阅读说明：本技术 半导体器件、射频电路装置和制造方法 (Semiconductor device, radio frequency circuit device and manufacturing method ) 是由 王晔晔 陈威 刘海玲 陈高鹏 于涛 于 2019-01-04 设计创作，主要内容包括：本公开提供了一种半导体器件、射频电路装置和制造方法,涉及半导体技术领域。该半导体器件可以包括：衬底,该衬底包括用于声波器件的组件；在该衬底上的多个连接件,该多个连接件分别与该组件连接；在该衬底上的环状件,其中,该多个连接件在该环状件所围成区域的外部；以及在该环状件上的盖件,其中,该盖件、该衬底和该环状件形成用于该声波器件的腔体。该半导体器件的体积较小,并且便于与其他功能器件集成。(The disclosure provides a semiconductor device, a radio frequency circuit device and a manufacturing method, and relates to the technical field of semiconductors. The semiconductor device may include: a substrate including components for an acoustic wave device; a plurality of connectors on the substrate, the plurality of connectors being respectively connected to the components; a ring on the substrate, wherein the plurality of connectors are outside an area enclosed by the ring; and a cover on the ring, wherein the cover, the substrate and the ring form a cavity for the acoustic wave device. The semiconductor device is small in size and convenient to integrate with other functional devices.)

半导体器件、射频电路装置和制造方法

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件、射频电路装置和制造方法。

背景技术

随着无线移动通信系统所支持的模式及频段的不断增加，当前无线通信移动终端的射频前端架构也变得越来越复杂。例如，射频前端架构可以包括：主天线、天线匹配调谐芯片、单刀多掷射频天线开关芯片、双工器芯片、3G/4G单频功率放大器芯片、3G/4G多模多频功率放大器芯片、2G功率放大器芯片、射频收发信机芯片、接收通路开关芯片、滤波器芯片、分集射频天线开关芯片和分集天线等。

随着技术的发展，滤波器和双工器将成为主要的器件。滤波器主要采用分立电感、电容器件来实现，或者采用IPD(Integrated Product Development，集成产品开发)工艺实现。双工器主要采用声表面波(Surface Acoustic Wave，简称为SAW)器件、体声波(BulkAcoustic Wave，简称为BAW)器件、薄膜体声波器件等声波器件实现。在相关技术中，可以采用金属封装、塑料封装或表贴封装等封装方式对声波器件封装。

该金属封装和该塑性封装会导致器件的体积太大，不容易与射频前端模块的功能器件集成在一起。而基于陶瓷的表贴封装，制造工艺比较复杂，成本高，并且也不容易与其他工艺相匹配。

发明内容

本公开的实施例解决的一个技术问题是：提供一种用于声波器件的半导体器件，以便于与其他功能器件集成。

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括用于声波器件的组件；在所述衬底上的多个连接件，所述多个连接件分别与所述组件连接；在所述衬底上的环状件，其中，所述多个连接件在所述环状件所围成区域的外部；以及在所述环状件上的盖件，其中，所述盖件、所述衬底和所述环状件形成用于所述声波器件的腔体。

在一些实施例中，所述环状件的高度大于或等于每个连接件的高度。

在一些实施例中，所述环状件在所述组件之上。

在一些实施例中，所述腔体的深度大于或等于1微米。

在一些实施例中，所述环状件的材料包括聚合物材料；所述盖件的材料包括绝缘材料；所述连接件的材料包括金属材料。

在一些实施例中，所述多个连接件位于所述环状件的周围。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种射频电路装置，包括如前所述的半导体器件。

在一些实施例中，所述射频电路装置还包括：多个功能器件和具有多个金属导线的电路基板，其中，所述半导体器件和所述多个功能器件通过倒扣的方式设置在所述电路基板上，所述半导体器件和所述多个功能器件分别通过所述金属导线电连接。

在一些实施例中，所述多个功能器件至少包括开关器件和射频功率放大器。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括用于声波器件的组件；在所述衬底上形成多个连接件，所述多个连接件分别与所述组件连接；在所述衬底上设置环状件，其中，所述多个连接件在所述环状件所围成区域的外部；以及在所述环状件上设置盖件，其中，所述盖件、所述衬底和所述环状件形成用于所述声波器件的腔体。

