阅读说明：本技术 复合磁性体及使用该复合磁性体的电感器 (Composite magnetic body and inductor using the same ) 是由 石田拓也 杉山干人 小田原充 大井秀朗 井田浩一 于 2020-03-27 设计创作，主要内容包括：本发明提供能够实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者的磁性体材料及电感器。本发明涉及一种包含金属磁性体粒子的复合磁性体,金属磁性体粒子包含中值粒径えD<Sub>50</Sub>为1.3μm～5.0μm的第1粒子、和中值粒径D<Sub>50</Sub>比第1粒子大的第2粒子,第1粒子和第2粒子包括由金属磁性体材料构成的核部、和设置于核部的表面的绝缘性被膜,第2粒子的绝缘性被膜的平均厚度为40nm～100nm,第1粒子的绝缘性被膜与第2粒子的绝缘性被膜相比平均厚度小。(Provided are a magnetic material and an inductor which can achieve both higher permeability and more excellent DC superposition characteristics. The present invention relates to a composite magnetic material comprising metal magnetic particles having a median particle diameter of え D 50 1 st particles of 1.3 to 5.0 μm and a median particle diameter D 50 Than 1 st grainThe 2 nd particle having a large particle size, the 1 st particle and the 2 nd particle include a core part made of a metallic magnetic material and an insulating film provided on the surface of the core part, the insulating film of the 2 nd particle has an average thickness of 40nm to 100nm, and the insulating film of the 1 st particle has an average thickness smaller than that of the insulating film of the 2 nd particle.)

复合磁性体及使用该复合磁性体的电感器

技术领域

本发明涉及复合磁性体及使用该复合磁性体的电感器。

背景技术

作为电感器等线圈部件的素体材料，可使用复合磁性体。专利文献1 中记载了：一种磁性粉末混合树脂材料，是将软磁性粉末分散于树脂中混合而成的磁性粉末混合树脂材料，其特征在于，软磁性粉末由形成具有2 个峰的粒度分布的多个软磁性粒子构成，将具有2个峰中粒度大的第1峰的粒径的软磁性粒子作为第1粒子，将具有2个峰中粒度小的第2峰的粒径的软磁性粒子作为第2粒子时，第1粒子被非磁性被膜覆盖，第2粒子不被非磁性被膜覆盖或者被薄于覆盖第1粒子的非磁性被膜相的非磁性被膜进行覆盖。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-162764号公报。

发明内容

作为电感器等线圈部件所需求的磁特性，有磁导率和直流重叠特性。然而，发明人等发现同时实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者是很困难的。

本发明的目的在于提供一种能够实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者的磁性体材料及电感器。

本发明人等发现通过在含有由金属磁性体材料构成的大粒子和小粒子的复合磁性体中，对小粒子的粒径以及小粒子和大粒子所具有的绝缘性被膜的厚度进行控制，能够实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者，从而完成了本发明。

根据本发明的第1主旨，提供一种复合磁性体，其是含有金属磁性体粒子的复合磁性体，

金属磁性体粒子含有中值粒径D₅₀为1.3μm～5.0μm的第1粒子、和中值粒径D₅₀比第1粒子大的第2粒子，

第1粒子和第2粒子包括由金属磁性体材料构成的核部、和设置于核部的表面的绝缘性被膜，

第2粒子的绝缘性被膜的平均厚度为40nm～100nm，

第1粒子的绝缘性被膜的平均厚度小于第2粒子的绝缘性被膜。

根据本发明的第2主旨，提供一种使用上述复合磁性体的电感器。

本发明所涉及的复合磁性体及电感器通过具有上述特征，能够实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的电感器的其它构成例。

图2是第1粒子A4的STEM/EDX图像。

图3是第2粒子B5的STEM/EDX图像。

图4是由复合磁性体构成的成型体的截面的300倍的反射电子图像。

图5是由复合磁性体构成的成型体的截面的1000倍的反射电子图像。

图6是图4所示的反射电子图像的二值化图像。

图7是图5所示的反射电子图像的二值化图像。

图8是通过对图4和5进行图像解析而得到的粒度分布和对数正态分布的拟合结果。

附图标记的说明

10：电感器

20：素体

30：线圈导体

40：引出导体

50：外部电极

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式详细进行说明。其中，以下所示的实施方式以例示为目的，本发明并不限于以下的实施方式。

[复合磁性体]

本发明的一个实施方式所涉及的复合磁性体含有金属磁性体粒子。金属磁性体粒子包括中值粒径D₅₀为1.3μm～5.0μm的第1粒子、和中值粒径D₅₀比第1粒子大的第2粒子。应予说明，本说明书中，“中值粒径D₅₀”是指体积基准的中值粒径，“第1粒子的中值粒径D₅₀”和“第2粒子的中值粒径D₅₀”分别是将存在于第1粒子和第2粒子表面的绝缘性被膜的厚度包括在内的值。第2粒子具有平均厚度为40nm～100nm的绝缘性被膜。第1粒子具有平均厚度比第2粒子的绝缘性被膜小的绝缘性被膜。应予说明，本说明书中，绝缘性被膜的“平均厚度”广义上是指在金属磁性体粒子(第1粒子或第2粒子)的截面以多个点测定而得的绝缘性被膜的厚度的平均值，狭义上是指按照以下说明步骤导出的值。利用STEM/EDX，针对1个粒子以3个视野拍摄金属磁性体粒子(第1粒子或第2粒子)的截面，对于各个EDX图像，在等间隔的任意4个点进行设定并测定绝缘性被膜的厚度。针对3个粒子进行上述的测定，将根据在全部的点(3视野×4点×3个＝36点)测定而得的绝缘性被膜的厚度求出的平均值定义为“平均厚度”。对于绝缘性被膜的厚度的解析方法的详细内容如后所述。本实施方式所涉及的复合磁性体通过这样设定金属磁性体粒子的粒径和被膜的厚度，能够如下详述地实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者。

金属磁性体粒子含有第1粒子(小粒子)、和中值粒径D₅₀比第1粒子大的第2粒子(大粒子)。本实施方式所涉及的复合磁性体含有小粒子和大粒子，因此金属磁性体粒子的密度和填充率提高，能够提高磁导率。另外，第1粒子(小粒子)如后所述还具有使第2粒子(大粒子)彼此分离的作用。

