阅读说明：本技术 振动器件以及电子设备 (Vibrating device and electronic apparatus ) 是由 松泽勇介 于 2019-08-28 设计创作，主要内容包括：提供振动器件以及电子设备,该振动器件具有：半导体基板；振动元件,其具有振动片和激励电极,所述激励电极的一部分配置在所述振动片的所述半导体基板侧,所述振动元件搭载在所述半导体基板的一个主面侧；盖体,其与所述半导体基板的所述一个主面侧的围绕所述振动元件的部分接合；以及绝缘膜,其配置在所述半导体基板的所述一个主面侧,所述绝缘膜在俯视观察时与所述激励电极的所述一部分重叠地配置,且未配置在所述半导体基板与所述盖体的接合部分。(Provided are a vibration device and an electronic apparatus, wherein the vibration device is provided with: a semiconductor substrate; a vibrating element having a vibrating reed and an excitation electrode, a part of the excitation electrode being disposed on the semiconductor substrate side of the vibrating reed, the vibrating element being mounted on one principal surface side of the semiconductor substrate; a lid body joined to a portion of the one principal surface side of the semiconductor substrate surrounding the vibration element; and an insulating film disposed on the one principal surface side of the semiconductor substrate, the insulating film being disposed so as to overlap the part of the excitation electrode in a plan view and not disposed at a bonding portion between the semiconductor substrate and the lid body.)

振动器件以及电子设备

技术领域

本发明涉及振动器件以及电子设备。

背景技术

在专利文献1中记载有振荡器，该振荡器是将压电振子直接载置于半导体集成部件并从半导体集成部件上方以覆盖压电振子的方式配置盖而构成的。另外，在专利文献2中记载有压电振子，该压电振子具有：密闭容器，其是基座部件和盖部件借助金属膜接合而成的；压电振子片，其收纳在密闭容器内；电极部，其对压电振子片施加电压；引出电极，其与电极部电连接，配置成穿过基座部件与盖部件的接合部分；以及绝缘膜，其配置在引出电极与金属膜之间。

专利文献1：日本特开平2-261210号公报

专利文献2：日本特开2007-129326号公报

但是，在专利文献1的振荡器中，没有对配置在半导体集成部件上的电极与压电振子所具有的激励电极之间的短路实施任何对策，在专利文献2的压电振子中，也没有对电极部与压电振子片所具有的激励电极之间的短路实施任何对策。

发明内容

本应用例是振动器件具有：半导体基板；振动元件，其搭载在半导体基板的一个主面侧；以及盖体，其与半导体基板的一个主面侧的围绕振动元件的部分接合，振动元件具有振动片和配置在振动片的激励电极，激励电极的一部分配置在振动片的半导体基板侧，在半导体基板的一个主面侧配置有绝缘膜，绝缘膜在俯视观察时与激励电极的一部分重叠地配置，且未配置在半导体基板与盖体的接合部分。

在上述应用例中，优选半导体基板的构成材料和盖体的构成材料分别为硅。

在上述应用例中，优选在半导体基板形成有与振动元件电连接的电路。

在上述应用例中，优选绝缘膜具有在从振动元件侧俯视观察时向振动元件的外侧露出的部分，所露出的部分的轮廓位于振动元件与接合部分之间。

在上述应用例中，优选所露出的部分的轮廓沿着振动元件的轮廓。

上述应用例是具有本发明的振动器件的电子设备。

本应用例是振动器件的制造方法，包含如下工序：在半导体基板的一个主面侧配置绝缘膜的工序；准备具有振动片和配置于振动片的激励电极的振动元件，以激励电极的一部分朝向半导体基板侧的方式将振动元件搭载于半导体基板的一个主面侧的工序；以及将盖体与半导体基板的一个主面侧的围绕振动元件的部分接合的工序，绝缘膜在俯视观察时与激励电极的一部分重叠地配置，且未配置在半导体基板与盖体的接合部分。

附图说明

图1是示出第1实施方式的振动器件的俯视图。

图2是图1中的A-A线剖视图。

图3是示出从上表面侧观察振动元件时的下表面的透视俯视图。

图4是示出振动器件的制造工序的图。

图5是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图6是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图7是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图8是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图9是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图10是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图11是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图12是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图13是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图14是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图15是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图16是用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。