在一些实施例中，所述环状件的高度大于或等于每个连接件的高度。

在一些实施例中，所述环状件被设置在所述组件之上。

在一些实施例中，所述多个连接件在所述环状件的周围。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括多个用于声波器件的组件；在所述衬底上形成多个连接件组，每个连接件组包括多个连接件，每个连接件组的多个连接件分别与对应的组件连接；在所述衬底上设置多个环状件，其中，每个连接件组的多个连接件在对应的环状件所围成区域的外部；在所述多个环状件上设置盖板；去除所述盖板的一部分以形成多个盖件，其中，每个盖件、所述衬底和相应的环状件形成用于相应的声波器件的腔体；以及在形成所述多个盖件之后，将所述衬底切割成多个部分，其中，所述衬底的每个部分包括至少一个所述组件。

在一些实施例中，每个环状件的高度大于或等于每个连接件的高度。

在一些实施例中，每个环状件被设置在相应的组件之上。

在一些实施例中，每个连接件组的多个连接件在相应的环状件的周围。

在上述该半导体器件，在包括用于声波器件的组件的衬底上设置了环状件和多个连接件，该多个连接件在环状件所围成区域的外部；并且在环状件上设置了盖件，该盖件、该衬底和该环状件形成用于声波器件的腔体。该半导体器件的体积较小，并且便于与其他功能器件集成。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出根据本公开一些实施例的半导体器件的截面图；

图2是示出根据本公开一些实施例的半导体器件的制造方法的流程图；

图3A是示意性地示出根据本公开一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图3B是示意性地示出沿着图3A中的线A-A’截取的结构的截面图；

图4A是示意性地示出根据本公开一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图4B是示意性地示出沿着图4A中的线B-B’截取的结构的截面图；

图5A是示意性地示出根据本公开一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图5B是示意性地示出沿着图5A中的线C-C’截取的结构的截面图；

图6是示意性地示出根据本公开一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图7是示出根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造方法的流程图；

图8A是示意性地示出根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图8B是示意性地示出沿着图8A中的线E-E’截取的结构的截面图；

图9A是示意性地示出根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图9B是示意性地示出沿着图9A中的线F-F’截取的结构的截面图；

图10A是示意性地示出根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图10B是示意性地示出沿着图10A中的线G-G’截取的结构的截面图；

图11A是示意性地示出根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图11B是示意性地示出沿着图11A中的线H-H’截取的结构的截面图；

图12A是示意性地示出根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造过程中一个阶段的结构的顶视图；

图12B是示意性地示出沿着图12A中的线I-I’截取的结构的截面图；

图13是示意性地根据本公开一些实施例的射频电路装置的截面图。

应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。

本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在本公开中，当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。当描述到特定器件连接其它器件时，该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件，也可以不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。

本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

图1是示意性地示出根据本公开一些实施例的半导体器件的截面图。

如图1所示，该半导体器件可以包括衬底110。例如该衬底可以为晶圆。该衬底110包括用于声波器件的组件(例如电路组件)111。例如，该组件111可以包括基于声表面波、体声波或者薄膜体声波的声波器件组件。该组件可以是已知的组件结构，因此，这里不再详细描述该组件的具体结构。

如图1所示，该半导体器件还可以包括在该衬底110上的多个连接件。该多个连接件分别与组件111连接。例如，图1中示出了连接件121(可以称为第一连接件)和连接件122(可以称为第二连接件)。该第一连接件121和该第二连接件122分别与该组件111连接。需要说明的是，该连接件的数量可以根据实际需要来确定，并不仅限于这里所公开的数量。

例如，该连接件的材料可以包括金属材料。例如，该连接件可以为金属凸柱(例如铝凸柱或铜凸柱等)，或者可以为在金属焊垫上形成的金属焊盘(例如金、银、铜、镍、铂金或者其他浸润金属层)。

如图1所示，该半导体器件还可以包括在衬底110上的环状件(或者称为围堰)130。其中，该多个连接件在该环状件130所围成区域的外部。例如，该环状件130的材料可以包括聚合物材料等绝缘材料。

在一些实施例，该多个连接件可以位于该环状件130的周围。或者说，该环状件130可以在该多个连接件之间。在一些实施例中，该环状件130在该组件111之上。例如，如图1所示，该第一连接件121和该第二连接件122在该环状件130的周围，且在该组件111之上。

在一些实施例中，该环状件130的高度大于或等于每个连接件(例如第一连接件121和第二连接件122)的高度。这样方便半导体器件的制造。在另一些实施例中，该环状件130的高度也可以小于每个连接件的高度。

需要说明的是，该环状件130的形状包括但不限于多边形环状(例如正方形环状、长方形环状、五边形环状等)、圆环状或者不规则图形环状。本领域技术人员可以理解，可以根据实际需要将环状件设计成任意形状的环状结构。