第1粒子和第2粒子包括由金属磁性体材料构成的核部、和设置于核部的表面的绝缘性被膜。通过在第1粒子和第2粒子的表面存在绝缘性被膜，能够防止核部彼此直接接触，其结果，能够提高复合磁性体的绝缘性。应予说明，在本说明书中，被膜是否具有“绝缘性”可以以体积电阻率作为基准进行判定。例如，作为粉体电阻测定器，使用MitsubishiChemical Analytech公司制的高电阻电阻率计(Hiresta(注册商标)-UX MCP-HT800)，将具有绝缘性被膜的金属磁性体粒子的样品量设为10g，在载荷20kN下测定的体积电阻率为10⁶Ωcm以上的情况下，能够判定为被膜具有“绝缘性”。

第2粒子的绝缘性被膜的平均厚度为40nm～100nm。通过如此设定存在于第2粒子表面的绝缘性被膜的厚度，能够兼得更优异的直流重叠特性和更高磁导率。通过控制第2粒子的绝缘性被膜的厚度能够兼得更优异的直流重叠特性和更高磁导率的理由不限于特定的理论，但推测是基于以下的机理。通过在第2粒子设置绝缘性被膜，能够隔开构成第2粒子的核部(由金属磁性体构成的部分)彼此的间隔。若第2粒子的绝缘性被膜的厚度为40nm以上，则核部彼此分离，由此施加外部磁场时在第2粒子间产生的磁通的集中被缓和，第2粒子的磁通密度降低。其结果，抑制第2 粒子内的磁饱和，能够提高直流重叠特性。并且，若第2粒子的绝缘性被膜的厚度为100nm以下，则能够提高复合磁性体的磁性体的密度，因此能够实现更高磁导率和更高电感(L值)。

第1粒子的中值粒径D₅₀为1.3μm～5.0μm。通过如此设定第1粒子的中值粒径D₅₀，能够兼得更优异的直流重叠特性和更高磁导率。通过控制第1粒子的中值粒径D₅₀而能够兼得更优异的直流重叠特性和更高磁导率的理由不限于特定的理论，但可推测为基于以下说明的机理。若第1粒子的中值粒径D₅₀为1.3μm以上，则能够使第2粒子彼此分离。其结果，在施加外部磁场时能够抑制磁通在复合磁性体集中，第2粒子的磁通密度降低。第2粒子的粒径比第1粒子大，因此其对复合磁性体的磁特性的贡献大。因此，通过使第2粒子彼此分离，复合磁性体全体的磁饱和得到缓和，能够进一步提高直流重叠特性。另外，若第1粒子的中值粒径D₅₀为1.3μm 以上，则能够抑制磁性体对磁场的磁化的增大，因此能够抑制施加低磁场时的磁饱和。另一方面，若第1粒子的中值粒径D₅₀为5.0μm以下，则由复合磁性体形成成型体时能够高密度地填充金属磁性体粒子，因此金属磁性体粒子的密度增大，其结果，磁导率提高。

第1粒子具有平均厚度比第2粒子的绝缘性被膜小的绝缘性被膜。通过在第1粒子的表面存在绝缘性被膜，能够防止第1粒子的核部彼此直接接触。若核部彼此直接接触，则磁通容易在接触部集中。通过使第1粒子的核部彼此分离，使磁通的集中得到缓和，能够抑制第1粒子的磁饱和，其结果，能够提高直流重叠特性。另外，若第1粒子的绝缘性被膜的平均厚度小于第2粒子的绝缘性被膜的平均厚度，则复合磁性体的磁性体密度高，能够实现更高磁导率。

第1粒子的绝缘性被膜的平均厚度优选为10nm以下，更优选为3nm～ 10nm。第1粒子的绝缘性被膜的平均厚度为10nm以下、更优选为3nm～ 10nm时，能够进一步提高磁导率和直流重叠特性。

本实施方式所涉及的复合磁性体如上所述通过控制第1粒子和第2粒子的中值粒径D₅₀和绝缘性被膜厚度，能够实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者。

复合磁性体的磁导率可以使用阻抗分析仪进行测定。复合磁性体的直流重叠特性的评价可以使用LCR测试仪并按照以下说明的步骤进行。首先，制成由复合磁性体构成的环状的成型体，用铜线卷绕于该成型体。对该铜线施加直流电流(例如0～30A的直流电流)而获得电感(L值)。由 L值计算磁导率(μ值)，求出从电流为零时的μ值降低到80％的μ值时的电流值(I_sat)。根据I_sat、成型体的尺寸和铜线的卷绕数，计算μ值成为 80％的磁场(H_sat)。该H_sat的值是评价直流重叠特性的指标。H_sat的值越大，直流重叠特性越优异。

第1粒子与第2粒子的体积比率可以根据所希望的磁导率和直流重叠特性进行调整。优选第1粒子与第2粒子的体积比率在6：34与6：9之间的范围。若第1粒子相对于第2粒子的体积比率在6/34＝0.18以上，则金属磁性体粒子的填充率增大。另一方面，若第1粒子相对于第2粒子的体积比率为6/9＝0.67以下，则对复合磁性体的磁导率贡献大的第2 粒子的量增多。因此，通过将第1粒子相对于第2粒子的体积比率设定在上述范围内，能够进一步提高复合磁性体的磁导率。

第2粒子的中值粒径D₅₀优选为第1粒子的中值粒径D₅₀的3.8倍～ 40倍。若第2粒子的中值粒径D₅₀为第1粒子的中值粒径D₅₀的3.8倍以上，则第1粒子进入存在于第2粒子间的空隙，由此金属磁性体粒子的填充率更高，其结果，能够进一步提高复合磁性体的磁导率。若第2粒子的中值粒径D₅₀为第1粒子的中值粒径D₅₀的40倍以下，则在使用复合磁性体进行制造的电子部件中，能够提高由复合磁性体构成的素体的绝缘性，特别是将电子部件小型化时能够实现高绝缘性。在将电子部件小型化时，若在素体内存在的第2粒子的中值粒径D₅₀过大，则有可能在内部电极与电子部件的表面之间或在内部电极与外部电极之间仅配置有1个第2粒子。此时，与在内部电极与电子部件的表面之间或在内部电极与外部电极之间配置有多个粒子的情况相比，粒子表面彼此接触而形成的界面的数量减少。粒子表面间的界面具有发挥绝缘性的功能，因此界面的数量减少时有可能无法确保素体的绝缘性。通过使第2粒子的中值粒径D₅₀为第1粒子的中值粒径D₅₀的40倍以下，能够防止在内部电极与电子部件的表面之间或在内部电极与外部电极之间仅配置1个第2粒子，能够确保素体的绝缘性。

