阅读说明：本技术 一种水平驱动的基片预处理装置 (Horizontal drive's substrate preprocessing device ) 是由 刘永 于 2020-07-04 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种水平驱动的基片预处理装置,预处理箱的前后侧壁下部分别成型有左水平导块；工艺箱的前后侧壁下部分别成型有右水平导块；水平传送单元包括左右移动设置在预处理箱的上部的水平传送座和左右移动设置在预处理箱和工艺箱内的基片安置座；基片安置座为开口于朝右设置的“凵”字形状；基片安置座的前后端面分别成型有与左水平导块和右水平导块配合的水平导槽；水平传送座上固定有若干前后均匀分布的限位气缸；限位气缸的活塞杆下端固定有限位插柱；基片安置座的左端和右端分别成型有若干供限位插柱配合的限位插孔。(The invention discloses a horizontally-driven substrate pretreatment device.A left horizontal guide block is respectively formed at the lower parts of the front side wall and the rear side wall of a pretreatment box; the lower parts of the front and rear side walls of the process box are respectively provided with a right horizontal guide block; the horizontal conveying unit comprises a horizontal conveying seat which is arranged at the upper part of the pretreatment box in a left-right moving mode and a substrate placing seat which is arranged in the pretreatment box and the process box in a left-right moving mode; the substrate placing seat is in a shape of a Chinese character 'ji' with an opening arranged towards the right; horizontal guide grooves matched with the left horizontal guide block and the right horizontal guide block are respectively formed on the front end face and the rear end face of the substrate placing seat; a plurality of limiting cylinders which are uniformly distributed in the front and the back are fixed on the horizontal conveying seat; a limiting inserting column is fixed at the lower end of a piston rod of the limiting cylinder; the left end and the right end of the substrate placing seat are respectively provided with a plurality of limiting jacks for matching with the limiting insertion posts.)

一种水平驱动的基片预处理装置

技术领域

本发明涉及基片预处理的技术领域，具体涉及一种水平驱动的基片预处理装置。

背景技术

在太阳能电池、液晶显示屏等产品的生产过程中，进行工艺覆膜，或者承载若干硅片进行工艺覆膜的工件，称为基片。基片一般为厚度尺寸相对于幅面尺寸较小的薄板状物体，完成一道完整的工艺制程，基片通常需要经过多道工序，流经设备中的多个不同的工位。

一般来说，在电池生产过程的不同阶段，对基片有不同的温度要求。例如在常见PECVD覆膜工艺中，工艺制程及工艺腔室的温度常保持在200℃以上，而基片在外界大气中一般只有20℃左右的室温。此时，如果能对基片进行合理的预热处理，先将其温度升高至一定的数值，不但可以减少基片在送入该工艺腔室后因承受较大温差而带来的热应力和热变形，还能有效提高基片的温度均一性，从而可以防止基片碎裂或损坏并提高工艺效果。

又比如，基片在完成某一道工艺制程后，需要将其从设备中取出，此时，基片将会有接近200℃左右的高温，若直接将其从设备中取出，不但具有很高的高温危险性，不利于操作，容易造成事故，而且在高温时将基片直接暴露在大气环境下，较大温差产生的热应力和热变形也容易造成工艺薄膜的裂纹、基片的碎裂或损坏等。另外，高温基片还容易跟大气中的氧气、水份等发生化学反应直接影响工艺结果。因此，工艺制程后先对基片进行合理的降温处理再将其从设备中取出就显得很有必要。

针对上述情况，在现有技术中多采用在真空设备中增加一个预热腔或者冷却腔的方式来实现温度调整功能，或者也可以将温度控制与加载腔结合在一起。然而，无论采用前述哪种方式，无疑都需要在加载腔和工艺腔之间增加一个独立的传输腔，造成了设备的占地空间的增加。