如图1所示，该半导体器件还可以包括在该环状件130上的盖件140。例如该盖件140的材料可以包括绝缘材料(例如聚合物材料或者玻璃等)。例如，该盖件140的厚度可以大于1微米。当然，本领域技术人员应该理解，该盖件140的厚度可以根据实际需要来设定，并不仅限于这里所公开的厚度范围。

如图1所示，该盖件140、该衬底110和该环状件130形成用于声波器件的腔体150。例如，该腔体150可以是密闭腔体。该腔体150在该组件111的上方。例如，该腔体150的深度可以大于或等于1微米。当然，本领域技术人员应该理解，该腔体150的深度可以根据实际需要来设定，并不仅限于这里所公开的范围。

至此，提供了根据本公开一些实施例的半导体器件。该半导体器件可以包括：衬底，该衬底包括用于声波器件的组件；在该衬底上的多个连接件，该多个连接件分别与该组件连接；在该衬底上的环状件，其中，该多个连接件在该环状件所围成区域的外部；以及在该环状件上的盖件，其中，该盖件、该衬底和该环状件形成用于该声波器件的腔体。该半导体器件的体积较小，并且便于与其他功能器件集成。

在一些实施例中，该半导体器件可以用作声波器件，也可以用作基于晶圆级封装技术的滤波器装置、双工器装置或者其他需要腔体或者表面保护的传感器产品等。

在一些实施例中，该半导体器件可以采用倒扣的方式设置在电路基板上，从而与其他功能器件集成在一起(后面将详细描述)。

在一些实施例中，在声波器件的有源区可以采用钝化的方法(例如形成钝化层，图中未示出)进行保护。

图2是示出根据本公开一些实施例的半导体器件的制造方法的流程图。如图2所示，该方法可以包括步骤S210至S240。图3A-图3B、图4A-图4B、图5A-图5B、图6和图1是示出根据本公开一些实施例的半导体器件的制造过程中若干阶段的结构的顶视图或截面图。下面结合这些附图详细描述根据本公开一些实施例的半导体器件的制造方法。

如图2所示，在步骤S210，提供衬底，该衬底包括用于声波器件的组件。

图3A是示意性地示出在步骤S210的结构的顶视图。图3B是示意性地示出沿着图3A中的线A-A’截取的结构的截面图。如图3A和图3B所示，提供衬底110。例如该衬底110可以为晶圆。该衬底110可以包括用于声波器件的组件(例如电路组件)111。

回到图2，在步骤S220，在衬底上形成多个连接件，该多个连接件分别与组件连接。

图4A是示意性地示出在步骤S220的结构的顶视图。图4B是示意性地示出沿着图4A中的线B-B’截取的结构的截面图。如图4A和图4B所示，例如通过沉积和图案化等工艺在衬底上形成多个连接件。例如，该多个连接件可以包括第一连接件121、第二连接件122、第三连接件123和第四连接件124。该多个连接件分别与组件111连接。这些连接件分别作为声波器件的组件111的管脚。

回到图2，在步骤S230，在衬底上设置环状件，其中，多个连接件在该环状件所围成区域的外部。

图5A是示意性地示出在步骤S230的结构的顶视图。图5B是示意性地示出沿着图5A中的线C-C’截取的结构的截面图。如图5A和图5B所示，在衬底110上设置环状件130。例如，图5A示出了四边形环状(例如长方形环状或正方形环状)的环状件。该多个连接件在该环状件130所围成区域的外部。在一些实施例中，该多个连接件在该环状件130的周围。例如，如图5A所示，第一连接件121、第二连接件122、第三连接件123和第四连接件124在该环状件130的周围。或者说，该环状件130在该多个连接件之间。在一些实施例中，该环状件130被设置在组件111之上。例如，该环状件130的材料可以包括绝缘材料(例如聚合物材料等)。

在一些实施例中，可以利用粘结剂(例如环氧树脂，图中未示出)将环状件130粘连在衬底110上。可选地，可以利用加热或紫外光照射的方式增加该粘结剂的粘性，使得该环状件130更加牢固地粘连在衬底110上。又例如，环状件130也可以采用自带粘性的材料，通过加热或者紫外光照射方式将环状件130粘接在衬底110上。上述加热温度或紫外光能量可以由粘结剂的材料特性来确定。例如，该加热温度的范围可以是40℃至350℃。又例如，该紫外光能量的范围可以是200mJ/cm²至3J/cm²。