图17是示出第2实施方式的振动器件的剖视图。

图18是示出第3实施方式的电子设备的立体图。

图19是示出第4实施方式的电子设备的立体图。

图20是示出第5实施方式的电子设备的立体图。

具体实施方式

以下，基于附图所示的实施方式对振动器件、振动器件的制造方法以及电子设备进行详细说明。

<第1实施方式>

图1是示出第1实施方式的振动器件的俯视图。图2是图1中的A-A线剖视图。图3是示出从上表面侧观察振动元件时的下表面的透视俯视图。图4是示出振动器件的制造工序的图。图5至图16是分别用于对振动器件的制造方法进行说明的剖视图。另外，以下，为了便于说明，也将图1、图3中的纸面近前侧和图2、图5～图16的上侧称为“上”，将图1、图3中的纸面里侧和图2、图5～图16的下侧称为“下”。另外，关于石英的晶轴，以电轴为X轴、机械轴为Y轴、光轴为Z轴来进行说明。

如图1所示，振动器件1具有封装2和收纳在封装2内的振动元件9。

<封装>

封装2具有半导体基板3和与半导体基板3接合的盖体4，半导体基板3和盖体4接合起来而在内部形成有气密的收纳空间S。收纳空间S的气氛没有特别限定，但在本实施方式中为减压状态(优选为真空状态)。通过使收纳空间S为减压状态，提高了振动元件9的振荡效率。

盖体4在下表面具有敞开的凹部41，该盖体4以在该凹部41内收纳振动元件9的方式与半导体基板3的上表面31接合。具体而言，盖体4在半导体基板3的上表面31(一个主面)侧的围绕振动元件9的部分处与半导体基板3接合。另外，半导体基板3和盖体4分别由单晶硅基板构成，半导体基板3与盖体4直接接合。另外，直接接合特别是指常温活化接合。常温活化接合是指如下的方法：首先，分别通过离子束的照射对半导体基板3的接合面和盖体4的接合面进行活化，将半导体基板3和盖体4的活化后的接合面彼此贴合并施加压力，从而将半导体基板3和盖体4接合起来。根据这样的接合方法，在室温下进行接合而不用进行加热处理或退火，因此能够减少封装2的热应变。另外，例如，由于不介入粘接剂等其他材料，所以能够实现封装2的低高度化。另外，也不会产生排气，能够维持收纳空间S的减压状态。

另外，半导体基板3与盖体4的接合方法并不限定于直接接合，例如，也可以借助粘接剂、金属制的接合膜等进行接合。另外，作为半导体基板3，没有特别地限定，例如，可以使用由锗、硒化锌、硫化镉、氧化锌、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等构成的半导体基板。另外，作为盖体4，也没有特别地限定，例如，可以使用硅基板以外的半导体基板，也可以使用由各种金属材料构成的金属基板、由各种玻璃材料构成的玻璃基板等。另外，金属材料也可以是合金。

这里，优选半导体基板3和盖体4双方都是P型(正型)或双方都是N型(负型)。这样，通过使半导体基板3和盖体4为相同类型，在半导体基板3与盖体4之间不形成pn结部分，能够容易使半导体基板3和盖体4为相同电位。因此，例如，如果将半导体基板3和盖体4设为GND等固定电位，则可得到屏蔽效果，能够降低干扰的影响。但是，并不限定于此，半导体基板3和盖体4也可以是类型互不相同的半导体。

另外，如图2所示，在半导体基板3上形成有沿厚度方向贯通的一对贯通孔33、34。另外，在半导体基板3的上表面31、下表面32以及贯通孔33、34的内周面分别配置有绝缘膜6。另外，在后面对该绝缘膜6进行详细说明。

如图2所示，在半导体基板3的上表面31隔着绝缘膜6配置有一对内部电极51、52。另外，在半导体基板3的下表面32隔着绝缘膜6配置有一对外部电极53、54。另外，在贯通孔33、34内形成有贯通电极55、56，通过贯通电极55将内部电极51和外部电极53电连接，通过贯通电极56将内部电极52和外部电极54电连接。