发明内容

本发明的目的是现在的基片预处理结构占据空间大的技术问题，提供了一种水平驱动的基片预处理装置。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种水平驱动的基片预处理装置，包括预处理箱、工艺箱和水平传送装置；预处理箱位于工艺箱的左侧；预处理箱的内底部设置有温度控制单元；温度控制单元用于基片加热或者冷却；预处理箱的左侧壁上成型有预处理进料口、右侧壁上成型有预处理出料口；工艺箱的左侧壁上成型有工艺处理进出口；预处理箱的左端面上升降设置有左封闭板；左封闭板用于密封预处理进料口；工艺箱和预处理箱之间升降设置有右封闭板；右封闭板用于密封预处理出料口和工艺处理进出口；预处理箱的前后侧壁下部分别成型有左水平导块；工艺箱的前后侧壁下部分别成型有右水平导块；一对左水平导块和一对右水平导块处于同一水平面上并且左水平导块和右水平导块的竖直横截面相同；水平传送装置包括水平传送单元和上下料单元；水平传送单元包括左右移动设置在预处理箱的上部的水平传送座和左右移动设置在预处理箱和工艺箱内的基片安置座；基片安置座为开口于朝右设置的“凵”字形状；基片安置座的前后端面分别成型有与左水平导块和右水平导块配合的水平导槽；水平传送座上固定有若干前后均匀分布的限位气缸；限位气缸的活塞杆下端固定有限位插柱；基片安置座的左端和右端分别成型有若干供限位插柱配合的限位插孔；上下料单元包括左右移动在工艺箱的底面的上下料座；上下料座针对基片安置座的开口并且上下料座前后宽度小于基片安置座的开口宽度；上下料座的上侧升降设置有升降上下料板。

作为上述技术方案的优选，预处理箱的左右侧壁上端之间枢接有左右驱动螺纹杆；预处理箱的左侧壁上端固定有左右驱动电机；左右驱动螺纹杆的左端与左右驱动电机的输出轴固定连接；水平传送座螺接在左右驱动螺纹杆上；水平传送座的上端面与预处理箱的内顶部接触。

作为上述技术方案的优选，工艺箱的右侧壁下端固定有左右驱动气缸；上下料座固定在左右驱动气缸的活塞杆左端。

作为上述技术方案的优选，上下料座上固定有升降气缸；升降上下料板固定在升降气缸的活塞杆上端；当升降上下料板处于最下端时，升降上下料板的上端面低于基片安置座的上端面。

作为上述技术方案的优选，预处理箱的前后侧壁下部之间成型有一对左右对称设置的限位支撑板；限位支撑板上固定有若干均匀分布的弹簧柱塞；基片安置座的底面上成型有若干与弹簧柱塞的钢珠配合的半球形槽状的限位槽；当基片安置座处于预处理箱内时，弹簧柱塞的钢珠***到相应侧的限位槽内。

作为上述技术方案的优选，基片安置座的一对横向部分别成型有上下贯穿的透气孔。

本发明的有益效果在于：结构简单，有效进行基片的传送但是占据空间小，有效进行基片的加热或者冷却。

附图说明

图1为本发明的进料时的剖面的结构示意图；

图2为本发明的预处理时的剖面的结构示意图；

图3为本发明的传递到工艺箱20时的剖面的结构示意图；

图4为本发明的基片安置座65的俯视的结构示意图；

图中，10、预处理箱；100、预处理进料口；101、预处理出料口；11、左水平导块；12、限位支撑板；13、弹簧柱塞；20、工艺箱；200、工艺处理进出口；21、右水平导块；30、左封闭板；40、右封闭板；50、温度控制单元；60、水平传送装置；61、左右驱动电机；62、左右驱动螺纹杆；63、水平传送座；64、限位气缸；641、限位插柱；65、基片安置座；650、限位插孔；651、限位槽；652、透气孔；66、左右驱动气缸；67、上下料座；68、升降气缸；69、升降上下料板。

