阅读说明：本技术 一种化学水浴沉积装置 (Chemical water bath deposition device ) 是由 张冲 王雪戈 于 2018-09-07 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种化学水浴沉积装置,包括：水浴锅；加热丝,环绕水浴锅的内侧壁设置或环绕水浴锅的内侧壁和底部设置。可见,本发明实施例将加热丝的加热方式由底部加热方式改进为了四周环形加热方式,或在加热丝的现有加热方式的基础上增加了四周环形加热方式,这样一方面能够增大加热面积,另一方面能够保证水浴锅的不同高度处的温度均匀性。由于加热面积的增大,本发明实施例中的水浴加热速度能够得到提升,这样能够提高薄膜沉积效率。由于不同高度处的温度均匀性得到保证,本发明实施例能够避免不同高度处的温差过大而对薄膜沉积过程造成不良的影响,以为薄膜材料的沉积创造一个更良好的外部水浴环境,从而提高沉积的薄膜质量。(The invention provides a chemical water bath deposition device, which comprises: a water bath kettle; the heating wire is arranged around the inner side wall of the water bath kettle or arranged around the inner side wall and the bottom of the water bath kettle. Therefore, the embodiment of the invention improves the heating mode of the heating wire from the bottom heating mode to the peripheral annular heating mode, or adds the peripheral annular heating mode on the basis of the existing heating mode of the heating wire, so that the heating area can be increased on one hand, and the temperature uniformity of different heights of the water bath can be ensured on the other hand. Due to the increase of the heating area, the water bath heating speed in the embodiment of the invention can be improved, so that the film deposition efficiency can be improved. Because the temperature uniformity at different heights is ensured, the embodiment of the invention can avoid the adverse effect on the film deposition process caused by overlarge temperature difference at different heights, and create a better external water bath environment for the deposition of the film material, thereby improving the quality of the deposited film.)

一种化学水浴沉积装置

技术领域

本发明涉及薄膜材料制备技术领域，尤其涉及一种化学水浴沉积装置。

背景技术

目前，薄膜材料的使用越来越普遍，薄膜材料存在多种制备方法，例如磁控溅射法、丝网印刷法、热蒸发法、电沉积法，以及化学水浴沉积法(Chemical Bath Deposition，简称为CBD)等。

在上述各种方法中，化学水浴沉积法由于属于非真空制备法，且具备沉积装置结构简单、沉积温度低、能耗小等优点而受到了科研界和产业界的广泛青睐。然而，目前的化学水浴沉积装置中的水浴锅的加热速度非常慢，水浴锅通常需要加热非常长的时间后才能达到预定温度，同时水浴锅的不同高度处的温度分布不均匀，这样会严重影响薄膜沉积效率和质量。