<振动元件>

如图1和图3所示，振动元件9具有：振动片91，其俯视形状为长方形的板状；以及电极92，其配置于振动片91。振动片91是进行厚度剪切振动的石英母板。在本实施方式中，作为振动片91，使用以被称为AT切的切角切出的石英母板。另外，AT切是指以具有主面的方式进行切出，该主面是使包含作为石英的晶轴的X轴和Z轴的平面绕X轴从Z轴向逆时针方向旋转大约35度15分左右而得到的。该主面包含X轴和Z’轴，是以Y’轴为法线的面。另外，以下，为了便于说明，也将X轴方向的正侧称为“末端”或“末端侧”，将X轴方向的负侧称为“基端”或“基端侧”。

另外，电极92具有：激励电极921，其偏向振动片91的下表面91a(一个主面)的末端侧而配置；激励电极922，其偏向振动片91的上表面91b(另一个的主面)的末端侧而与激励电极921对置配置；连接电极923、924，它们在振动片91的下表面91a的基端部沿Z’方向排列配置；引出布线925，其将激励电极921和连接电极923电连接；以及引出布线926，其将激励电极922和连接电极924电连接。

如图2所示，这样的振动元件9以下表面91a朝向半导体基板3侧的方式收纳在收纳空间S中。另外，振动元件9借助作为固定部件的一对金属凸块B1、B2而固定于半导体基板3。金属凸块B1与内部电极51和连接电极923接触，将振动元件9固定于半导体基板3，并且将内部电极51和连接电极923电连接。金属凸块B2与内部电极52和连接电极924接触，将振动元件9固定于半导体基板3，并且将内部电极52和连接电极924电连接。

另外，作为金属凸块B1、B2，没有特别地限定，例如，可以使用金凸块、银凸块、铜凸块、铝凸块、焊料凸块等。另外，作为固定部件，并不限定于金属凸块B1、B2，例如，也可以使用导电性的粘接剂。但是，从可防止产生排气的观点来看，优选使用本实施方式那样的金属凸块B1、B2。

以上，对振动元件9进行了说明，但作为振动元件9，并不限定于图示的结构。例如，在本实施方式的振动元件9中，振动片91呈平板状，但例如也可以是振动部突出的“台面型”，还可以是振动部凹陷的“反向台面型”。另外，也可以使用BT切的振动片91来代替AT切。另外，本实施方式的振动元件9是厚度剪切型的振动元件，但除此之外，也可以是具有两个振动臂并且该两个振动臂互相反复地接近/分离而振动的面内弯曲振动型的振动元件。

另外，振动片91并不限定于石英，例如，也可以使用铌酸锂、钽酸锂、锆钛酸铅、四硼酸锂、硅酸镓镧、铌酸钾、磷酸镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、铌酸钠钾、铁酸铋、铌酸钠、钛酸铋、钛酸铋钠等石英以外的压电体材料。另外，振动片91例如也可以使用硅等压电体材料以外的材料。在该情况下，例如，可以采用如下的结构：在振动片91形成压电元件，通过通电使压电元件伸缩，从而使振动片91振动。

<绝缘膜>

接着，对绝缘膜6进行说明。如参照图2所述的那样，绝缘膜6配置在半导体基板3的表面，具体而言，配置于半导体基板3的上表面31、下表面32以及贯通孔33、34的内周面。而且，隔着绝缘膜6在半导体基板3配置有内部电极51、52、外部电极53、54以及贯通电极55、56。这样，通过在半导体基板3的表面形成绝缘膜6，能够有效地抑制由内部电极51、外部电极53和贯通电极55构成的电极组与由内部电极52、外部电极54和贯通电极56构成的电极组经由半导体基板3而发生短路。

这样的绝缘膜6由氧化硅(SiO₂)构成。由此，成为具有足够高的电阻值的绝缘膜6。另外，如上述那样，半导体基板3由硅构成，因此，例如通过使半导体基板3的表面热氧化，能够容易地形成绝缘膜6。但是，作为绝缘膜6的构成材料，没有特别地限定，例如，也可以使用氮化硅(SiN)等。另外，作为绝缘膜6的形成方法，也不限定于热氧化，例如，也可以使用CVD、溅射等。

