单事件干扰稳定的存储器单元

单事件干扰(SEU)稳定的存储器单元包括：锁存器部分,该锁存器部分包括交叉耦合的锁存器；以及该锁存器部分中的至少一个交叉耦合电路路径,该至少一个交叉耦合电路路径包括串联连接的第一对竖直电阻器。

2021-11-02

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相变存储器及其控制方法和制作方法

本公开实施例公开了一种相变存储器及其控制方法和制作方法。所述相变存储器包括：由下至上依次层叠设置的字线、相变存储单元以及第一位线；所述相变存储单元包括相变存储层；其中,所述字线和所述第一位线垂直,所述相变存储单元与所述字线以及所述第一位线均垂直；n个第二位线,每个所述第二位线平行于所述第一位线,且每个所述第二位线环绕在所述相变存储层周围；其中,n为正整数。

2021-11-02

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存内计算装置及运算装置

本公开涉及一种存内计算装置及运算装置,所述装置包括：计算阵列,包括多个存内计算模块,所述存内计算模块包括第一字线、第二字线、第三字线、第一位线、第二位线、第三位线、第四位线、第一存储单元及第二存储单元；控制模块,连接于所述计算阵列,用于：控制所述第一字线、所述第三字线的电压状态,以控制所述存内计算模块的工作模式为写模式、读模式及保持模式的任意一种。本公开实施例提出的存内计算装置具有低电路复杂度、低功耗、高准确度、较快运算速度的特点。

2021-11-02

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存储器控制电路

本发明的目的是在电路中针对栅极电压降低耐压并且使最大幅度降低,该电路选择存储器单元并将预定的电压施加到其两端。存储器控制电路包括多级存储器解码器,该存储器解码器用于根据特定地址选择存储器中的特定单元,并对特定单元的两端施加预定的电压。多级存储器解码器中的至少一级包括四个晶体管。第一晶体管和第二晶体管各自根据要写入特定单元的值来设置。设置第三晶体管和第四晶体管以使特定单元进入非选择状态。

2021-10-26

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神经形态计算设备及其操作方法

一种神经形态计算设备,包括：第一存储单元阵列,包含多个电阻存储单元并且被配置为通过多条位线或源极线输出多个读取电流；第二存储单元阵列,包含多个参考电阻存储单元并且被配置为通过至少一条参考位线或至少一条参考源极线输出至少一个参考电流；电流电压转换电路,被配置为输出分别对应于所述多个读取电流的多个信号电压并且输出对应于所述至少一个参考电流的至少一个参考电压；以及模数转换电路,被配置为使用所述至少一个参考电压将所述多个信号电压转换为多个数字信号并且输出所述多个数字信号。

2021-10-26

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基于阈值电压型忆阻器阵列的并行转存模数转换器及方法

本发明提出了一种基于阈值电压型忆阻器阵列的并行转存模数转换器及系统,涉及半导体集成电路技术领域。其中,该模数转换器包括信号放大器选择开关电路、存储电路、读电路、外接电阻阵列电路和复位电路。信号放大器选择开关电路的输入端接模拟信号电压；信号放大器选择开关电路的输出端与阈值电压型忆阻器阵列存储电路相连；外接电阻阵列电路与存储电路相连；存储电路与读电路相连；复位电路与存储电路相连。该基于阈值电压型忆阻器阵列的并行转存模数转换器具有高速度、低功耗、可选精度、易集成、占用芯片面积小的优点。该模数转换方法具有上述模数转换器的所有有益效果。

2021-10-22

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一种相变存储单元实现快速逻辑计算装置及数据检索方法

本发明涉及一种相变存储单元实现快速逻辑计算装置及数据检索方法,装置包括相变存储阵列和外围控制电路,相变存储阵列包括两个相变存储逻辑算子；相变存储逻辑算子包括两个相变存储单元,两个相变存储单元的一端均与同一位线相连,另一端与各自的选通管的漏端相连,选通管的源端接地,相变存储逻辑算子中的一个相变存储单元的选通管的栅极与第一字线相连,另一个相变存储单元的选通管的栅极与第二字线相连；外围控制电路将初始数据信息写入相变存储阵列中,选通管根据第一字线和第二字线上的信号选通相变存储单元,使得相变存储单元中存储的信息与位线上的脉冲信号进行逻辑运算。本发明能够减少数据匹配计算量,实现高效的数据检索。

2021-10-22

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计算装置及其鲁棒性处理方法

一种计算装置及其鲁棒性处理方法。该计算装置的鲁棒性处理方法包括：基于目标算法模型的模型参数,得到模型参数与第一计算忆阻器阵列的映射关系；基于决定关键权重器件的影响因子,确定由影响因子得到多个忆阻器器件的权重关键度的方式；获得算法模型的输入集,根据前述方式,确定多个忆阻器器件中每个的关键度值；根据多个忆阻器器件中每个的关键度值,在多个忆阻器器件中确定关键权重器件；基于关键权重器件,对第一处理单元进行优化处理。该方法通过对关键的部分忆阻器器件进行针对性的鲁棒性提升,实现低成本、高鲁棒的计算装置。

2021-10-19

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一种实现存储单元多级存储的方法及装置

本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置,方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围,确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻区间和所述电脉冲范围对所述存储单元进行脉冲操作,并在每次脉冲操作后通过读操作确认所述相变存储器的电阻值是否到达目标状态,用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够提高较多位多级存储的成功率,并且降低了功耗,提高了效率。

2021-10-19

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神经形态装置及其操作方法

公开了神经形态装置及其操作方法。所述神经形态装置包括突触阵列,突触阵列包括：输入线,沿第一方向延伸,并且从连接到输入线的轴突电路独立地接收输入信号；位线,沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且输出输出信号；单元串,均包括在输入线与位线之间串联连接的串选择晶体管和至少两个电阻忆阻器元件；电极垫,在输入线与位线之间堆叠并且彼此间隔开,并且连接到串选择晶体管和所述至少两个电阻忆阻器元件；解码器,将串选择信号或字线选择信号施加到电极垫；以及神经元电路,各自连接到所述多条位线中的与单元串中的一个连接的一条位线,对输出信号进行求和,当求和的输出信号大于预定的阈值时对求和的输出信号进行转换并且输出转换后的信号。

2021-10-19

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