发明内容

本发明实施例提供一种化学水浴沉积装置，可以缩短化学水浴沉积装置中的水浴锅加热时间，确保水浴锅不同高度的温度分布均匀，提高沉积的薄膜质量。

本发明实施例提供一种化学水浴沉积装置，包括：

水浴锅；

加热丝，所述加热丝环绕所述水浴锅的内侧壁设置；或所述加热丝环绕所述水浴锅的内侧壁和底部设置。

可选地，所述化学水浴沉积装置还包括：

第一搅拌件，所述第一搅拌件转动设置于所述水浴锅的底部，所述第一搅拌件在工作状态下进行转动。

可选地，所述水浴锅的底部的中心区域设置有一个所述第一搅拌件；和/或，

所述水浴锅的底部的非中心区域设置有一个及以上所述第一搅拌件。

可选地，在所述水浴锅的底部的非中心区域设置有一个以上所述第一搅拌件的情况下，一个以上所述第一搅拌件相对于所述水浴锅的底部的中心区域呈以下至少一种形状分布：

辐射状、中心对称、圆形、椭圆形、三角形、多边形、十字形，同心正方形、同心长方形、同心圆、同心三角形和其他同心多边形。

可选地，所述水浴锅的底部开设有第一凹槽；

所述第一搅拌件设置于所述第一凹槽内。

可选地，所述第一搅拌件包括：

主体，所述主体转动设置于所述水浴锅的底部，所述主体沿外圆周面的周向间隔设置有第一连接部和第二连接部；

第一扇叶，所述第一扇叶与所述第一连接部固定连接；

第二扇叶，所述第二扇叶与所述第二连接部固定连接。

可选地，所述化学水浴沉积装置还包括：

第一转速旋钮，所述第一转速旋钮用于调节所述第一搅拌件的转动速度。

可选地，所述化学水浴沉积装置还包括：

磁子模块，所述磁子模块转动设置于所述水浴锅的底部，所述磁子模块在工作状态下进行转动，以带动所述水浴锅水浴加热的样品容器内的磁性搅拌子转动。

可选地，所述磁子模块设置于所述水浴锅的底部的中心区域。

可选地，所述水浴锅的底部开设有第二凹槽；

所述磁子模块设置于所述第二凹槽内。

可选地，所述磁子模块通过安装轴设置于所述水浴锅的底部，所述安装轴上还设置有第二搅拌件，所述第二搅拌件在工作状态下进行转动。

可选地，所述化学水浴沉积装置还包括：

第二转速旋钮，所述第二转速旋钮用于调节所述磁子模块和/或所述第二搅拌件的转动速度。

可选地，所述化学水浴沉积装置还包括：

至少两个测温元件，各测温元件用于测量所述水浴锅内的不同位置的温度值；

显示面板；

控制器，所述控制器分别与所述显示面板和各测温元件电连接，所述控制器用于获取各测温元件测得的温度值，并在任意两个测温元件测得的温度值的差值均小于预设的温差阈值的情况下，控制所述显示面板以文字、数字或图案形式显示温度均匀提示信息。

可选地，所述化学水浴沉积装置还包括：

温控表，所述温控表用于设定所述水浴锅的加热参数。

本发明实施例提供的化学水浴沉积装置中，加热丝环绕水浴锅的内侧壁设置；或加热丝环绕水浴锅的内侧壁和底部设置，而在现有技术中，加热丝仅设置在水浴锅的底部，可见，本发明实施例将加热丝的加热方式由底部加热方式改进为了四周环形加热方式，或在加热丝的现有加热方式的基础上增加了四周环形加热方式，这样一方面能够增大加热面积，另一方面能够保证水浴锅的不同高度处的温度均匀性。由于加热面积的增大，本发明实施例中的水浴加热速度能够得到提升，这样能够提高薄膜沉积效率。由于不同高度处的温度均匀性得到保证，本发明实施例能够较好地避免不同高度处的温差过大而对薄膜沉积过程造成不良的影响，这样能够为薄膜材料的沉积创造一个更为良好的外部水浴环境，从而提高沉积的薄膜质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1是本发明实施例提供的化学水浴沉积装置在一个视角下的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的化学水浴沉积装置在另一个视角下的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的化学水浴沉积装置中第一搅拌件的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面对本发明实施例提供的化学水浴沉积装置进行说明。

需要说明的是，本发明实施例提供的化学水浴沉积装置可以用于制备薄膜太阳能电池中的重要功能层材料。具体地，该化学水浴沉积装置可以用于制备CdTe(碲化镉)薄膜太阳能电池中的窗口层材料；或者，该化学水浴沉积装置可以用于制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池中的缓冲层材料，例如制备CdS(硫化镉)、ZnS(硫化锌)、ZnO(氧化锌)、ZnSe(硒化锌)、In₂S₃(硫化铟)等。

其中，CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池为Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成的薄膜太阳能电池；CIGS薄膜太阳能电池可以采用玻璃衬底，例如采用SLG(钠钙玻璃)衬底。另外，CdS是一种直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，其禁带宽度为2.42eV左右。

参见图1、图2，图中示出了本发明实施例提供的化学水浴沉积装置的结构示意图。如图1、图2所示，该化学水浴沉积装置包括：水浴锅1和加热丝2；其中，加热丝2环绕水浴锅1的内侧壁设置；或加热丝2环绕水浴锅1的内侧壁和底部设置。

具体地，加热丝2可以通过焊接等方式与水浴锅1的内侧壁和/或水浴锅1的底部固定连接，以保证加热丝2的可靠设置。

可选地，该化学水浴沉积装置还可以包括加热开关31和电源开关32。用该化学水浴沉积装置制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池中的缓冲层CdS材料薄膜缓冲层为例，为了实现薄膜材料的制备，可以先向水浴锅1中加入适量的去离子水，然后依次操作电源开关32和加热开关31，以使加热丝2通电并对水浴锅1中的去离子水进行加热。