第2粒子的中值粒径D₅₀具体而言优选为20.0μm～30.0μm。若第2 粒子的中值粒径D₅₀为20.0μm以上，则第1粒子进入存在于第2粒子之间的空隙，由此金属磁性体粒子的填充率变得更高，其结果，能够进一步提高复合磁性体的磁导率。若第2粒子的中值粒径D₅₀为30.0μm以下，则能够防止在内部电极与电子部件的表面之间或在内部电极与外部电极之间仅配置1个第2粒子，其结果，在使用复合磁性体进行制造的电子部件中，能够提高由复合磁性体构成的素体的绝缘性，特别是将电子部件小型化时能够实现高绝缘性。

构成第1粒子和第2粒子的核部的金属磁性体材料的种类没有特别限定，可以根据所希望的特性和用途、以及形成在表面的绝缘性被膜的组成和绝缘性被膜的形成方法等适当地选择。金属磁性体材料可以为晶体系材料、非晶形系材料、或者晶体相(包括纳米晶体相在内)和非晶形相混合存在的混合系材料(包括纳米晶体系材料在内)中的任一种。第1粒子和第2粒子可以由同种材料构成，或者也可以由不同种类的材料构成。第1 粒子和第2粒子的核部除了包含金属磁性体材料之外还可以包含微量的杂质，优选第1粒子和第2粒子的核部仅由金属磁性体材料构成。

构成第1粒子和第2粒子的核部的金属磁性体材料例如可以是FeSi 系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeSiBCuNb系合金、FeSiCrNbBPCu 系合金、FeCo系合金、FeCoV系合金、FeNi系合金；含有Fe和选自Nb、 Hf、Zr、Ta、Ti、Mo、W和V中的至少1种以及B、Si、Cd，且进一步含有Co和Ni中的至少1种和/或选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、 Bi、N、O和稀土类元素中的至少1种的合金；含有Fe、B、P、Cu、且进一步含有Si和/或C的合金；含有Fe、Cu、Si、B以及选自Nb、W、 Ta、Zr、Hf和Mo中的至少1种，且进一步含有选自V、Cr、Mn、铂系列元素、Sc、Y、Au、Zn、Sn和Re中的至少1种和/或选自C、P、Ge、 Ga、Sb、In、Be和As中的至少1种的合金；以及FeSiCrBC系非晶形合金和FeSiCrNbBPCu系非晶形合金等Fe系非晶形合金等，但并不限于上述的材料。

第1粒子的核部优选由选自FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金和Fe系非晶形合金中的至少1种合金或Fe(羰基铁粉等)构成。另外，第1粒子的核部可以是含有选自FeSi系合金、FeSiCr 系合金、FeSiAl系合金和FeCo系合金中的至少1种合金或Fe(羰基铁粉等)的晶体系材料。第2粒子的核部优选为由选自FeSi系合金、FeSiCr 系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金、FeNi系合金和Fe系非晶形合金中的至少1种合金构成。另外，第2粒子的核部可以是含有选自FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金和FeNi系合金中的至少1种合金的晶体系材料。

构成第1粒子和第2粒子的绝缘性被膜的绝缘性材料的种类没有特别限定，可以根据所希望的特性和用途、核部的组成、绝缘性被膜的形成方法、成型时的加热温度(树脂的固化温度或煅烧温度等)等适当地选择。第1粒子的绝缘性被膜和第2粒子的绝缘性被膜可以由同种材料构成，或者可以由不同种类的材料构成。第1粒子的绝缘性被膜和第2粒子的绝缘性被膜除了含有绝缘性材料之外还可以含有微量的杂质，优选第1粒子的绝缘性被膜和第2粒子的绝缘性被膜仅由绝缘性材料构成。

第1粒子的绝缘性被膜优选具有与第2粒子的绝缘性被膜不同的组成。第1粒子的绝缘性被膜的组成与第2粒子的绝缘性被膜的组成不同的情况下，第1粒子的表面电位与第2粒子的表面电位不同，因此能够在第 1粒子和第2粒子不凝聚的情况下均匀地分散。由此，能够在第2粒子(大粒子)彼此间均匀地配置第1粒子(小粒子)，其结果，直流重叠特性进一步提高，并且磁导率进一步提高。具体而言，能够第1粒子的绝缘性被膜和第2粒子的绝缘性被膜中的任一方含有Si(硅)，另一方不含Si。此时，不含Si的绝缘性被膜例如可以含有P(磷)。这样通过设定第1粒子和第2粒子的绝缘性被膜的组成，能够进一步提高直流重叠特性，并且能够进一步提高磁导率。

第1粒子的绝缘性被膜和第2粒子的绝缘性被膜中的至少一方优选为非磁性。若绝缘性被膜为非磁性，则能够进一步有效地缓和第2粒子间的磁通的集中，能够进一步有效地抑制磁饱和。其结果，可进一步提高直流重叠特性。更优选第1粒子的绝缘性被膜和第2粒子的绝缘性被膜这两方均为非磁性。第1粒子的绝缘性被膜和第2粒子的绝缘性被膜这两方均由非磁性材料构成时，可进一步提高直流重叠特性。

作为构成第1粒子和第2粒子的绝缘性被膜的绝缘性材料，例如可举出二氧化硅、磷酸玻璃、以及有机硅树脂被膜、酚醛树脂被膜、环氧树脂被膜、聚酰胺树脂被膜以及聚酰亚胺树脂被膜等树脂被膜等，构成绝缘性被膜的材料并不限于上述的物质。使用磷酸玻璃作为绝缘性被膜时，作为以磷酸玻璃为代表的磷氧化合物，可以使用磷酸钙、磷酸钾、磷酸铵、磷酸钠、磷酸镁、磷酸铝、亚磷酸盐、次亚磷酸盐等磷酸盐，其中，优选使用磷酸钙。

