阅读说明：本技术 半导体装置 (Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips ) 是由 小川洋平 上村紘崇 于 2020-03-27 设计创作，主要内容包括：半导体装置(1A)具备：半导体衬底(2)；包含磁传感部(3a)并设置在半导体衬底(2)的立式霍尔元件(3)；配置在磁传感部(3a)的上方并对磁传感部(3a)施加第1校正磁场(M1)的励磁布线(4)；以及对磁传感部(3a)施加第2校正磁场(M2)的励磁布线(5),该励磁布线(5)在磁传感部(3a)的上方、且在从半导体衬底(2)的表面的正上方俯视观察下在夹持励磁布线(4)的一侧及另一侧的各侧上并排配置。(A semiconductor device (1A) is provided with: a semiconductor substrate (2); a vertical Hall element (3) which includes a magnetic sensor section (3 a) and is provided on a semiconductor substrate (2); an excitation wiring (4) which is arranged above the magnetic sensor unit (3 a) and applies a1 st correction magnetic field (M1) to the magnetic sensor unit (3 a); and an excitation wiring (5) for applying a2 nd correction magnetic field (M2) to the magnetic sensor unit (3 a), wherein the excitation wiring (5) is arranged above the magnetic sensor unit (3 a) and on each of one side and the other side sandwiching the excitation wiring (4) when viewed in plan from directly above the surface of the semiconductor substrate (2).)

半导体装置

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

例如，存在利用霍尔元件作为磁传感器的半导体装置。霍尔元件作为能够以非接触方式检测位置或角度的磁传感器，被利用于各种用途。另外，霍尔元件具有立式霍尔元件和卧式霍尔元件。其中，卧式霍尔元件是检测出对元件表面垂直的磁场分量的磁传感器。另一方面，立式霍尔元件是检测出对元件表面平行的磁场分量的磁传感器。进而，还提出了组合卧式霍尔元件和立式霍尔元件来二维或三维检测磁场的磁传感器。

不过，上述立式霍尔元件与卧式霍尔元件相比容易受到制造偏差造成的影响，而关于灵敏度或偏置电压特性，与卧式霍尔元件相比偏差容易变大。

为了校正这样的特性偏差，提出了如下方法（例如，参照专利文献1），即在立式霍尔元件附近配置励磁布线，在该励磁布线流过恒定的电流，从而对立式霍尔元件的磁传感部施加具有既定强度的磁场（以下，记为“校正磁场”），推断出该磁传感部中的灵敏度。即，在专利文献1记载的发明中，使校正磁场的强度变化，并测定从立式霍尔元件输出的霍尔电压的变化，从而推断出磁传感部中的实际灵敏度。

另外，在专利文献1记载的发明中，进行使励磁布线的中心相对于立式霍尔元件中的磁传感部的中心沿水平方向偏移的操作，即进行使励磁布线的中心与磁传感部的中心在水平方向拉开距离的操作。由此，抑制在半导体装置的制造过程中因为工艺变动造成的励磁布线的宽度等的偏差而励磁布线产生的校正磁场的强度的偏差。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】美国专利第9116192号说明书。

发明内容

【发明要解决的课题】

然而，在上述专利文献1记载的发明中，励磁布线和磁传感部在水平方向上被分离配置，所以发生如下的问题。因流过励磁布线的电流而产生的校正磁场的强度，与到励磁布线的距离成反比例，因此磁传感部与励磁布线的距离越大，施加在磁传感部的校正磁场的强度就越低。

若施加在磁传感部的校正磁场的强度变低，则从立式霍尔元件输出的霍尔电压的变化会变小。因而，在专利文献1记载的发明中，即便能抑制施加在磁传感部的校正磁场的强度的偏差，由于校正磁场的强度变低，所以推断磁传感部上的实际灵敏度的精度也会下降。

