阅读说明：本技术 一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜及其制备方法 (Anti-electromagnetic interference soft magnetic particle film and preparation method thereof ) 是由 邓毕力 潘振海 王玉川 徐敏义 罗顶飞 晋立从 张朋 王波 于 2020-07-28 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜及其制备方法,所述软磁颗粒膜为多层结构,为中间的双相纳米晶软磁薄膜和位于所述双相纳米晶软磁薄膜两侧的多个交叠重复结构,所述交叠重复结构包括一层纳米ZnO层和一层纳米六方氮化硼层；所述双相纳米晶软磁薄膜的结构式为((Fe<Sub>z</Sub>A<Sub>1-z</Sub>)<Sub>a</Sub>Co<Sub>b</Sub>Q<Sub>c</Sub>Ba<Sub>d</Sub>)<Sub>1-x</Sub>-(RO<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>；所述双相纳米晶软磁薄膜为bbc结构的α-(Fe<Sub>z</Sub>A<Sub>1-z</Sub>)<Sub>a</Sub>Co<Sub>b</Sub>Q<Sub>c</Sub>Ba<Sub>d</Sub>纳米金属颗粒被RO<Sub>2</Sub>绝缘介质纳米颗粒包裹结构。本发明通过添加RO<Sub>2</Sub>掺杂包裹bbc结构的α-(Fe<Sub>z</Sub>A<Sub>1-z</Sub>)<Sub>a</Sub>Co<Sub>b</Sub>Q<Sub>c</Sub>Ba<Sub>d</Sub>纳米金属,有效降低矫顽力,使软磁性能得到提高,有利于薄膜的颗粒细化。(The invention provides an anti-electromagnetic interference soft magnetic particle film and a preparation method thereof, wherein the soft magnetic particle film is of a multilayer structure and comprises a middle two-phase nano-crystalline soft magnetic film and a plurality of overlapped repeating structures positioned at two sides of the two-phase nano-crystalline soft magnetic film, and each overlapped repeating structure comprises a nano ZnO layer and a nano hexagonal boron nitride layer; the two-phase nanocrystalThe soft magnetic thin film has a structural formula of ((Fe) z A 1‑z ) a Co b Q c Ba d ) 1‑x ‑(RO 2 ) x (ii) a The biphase nanocrystalline soft magnetic film is alpha- (Fe) with bbc structure z A 1‑z ) a Co b Q c Ba d Nano metal particle is coated by RO 2 And the insulating medium nano-particle is wrapped in the structure. The invention adds RO 2 Alpha- (Fe) doped with bbc-wrapped structure z A 1‑z ) a Co b Q c Ba d The nano metal effectively reduces the coercive force, improves the soft magnetic performance and is beneficial to the grain refinement of the film.)

一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜及其制备方法

技术领域

本发明属于电磁材料技术领域，具体涉及一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜及其制备方法。

背景技术

随着科学技术的发展，手机、高速无线局域网等通讯技术已经实现了人们在任何地方与任何人的实时通讯，同时无线通讯技术的数据传输率已经到了频带。例如，蓝牙的工作频带在。为了实现无线系统更高、更快的可移动性，无线移动设备正在向着更加小型化、微型化快速发展。由传输电路和接收电路两大板块组成的射频电路是无线系统的核心组件，由于射频电路的高度集成化使得它在信号放大器、过滤器和调制解调器中受到青睐。射频电路在移动设备中的广泛应用需要大量的无源器件，主要是电容和电感。随着对器件小型化和高性能的需要，对具有高磁导率、高饱和磁化强度、低矫顽力以及高电阻率的软磁薄膜的需求量越来越大。

研究结果表明，为了维持优良的高频特性，磁性材料的电阻率ρ和饱和磁化强度Ms都要大，并且还要具有适度大小的各向异性场Hk。而在另一个方面，现在的集成电子器件在运行中产生的高密度、宽频谱的电磁信号充满整个空间，形成复杂的电磁环境，这就要求电子设备及电源在各个频段和使用温度范围内都具有很好的电磁兼容性，这就给抗电磁干扰技术带来了一系列的挑战。