本实施方式所涉及的复合磁性体优选还含有树脂。复合磁性体除了含有金属磁性体粒子之外还含有树脂时，通过使树脂固化，能够制造由复合磁性体构成的成型体。由复合磁性体构成的成型体也能够如后所述利用煅烧而制造，优选利用树脂的固化而制造。树脂的固化温度具有比金属磁性体粒子的烧结温度低的趋势，因此通过使用树脂能够以比较低的温度制造成型体。因此，容易将成型时的加热温度设定为充分低于绝缘性被膜的熔点的温度，容易防止因加热导致绝缘性被膜受损伤。另外，通过使用树脂，还具有不需要烧结所需的添加剂的优点。树脂的种类没有特别限定，可以根据所希望的特性和用途等适当地选择。树脂例如可以为环氧系树脂、有机硅系树脂、酚醛系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂以及聚苯硫醚系树脂等，但并不限于上述的材料。树脂的含量以复合磁性体整体的重量作为基准优选为1.5重量％～5.0重量％，更优选为2.0重量％～5.0重量％。若树脂的含量为1.5重量％以上，则能够减少成型体内的空隙，能够提高成型体的强度和耐候性。在利用加热成型制造成型体时该效果特别显著。若树脂的含量为5.0重量％以下，则能够抑制树脂在成型体中的偏析，另外，可以抑制因树脂从成型模具渗出而产生毛刺。其结果，能够得到进一步适宜的成型体。

本实施方式所涉及的复合磁性体除了含有第1粒子、第2粒子以及根据情况添加的树脂，还可以含有1种以上的具有与第1粒子和第2粒子不同的中值粒径D₅₀的金属磁性体粒子。然而，复合磁性体优选仅含有第1 粒子和第2粒子作为金属磁性体粒子。复合磁性体含有树脂时，复合磁性体可以仅由第1粒子、第2粒子和树脂构成。复合磁性体可以进一步含有润滑剂等添加剂。通过添加润滑材料，在成型时容易从模具脱模，能够提高生产率。作为润滑剂，例如可使用硬脂酸锌、硬脂酸钙和硬脂酸锂等金属皂、石蜡等长链烃、以及硅油等。

[复合磁性体的制造方法]

接下来，对本实施方式所涉及的复合磁性体的制造方法进行说明。但是，以下说明的方法仅是一个例子，本实施方式所涉及的复合磁性体的制造方法并不限于以下的方法。

首先，准备成为第1粒子和第2粒子的核部的金属磁性体材料的粒子。核部的组成如上所述。接下来，在第1粒子的核部的表面和第2粒子的核部的表面，分别形成绝缘性被膜。绝缘性被膜的组成如上所述。绝缘性被膜的形成方法没有特别限定，可以根据核部的组成和粒径以及所形成的绝缘性被膜的组成和厚度等适当地选择。

绝缘性被膜例如可以利用机械化学法或溶胶-凝胶法形成。其中，机械化学法的成本低，是在具有较大粒径的核部的表面，形成厚度较大的绝缘性被膜时特别适宜的方法。使用机械化学法来形成绝缘性被膜时，绝缘性被膜的厚度可以通过控制绝缘性材料的添加量进行控制。溶胶-凝胶法可以应用于范围广的组成和尺寸的核部，能够形成厚度较小的绝缘性被膜，另外，能够形成熔点较高的绝缘性被膜。使用溶胶-凝胶法来形成绝缘性被膜时，绝缘性被膜的厚度例如可以通过调整溶胶-凝胶反应的时间、金属醇盐和溶剂的添加量等进行控制。通过这样在核部的表面形成绝缘性被膜，能够得到第1粒子和第2粒子。

以成为规定的体积比率的方式称量得到的第1粒子和第2粒子，将它们进行混合得到金属磁性体粒子。向该金属磁性体粒子以规定的比例添加树脂材料，进行混合而得到浆料。树脂的组成如上所述。作为树脂材料，例如可以使用含有作为树脂固体成分的环氧系树脂、作为溶剂的丙酮或乙二醇系溶剂的清漆。应予说明，在本实施方式所涉及的复合磁性体中，树脂并不是必需成分。

将得到的浆料成型为片状。成型方法没有特别限定，可以适当地采用公知的方法。例如可以利用刮刀法，以使片厚度成为规定的厚度的方式，在PET膜等基材上应用浆料而形成片。为了容易从基材剥离片，使片进行干燥并使溶剂蒸发。干燥温度和时间可以根据溶剂的种类和含量等适当地设定。干燥后，从基材剥离片。

将从基材剥离的片加工为规定的形状后，通过层叠多片，进行加压和加热，能够得到复合磁性体的成型体。作为一个例子，形成环状的成型体的情况下，将从基材剥离的片加工成规定尺寸的环状，将多个环状片层叠在环状的模具内并进行成型。利用模具进行的成型可以通过例如在80℃和7MPa的条件下对模具加压10分钟后，在170℃和4.3MPa的条件下加压30分钟而进行。如此，能够得到环状的复合磁性体的成型体。

应予说明，在上述的制造方法中，虽然通过对树脂进行加热固化而进行成型体的制造，但也能够利用煅烧进行成型体的制造。此时，不需要树脂。利用煅烧进行成型体的制造的情况下，向金属磁性体粒子加入PVA (聚乙烯醇)等粘合剂进行混合，得到金属磁性体材料糊料。利用刮刀法等将该金属磁性体材料糊料成型，通过将得到的成型体在规定的温度下进行煅烧，能够得到由复合磁性体构成的成型体。煅烧温度设定为比绝缘性被膜的熔点低且可进行金属磁性体粒子的烧结的温度。此外，利用煅烧进行成型体的制造时，第1粒子和第2粒子的绝缘性被膜优选为二氧化硅等高熔点的膜。

[绝缘性被膜的平均厚度的解析方法]

第1粒子和第2粒子的绝缘性被膜的平均厚度可以按照以下说明的步骤求出。绝缘性被膜的平均厚度的测定可以使用STEM/EDX(扫描型透射电子显微镜/能量分散型X射线分析)进行。首先，将测定的粒子树脂填埋进行研磨，利用FIB(聚焦离子束)加工制成STEM/EDX观察用样品。利用STEM/EDX，以倍率400k倍得到包含于绝缘性被膜的元素的 EDX像。针对一个粒子以3个视野拍摄EDX图像，对于各个EDX图像，在核部的表面上30nm等间隔的4个点进行设定并测定绝缘性被膜的厚度。针对3个粒子进行上述的测定，将根据在全部的点(3视野×4点×3 个＝36点)测定而得的绝缘性被膜的厚度计算出的平均值作为绝缘性被膜的平均厚度。应予说明，第1粒子和第2粒子的绝缘性被膜的厚度也可以通过在由复合磁性体构成的成型体的断面，按照与上述的方法相同的步骤利用STEM/EDX进行解析而求出。可以认为绝缘性被膜的厚度在成型前后是几乎相同的值。