作为其对策，可考虑增加流过励磁布线的电流，提高施加在磁传感部的校正磁场的强度。然而，如果增加流过励磁布线的电流，则励磁布线的发热量会增大。

另外，在专利文献1记载的发明中，在水平方向上使励磁布线的中心从磁传感部的中心大幅偏移，所以配置在磁传感部周边的***电路与励磁布线的距离变近。在该情况下，***电路从靠近的励磁布线受到热的影响。具体而言，因为励磁布线的发热，在***电路产生非对称的温度分布，该***电路的特性发生变动。因而，在增加了流过励磁布线的电流的情况下，推断磁传感部上的实际灵敏度的精度也会下降。

此外，如果增大励磁布线与***电路的距离，则能够抑制***电路的特性变动，但是会增大半导体装置的所需要面积，导致成本增加，因此是不现实的。

本发明的目的在于提供提高施加在磁传感部的校正磁场的强度并且能够抑制强度的偏差的半导体装置。

【用于解决课题的方案】

为了达成上述目的，本发明的一实施方式所涉及的半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；包含磁传感部并设置在半导体衬底的立式霍尔元件；配置在磁传感部的上方并对磁传感部施加第1磁场的第1励磁布线；以及对磁传感部施加第2磁场的第2励磁布线，该第2励磁布线在磁传感部的上方、且在从半导体衬底的表面的正上方俯视观察下在夹持第1励磁布线的一侧及另一侧的各侧上并排配置。

【发明效果】

本发明所涉及的半导体装置中，使第1磁场与第2磁场重叠，从而提高施加在磁传感部的校正磁场的强度，并且能够对磁传感部施加被调整为更加均匀的强度的校正磁场。由此，能够提高施加在磁传感部的校正磁场的强度并且抑制强度的偏差。

附图说明

【图1】是示出本发明的第1实施方式所涉及的半导体装置的结构的平面图。

【图2】是基于图1中所示的线段A－A的半导体装置的截面图。

【图3】是示意性示出图1所示的半导体装置中施加在磁传感部的校正磁场的截面图。

【图4】是示出磁传感部的宽度方向上的校正磁场的均匀性的图表。

【图5】是示出磁传感部的深度方向上的校正磁场的均匀性的图表。

【图6】是示出本发明的第2实施方式所涉及的半导体装置的结构的平面图。

【图7】是基于图6中所示的线段B－B的半导体装置的截面图。

【图8】是示出本发明的第3实施方式所涉及的半导体装置的结构的平面图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式详细地进行说明。

此外，为了容易理解特征，方便起见，以下说明中利用的附图有放大成为特征的部分而示出的情况，并且各结构要素的尺寸比例等有时也与实际不同。另外，后述的说明中利用的左、右、上及下等的方向是基于图示的状态的方向。进而，以下说明中例示的材料、尺寸等为一个例子，本发明未必局限于这些，在不改变其要点的范围内能够适当变更而实施。

（第1实施方式）

首先，作为本发明的第1实施方式，对图1及图2所示的半导体装置1A进行说明。图1是示出半导体装置1A的结构的平面图，图2是基于图1中所示的线段A－A的半导体装置1A的截面图。

如图1及图2所示，本实施方式的半导体装置1A具备：半导体衬底2；设置在半导体衬底2的立式霍尔元件3；配置在立式霍尔元件3的上方的励磁布线4；以及在从半导体衬底2的上表面即表面的正上方的俯视观察（以下，仅记为“俯视观察”。）下配置在夹持励磁布线4的两侧的两个励磁布线5。

立式霍尔元件3具有检测对元件表面平行的磁场分量的磁传感部3a、和在磁传感部3a的宽度方向（即，磁传感部3a的短边方向）具有既定长度的多个（例如，在本实施方式中5个）电极7。磁传感部3a是例如通过向具有P型和N型的任意一种即第1导电型（例如P型）的半导体衬底2注入P型和N型的任意另一种即第2导电型（例如N型）的杂质而设置的半导体层（阱）。磁传感部3a具有检测对元件表面平行的磁场分量的功能。在磁传感部3a上，以在磁传感部3a的长边方向并列的状态设置有电极7。立式霍尔元件3在对磁传感部3a施加了与元件表面平行的磁场分量时，在电极7之间输出与该磁场分量对应的霍尔电压。