需要指出的是，加入水浴锅1中的去离子水量不会过多，这样，水浴锅1的内侧壁设置有加热丝2的区域的高度与水浴锅1的高度的比值为1/2至2/3即可满足要求。

在水浴锅1中的去离子水被加热至满足要求后，可以将样品容器4(例如烧杯、反应釜或反应器等)对中放置在水浴锅1中，样品100可以通过样品支架5置于样品容器4中，样品容器4还可以容置有配置好的溶液。接下来，样品容器4内会产生化学反应，待样品容器4中溶液的颜色变深或者出现浑浊时，可以从水浴锅1中拿出样品容器4，取出样品容器4中的样品并进行冲洗和吹干，以得到最终的薄膜材料。之后，可以依次操作加热开关31和电源开关32以关闭装置电源，并对样品容器4中的废液进行清理。

需要说明的是，在待制备的薄膜材料为CdS时，样品容器4中配置好的溶液主要由镉盐、CSN₂H₄(硫脲)、以及氨水(其可溶解后续化学反应过程中产生的自然氧化物)组成；其中，镉盐可以包括Cd(CH₃CO₂)₂(醋酸镉)、CdSO₄(硫酸镉)、CdCl₂(氯化镉)、CdI₂(碘化镉)等。在一些情况下，样品容器4中配置好的溶液中还可以存在作为PH缓冲剂的氨盐，这时，样品容器4中配置好的溶液整体呈碱性。样品容器4中配置好的溶液产生化学反应的总反应方程式为：

需要指出的是，CdS的沉积过程与温度因素紧密关联，温度升高的情况下，薄膜沉积速率显著增加，薄膜由疏松变致密，结晶程度增加，但温度过高会导致薄膜表面较为粗糙。因此，在制备CdS的过程中，水浴锅1内不同区域的温差不宜过大。

本发明实施例提供的化学水浴沉积装置中，加热丝2环绕水浴锅1的内侧壁设置；或加热丝2环绕水浴锅1的内侧壁和底部设置，而在现有技术中，加热丝2仅设置在水浴锅1的底部，可见，本发明实施例将加热丝2的加热方式由底部加热方式改进为了四周环形加热方式，或在加热丝2的现有加热方式的基础上增加了四周环形加热方式，这样一方面能够增大加热面积，另一方面能够保证水浴锅1的不同高度处的温度均匀性。由于加热面积的增大，本发明实施例中的水浴加热速度能够得到提升，这样能够提高薄膜沉积效率。由于不同高度处的温度均匀性得到保证，本发明实施例能够较好地避免不同高度处的温差过大而对薄膜沉积过程造成不良的影响，这样能够为薄膜材料的沉积创造一个更为良好的外部水浴环境，从而提高沉积的薄膜质量。

可选地，化学水浴沉积装置还包括：第一搅拌件6，第一搅拌件6转动设置于水浴锅1的底部，第一搅拌件6在工作状态下进行转动。

为了实现第一搅拌件6的转动，该化学水浴沉积装置中可以对应于第一搅拌件6设置第一驱动机构(例如驱动电机)，第一驱动机构用于驱动第一搅拌件6在工作状态下进行转动。具体地，第一驱动机构可以驱动第一搅拌件6以第一速度匀速转动，第一速度可以位于每分钟50转至每分钟200转之间。

本实施例中，第一搅拌件6在工作状态下进行转动，这时，第一搅拌件6起到搅拌效果，以带动周围水域转动，这样有利于加快水浴锅1中不同区域之间的热交换，以保证水浴锅1内的不同区域的温度均匀性，从而进一步提高沉积的薄膜质量。

可选地，如图3所示，第一搅拌件6包括：主体61(其可以为圆柱体结构)、第一扇叶62和第二扇叶63；其中，主体61转动设置于水浴锅1的底部，主体61沿外圆周面的周向间隔设置有第一连接部611和第二连接部612；第一扇叶62与第一连接部611固定连接；第二扇叶63与第二连接部612固定连接。