[第1粒子与第2粒子的体积比率和中值粒径D₅₀的解析方法]

本实施方式所涉及的复合磁性体中含有的第1粒子与第2粒子的体积比率、以及第2粒子和第1粒子的中值粒径D₅₀可以通过对拍摄由复合磁性体构成的成型体的截面而得的SEM(扫描型电子显微镜)图像进行解析而求出。

首先，利用线锯等切出成型体的截面，使其单片化。使用铣削装置等将截面加工为平坦后，利用SEM获得300倍像和1000倍像的反射电子图像各5个视野。应予说明，取得300倍像(低倍率图像)和1000倍像(高倍率画像)这两方的理由是为了精度良好地解析第1粒子(小粒子)的粒径和第2粒子(大粒子)的粒径。接下来，使用图像解析软件，进行取得的SEM图像的二值化处理，求出粒子截面的圆当量直径。对通过图像解析求出的圆当量直径频度进行计数，得到直方图。在300倍像与1000倍像之间，存在由倍率差导致的频度之差。为了使1000倍像的频度与300 倍像的频度同步，将1000倍像的频度乘以(1000/300)的平方。并且，求出1000倍像的直方图的不均比300倍像的直方图的不均大的粒径的值，对于粒径为该粒径以上的频度采用300倍像的值，对于粒径比该粒径小的频度采用1000倍像的值，绘出1个直方图。

为了使直方图的频度成为体积基准的分布，基于计量形态学，进行将频度与根据粒径区间算出的体积乘积，除以粒径的计算(参考文献： R.T.DeHoff，F.N.Rhines著，牧岛邦夫，筱原靖忠，小森尚志译，“计量形态学(Quantitative microscopy)”，内田老鹤花圃新公司，1972年，167～ 203页)。上述的计算基于较小截面积的粒子出现的频度高的计量形态学的研究。这里，以频度的总和成为1的方式，利用各区间的频度除以频度的总和而使其标准化。

对于这样求得的体积基准的直方图，通过利用2个对数正态分布的和 (第1粒子的对数正态分布与第2粒子的对数正态分布的和)进行拟合，计算第1粒子和第2粒子各自的中值粒径D₅₀、以及第1粒子与第2粒子的体积比率(配合比率)。对数正态分布的概率密度函数由下述的式给出。

上述式中，变量x对应于数据区间、σ对应于分散、μ对应于平均值。由于该概率密度函数是针对第1粒子和第2粒子中的每一个表示的，因此变量分别为x1、x2、σ1、σ2、μ1、μ2。应予说明，各变量的末尾的1表示第1粒子，2表示第2粒子。并且，为了将第1粒子的概率密度函数和第2粒子的概率密度函数作为1个概率密度函数表示，将规定的比例(设为p1、p2)乘以各个概率密度函数并将它们相加。将如此得到的、第1 粒子和第2粒子合成而得的概率密度函数以能够与体积基准的直方图拟合的方式标准化。

概率密度函数的变量中，数据区间x1和x2由体积基准的直方图的数据区间给出。因此，为了利用所合成的概率密度函数拟合体积基准的直方图，将方差σ1和σ2、平均μ1和μ2、以及比例p1和p2作为变量，利用最小二乘法使变量最优化，以使两者的差异最小。根据以这样最优化的变量给出的第1粒子和第2粒子各自的概率密度函数，累计标准化的密度函数而求出成为0.5的数据区间的值，得到第1粒子和第2粒子各自的中值粒径D₅₀。并且，根据最优化的p1与p2的比率，得到第1粒子与第2粒子的体积基准的配合比率(体积比率)。

上述的解析方法也可以用于从市售的电感器等制品的芯片截面求出第1粒子与第2粒子的体积比率以及第1粒子和第2粒子的中值粒径D₅₀的情况。

[电感器]

接下来，以下对本发明的一个实施方式所涉及的电感器进行说明。本实施方式所涉及的电感器是使用了本发明的复合磁性体的电感器。本实施方式所涉及的电感器能够实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者。以下例示电感器的构成例，但本实施方式所涉及的电感器并不限于以下的构成例。

本实施方式所涉及的电感器的构成例的构成中，电感器具备由复合磁性体构成的素体、设置于素体的表面的外部电极、以及设置于素体的内部的线圈导体。

电感器例如可以按照以下说明的方法进行制造。首先，将导体卷绕而形成线圈导体。卷绕方式可以是α绕组、不均匀绕组、扁平绕组或对准绕组等中的任一种。

接下来，在线圈导体涂布热固化性组合物后，通过热处理形成覆盖体，该覆盖体在线圈的导体的表面形成有被膜。热固化性组合物的涂布例如可以利用浸涂或喷涂进行，也可以将它们组合进行。通过进行浸涂或喷涂，能够容易调整为所希望的涂布量。喷涂可以以1次喷雾进行，也可以分多次喷雾进行。并且，通过对涂布有热硬化性组合物的线圈导体进行热处理，使热固化性组合物中含有的热固化性化合物中的至少一部分例如进行交联反应，从而形成被膜。这里，利用热处理形成的被膜可以部分地含有未固化部分，也可以整体被固化。被膜的固化状态例如可以利用差示热分析、热重量分析等热分析进行推断。

通过对热固化性组合物进行涂布和热处理而形成被膜可以根据需要进行多次。通过以所希望的次数进行被膜形成，能够更为均匀地形成具有所希望厚度的被膜，可进一步提高耐电压特性。

在热固化性组合物的涂布后且热处理前，可以进行将热固化性组合物中含有的液体介质中的至少一部分除去的干燥处理。干燥处理可以与热处理独立地进行，也可以连续进行。干燥处理可以在常压下和减压下中的任一种进行，可以施加热。干燥处理的温度和时间等处理条件可以根据热固化性组合物的组成和涂布量等适当地选择。