立式霍尔元件3通过以包围磁传感部3a的周围的方式设置的扩散层8，与半导体衬底2的其他区域电分离。此外，在半导体衬底2的其他区域，作为***电路，设置有处理来自立式霍尔元件3的输出信号的电路、或向立式霍尔元件3供给电流的电路、通过校正磁场来补偿立式霍尔元件3的特性的电路等。

另外，在半导体衬底2的表面设置有将立式霍尔元件3、励磁布线4和励磁布线5之间电绝缘的层间绝缘层6a、6b、6c。层间绝缘层6a以覆盖半导体衬底2的一个面的方式设置。作为第2励磁布线的励磁布线5设置在该层间绝缘层6a上。层间绝缘层6b以覆盖励磁布线5的方式设置在层间绝缘层6a上。作为第1励磁布线的励磁布线4设置在该层间绝缘层6b上。层间绝缘层6c以覆盖励磁布线4的方式设置在层间绝缘层6b上。

励磁布线4在立式霍尔元件3的上方沿立式霍尔元件3的长边方向延伸设置。另外，励磁布线4以在俯视观察下与磁传感部3a的中央部重合的方式配置在磁传感部3a的正上方。由此，励磁布线4的宽度方向的中心和磁传感部3a的宽度方向的中心一致。

出于对磁传感部3a施加其宽度方向上均匀的校正磁场的观点，励磁布线4的宽度考虑到磁传感部3a的表面的距离或磁传感部3a的宽度而适当设定即可。例如，在图1所示的半导体装置1A中，相对于磁传感部3a的宽度而言设定为大致1/2的宽度。

另外，励磁布线4的宽度相对于磁传感部3a的宽度而言优选为1/2以上。使励磁布线4的宽度相对于磁传感部3a的宽度而言为1/2以上，从而不管到磁传感部3a的表面的距离如何，能够对磁传感部3a施加其宽度方向上均匀的校正磁场。

两个励磁布线5在立式霍尔元件3的上方沿立式霍尔元件3的长边方向延伸，并且在相同层间绝缘层6b内以互相并列的状态设置。即，两个励磁布线5在相同层间绝缘层6b内成对地并排设置。另外，两个励磁布线5在俯视观察下的一侧即左侧及另一侧即右侧各自夹持励磁布线4而对称地并排配置。进而，两个励磁布线5在俯视观察下比磁传感部3a更靠外侧配置。

本实施方式的半导体装置1A中，励磁布线4比两个励磁布线5更靠上方配置。另外，励磁布线4形成为宽度与两个励磁布线5各自相同。

在具有以上那样的结构的本实施方式的半导体装置1A中，通过使恒定的电流流过励磁布线4，对磁传感部3a施加在励磁布线4的周围被激励的校正磁场M1。另外，通过使恒定的电流流过励磁布线5，对磁传感部3a施加在励磁布线5的周围被激励的校正磁场M2。

在此，边参照图3，边对施加在磁传感部3a的校正磁场M1、M2进行说明。此外，图3是示意性示出施加在磁传感部3a的校正磁场M1、M2的半导体装置1A的截面图。在图3中，出于确保图的明确性等的观点，省略了层间绝缘层6a、6b、6c的图示。另外，在图3中，以虚线示出校正磁场M1、M2的磁力线，并通过箭头示出施加在磁传感部3a的校正磁场M1、M2的方向。

如图3所示，在励磁布线4的周围被激励的校正磁场M1，从励磁布线4以同心圆状扩展，对磁传感部3a施加的校正磁场M1的强度，与磁传感部3a的中央部相比在宽度方向的两端部相对变低。

另一方面，在励磁布线5的周围被激励的校正磁场M2，从励磁布线5以同心圆状扩展，对磁传感部3a施加的校正磁场M2的强度，与磁传感部3a的中央部相比在宽度方向的两端部相对变高。