在一些实施例中，如图5B所示，该环状件130的高度大于或等于每个连接件的高度。

回到图2，在步骤S240，在环状件上设置盖件，其中，该盖件、衬底和环状件形成用于声波器件的腔体。

图6是示意性地示出在步骤S240的结构的顶视图。图1是示意性地示出沿着图6中的线D-D’截取的结构的截面图。如图6和图1所示，在环状件130上设置盖件140。该盖件140、该衬底110和该环状件130形成用于声波器件的腔体150。例如，可以利用粘结剂(图中未示出)将盖件140粘连在环状件130上。该粘结剂还可以起到密封腔体的效果。可选地，可以利用加热的方式增加该粘结剂的粘性，使得该盖件140更加牢固地粘连在环状件130上。例如，该盖件140的材料可以包括聚合物或者玻璃等绝缘材料。该腔体150可以是密闭腔体。该腔体150的大小及深度根据实际情况而确定。例如，该腔体150的深度可以大于或等于1微米。

至此，提供了根据本公开一些实施例的半导体器件的制造方法。该制造方法的工艺比较简单，因此可以降低成本。而且该制造方法容易与其他工艺相匹配。此外，该制造方法可以形成尺寸比较小的半导体器件，因而可以进一步降低成本，而且便于与其他功能器件集成。

图7是示出根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造方法的流程图。如图7所示，该制造方法可以包括步骤S710至S760。图8A-图8B、图9A-图9B、图10A-图10B、图11A-图11B、图12A-图12B和图1是示出根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造过程中若干阶段的结构的顶视图或截面图。下面结合这些附图详细描述根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造方法。

如图7所示，在步骤S710，提供衬底，该衬底包括多个用于声波器件的组件。

图8A是示意性地示出在步骤S710的结构的顶视图。图8B是示意性地示出沿着图8A中的线E-E’截取的结构的截面图。如图8A和图8B所示，提供衬底110。例如该衬底110可以为晶圆。该衬底110可以包括多个用于声波器件的组件(例如电路组件)111。例如，图8A示出了4个组件111。当然，本领域技术人员能够理解，在衬底中，组件的数量可以根据实际情况而定，本公开的范围并不仅限于这里描述的组件的数量。

回到图7，在步骤S720，在衬底上形成多个连接件组，每个连接件组包括多个连接件，每个连接件组的多个连接件分别与对应的组件连接。

图9A是示意性地示出在步骤S720的结构的顶视图。图9B是示意性地示出沿着图9A中的线F-F’截取的结构的截面图。如图9A和图9B所示，例如通过沉积和图案化等工艺在衬底110上形成多个连接件组，每个连接件组包括多个连接件。例如，如图9A所示，每个连接件组可以包括与同一个声波器件的组件111连接的第一连接件121、第二连接件122、第三连接件123和第四连接件124。因此，每个连接件组的多个连接件分别与对应的同一个声波器件的组件连接。

回到图7，在步骤S730，在衬底上设置多个环状件，其中，每个连接件组的多个连接件在对应的环状件所围成区域的外部。

图10A是示意性地示出在步骤S730的结构的顶视图。图10B是示意性地示出沿着图10A中的线G-G’截取的结构的截面图。如图10A和图10B所示，例如可以通过粘结的方式在衬底110上设置多个环状件130。每个连接件组的多个连接件在对应的环状件130所围成区域的外部。在一些实施例中，每个连接件组的多个连接件在相应的环状件130的周围。例如，如图10A所示，同一个连接件组的第一连接件121、第二连接件122、第三连接件123和第四连接件124在相应的环状件130的周围。在一些实施例中，每个环状件130被设置在相应的组件111之上。

在一些实施例中，如图10B所示，每个环状件130的高度大于或等于每个连接件(例如，第一连接件121、第二连接件122、第三连接件123和第四连接件124)的高度。这样方便在后续步骤中在环状件上设置盖板。

回到图7，在步骤S740，在多个环状件上设置盖板。

图11A是示意性地示出在步骤S740的结构的顶视图。图11B是示意性地示出沿着图11A中的线H-H’截取的结构的截面图。如图11A和图11B所示，在多个环状件130上设置盖板140。例如，可以利用粘结剂(图中未示出)将盖板140粘连在环状件130上。例如，该盖板140的材料可以包括聚合物或者玻璃等绝缘材料。这里，盖板140、衬底110和每个环状件130形成了用于相应的声波器件的腔体150。在一些实施例中，该盖板140的大小(例如尺寸)与衬底110大小(例如尺寸)基本相等。

