于所述基体，所述多个第3电极被保持于所述第3导电部，

所述第1结构体包括第4导电部及多个第4电极，所述第4导电部被保持于所述第1固定部，所述第4导电部在所述第1方向上与所述基体分离，所述多个第4电极被保持于所述第4导电部，所述多个第4电极与所述基体之间的距离是可变的，从所述多个第4电极中的一个第4电极朝向所述多个第4电极中的另一个第4电极的方向沿着所述第2方向，

所述多个第3电极中的一个第3电极位于所述多个第4电极中的所述一个第4电极与所述多个第4电极中的所述另一个第4电极之间，

所述多个第3电极中的所述一个第3电极的沿着所述第1方向的第3电极长度比所述第3导电部的沿着所述第1方向的第3导电部长度短。

(技术方案9)

根据技术方案8所述的传感器，所述多个第4电极中的所述一个第4电极的沿着所述第1方向的第4电极长度比所述第4导电部的沿着所述第1方向的第4导电部长度短。

(技术方案10)

根据技术方案8或9所述的传感器，

在与包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向上，所述第1导电部位于所述第2导电部与所述第3导电部之间，

在所述第3方向上，所述第4导电部位于所述第1导电部与所述第3导电部之间。

(技术方案11)

根据技术方案8或9所述的传感器，所述第1导电部的沿着与包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向的第1导电部宽度与所述第4导电部的沿着所述第3方向的第4导电部宽度不同。

(技术方案12)

根据技术方案8～11中的任一方案所述的传感器，

所述第1结构体还包括将所述第1固定部与所述第1导电部连接的第1连接部，

所述第1连接部在所述第1方向上与所述基体分离，

所述第1连接部、所述第1导电部及所述第4导电部沿着所述第2方向延伸，

所述第1连接部的一个端部被固定于所述第1固定部，

所述第1连接部的另一个端部与所述第1导电部的一个端部及所述第4导电部的一个端部连接。

(技术方案13)

根据技术方案1～6中的任一方案所述的传感器，

所述第1结构体还包括将所述第1固定部与所述第1导电部连接的第1连接部，

所述第1连接部在所述第1方向上与所述基体分离，

所述第1导电部沿着所述第2方向延伸，

所述第1连接部的一个端部被固定于所述第1固定部，

所述第1连接部的另一个端部与所述第1导电部的一个端部连接。

(技术方案14)

根据技术方案1～6中的任一方案所述的传感器，

还具备第3结构体，所述第3结构体包括第3导电部及多个第3电极，所述第3导电部被固定于所述基体，所述多个第3电极被保持于所述第3导电部，

所述第1结构体包括多个第4电极，所述多个第4电极被保持于所述第1导电部，所述多个第4电极与所述基体之间的距离是可变的，从所述多个第4电极中的一个第4电极朝向所述多个第4电极中的另一个第4电极的方向沿着所述第2方向，

在与包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向上，所述第1导电部位于所述第2导电部与所述第3导电部之间，

在所述第3方向上，所述第1导电部位于所述多个第1电极与所述多个第4电极之间，

所述多个第3电极中的一个第3电极位于所述多个第4电极中的所述一个第4电极与所述多个第4电极中的所述另一个第4电极之间，

所述多个第3电极中的所述一个第3电极的沿着所述第1方向的第3电极长度比所述第3导电部的沿着所述第1方向的第3导电部长度短。

(技术方案15)

根据技术方案14所述的传感器，

所述多个第4电极中的所述一个第4电极的沿着所述第1方向的第4电极长度比所述第1导电部长度短。

(技术方案16)

根据技术方案8～15中的任一方案所述的传感器，

还具备第1固定结构体，

所述第1固定结构体包括第1固定导电部及多个第1固定电极，所述第1固定导电部被固定于所述基体，所述多个第1固定电极被保持于所述第1固定导电部，

所述第2结构体包括多个第5电极，所述多个第5电极被保持于所述第2导电部，从所述多个第5电极中的一个第5电极朝向所述多个第5电极中的另一个第5电极的方向沿着所述第2方向，

在与包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向上，所述第2导电部位于所述第1固定导电部与所述第1导电部之间，

在所述第3方向上，所述第2导电部位于所述多个第5电极与所述多个第2电极之间，

所述多个第1固定电极中的一个第1固定电极位于所述多个第5电极中的所述一个第5电极与所述多个第5电极中的所述另一个第5电极之间。

(技术方案17)

根据技术方案16所述的传感器，

所述多个第1固定电极与所述基体之间的距离实质上被固定，

所述多个第5电极与所述基体之间的距离实质上被固定。

(技术方案18)

根据技术方案1～17中的任一方案所述的传感器，

还具备第1绝缘部及第2绝缘部，

所述第1绝缘部设置于所述基体与所述第1固定部之间，

所述第2绝缘部设置于所述基体与所述第2导电部之间。

(技术方案19)

根据技术方案1～18中的任一方案所述的传感器，

所述基体包含硅，

所述多个第1电极及所述多个第2电极包含硅及第1元素，

所述第1元素包含选自锗、磷、砷、锑、硼、镓及铟中的至少一种。

(技术方案20)

根据技术方案1～19中的任一方案所述的传感器，

所述多个第1电极和所述多个第2电极之间的静电电容与所述多个第1电极和所述基体之间的所述距离的变化相应地变化。

根据实施方式，能够提供可以提高灵敏度的传感器。

以上，一边参照具体例、一边对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。例如，关于传感器所包括的基体、结构体、导电部及电极等各要素的具体的构成，只要通过本领域技术人员从公知的范围适当选择可以同样地实施本发明并获得同样的效果，就包含于本发明的范围内。

另外，在技术上可能的范围内组合各具体例的任意两个以上的要素而得到的方案，只要包含本发明的主旨也包含于本发明的范围内。

此外，作为本发明的实施方式，以上述的传感器为基础，本领域技术人员进行适当设计变更而能够实施的所有的传感器，只要包含本发明的主旨也属于本发明的范围内。

此外，应了解：在本发明的思想的范畴内，只要是本领域技术人员就能够想到各种变更例及修正例，这些变更例及修正例也属于本发明的范围。

虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含在发明的范围和/或主旨内，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。