另外，作为第1磁场的校正磁场M1的强度，其对于半导体衬底2的表面平行的方向上的磁场分量在半导体衬底2的表面最高，且随着从该半导体衬底2的表面沿深度方向远离而变低。

另一方面，作为第2磁场的校正磁场M2的强度，其对于半导体衬底2的表面垂直的方向上的磁场分量在半导体衬底2的表面最高，且该磁场几乎成为对于半导体衬底2的表面垂直的方向的磁场分量。另外，校正磁场M2的强度，随着从半导体衬底2的表面沿深度方向远离而对于半导体衬底2的表面水平的方向上的磁场分量变高。即，该校正磁场M2的对于半导体衬底2的表面水平的方向的磁场分量，在半导体衬底2的表面较低，且随着从半导体衬底2的表面沿深度方向远离而变高。

对磁传感部3a施加重叠校正磁场M1和校正磁场M2的校正磁场。另外，励磁布线4配置在磁传感部3a的正上方，因此对磁传感部3a施加磁场强度比以往更高的校正磁场M1。因而，在本实施方式的半导体装置1A中，提高施加在磁传感部3a的校正磁场的强度，并且能够对磁传感部3a施加被调整为更加均匀的强度的校正磁场。

关于校正磁场的调整，调整励磁布线4、5的配置及流过励磁布线4、5的电流的大小即可。由此，能够遍及磁传感部3a的整个区域施加更加均匀的强度的校正磁场。

在此，本实施方式的半导体装置1A中，对于施加在磁传感部3a的校正磁场的面内方向及深度方向的均匀性，进行了利用电磁场解析实现的模拟。将其结果示于图4及图5。

此外，图4是示出磁传感部3a的宽度方向上的校正磁场的均匀性的图表。图5是示出磁传感部3a的深度方向上的校正磁场的均匀性的图表。

具体而言，本模拟中，关于磁传感部3a，设宽度为20μm、深度为10μm，关于励磁布线4，设宽度为20μm、厚度为1μm、到半导体衬底2的表面的距离为2μm，关于励磁布线5，设宽度为20μm、厚度为0.5μm、到半导体衬底2的表面的距离为0.5μm、（励磁布线5）与励磁布线4的中心间距离为30μm。另外，设流过励磁布线4的电流与流过励磁布线5的电流之比为1：1.2。

在图4的图表中，将横轴设为磁传感部3a的宽度方向的位置X。具体而言，以磁传感部3a的宽度方向的中心为原点（X＝0）、左端为X＝－10μm、右端为X＝10μm，利用X坐标表示磁传感部3a的宽度方向的位置。另外，将纵轴设为施加在磁传感部3a的校正磁场的宽度方向的强度（相对值）[arb.unit]。图4的图表示出分别计算将距离半导体衬底2的表面的深度设为2μm、10μm时的施加在磁传感部3a的校正磁场的宽度方向的强度（相对值）[arb.unit]的结果。

如图4所示，在本实施方式的半导体装置1A中，可知相对靠近表面的深度2μm的情况下，相比于校正磁场M1及校正磁场M2各自的强度，校正磁场M1、M2的合成磁场即校正磁场M的强度在磁传感部3a的面内方向上偏差得到抑制。另外，可知相对远离表面的深度10μm的情况下，与深度2μm的情况同样，校正磁场M的强度的偏差与校正磁场M1及校正磁场M2各自的强度的偏差相比得到抑制。

此外，在图4中根据确保图的明确性等的情况，示出了相对较浅的区域和相对较深的区域的2个部位的计算结果，能够确认在从表面（深度0μm）到背面（深度10μm）之间无论在任意深度，校正磁场M的强度的偏差都比校正磁场M1及校正磁场M2各自的强度的偏差得到抑制。