回到图7，在步骤S750，去除盖板的一部分以形成多个盖件，其中，每个盖件、衬底和相应的环状件形成用于相应的声波器件的腔体。

图12A是示意性地示出在步骤S750的结构的顶视图。图12B是示意性地示出沿着图12A中的线I-I’截取的结构的截面图。例如通过光刻(例如曝光显影)和刻蚀等工艺去除盖板140的一部分(即多余部分)以形成多个盖件140(这里，盖件和盖板采用了相同的附图标记)。例如，图12A示出了4个盖件140。另外，通过去除盖板140的一部分，还露出了上述多个连接件(例如，第一连接件121、第二连接件122、第三连接件123和第四连接件124)。

回到图7，在步骤S760，将衬底切割成多个部分，其中，该衬底的每个部分包括至少一个组件。

图1是示意性地示出在步骤S760的结构的截面图。如图1所示，将衬底110切割成多个部分。该衬底110的每个部分包括至少一个用于声波器件的组件111。例如，该衬底110的每个部分包括一个组件111。这样可以形成多个如图1所示的半导体器件。

至此，提供了根据本公开另一些实施例的半导体器件的制造方法。该制造方法的工艺比较简单，因此可以降低成本。而且该制造方法容易与其他工艺相匹配。此外，该制造方法可以形成多个尺寸比较小的半导体器件，因而可以进一步降低成本，而且便于与其他功能器件集成。

图13是示意性地根据本公开一些实施例的射频电路装置的截面图。如图13所示，该射频电路装置可以包括半导体器件1310。例如，该半导体器件1310可以是如图1所示的半导体器件。

在一些实施例中，如图13所示，该射频电路装置还可以包括多个功能器件和具有多个金属导线的电路基板(例如印制电路板)1300。该半导体器件1310和该多个功能器件通过倒扣的方式设置在该电路基板1300上。该半导体器件1310和该多个功能器件分别通过金属导线电连接。例如，该金属导线可以是再布线层(Re-Distribute Layer，简称为RDL)。

在一些实施例中，如图13所示，该多个功能器件至少可以包括开关器件1320和射频功率放大器1330。例如，开关器件1320可以是基于SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上硅)或者GaAs pHEMT(p-High Electron Mobility Transistor，p型高电子迁移率晶体管)工艺的开关器件。例如，该射频功率放大器1330可以是基于GaAs HBT(HeterojunctionBipolar Transistor，异质结双极晶体管)工艺、GaAs pHEMT工艺或者CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺的射频功率放大器。

在上述实施例中，可以充分利用基于Si的CMOS或SOI管芯低成本、高集成度等特性，以及充分利用GaAs工艺的高击穿电压和高电子迁移率等特性。

如图13所示，该半导体器件1310和该开关器件1320通过金属导线(可以称为第一金属导线)1341电连接。该半导体器件和该射频功率放大器1330通过金属导线(可以称为第二金属导线)1342电连接。

在一些实施例中，在电路基板1300上还可以设置其他芯片、器件或电路，例如，基于GaAs pHEMT工艺的低噪声放大器、基于IPD工艺的滤波器、射频功率放大器的驱动级电路、电源跟踪电路、包络跟踪电路、直流-直流(DC-DC)电路、模数转换(AC-DC)电路、数模转换(DC-AC)电路等。这些芯片、器件或电路通过金属导线进行芯片间的互联。在一些实施例，一些芯片、器件或电路可以包括控制部分、用于外部连接的输出焊盘以及用于内部芯片互连的焊盘等。

本领域技术人员能够理解，可以根据实际需要在电路基板上设置期望数量的半导体器件或其他功能器件。

在一些实施例中，可以在半导体器件1310的连接件上设置金属凸起部。例如，该金属凸起部可以是铝凸柱、铜凸柱或锡球等。如图13所示，可以在一个连接件上设置第一金属凸起部1351，在另一个连接件上设置第二金属凸起部1352。这样，半导体器件1310可以采用倒扣的方式设置在该电路基板1300上。如图13所示，该第一金属凸起部1351与第一金属导线1341电连接，该第二金属凸起部1352与第二金属导线1342电连接。

在另一些实施例中，也可以通过银胶或者其他导电互联方式引出半导体器件1310的连接件。

至此，提供了根据本公开一些实施例的射频电路装置。这实现了上述半导体器件与其他异质结构的功能器件或芯片集成在同一个电路基板上。

至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。

虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。