发明内容

本发明针对上述缺陷，提供一种能够在高温下具有良好的磁导率、电阻率高、可适用于高频段，单轴各向异性场适当较大的抗电磁干扰的软磁颗粒膜及其制备方法。

本发明提供如下技术方案：一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，其特征在于，所述软磁颗粒膜为多层结构，为中间的双相纳米晶软磁薄膜和位于所述双相纳米晶软磁薄膜上侧的多个交叠重复结构和下侧的多个交叠重复结构，所述一个交叠重复结构包括一层纳米ZnO层和一层纳米六方氮化硼层；

所述双相纳米晶软磁薄膜的结构式为((Fe_zA_1-z)_aCo_bQ_cBa_d)_1-x-(RO₂)_x，其中，30≤a≤60，50≤b≤70，10≤c≤30，0.1≤d≤0.5，0.7≤x≤0.9，0.1≤z≤0.5；所述A元素为铁磁性过渡金属元素，所述Q元素为贵金属元素，所述R元素为Ce、Mn、Si或Zr中的一种或几种；所述双相纳米晶软磁薄膜的厚度为30μm～40μm，所述纳米六方氮化硼层厚度为8μm～10μm，所述纳米ZnO层为20μm～30μm，所述双相纳米晶软磁薄膜为bbc结构的α-(Fe_zA_1-z)_aCo_bQ_cBa_d纳米金属颗粒与RO₂绝缘介质纳米颗粒组成，所述bbc结构的α-(Fe_zA_1-z)_aCo_bQ_cBa_d纳米金属颗粒被所述RO₂绝缘介质纳米颗粒包裹，所述α-(Fe_zA_1-z)_aCo_bQ_cBa_d纳米金属颗粒的直径为2nm～5nm，所述RO₂绝缘介质纳米颗粒直径为0.25nm～0.5nm。

进一步地，所述A元素为Ni、Ti中的一种或几种。

进一步地，所述Q元素为Cu、Ag、Au或Pt中的一种或几种。

进一步地，所述软磁颗粒膜的居里温度Tc为260℃～280℃。

进一步地，所述软磁颗粒膜的单轴各向异性场为6.50kA/m～8.50kA/m。

进一步地，，多个所述交叠重复结构位于所述中间的双相纳米晶软磁薄膜的上下两侧，所述一个交叠重复结构为一层所述纳米ZnO层位于一层所述纳米六方氮化硼层的上侧，所述中间的双相纳米晶软磁薄膜上侧为所述纳米六方氮化硼层，所述中间的双相纳米晶软磁薄膜下侧为所述纳米ZnO层。

进一步地，所述双相纳米晶软磁薄膜外侧一侧具有2个～4个所述交叠重复结构。

本发明还提供上述抗电磁干扰的软磁颗粒膜的制备方法，包括以下步骤：

1)采用0.15mm～0.18mm的玻璃盖玻片作为基底，将所述基底至于阴离子表面活性剂作为洗涤剂的溶液中，浸泡20min～30min，再采用超声波以50Hz～80Hz的超声频率清洗10min～15min，然后将基底至于体积比为(2:5)～(3:5)的无水乙醇与丙酮混合有机溶剂中，以30Hz～45Hz的超声频率清洗10min～20min，然后将基底于50℃～60℃的热空气下吹干，得到洁净干燥的基底片；

2)采用高真空斜向三靶共溅射设备，设置靶平面与水平面成20°～30°，所述靶与所述基底之间的距离为80mm～100mm，充入氩气，将若干纯度为99.9％的RO₂化合物固体小片规则地摆放在直径为70mm～80mm的Fe_z×aCo_bBa_d的第一溅射靶的环形刻蚀区上，调节所述Fe_z×aCo_bBa_d的第一溅射靶的溅射功率为120W～140W；第二溅射靶为纯A元素溅射靶，调节第二溅射靶的溅射功率为20～120W，进而调整所述A元素在最终形成的双相纳米晶软磁薄膜中的含量；第三溅射靶为纯Q元素溅射靶，调节第三溅射靶的溅射功率为20～120W，进而调整所述Q元素在最终形成的双相纳米晶软磁薄膜中的含量，保证最终Fe元素、A元素、Co元素、Q元素、Ba元素之比为(z×a):((1-z)×a):b:c:d；，调节所述RO₂化合物固体小片的数量，保证Fe元素和R元素之比为(z×a×(1-x)):x；