图5的图表示出在磁传感部3a的中心在从半导体衬底2的表面起沿深度方向0～10μm的范围分别计算由励磁布线4产生的校正磁场M1、由励磁布线5产生的校正磁场M2、和施加在磁传感部3a的校正磁场M1、M2的合成磁场即校正磁场M的强度的结果。

如图5所示，在本实施方式的半导体装置1A中，在磁传感部3a的深度方向上，施加在磁传感部3a的校正磁场M的强度大致均匀。

如以上那样，在本实施方式的半导体装置1A中，重叠由励磁布线4产生的校正磁场M1和由励磁布线5产生的校正磁场M2，从而能够提高施加在磁传感部3a的校正磁场M的强度。另外，在本实施方式的半导体装置1A中，能够对磁传感部3a施加磁传感部3a的宽度方向上大致均匀的强度的校正磁场M。而且，在本实施方式的半导体装置1A中，能够对磁传感部3a施加磁传感部3a的深度方向上大致均匀的强度的校正磁场M。

因而，在本实施方式的半导体装置1A中，能够提高施加在磁传感部3a的校正磁场的强度，并且，能够遍及该磁传感部3a的整个区域施加更加均匀的强度的校正磁场。

（第2实施方式）

接着，作为本发明的第2实施方式，对图6及图7所示的半导体装置1B进行说明。

此外，图6是示出半导体装置1B的结构的平面图。图7是基于图6中所示的线段B－B的半导体装置1B的截面图。另外，在以下的说明中，对于与上述半导体装置1A等同的部位，省略说明并且在附图中标注相同标号。

相对于上述半导体装置1A所具备的励磁布线4和励磁布线5的宽度相同，如图6及图7所示，本实施方式的半导体装置1B中励磁布线4和励磁布线5的宽度不同。具体而言，两个励磁布线5的宽度大于励磁布线4的宽度。除此以外，具有与上述半导体装置1A基本相同的结构。

在本实施方式的半导体装置1B中，通过调整励磁布线4的宽度和励磁布线5的宽度，励磁布线4与励磁布线5的电阻比被调整为期望的电阻比。此时，如果对励磁布线4和励磁布线5分别施加相同的电压，则在励磁布线4及励磁布线5各自会流过与励磁布线4和励磁布线5的电阻比对应的电流比的电流。

如以上那样，本实施方式的半导体装置1B中，与上述半导体装置1A同样，能够提高施加在立式霍尔元件3的磁传感部3a的校正磁场的强度，并且，能够遍及该磁传感部3a的整个区域而容易施加更加均匀的强度的校正磁场。

另外，本实施方式的半导体装置1B中，通过调整励磁布线4的宽度和励磁布线5的宽度，能够将励磁布线4与励磁布线5的电阻比调整为期望的电阻比。如果对励磁布线4和励磁布线5分别施加相同的电压，则能够在励磁布线4和励磁布线5各自流过与励磁布线4和励磁布线5的电阻比对应的电流比的电流。因而，依据本实施方式的半导体装置1B，能够从单一的电源得到为产生均匀的校正磁场所需要的电流。

此外，在上述半导体装置1B中，作为两个励磁布线5的宽度和励磁布线4的宽度不同的情况的一个例子，说明了两个励磁布线5的宽度大于励磁布线4的宽度的情况，但是两个励磁布线5的宽度也可以小于励磁布线4的宽度。

另外，在上述半导体装置1B中，例示了励磁布线4包含1个布线部、励磁布线5在励磁布线4的左侧及右侧分别包含1个布线部的结构，但是构成励磁布线4及励磁布线5的布线部的数量未必局限于该结构。例如，也可以励磁布线4包含多个布线部，且各布线部串联连接。另外，也可以励磁布线5包含多个布线部，且各布线部串联连接。此时，励磁布线4的宽度能够视为构成该励磁布线4的布线部的个数。同样地，励磁布线5的宽度能够视为构成该励磁布线5的布线部的个数。