接着，对配置在半导体基板3的上表面31侧的绝缘膜6进行详细说明。另外，以下，为了便于说明，也称为“绝缘膜61”。如图3所示，在俯视观察时，绝缘膜61与振动元件9的激励电极921重叠地配置。另外，“与激励电极921重叠地配置”是指与激励电极921的至少一部分重叠地配置，优选是指与激励电极921的整个区域重叠地配置。通过这样配置绝缘膜61，能够抑制激励电极921与半导体基板3的接触，能够有效地抑制半导体基板3与激励电极921的短路。

这里，振动元件9在其基端侧借助金属凸块B1、B2而固定于半导体基板3，因此末端侧为自由端。而且，越靠近自由端侧越容易因振动或固定时的倾斜而与半导体基板3接触。因此，在绝缘膜6与激励电极921的一部分重叠地配置的情况下，优选与激励电极921的末端部(即，最容易与半导体基板3接触的部分)重叠地配置。由此，能够有效地发挥出上述效果。

另外，绝缘膜61不配置在半导体基板3与盖体4的接合部分Q。由此，在半导体基板3与盖体4之间不存在绝缘膜6，能够通过上述那样的直接接合法将半导体基板3和盖体4接合起来。另外，由于不存在绝缘膜6，所以能够实现封装2的低高度化。

另外，绝缘膜61具有在从振动元件9侧俯视观察时向振动元件9的外侧露出的露出部611。而且，露出部611的轮廓位于振动元件9与接合部分Q之间。这样，由于露出部611的轮廓612位于振动元件9与接合部分Q之间，所以能够更可靠地抑制激励电极921与半导体基板3的接触，并且能够抑制半导体基板3与盖体4的直接接合被妨碍的情况。另外，在本实施方式中，露出部611从振动元件9的整周向外侧露出，但并不限定于此，可以从振动元件9的周围的至少一部分向外侧露出，也可以不具有露出部611。

特别是，在本实施方式中，在俯视观察绝缘膜6时，露出部611的轮廓612沿着振动元件9的轮廓90。具体而言，振动元件9的轮廓90具有：第1振动片轮廓901，其位于末端侧，沿Z’轴方向延伸；第2振动片轮廓902，其位于基端侧，沿Z’轴方向延伸；第3振动片轮廓903，其将第1振动片轮廓901和第2振动片轮廓902的Z’轴方向正侧的端部彼此连接起来，沿X轴方向延伸；以及第4振动片轮廓904，其将第1振动片轮廓901和第2振动片轮廓902的Z’轴方向负侧的端部彼此连接起来，沿X轴方向延伸。

与此相对，露出部611的轮廓612具有：第1绝缘膜轮廓612a，其位于第1振动片轮廓901的末端侧，与第1振动片轮廓901平行；第2绝缘膜轮廓612b，其位于第2振动片轮廓902的基端侧，与第2振动片轮廓902平行；第3绝缘膜轮廓612c，其位于第3振动片轮廓903的Z’轴方向正侧，与第3振动片轮廓903平行；以及第4绝缘膜轮廓612d，其位于第4振动片轮廓904的Z’轴方向负侧，与第4振动片轮廓904平行。另外，“平行”也包括对应的两个轮廓中的一个轮廓相对于另一个轮廓在5°以下的范围内倾斜的情况。

通过采用这样的结构，露出部611的轮廓612与振动元件9的轮廓90为大致相似的形状，可以使用绝缘膜6来作为将振动元件9固定于半导体基板3时的标记。因此，能够高精度地将振动元件9配置于半导体基板3。