热固化性组合物的涂布量可以适当地调整以得到具有所希望的厚度的固化物。另外，热处理的温度和时间等处理条件可以根据热固化性组合物的组成和涂布量等适当地选择。例如在构成线圈导体的导体由热塑性树脂覆盖的情况下，热处理的温度可以为80℃～250℃。

在线圈导体涂布热固化性组合物前，可以利用乙醇和丙酮等有机溶剂清洗线圈导体的表面，并且可以使用偶联剂和密合性促进剂等表面处理剂、或紫外线和酶等离子体等自由基进行表面处理。由此，被膜对线圈导体的密合性进一步提高，得到更良好的特性。

接下来，通过将得到的覆盖体埋设于由复合磁性体构成的素体中，进行加压，从而得到线圈导体配置于内部而成的素体。将覆盖体埋设于素体中进行加压时的条件可以应用在该技术领域中常用的条件。

外部电极例如可以形成于埋设有覆盖体后的素体。此时，例如可以在埋设有覆盖体后的素体的两端，涂布外部电极用的导体糊料后，通过进行热处理来设置外部电极。另外，外部电极也可以通过在埋设有覆盖体后的素体的两端，涂布外部电极用的导体糊料后，通过进行烧焊处理，对经烧焊的导体实施镀覆而设置。此时，为了防止镀液浸入素体中可能存在的空隙，可以预先将树脂浸入素体中存在的空隙。如此能够得到电感器。

图1中示出本实施方式所涉及的电感器的其它的构成例。图1所示的构成中，电感器10具备由复合磁性体构成的素体20、设置于素体20的表面的外部电极50、设置于素体20的内部的线圈导体30、将外部电极 50与线圈导体30电连接的引出导体40。

图1所示的电感器10例如可以按照以下说明的方法进行制造。首先，准备第1粒子和第2粒子。在该第1粒子和第2粒子加入PVA(聚乙烯醇) 等粘合剂并混炼，得到金属磁性体材料糊料。并且，另行准备形成线圈导体30的导体糊料。通过将该金属磁性体材料糊料与导体糊料交替印刷成层状，得到层叠成型体。通过对该层叠成型体在大气中以规定温度进行脱粘合剂处理和热处理，得到素体20。外部电极50例如可以形成于热处理后的素体20。此时，例如可以在热处理后的素体20的两端，涂布外部电极50用的导体糊料后，通过进行热处理来设置外部电极50。另外，外部电极50也可以通过在热处理后的素体20的两端，涂布外部电极50用的导体糊料后，通过进行烧焊处理，对经烧焊的导体实施镀覆而设置。此时，为了防止镀液浸入素体20中可能存在的空隙，可以预先将树脂浸入素体 20中存在的空隙。如此能够得到电感器10。

实施例

(第1粒子的准备)

作为第1粒子的核部，使用羰基铁粉。通过气流分级，分级成中值粒径D₅₀分别为1.06μm、1.36μm、1.56μm、4.56μm、5.06μm以及5.6μm的粒子。通过对经分级的羰基铁粉分别进行溶胶-凝胶处理，在粒子的表面形成二氧化硅的绝缘性被膜。如此得到粒径不同的第1粒子A1～A6。

(第2粒子的准备)

作为第2粒子的核部，使用中值粒径D₅₀为26μm的FeSiCrBC非晶形粒子。利用机械化学法，在非晶形粒子的表面形成磷酸玻璃的绝缘性被膜。通过调节磷酸玻璃的添加量而调整绝缘性被膜的厚度，得到磷酸玻璃的绝缘性被膜的厚度不同的第2粒子B1～B8。

对于得到的第1粒子A1～A6和第2粒子B1～B8中的每一个，测定绝缘性被膜的平均厚度。绝缘性被膜的平均厚度的测定可以通过使用 STEM/EDX(Hitachi High-Technologies公司制HD-2300A/EDAX公司制GENESIS XM4)进行。首先，将试样用树脂填埋进行研磨，利用FIB 加工制成STEM/EDX观察用样品。利用STEM/EDX，以400k倍得到 Fe(铁)元素和P(磷)元素或Si(硅)元素的EDX像。将第1粒子A4 和第2粒子B5的EDX图像作为例子示于图2和3。在第1粒子的绝缘性被膜的平均厚度测定中，针对1个第1粒子以3个视野拍摄EDX图像，对于各个EDX画像，在羰基铁粉表面上30nm等间隔的4个点进行设定并测定由Si元素形成的绝缘性被膜的厚度。对于3个第1粒子进行上述的测定，将根据在全部的点(3视野×4点×3个＝36点)测定的绝缘性被膜的厚度计算出平均值作为第1粒子的绝缘性被膜的平均厚度。在第2粒子的绝缘性被膜的平均厚度测定中，通过与第1粒子相同的步骤在非晶形粒子表面上测定由P元素形成的绝缘性被膜的厚度，求出平均厚度。将第 1粒子A1～A6和第2粒子B1～B8的绝缘性被膜的平均厚度的测定结果示于表1。

【表1】

[实验例1]

使用第1粒子A4和绝缘性被膜的厚度不同的第2粒子B1～B8，制成以下说明的实施例1～5和比较例1～3的成型体，进行物性评价。

(配合)

以使第1粒子与第2粒子的体积比率成为30：70的方式称量第1粒子和第2粒子，进行混合而得到金属磁性体粒子。各实施例和比较例中使用的粒子的种类如表3所示。将含有作为树脂固体成分的环氧系树脂、作为溶剂的乙二醇系溶剂的清漆用作树脂的原料。清漆中的清漆固体成分含量(树脂固体成分/(树脂固体成分+溶剂))为50重量％。以浆料固体成分含量(树脂固体成分/(金属磁性体粒子+树脂固体成分+溶剂)) 成为4.0重量％的方式称量金属磁性体粒子和清漆，进行混合而得到浆料。

(片形成)

利用刮刀法，以片厚度成为300μm的方式在PET膜上应用浆料而形成片。使片在95℃干燥60分钟并使溶剂蒸发后，从PET膜剥离片。

(环成型)

将从PET膜剥离的片加工成外径13mm、内径9mm的环状。将多个环状片层叠在外径13mm、内径9mm的模具内进行成型。利用模具进行的成型通过在80℃和7MPa的条件下对模具加压10分钟后，在170℃和 4.3MPa的条件下加压30分钟进行。如此得到环状的成型体。