3)溅射过程中，调节溅射氩气气压为0.5Pa～0.6Pa，所述基底的旋转速度为65rpm～75rpm，背底真空度为5.5×10^-5Pa～5.8×10^-5Pa；溅射结束后得到所述双相纳米晶软磁薄膜，将所述纳米ZnO粉末和所述纳米六方氮化硼粉末置于真空喷雾机中于真空下，以35MPa～40MPa的压力依次喷涂于所述双相纳米晶软磁薄膜形成位于双相纳米晶软磁薄膜两侧的相互间隔交叠的纳米ZnO层和纳米六方氮化硼层。

进一步地，所述氩气的气流量为30sccm～40sccm。

进一步地，所述溅射靶的靶材纯度为99.95％～99.99％。

本发明的有益效果为：

1)由于软磁材料Fe_z×aCo_bBa_d经过溅射法制备，掺杂了A元素、Q元素，可以利用A元素和Q元素衬底层进而提高Fe_z×aCo_bBa_d软磁材料的软磁性能，通过A元素部分取代Fe元素，形成的Fe-Ni合金或Fe-Ti合金可以提高非晶纳米晶双相软磁薄膜的距离温度，提高高温环境下的稳定性。

2)并通过添加RO₂掺杂包裹bbc结构的α-(Fe_zA_1-z)_aCo_bQ_cBa_d纳米金属，有效降低矫顽力，使软磁性能得到提高，有利于薄膜的颗粒细化，从而产生颗粒间的交换耦合，使磁晶各向异性被平均为较小的有效各向异性；同时能够降低矫顽力，使μ₀M_s大于2.5T，提高电阻率，有效降低涡流损耗，提高薄膜截止频率。

3)加入非金属M元素是为了促进前驱物Fe_z×aCo_bBa_d中的玻璃体形成，加入铁磁性过渡金属元素—A元素可以使最终的双相纳米晶软磁薄膜形成更好的纳米晶相，使所述bbc结构的α-(Fe_zA_1-z)_aCo_bQ_cBa_d纳米金属颗粒被所述RO₂绝缘介质纳米颗粒包裹，使最终的软磁颗粒膜具有无序的立体微观结构，保证了较高的非晶晶化温度，进而可以是软磁颗粒膜在高温下具有较高的稳定性。

4)通过在中间的双相纳米晶软磁薄膜两侧形成对称的相互间隔交叠的纳米ZnO层和纳米六方氮化硼层，通过纳米六方氮化硼层，能够提高一定的电磁屏蔽效果，并通过与纳米ZnO层保证较高的电阻率，进而同时达到了高电阻率和高电磁屏蔽的效果。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1为本发明实施例1提供的软磁颗粒膜结构示意图；

图2为本发明实施例2提供的软磁颗粒膜结构示意图；

图3为本发明实施例3提供的软磁颗粒膜结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

采用沈阳新蓝天真空技术有限公司销售的JGP450型高真空三靶共溅射沉积镀膜设备进行软磁颗粒膜的制备。

实施例1

如图1所示，为本实施例提供的一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，软磁颗粒膜为9层结构，为中间的双相纳米晶软磁薄膜1和位于双相纳米晶软磁薄膜1两侧的2个交叠重复结构2包括一层纳米ZnO层2-1和一层纳米六方氮化硼层2-2，2个交叠重复结构2位于中间的双相纳米晶软磁薄膜1的上下两侧，1个交叠重复结构2为一层纳米ZnO层2-1位于一层纳米六方氮化硼层2-2的上侧，双相纳米晶软磁薄膜1上侧为纳米六方氮化硼层2-2，双相纳米晶软磁薄膜1下侧为纳米ZnO层2-1；