这里，在将振动元件9配置在由设计决定的理想位置的情况下，即，在振动元件9没有产生位置偏移的情况下，优选第1振动片轮廓901与第1绝缘膜轮廓612a之间的分离距离D1和第2振动片轮廓902与第2绝缘膜轮廓612b之间的分离距离D2相等，并且优选第3振动片轮廓903与第3绝缘膜轮廓612c之间的分离距离D3和第4振动片轮廓904与第4绝缘膜轮廓612d之间的分离距离D4相等。由此，通过将振动元件9定位成分离距离D1与分离距离D2相等，能够减少X轴方向的位置偏移。同样，通过将振动元件9定位成分离距离D3与分离距离D4相等，能够减少Z’轴方向的位置偏移。另外，分离距离D1、D2相等是指除了D1与D2一致的情况之外，例如，还包括±5％左右的偏移。同样，分离距离D3、D4相等是指除了D3与D4一致的情况之外，例如还包括±5％左右的偏移。

以上，对振动器件1进行了说明。如上述那样，这样的振动器件1具有：半导体基板3；振动元件9，其搭载在半导体基板3的上表面31侧；以及盖体4，其在半导体基板3的上表面31侧的围绕振动元件9的部分处与半导体基板3接合。另外，振动元件9具有振动片91和配置于振动片91的激励电极921、922。关于激励电极921、922，作为激励电极的一部分的激励电极921配置在半导体基板3侧。另外，在半导体基板3的上表面31侧配置有绝缘膜61，绝缘膜61在俯视观察时与激励电极921重叠地配置，且未配置在半导体基板3与盖体4的接合部分Q。根据这样的结构，能够通过绝缘膜61来有效地抑制因激励电极921与半导体基板3的接触而导致的短路。另外，抑制了半导体基板3与盖体4的接合(特别是直接接合)被绝缘膜61阻碍的情况。

另外，如上述那样，半导体基板3的构成材料和盖体4的构成材料分别为硅。由此，能够通过直接接合法将半导体基板3和盖体4接合起来。因此，能够更牢固地将半导体基板3和盖体4接合起来。另外，由于能够在常温下进行接合，所以在由半导体基板3和盖体4构成的封装2中不容易产生热应变。

另外，如上述那样，绝缘膜61具有露出部611，该露出部611是在从振动元件9侧俯视观察时向振动元件9的外侧露出的部分。露出部611的轮廓612位于振动元件9与接合部分Q之间。由此，能够通过绝缘膜61来更有效地抑制因激励电极921与半导体基板3的接触而导致的短路。另外，更有效地抑制了半导体基板3与盖体4的直接接合被绝缘膜61阻碍的情况。

另外，如上述那样，露出部611的轮廓612沿着振动元件9的轮廓90。由此，振动元件9相对于半导体基板3的定位变得容易。

接着，对上述振动器件1的制造方法进行说明。如图4所示，振动器件1的制造方法包含如下工序：绝缘膜形成工序，在半导体基板3形成绝缘膜6；振动元件搭载工序，将振动元件搭载于半导体基板3；以及盖体接合工序，将盖体4与半导体基板3接合。以下，对该各工序依次进行详细说明。

[绝缘膜形成工序]

首先，如图5所示，准备由硅基板构成的半导体基板3。另外，这里准备的半导体基板3比成为成品的状态下的半导体基板3厚。由此，提高了处理性。接着，如图6所示，例如通过干蚀刻(特别是博施法)在半导体基板3的上表面31形成有底的孔330、340。但是，孔330、340的形成方法没有特别地限定，例如，也可以通过湿蚀刻来形成。

接着，如图7所示，对半导体基板3进行热氧化，在半导体基板3的表面形成由氧化硅构成的绝缘膜6。接着，如图8所示，对半导体基板3从其下表面32侧进行磨削、研磨，使半导体基板3变薄直到孔330、340贯通。由此，孔330、340成为贯通孔33、34。另外，作为磨削、研磨的方法，没有特别地限定，例如，可以将背面研磨、CMP(化学机械研磨、ChemicalMechanical Polishing)、干法研磨等组合起来使用。接着，如图9所示，再次对半导体基板3进行热氧化，在半导体基板3的下表面再次形成由氧化硅构成的绝缘膜6。