(第1粒子与第2粒子的体积比率和中值粒径D₅₀的导出)

构成成型体的磁性体材料中含有的第1粒子与第2粒子的体积比率、以及第2粒子和第1粒子的中值粒径D₅₀可以通过对拍摄成型体的截面而成的SEM图像进行解析而导出。对于解析方法的详细内容，以下以另行制成的试样的解析作为例子进行说明。

作为图像解析用的试样，以体积比率18：82配合第1粒子A2和第2 粒子B5，按照与上述的实施例1～5和比较例1～3相同的步骤制成环状的成型体。

接下来，用线锯切出成型体的截面，进行单片化。使用铣削装置 (Hitachi High-Technologies公司制IM4000)将截面加工成平坦后，利用 SEM(Hitachi High-Technologies公司制SU1510)获得300倍像和1000 倍像的反射电子图像各5个视野。将300倍像和1000倍像的反射电子图像分别示于图4和5。应予说明，获得300倍像(低倍率图像)和1000 倍像(高倍率图像)这两方的理由是为了精度良好地解析第2粒子的粒径和第1粒子的粒径这两者。在仅解析300倍像的情况下，能够大量提取第 2粒子的粒径，但将第1粒子的粒径精度良好地定量很困难。另一方面，在仅解析1000倍像的情况下，能够精度良好地提取第1粒子的粒径，但第2粒子的频度少，因此将第2粒子的粒径精度良好地定量很困难。

使用图像解析软件(A像君(A-zou kun)(注册商标)，Asahi Kasei Engineering株式会社制)，进行所获得的SEM图像的二值化处理，求出粒子截面的圆当量直径。将从图4以及图5的反射电子图像除去标尺的区域并将二值化而得的二值化图像分别示于图6和7。

接下来，为了得到粒度分布的直方图，将数据区间如以下的表2进行定义。对于根据图像解析求出的圆当量直径，以在表2所示的区间设定的范围对频度进行计数，得到直方图。计得的数在300倍像中为21263个，在1000倍像中为13600个。

【表2】

数据区间[μm]
	0.1
0.3
	0.4
0.6
	0.8
0.9
	1.1
1.3
	1.4
1.6
	1.8
1.9
	2.1
2.3
	2.5
2.8
	3.0
3.3
	3.6
3.9
	4.2
4.6
	5.0
5.5
	6.0
6.5
	7.1
7.8
	8.5
9.3
	10.1
11.0
	12.0
13.1
	14.3
15.6
	17.0
18.5
	20.2
22.0
	24.0
26.2
	28.5
31.1
	33.9
37.0
	40.4
44.0
	48.0
52.3
	57.1
61.5
	66.1

在300倍像与1000倍像之间，存在有由倍率差导致的频度之差。为了使1000倍像的频度与300倍像的频度一致，将1000倍像的频度乘以 (1000/300)的平方。制成直方图时，对于粒径为20.2μm以上的频度采用300倍像的值，对于粒径比20.2μm小的频度采用1000倍像的值，绘制 1个直方图。应予说明，将粒径20.2μm作为边界的理由是因为该粒径以上时1000倍像的直方图的不均比300倍像的直方图的不均大。

为了使直方图的频度成为体积基准的分布，基于计量形态学，进行将频度乘以从粒径区间算出的体积，并除以粒径的计算。这里，以使频度的总和成为1的方式，利用各区间的频度除以频度的总和并使其标准化。

对于如此求出的体积基准的直方图，通过利用2个对数正态分布之和 (第1粒子的对数正态分布与第2粒子的对数正态分布之和)进行拟合，算出第1粒子和第2粒子各自的中值粒径D₅₀、以及第1粒子与第2粒子的体积比率(配合比率)。对数正态分布的概率密度函数由下述式给出。

上述式中，变量x对应于数据区间，σ对应于分散，μ对应于平均值。由于该概率密度函数是针对第1粒子和第2粒子中的每一个表示的，因此变量分别为x1、x2、σ1、σ2、μ1、μ2。应予说明，各变量的末尾的1表示第1粒子，2表示第2粒子。并且，为了将第1粒子的概率密度函数和第2粒子的概率密度函数作为1个概率密度函数表示，将规定的比例(设为p1、p2)乘以各个概率密度函数并将它们相加。将如此得到的、第1 粒子和第2粒子合成的概率密度函数以能够与体积基准的直方图拟合的方式进行了标准化。

概率密度函数的变量中，数据区间x1和x2由体积基准的直方图的数据区间给出。因此，为了利用所合成的概率密度函数拟合体积基准的直方图，将方差σ1和σ2、平均μ1和μ2、以及比例p1和p2作为变量，利用最小二乘法使变量最优化，以使两者的差异最小。将拟合结果示于图8。根据以这样最优化的变量给出的第1粒子和第2粒子各自的概率密度函数，累计标准化的密度函数而求出成为0.5的数据区间的值，得到第1粒子和第2粒子各自的中值粒径D₅₀。并且，根据最优化的p1与p2的比率，得到第1粒子与第2粒子的体积基准的配合比率(体积比率)。

进行上述解析之后，其结果第1粒子与第2粒子的体积比率为第1粒子：第2粒子＝18：82，第1粒子的中值粒径D₅₀为1.4μm，第2粒子的中值粒径D₅₀为23.2μm(包括绝缘性被膜的厚度在内)。根据成型前的第 1粒子和第2粒子的中值粒径D₅₀以及配合时的第1粒子与第2粒子的体积比率、与利用解析得到的第1粒子和第2粒子的中值粒径D₅₀以及第1 粒子与第2粒子的体积比率的值的比较，可知中值粒径D₅₀以及体积比率在成型前后几乎没有变化，得到几乎相同的值。因此，可以认为成型体的第1粒子和第2粒子的中值粒径D₅₀以及第1粒子与第2粒子的体积比率是与第1粒子和第2粒子的核部的中值粒径D₅₀以及配合时的第1粒子与第2粒子的体积比率相同的值。

应予说明，上述的解析方法并不限于应用在环截面的解析，也可以应用于根据商购制品的芯片截面计算中值粒径D₅₀和体积比率时。

(评价)