即，半导体装置1B中，关于构成励磁布线4及励磁布线5的布线部的宽度及个数，可以分别任意调整。半导体装置1B中，能够这样对构成励磁布线4的布线部的宽度及个数以及构成励磁布线5的布线部的宽度及个数进行任意调整，所以能够容易对磁传感部3a提供期望的磁场。

另外，如果使布线部为多个，则与布线部为一个的情况相比，能够减少对磁传感部3a施加相同磁场强度的校正磁场时所需要的电流。换言之，在设流过一个布线部的电流为相同的情况下，能够对磁传感部3a施加磁场强度较高的校正磁场。

（第3实施方式）

接着，作为本发明的第3实施方式，对图8所示的半导体装置1C进行说明。

此外，图8是示出半导体装置1C的结构的平面图。另外，在以下的说明中，对于与上述半导体装置1A等同的部位，省略说明并且在附图中标注相同标号。

如图8所示，本实施方式的半导体装置1C除了励磁布线4及励磁布线5的结构不同以外，具有与上述半导体装置1A基本相同的结构。

具体而言，励磁布线4包含多个（在本实施方式中3个）作为第1布线部的布线部4a。另外，多个布线部4a在立式霍尔元件3的上方互相并列配置。这些多个布线部4a经由多个（在本实施方式中2个）布线部4b互相电性串联连接。

两个励磁布线5在俯视观察下在夹持构成励磁布线4的多个布线部4a的两侧互相并列配置。各励磁布线5分别包含多个（在本实施方式中9个）作为第2布线部的布线部5a。这些多个布线部5a经由多个（在本实施方式中9个）布线部5b互相电性串联连接。

另外，励磁布线4和两个励磁布线5以对多个布线部4a及多个布线部5a流过相同方向的电流的方式互相电性串联连接。

具体而言，构成励磁布线4的三个布线部4a0、4a1、4a2之中位于中央的布线部4a0的一端，经由一个布线部4b1而与位于夹持中央的一侧的布线部4a1的另一端电连接。另外，位于中央的布线部4a0的另一端经由另一个布线部4b2而与位于夹持中央的另一侧的布线部4a2的一端电连接。

在两个励磁布线5之中一个励磁布线5侧，位于最外周的布线部5b1的一端与位于夹持中央的一侧的布线部4a1的一端之间经由一个接触部9a1电连接。另外，在另一个励磁布线5侧，位于最外周的布线部5b2的另一端与位于夹持中央的另一侧的布线部4a2的另一端之间经由另一个接触部9a2电连接。接触部9a1、9a2通过向形成在层间绝缘层6b的孔部埋入金属而设置。

在一个励磁布线5侧，位于最内周的布线部5a1的一端与配置在比励磁布线5更靠下方的一个引出布线101的一端之间经由一个中继电极9b1电连接。另外，在另一个励磁布线5侧，位于最内周的布线部5a2的另一端与配置在比励磁布线5更靠下方的另一个引出布线102之间经由另一个中继电极9b2电连接。引出布线101、102例如设置在半导体衬底2的表面上，与接触部9b1、9b2电连接。接触部9b1、9b2通过向形成在层间绝缘层6a的孔部埋入金属而设置。

在具有以上那样的结构的本实施方式的半导体装置1C中，通过重叠由构成励磁布线4的多个布线部4a产生的校正磁场M1和由构成励磁布线5的多个布线部5a产生的校正磁场M2，提高施加在磁传感部3a的校正磁场，并且能够对磁传感部3a施加被调整为更加均匀的强度的校正磁场。

另外，在本实施方式的半导体装置1C中，通过仅调整布线部4a、5a的形状或配置、数量，只要电性串联连接励磁布线4、5，就无需依赖于流过励磁布线4、5的电流值，而能够对磁传感部3a施加被高精度调整为更加均匀的强度的校正磁场。另外，由于对构成励磁布线4、5的多个布线部4a、5a流过相同方向的电流，所以能够以更少的电流对磁传感部3a施加较大的校正磁场。