接着，如图10所示，在绝缘膜6的表面形成种子层71。作为种子层71，没有特别地限定，例如可以由TiW层/Cu层的层叠体构成。另外，种子层71例如可以通过CVD、溅射等形成。接着，如图11所示，在种子层71的表面形成具有与内部电极51、52和外部电极53、54对应的开口的抗蚀层72，对种子层71的从抗蚀层72露出的部分实施Cu镀层5A。此时，通过将Cu镀层5A填埋到贯通孔33、34中而形成贯通电极55、56。接着，在去除了抗蚀层72之后，如图12所示，将种子层71的从Cu镀层5A露出的部分去除。接着，如图13所示，在Cu镀层5A上通过化学镀来形成金属膜5B。由此，形成内部电极51、52和外部电极53、54。另外，作为金属膜5B，没有特别地限定，例如可以由Ni层/Pd层/Au层的层叠体构成。

接着，如图14所示，通过对位于半导体基板3的上表面31的绝缘膜6进行图案化而形成绝缘膜61。绝缘膜6的图案例如可以使用光刻技术和蚀刻技术来进行。在如上述那样按照设计配置了振动元件9的情况下，绝缘膜61被图案化为，具有在俯视观察时向振动元件9的外侧露出的露出部611，并且露出部611的轮廓612沿着振动元件9的轮廓90。另外，绝缘膜61被图案化为，在之后的盖体接合工序中不配置在半导体基板3与盖体4的接合部分Q。

[振动元件搭载工序]

接着，准备在振动片91的表面形成有电极92的振动元件9。接着，如图15所示，借助金属凸块B1、B2将振动元件9固定于半导体基板3的上表面侧。此时，通过使绝缘膜61的轮廓612与振动元件9的轮廓90对齐，能够容易地将振动元件9定位在规定的位置。另外，通过绝缘膜61来抑制因振动元件9所具有的激励电极921与半导体基板3的接触而导致的短路。

[盖体接合工序]

接着，准备由硅基板构成的盖体4，如图16所示，将盖体4与半导体基板3的上表面接合，形成收纳振动元件9的封装2。另外，作为接合方法，没有特别地限定，但在本实施方式中，通过直接接合(特别是常温接合)来进行接合。由此，能够将半导体基板3和盖体4牢固地接合起来。另外，由于不存在粘接剂、接合层等，所以相应地能够实现封装2的低高度化，还能够抑制排气的产生。

通过以上工序，得到振动器件1。如上述那样，这样的振动器件1的制造方法包含如下工序：在半导体基板3的上表面31侧配置绝缘膜61的工序；准备具有振动片91和配置于振动片91的激励电极921、922的振动元件9，以作为激励电极的一部分的激励电极921朝向半导体基板3侧的方式将振动元件9搭载在半导体基板3的上表面31侧的工序；以及将盖体4与半导体基板3的上表面31侧的围绕振动元件9的部分接合的工序。而且，绝缘膜61在俯视观察时与激励电极921重叠地配置，不配置在半导体基板3与盖体4的接合部分Q。根据这样的制造方法，能够通过绝缘膜61来有效地抑制因激励电极921与半导体基板3的接触而导致的短路。另外，抑制了半导体基板3与盖体4的接合(特别是直接接合)被绝缘膜61阻碍的情况。

<第2实施方式>

图17是示出第2实施方式的振动器件的剖视图。

本实施方式的振动器件1除了在半导体基板3形成有电路以外，其他部分与上述第1实施方式同样。在以下的说明中，关于第2实施方式的振动器件1，以与上述第1实施方式不同的点为中心来进行说明，对同样的事项省略其说明。另外，在图17中，对与上述第1实施方式相同的结构标注相同的标号。

如图17所示，在本实施方式的振动器件1中，半导体基板3的上表面31为有源面310，在该有源面310形成有电路8。电路8是用于驱动振动元件9的未图示的电路，例如包含感温元件、温度补偿电路、振荡电路等，其中，该感温元件检测周围的温度，该温度补偿电路对补偿振动元件9的温度特性的温度补偿数据进行保存，并且基于该温度补偿数据，根据温度变化对振动元件9的振动特性进行校正，该振荡电路与温度补偿电路连接，生成规定的振荡输出。进而，由振荡电路生成的振荡输出例如作为时钟信号等基准信号来使用。即，本实施方式的振动器件1作为振荡器来使用。