对于实施例1～5和比较例1～3的成型体各自进行相对磁导率测定和重叠测定。首先，测定成型的环的尺寸(内径、外径和厚度)后，进行相对磁导率测定和重叠测定。相对磁导率测定通过使用阻抗分析仪(Keysight 公司制E4991A)进行。相对磁导率测定中采用1MHz的值。重叠测定通过使用LCR测试仪(Keysight公司制4284A)进行。重叠测定中，用铜线卷线成环。铜线使用直径0.35mm的线，卷绕数为24。对铜线施加0～ 30A的直流电流而获得电感(L值)。根据L值计算相对磁导率(μ值)，得到从电流为零时的μ值降低至80％的μ值时的电流值(I_sat)。根据I_sat、环的尺寸和铜币的卷绕数，算出μ值成为80％的磁场(H_sat)。将结果示于表3。应予说明，本实施例中，相对磁导率为22.0以上时判断为能够实现作为电感器所希望的L值，H_sat为13.0kA/m以上时判断为能够实现作为电感器所希望的直流重叠特性。

【表3】

根据表3所示的结果，可知有如下趋势：由磁性体材料构成的成型体的相对磁导率随着第2粒子的绝缘性被膜的厚度变小而增加，H_sat随着第2粒子的绝缘性被膜的厚度变大而增加。在第2粒子的绝缘性被膜的厚度小于40nm的比较例1和2中，虽然相对磁导率是22.0以上的高值，但 H_sat小于13.0kA/m，不满足作为电感器所希望的直流重叠特性。另一方面，在第2粒子的绝缘性被膜的厚度大于100nm的比较例3中，虽然H_sat是13.0kA/m以上的高值，但相对磁导率小于22.0，不满足作为电感器所希望的L值。

与此相对，在第2粒子的绝缘性被膜的厚度为40nm～100nm的实施例1～5中，能够实现22.0以上的高相对磁导率和13.0kA/m以上的高 H_sat这两方。因此，可以说实施例1～5的成型体实现了作为电感器所希望的L值和直流重叠特性。

[实验例2]

使用中值粒径D₅₀不同的第1粒子A1～A6、和第2粒子B5，制成实施例6～8和比较例4～5的成型体，进行物性评价。成型体的制成按照与上述的实施例1～5和比较例1～3相同的步骤进行。各实施例和比较例中使用的粒子的种类如表4所示。对于得到的成型体，分别按照与上述的实施例1～5和比较例1～3相同的步骤进行物性评价。将结果示于表4。应予说明，表4所示的第1粒子的中值粒径D₅₀是针对形成绝缘性被膜前的羰基铁粉(核部)测定的值，但如表1所示第1粒子的绝缘性被膜的厚度是非常小的值，约为羰基铁粉的中值粒径D₅₀的1/100以下，因此认为包括绝缘性被膜的第1粒子的中值粒径D₅₀是与绝缘性被膜形成前的羰基铁粉的中值粒径D₅₀几乎相同的值。

【表4】

根据表4所示的结果，可知有如下趋势：由磁性体材料构成的成型体的相对磁导率随着第1粒子的中值粒径D₅₀变小而增加，H_sat随着第1粒子的中值粒径D₅₀变大而增加。在第1粒子的中值粒径D₅₀小于1.3μm的比较例4中，虽然相对磁导率是22.0以上的高值，但H_sat小于13.0kA/m，不满足作为电感器所希望的直流重叠特性。另一方面，在第1粒子的中值粒径D₅₀大于5.0μm的比较例5中，虽然H_sat为13.0kA/m以上的高值，但相对磁导率小于22.0，不满足作为电感器所希望的L值。

与此相对，在第1粒子的中值粒径D₅₀为1.3μm～5.0μm的实施例3 和6～8中，能够实现22.0以上的高相对磁导率和13.0kA/m以上的高 H_sat这两者。因此，可以说实施例1～5的成型体实现了作为电感器所希望的L值和直流重叠特性。

本发明包括以下的方式，但并不限于这些方式。

(方式1)

一种复合磁性体，是含有金属磁性体粒子的复合磁性体，

金属磁性体粒子含有中值粒径D₅₀为1.3μm～5.0μm的第1粒子、和中值粒径D₅₀比第1粒子大的第2粒子，

上述第1粒子和上述第2粒子包括由金属磁性体材料构成的核部、和设置于该核部的表面的绝缘性被膜，

第2粒子的绝缘性被膜的平均厚度为40nm～100nm，

第1粒子的绝缘性被膜的平均厚度小于第2粒子的绝缘性被膜的平均厚度。

(方式2)

根据方式1所述的复合磁性体，其中，第1粒子的绝缘性被膜的平均厚度为10nm以下。

(方式3)

根据方式1或2所述的复合磁性体，其中，第1粒子与第2粒子的体积比率在6：34与6：9之间的范围。

(方式4)

根据方式1～3中任一项所述的复合磁性体，其中，第2粒子的中值粒径D50为第1粒子的中值粒径D50的3.8倍～40倍。

(方式5)

根据方式1～4中任一项所述的复合磁性体，其中，第2粒子的中值粒径D₅₀为20.0μm～30.0μm。

(方式6)

根据方式1～5中任一项所述的复合磁性体，其中，第1粒子的核部由选自FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金和Fe 系非晶形合金中的至少1种合金或Fe构成。

(方式7)

根据方式1～6中任一项所述的复合磁性体，其中，第2粒子的核部由选自FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金、FeNi 系合金和Fe系非晶形合金中的至少1种合金构成。

(方式8)

根据方式1～7中任一项所述的复合磁性体，其中，第1粒子的绝缘性被膜具有与第2粒子的绝缘性被膜不同的组成。

(方式9)

根据方式8所述的复合磁性体，其中，第1粒子的绝缘性被膜和第2 粒子的绝缘性被膜中的一方含有Si，另一方不含有Si。

(方式10)

根据方式1～9中任一项所述的复合磁性体，其中，第1粒子的绝缘性被膜和第2粒子的绝缘性被膜中的至少一方为非磁性。

(方式11)

根据方式1～10中任一项所述的复合磁性体，其中，还含有树脂。

(方式12)

一种电感器，使用方式1～11中任一项所述的复合磁性体。

产业上的可利用性

使用本发明所涉及的复合磁性体而制造的电子部件能够同时实现更高磁导率和更优异的直流重叠特性这两者，因此能够宽度广泛地利用于各种用途。