其中，双相纳米晶软磁薄膜的结构式为((Fe_0.1Ti_0.9)₆₀Co₅₀Cu₃₀Ba_0.5)_0.3-(CeO₂)_0.7；Ti元素为铁磁性过渡金属元素，Cu元素为贵金属元素；

双相纳米晶软磁薄膜的厚度为30μm，纳米六方氮化硼层厚度为8μm，纳米ZnO层为20μm，双相纳米晶软磁薄膜为bbc结构的α-(Fe_0.1Ti_0.9)₆₀Co₅₀Cu₃₀Ba_0.5纳米金属颗粒与CeO₂绝缘介质纳米颗粒组成，bbc结构的α-(Fe_0.1Ti_0.9)₆₀Co₅₀Cu₃₀Ba_0.5纳米金属颗粒被CeO₂绝缘介质纳米颗粒包裹，α-(Fe_0.1Ti_0.9)₆₀Co₅₀Cu₃₀Ba_0.5纳米金属颗粒的直径为2nm，CeO₂绝缘介质纳米颗粒直径为0.25nm。

本实施例还提供上述抗电磁干扰的软磁颗粒膜的制备方法，包括以下步骤：

1)采用0.15mm的玻璃盖玻片作为基底，将基底至于阴离子表面活性剂作为洗涤剂的溶液中，浸泡20min，再采用超声波以50Hz的超声频率清洗10min，然后将基底至于体积比为(2:5)～(3:5)的无水乙醇与丙酮混合有机溶剂中，以30Hz的超声频率清洗10min，然后将基底于50℃的热空气下吹干，得到洁净干燥的基底片；

2)采用高真空斜向三靶共溅射设备，设置靶平面与水平面成20°，靶与基底之间的距离为80mm，充入氩气，保持氩气的气流量为30sccm，将若干纯度为99.9％的CeO₂化合物固体小片规则地摆放在直径为70mm的Fe₆Co₅₀Ba_0.5的第一溅射靶的环形刻蚀区上，调节Fe₆Co₅₀Ba_0.5的第一溅射靶的溅射功率为120W；第二溅射靶为纯Ti元素溅射靶，调节第二溅射靶的溅射功率为20W，进而调整Ti元素在最终形成的双相纳米晶软磁薄膜中的含量；第三溅射靶为纯Cu元素溅射靶，调节第三溅射靶的溅射功率为20W，进而调整M元素在最终形成的双相纳米晶软磁薄膜中的含量，保证最终Fe元素、Ti元素、Co元素、Cu元素、Ba元素之比为6:54:50:30:0.5；，调节CeO₂化合物固体小片的数量，保证Fe元素和Ce元素之比为1.8:0.7；

第一溅射靶的靶材纯度为99.99％，第二溅射靶的靶材纯度为99.96％，第三溅射靶的靶材纯度为99.97％；

3)溅射过程中，调节溅射氩气气压为0.5Pa，基底的旋转速度为65rpm，背底真空度为5.5×10^-5Pa；溅射结束后得到双相纳米晶软磁薄膜，将纳米ZnO粉末和纳米六方氮化硼粉末置于真空喷雾机中于真空下，以35MPa的压力依次喷涂于双相纳米晶软磁薄膜形成位于双相纳米晶软磁薄膜两侧的相互间隔交叠的纳米ZnO层和纳米六方氮化硼层。

经试验，本实施例提供的软磁颗粒膜的居里温度Tc为260℃，单轴各向异性场为6.50kA/m，抗电磁干扰率达到98.55％。

实施例2

如图2所示，为本实施例提供的一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，软磁颗粒膜为13层结构，为中间的双相纳米晶软磁薄膜1和位于双相纳米晶软磁薄膜1两侧的3个交叠重复结构2，1个交叠重复结构2包括一层纳米ZnO层2-1和一层纳米六方氮化硼层2-2，3个交叠重复结构2位于中间的双相纳米晶软磁薄膜1的上下两侧，1个交叠重复结构2为一层纳米ZnO层2-1位于一层纳米六方氮化硼层2-2的上侧，中间的双相纳米晶软磁薄膜1上侧为纳米六方氮化硼层2-2，中间的双相纳米晶软磁薄膜1下侧为纳米ZnO层2-1；