另外，在本实施方式中，由于半导体基板3的上表面31为有源面310，所以有时难以如上述第1实施方式那样通过热氧化来形成绝缘膜61。在该情况下，例如，只要以覆盖电路8的方式通过CVD、溅射等形成绝缘膜61即可。

这样，在本实施方式的振动器件1中，在半导体基板3形成有与振动元件9电连接的电路8。由此，如上述那样，能够将振动器件1作为振荡器等来使用。

通过以上那样的第2实施方式，也能够发挥出与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，半导体基板3的上表面31为有源面，但不限定于此，也可以是半导体基板3的下表面32为有源面。

<第3实施方式>

图18是示出第3实施方式的电子设备的立体图。

图18所示的移动型的个人计算机1100是电子设备的一例，由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部1108的显示单元1106构成，显示单元1106经由铰链构造部而以能够转动的方式被支承于主体部1104。在这样的个人计算机1100中内置有振动器件1。另外，振动器件1例如可以作为振荡器来使用。

这样，作为电子设备的个人计算机1100具有振动器件1。因此，能够具有上述振动器件1的效果，能够发挥出高可靠性。

<第4实施方式>

图19是示出第4实施方式的电子设备的立体图。

图19所示的移动电话机1200是电子设备的一例，具有未图示的天线、多个操作按钮1202、接听口1204和通话口1206，在操作按钮1202与接听口1204之间配置有显示部1208。在这样的移动电话机1200中内置有振动器件1。另外，振动器件1例如可以作为振荡器来使用。

这样，作为电子设备的移动电话机1200具有振动器件1。因此，能够具有上述振动器件1的效果，能够发挥出高可靠性。

<第5实施方式>

图20是示出第5实施方式的电子设备的立体图。

图20所示的数字静态照相机1300是电子设备的一例，在壳体1302的背面设置有显示部1310，构成为基于CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合器件)的摄像信号来进行显示。显示部1310作为将被摄体显示为电子图像的取景器来发挥功能。另外，在壳体1302的正面侧设置有包含光学透镜、CCD等的受光单元1304。而且，当摄像者确认显示于显示部1310的被摄体像而按下快门按钮1306时，该时刻的CCD的摄像信号被传送并保存在存储器1308中。在这样的数字静态照相机1300中内置有振动器件1。另外，振动器件1例如可以作为振荡器来使用。

这样，作为电子设备的数字静态照相机1300具有振动器件1。因此，能够具有上述振动器件1的效果，能够发挥出高可靠性。

另外，作为电子设备，除了上述个人计算机、移动电话机以及数字静态照相机之外，例如，可以列举出智能手机、平板终端、钟表、智能手表、喷墨打印机等喷墨式排出装置、笔记本型个人计算机、电视机、HMD(头戴式显示器)等可佩戴终端、摄像机、磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、电子辞典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、电视电话、防盗用电视监视器、电子双筒望远镜、POS(Point Of Sales)终端、医疗设备、鱼群探测器、各种测定设备、移动终端基站用设备、计量仪器类、飞行模拟器、网络服务器等。作为医疗设备的例子，可以列举出电子体温计、血压计、血糖仪、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜。作为计量仪器类的例子，可以列举出车辆、飞机、船舶的计量仪器类。

以上，根据图示的实施方式对振动器件、振动器件的制造方法以及电子设备进行了说明，但本发明并不限定于此，各部分的结构能够置换为具有同样功能的任意的结构。另外，还可以在本发明中附加其他任意的结构物。另外，本发明也可以将上述各实施方式中的任意两个以上的结构进行组合。

另外，在上述第2实施方式中，对将振动器件应用于振荡器的结构进行了说明，但并不限定于此，例如，也可以将振动器件应用于能够检测加速度、角速度等物理量的物理量传感器。在该情况下，作为振动元件9，只要使用具有驱动振动模式和根据接收到的物理量而被激励的检测振动模式的元件，使电路8构成为具有驱动电路和检测电路即可，其中，该驱动电路用于以驱动振动模式驱动振动元件9，该检测电路根据从振动元件9的检测振动模式得到的信号来检测物理量。