具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“垂直”“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。除非在下文中特别指出，器件中的各个部分可以由本领域的技术人员公知的材料构成，或者可以采用将来开发的具有类似功能的材料。

图1是二维互补型存储器制备方法的流程图。如图1所示，在步骤S1中，准备一个氧化硅片作为衬底200，旋凃光刻胶，紫外曝光获得标记区域。优选地，光刻胶的旋凃，可以先以500r/s的低转速旋凃5s，然后以4000r/s的高转速旋凃40s。之后，利用物理气相淀积（PVD）溅射厚度为15nm的Ti和厚度为70nm的Au，丙酮超声去除多余的金属，获得带有标记201的衬底200，所得结构如图2所示。

在步骤S2中，在衬底200上以电子束光刻定义底电极阵列形状，然后沉积金属Ag，形成底电极阵列，所得结构如图3所示。所述底电极阵列包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极202。线状底电极的材料还可以是Cu等，宽度优选为2μm~50μm，厚度优选为20nm~100nm。

在步骤S3中，利用机械剥离法将10nm厚的第一BN二维材料层203转移至上述底电极阵列上，所得结构如图4所示。优选地，第一BN二维材料层的厚度为5nm~50nm。

在步骤S4中，利用机械剥离法将20nm厚的石墨烯204转移至第一BN二维材料层203上，所得结构如图5所示。石墨烯厚度优选为10nm~50nm。

在步骤S5中，利用机械剥离法将10nm厚的第二BN二维材料层205转移至石墨烯204上，所得结构如图6所示。第二BN二维材料层205的厚度优选为5nm~50nm。

在步骤S6中，采用电子束光刻定义顶部电极阵列的形状，然后采用物理气相沉积方法生长金属Ag，形成顶部电极阵列，所得结构如图7所示。顶部电极阵列包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极206，其中，第一方向与第二方向垂直。在本实施例中线状顶部电极206的宽度为5μm，厚度为50nm，但是本发明不限定于此，线状顶电极的宽度可以是2μm~50μm，厚度可以是20nm~100nm。此外，线状顶电极还可以是Cu等金属。

以上，针对本发明的二维互补型存储器制备方法的具体实施方式进行了详细说明，但是本发明不限定于此。各步骤的具体实施方式根据情况可以不同。此外，部分步骤的顺序可以调换，部分步骤可以省略等。

图7是本发明的二维互补型存储器的示意图。如图7所示，二维互补型存储器，包括：衬底200；底电极阵列，包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极202；第一BN二维材料层203，形成在底电极阵列上；石墨烯二维材料层204，形成在第一BN二维材料层203上；第二BN二维材料层205，形成在石墨烯二维材料层204上；顶电极阵列，包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极206，其中，第一方向与第二方向垂直。

优选地，线状底电极的材料为Ag、Cu等，宽度为2μm~50μm，厚度为20nm~100nm。优选地，第一BN二维材料层的厚度为5nm~50nm。石墨烯二维材料层的厚度为10nm~50nm。第二BN二维材料层的厚度为5nm~50nm。

本发明采用独立的互补型存储器解决交叉阵列中的“潜行电流”问题，不仅提高了材料的选择范围，同时具有优异的尺寸缩小能力，拥有4F²存储密度的潜力。采用全二维材料构建的范德瓦尔斯异质结作为互补型存储器的功能层，可缩减至原子级别的厚度，与半导体发展路线规划中的新兴二维体系兼容。此外，二维材料优异的柔韧性，为柔性高密度存储器件的进一步发展提供新的选择。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。