如以上那样，在本实施方式的半导体装置1C中，与上述半导体装置1A同样，能够抑制施加在磁传感部3a的校正磁场的强度的偏差。因而，在本实施方式的半导体装置1C中，能够提高施加在磁传感部3a的校正磁场的强度，并且，能够遍及该磁传感部3a的整个区域而施加更加均匀的强度的校正磁场。

此外，在上述半导体装置1C中举出引出布线10配置在半导体衬底2的表面上的结构为例子进行了说明，但是引出布线10配置在半导体衬底2上方的能够配置的位置即可。

另外，在上述半导体装置1C中，举出励磁布线4及励磁布线5分别包含多个布线部4a及多个布线部5a的结构为例子进行了说明，但是励磁布线4及励磁布线5未必局限于这样的结构。例如，励磁布线4及励磁布线5可为励磁布线4包含多个布线部4a，励磁布线5包含1个布线部5a的结构，也可为励磁布线4包含1个布线部4a，励磁布线5包含多个布线部5a的结构。

另外，上述半导体装置1C的结构也能够适用于上述半导体装置1A、1B。即，上述半导体装置1A、1B中也可为励磁布线4和励磁布线5电性串联连接的结构。

此外，本发明未必局限于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够加入各种变更。

例如，在上述实施方式中，举出通过向具有第1导电型的半导体衬底2注入第2导电型的杂质而设置半导体层（阱）的半导体装置1A～1C为例子进行了说明，但是对于半导体层，未必局限于这样的结构。例如，半导体层也可为通过在半导体衬底2形成外延层而设置于半导体衬底2的结构。

另外，在上述半导体装置1A～1C中，上述励磁布线4、5（布线部4a、5a）分别成为在厚度方向以单层形成的结构，但是也可为在厚度方向跨多个层而形成的结构。

另外，在上述半导体装置1A～1C中，成为在上述的俯视观察下在夹持励磁布线4的两侧配置有两个励磁布线5的结构成、即在上述的励磁布线4的左侧及右侧分别配置1个励磁布线5的结构，但是未必局限于这样的结构。例如，多个励磁布线5也可为在励磁布线4的左侧及右侧的各侧分别并排配置的结构。另外，也可以未必使配置在励磁布线4的左侧的励磁布线5的数量与配置在励磁布线4的右侧的励磁布线5的数量一致。

另外，在上述半导体装置1A～1C中，成为上述励磁布线4配置在比励磁布线5更靠上方的结构，但是也可为将励磁布线4配置在比励磁布线5更靠下方的结构。

进而，在上述半导体装置1A～1C中，成为上述的俯视观察下励磁布线4的宽度方向的中心与磁传感部3a的宽度方向的中心一致，且励磁布线5夹持励磁布线4而对称地并排配置的结构，但是未必局限于这样的结构。

例如，也能够将俯视观察下励磁布线4的宽度方向的中心从励磁布线5的宽度方向的中心偏移而配置，或者俯视观察下夹持磁传感部3a的宽度方向的中心而非对称地配置。在该情况下，校正磁场的调整也能够通过上述的励磁布线4、5（布线部4a、5a）的形状或配置、数量、流过励磁布线4、5的电流的大小等来调整，因此能够以遍及磁传感部3a的整个区域施加更加均匀的强度的校正磁场的方式进行调整。

另外，在上述半导体装置1A～1C中，立式霍尔元件3成为包含5个电极7的结构，但是未必局限于这样的结构。关于立式霍尔元件3包含的电极7的数量，至少具有两个用于供给驱动电流、一个用于输出霍尔电压即可。即，立式霍尔元件3为包含磁传感部3a和至少三个电极7的结构即可。

【标号说明】

1A、1B、1C 半导体装置；2 半导体衬底；3 立式霍尔元件；3a 磁传感部；4 励磁布线（第1励磁布线）；4a 布线部（第1布线部）；5 励磁布线（第2励磁布线）；5a 布线部（第2布线部）；M1 校正磁场（第1磁场）；M2 校正磁场（第2磁场）。