其中，双相纳米晶软磁薄膜的结构式为((Fe_0.5Ni_0.5)₃₀Co₇₀Ag₁₀Ba_0.1)_0.1-(MnO₂)_0.9；Ni元素为铁磁性过渡金属元素，Ag元素为贵金属元素；双相纳米晶软磁薄膜的厚度为40μm，纳米六方氮化硼层厚度为10μm，纳米ZnO层为30μm，双相纳米晶软磁薄膜为bbc结构的α-(Fe_0.5Ni_0.5)₃₀Co₇₀Ag₁₀Ba_0.1纳米金属颗粒与RO₂绝缘介质纳米颗粒组成，bbc结构的α-(Fe_0.5Ni_0.5)₃₀Co₇₀Ag₁₀Ba_0.1纳米金属颗粒被MnO₂绝缘介质纳米颗粒包裹，α-(Fe_0.5Ni_0.5)₃₀Co₇₀Ag₁₀Ba_0.1纳米金属颗粒的直径为5nm，MnO₂绝缘介质纳米颗粒直径为0.5nm。

本实施例还提供上述抗电磁干扰的软磁颗粒膜的制备方法，包括以下步骤：

1)采用0.18mm的玻璃盖玻片作为基底，将基底至于阴离子表面活性剂作为洗涤剂的溶液中，浸泡30min，再采用超声波以80Hz的超声频率清洗15min，然后将基底至于体积比为3:5的无水乙醇与丙酮混合有机溶剂中，以45Hz的超声频率清洗20min，然后将基底于60℃的热空气下吹干，得到洁净干燥的基底片；

2)采用高真空斜向三靶共溅射设备，设置靶平面与水平面成30°，靶与基底之间的距离为100mm，充入氩气，保持氩气的气流量为40sccm，将若干纯度为99.9％的MnO₂化合物固体小片规则地摆放在直径为80mm的Fe₁₅Co₇₀Ba_0.1的第一溅射靶的环形刻蚀区上，调节Fe₁₅Co₇₀Ba_0.1的第一溅射靶的溅射功率为140W；第二溅射靶为纯Ni元素溅射靶，调节第二溅射靶的溅射功率为120W，进而调整Ni元素在最终形成的双相纳米晶软磁薄膜中的含量；第三溅射靶为纯Ag元素溅射靶，调节第三溅射靶的溅射功率为120W，进而调整Ag元素在最终形成的双相纳米晶软磁薄膜中的含量，保证最终Fe元素、Ni元素、Co元素、Ag元素、Ba元素之比为15:15:70:10:0.1；，调节MnO₂化合物固体小片的数量，保证Fe元素和Mn元素之比为1.5:0.9；

第一溅射靶的靶材纯度为99.95％，第二溅射靶的靶材纯度为99.975％，第三溅射靶的靶材纯度为99.98％；

3)溅射过程中，调节溅射氩气气压为0.6Pa，基底的旋转速度为75rpm，背底真空度为5.8×10^-5Pa；溅射结束后得到双相纳米晶软磁薄膜，将纳米ZnO粉末和纳米六方氮化硼粉末置于真空喷雾机中于真空下，以40MPa的压力依次喷涂于双相纳米晶软磁薄膜形成位于双相纳米晶软磁薄膜两侧的相互间隔交叠的纳米ZnO层和纳米六方氮化硼层。