具体实施方式

如图1～图4所示，一种水平驱动的基片预处理装置，包括预处理箱10、工艺箱20和水平传送装置60；预处理箱10位于工艺箱20的左侧；预处理箱10的内底部设置有温度控制单元50；温度控制单元50用于基片70加热或者冷却；预处理箱10的左侧壁上成型有预处理进料口100、右侧壁上成型有预处理出料口101；工艺箱20的左侧壁上成型有工艺处理进出口200；预处理箱10的左端面上升降设置有左封闭板30；左封闭板30用于密封预处理进料口100；工艺箱20和预处理箱10之间升降设置有右封闭板40；右封闭板40用于密封预处理出料口101和工艺处理进出口200；预处理箱10的前后侧壁下部分别成型有左水平导块11；工艺箱20的前后侧壁下部分别成型有右水平导块21；一对左水平导块11和一对右水平导块21处于同一水平面上并且左水平导块11和右水平导块21的竖直横截面相同；水平传送装置60包括水平传送单元和上下料单元；水平传送单元包括左右移动设置在预处理箱10的上部的水平传送座63和左右移动设置在预处理箱10和工艺箱20内的基片安置座65；基片安置座65为开口于朝右设置的“凵”字形状；基片安置座65的前后端面分别成型有与左水平导块11和右水平导块21配合的水平导槽；水平传送座63上固定有若干前后均匀分布的限位气缸64；限位气缸64的活塞杆下端固定有限位插柱641；基片安置座65的左端和右端分别成型有若干供限位插柱641配合的限位插孔650；上下料单元包括左右移动在工艺箱20的底面的上下料座67；上下料座67针对基片安置座65的开口并且上下料座67前后宽度小于基片安置座65的开口宽度；上下料座67的上侧升降设置有升降上下料板69。

如图1～图3所示，预处理箱10的左右侧壁上端之间枢接有左右驱动螺纹杆62；预处理箱10的左侧壁上端固定有左右驱动电机61；左右驱动螺纹杆62的左端与左右驱动电机61的输出轴固定连接；水平传送座63螺接在左右驱动螺纹杆62上；水平传送座63的上端面与预处理箱10的内顶部接触。

如图1～图3所示，工艺箱20的右侧壁下端固定有左右驱动气缸66；上下料座67固定在左右驱动气缸66的活塞杆左端。

如图1～图3所示，上下料座67上固定有升降气缸68；升降上下料板69固定在升降气缸68的活塞杆上端；当升降上下料板69处于最下端时，升降上下料板69的上端面低于基片安置座65的上端面。

如图1～图3所示，预处理箱10的前后侧壁下部之间成型有一对左右对称设置的限位支撑板12；限位支撑板12上固定有若干均匀分布的弹簧柱塞13；基片安置座65的底面上成型有若干与弹簧柱塞13的钢珠配合的半球形槽状的限位槽651；当基片安置座65处于预处理箱10内时，弹簧柱塞13的钢珠***到相应侧的限位槽651内。

如图4所示，基片安置座65的一对横向部分别成型有上下贯穿的透气孔652。

水平驱动的基片预处理装置的工作原理；

进料时如图1所示，此时左封闭板30处于最下端，预处理进料口100处于打开状态；水平传送座63处于最左端，基片安置座65处于最左端并且基片安置座65的左部位于预处理箱10的外侧；限位插柱641***到基片安置座65的右端的限位插孔650内；这样方便基片70放置在基片安置座65上；

然后水平传送座63向右移动直到处于最右端；此时弹簧柱塞13的钢珠***到基片安置座65的底面上相应侧的限位槽651，使得基片安置座65的位置保持稳定；接着左封闭板30上升密封住预处理进料口100，这样如图2所示，然后预处理箱10的底部设置的温度控制单元50使得预处理箱10内的温度提升，对基片70进行预加热，此预加热过程中限位插柱641上升脱离基片安置座65的右端的限位插孔650，然后水平传送座63向左移动到最左端，然后限位插柱641下降***到基片安置座65的左端的限位插孔650；

然后右封闭板40上升打开预处理出料口101和工艺处理进出口200，水平传送座63向右移动到最右端，此时如图3所示，基片70的右部位于工艺箱20内，接着上下料单元取下基片70，然后水平传送座63向左移动回位到最左端，这样基片安置座65回位到预处理箱10内，然后右封闭板40下降密封住预处理出料口101和工艺处理进出口200，基片70在工艺箱20进行加工；

加工完后，基片70按上述原理的传送方式进行出料，但是预处理箱10的底部设置的温度控制单元使得预处理箱10内的温度下降，使得基片70冷却；

这样有效进行基片的传送但是占据空间小，有效进行基片的加热或者冷却。

以上内容仅为本发明的较佳实施方式，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。