经试验，本实施例提供的软磁颗粒膜的居里温度Tc为280℃，单轴各向异性场为8.50kA/m，抗电磁干扰率为99.65％。

实施例3

如图3所示，为本实施例提供的一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，其特征在于，软磁颗粒膜为16层结构，为中间的双相纳米晶软磁薄膜1和位于双相纳米晶软磁薄膜1两侧的4个交叠重复结构2，1个交叠重复结构2包括一层纳米ZnO层2-1和一层纳米六方氮化硼层2-2，4个交叠重复结构2位于中间的双相纳米晶软磁薄膜1的上下两侧，1个交叠重复结构2为一层纳米ZnO层2-1位于一层纳米六方氮化硼层2-2的上侧，中间的双相纳米晶软磁薄膜1上侧为纳米六方氮化硼层2-2，中间的双相纳米晶软磁薄膜1下侧为纳米ZnO层2-1；

其中，双相纳米晶软磁薄膜的结构式为((Fe_0.3Ti_0.7)₄₀Co₆₀Pt₂₀Ba_0.3)_0.2-(SiO₂)_0.8；Ti元素为铁磁性过渡金属元素，Pt元素为贵金属元素；双相纳米晶软磁薄膜的厚度为35μm，纳米六方氮化硼层厚度为9μm，纳米ZnO层为25μm，双相纳米晶软磁薄膜为bbc结构的α-Fe_0.3Ti_0.7)₄₀Co₆₀Pt₂₀Ba_0.3纳米金属颗粒与SiO₂绝缘介质纳米颗粒组成，bbc结构的α-Fe_0.3Ti_0.7)₄₀Co₆₀Pt₂₀Ba_0.3纳米金属颗粒被SiO₂绝缘介质纳米颗粒包裹，α-Fe_0.3Ti_0.7)₄₀Co₆₀Pt₂₀Ba_0.3纳米金属颗粒的直径为3.5nm，SiO₂绝缘介质纳米颗粒直径0.35nm。

本实施例提供上述抗电磁干扰的软磁颗粒膜的制备方法，包括以下步骤：

1)采用0.17mm的玻璃盖玻片作为基底，将基底至于阴离子表面活性剂作为洗涤剂的溶液中，浸泡25min，再采用超声波以65Hz的超声频率清洗13min，然后将基底至于体积比为1:2的无水乙醇与丙酮混合有机溶剂中，以40Hz的超声频率清洗15min，然后将基底于55℃的热空气下吹干，得到洁净干燥的基底片；

2)采用高真空斜向三靶共溅射设备，设置靶平面与水平面成25°，靶与基底之间的距离为90mm，充入氩气，保持氩气的气流量为35sccm，将若干纯度为99.9％的RO₂化合物固体小片规则地摆放在直径，75mm的Fe_z×aCo_bBa_d的第一溅射靶的环形刻蚀区上，调节Fe_{z× a}Co_bBa_d的第一溅射靶的溅射功率为130W；第二溅射靶为纯Ti元素溅射靶，调节第二溅射靶的溅射功率为70W，进而调整Ti元素在最终形成的双相纳米晶软磁薄膜中的含量；第三溅射靶为纯Pt元素溅射靶，调节第三溅射靶的溅射功率为70W，进而调整Pt元素在最终形成的双相纳米晶软磁薄膜中的含量，保证最终Fe元素、Ti元素、Co元素、Pt元素、Ba元素之比为12:28:60:20:0.3；，调节RO₂化合物固体小片的数量，保证Fe元素和R元素之比为3:1；

第一溅射靶的靶材纯度为99.965％，第二溅射靶的靶材纯度为99.985％，第三溅射靶的靶材纯度为99.973％；

3)溅射过程中，调节溅射氩气气压为0.55Pa，基底的旋转速度为71rpm，背底真空度为5.67×10^-5Pa；溅射结束后得到双相纳米晶软磁薄膜，将纳米ZnO粉末和纳米六方氮化硼粉末置于真空喷雾机中于真空下，以38MPa的压力依次喷涂于双相纳米晶软磁薄膜形成位于双相纳米晶软磁薄膜两侧的相互间隔交叠的纳米ZnO层和纳米六方氮化硼层。

经试验，本实施例提供的软磁颗粒膜的居里温度Tc为275℃，单轴各向异性场为7.35kA/m，抗电磁干扰率达到99.45％。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的成分。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和使用本发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。