具体地，第一连接部611可以为设置于主体61外圆周面的第一插槽，第一扇叶62可以插接于第一插槽内，以实现第一扇叶61的安装固定。类似地，第二连接部612可以为设置于主体61外圆周面的第二插槽，第二扇叶63可以插接于第二插槽内，以实现第二扇叶62的安装固定。

当然，第一连接部611和第二连接部612还可以呈其他的结构形式，第一扇叶62与第一连接部611还可以通过螺接、卡接或者本领域技术人员所熟知的其他方式固定连接，第二扇叶63与第二连接部612还可以通过螺接、卡接或者本领域技术人员所熟知的其他方式固定连接，在此不再一一列举。

本实施例中，在第一搅拌件6处于工作状态的情况下，第一驱动机构可以驱动主体61转动，这时，第一扇叶62和第二扇叶63会跟随主体61进行转动，那么，第一搅拌件6可以实现整体转动。

可见，本实施例中，第一搅拌件6的整体结构中，第一扇叶62和第二扇叶63能够提供较大的接触面积，这样有利于保证第一搅拌件6的搅拌效果。

可选地，如图1、图2所示，水浴锅1的底部开设有第一凹槽7；第一搅拌件6设置于第一凹槽7内。

其中，第一搅拌件6可以通过安装轴(为了与后续实施例中出现的安装轴相区分，后续将本实施例中的安装轴称为第一安装轴8)设置于第一凹槽7内。具体地，第一安装轴8的下端(相对于图1、图2而言)可以通过焊接等方式固定于第一凹槽7的槽底，第一搅拌件6中的主体61可以转动连接于第一安装轴8的上端(相对于图1、图2而言)。

本实施例中，第一搅拌件6设置于第一凹槽7内，这样，第一搅拌件6不会对水浴锅1底部的空间造成过多占用，水浴锅1底部能够存在更多的可利用空间。

可选地，水浴锅1的底部的中心区域设置有一个第一搅拌件6；和/或，

水浴锅1的底部的非中心区域设置有一个及以上第一搅拌件6。

其中，水浴锅1的底部的非中心区域设置的第一搅拌件6的数量可以为一个、两个、三个或四个以上，在此不再一一列举。

本实施例中，水浴锅1的底部的中心区域和非中心区域均可以设置第一搅拌件6，这样有利于保证水浴锅1中不同区域之间的热交换效果。

可选地，在水浴锅1的底部的非中心区域设置有一个以上第一搅拌件6的情况下，一个以上第一搅拌件6相对于水浴锅1的底部的中心区域呈以下至少一种形状分布：

辐射状、中心对称、圆形、椭圆形、三角形、多边形、十字形，同心正方形、同心长方形、同心圆、同心三角形和其他同心多边形。

本实施例中，在水浴锅1的底部的非中心区域设置有一个以上第一搅拌件6的情况下，如图2所示，该一个以上第一搅拌件6可以组成若干个(例如两个、三个、五个、六个、七个或者八个)沿着水浴锅1的径向设置的旋转臂，每个旋转臂中包括若干个均匀地间隔设置的第一搅拌件6，所有第一搅拌件6可以同时进行转动，以进一步加快水浴锅1中不同区域之间的热交换。

可以看出，通过将水浴锅1的底部的非中心区域设置的一个以上第一搅拌件6按照上述规则的形状进行分布，本实施例能够进一步提高水浴锅1中不同区域之间的热交换效果。

当然，水浴锅1的底部的非中心区域设置的一个以上第一搅拌件6也可以呈不规则的形状进行分布，这也是可行的。

需要指出的是，在该化学水浴沉积装置中的第一搅拌件6的总数量为一个以上的情况下，水浴锅1的底部开设的第一凹槽7的总数量可以为一个以上，一个以上第一搅拌件6与一个以上第一凹槽7可以一一对应设置。

可选地，如图1所示，该化学水浴沉积装置还包括：第一转速旋钮33，第一转速旋钮33用于调节第一搅拌件6的转动速度。

具体地，该化学水浴沉积装置还可以包括壳体3，第一转速旋钮33可以设置于壳体3上。另外，加热开关31和电源开关32也可以设置于壳体3，并且，加热开关31、电源开关32和第一转速旋钮33在壳体3上可以并排布置。

本实施例中，可以根据实际需求，旋转第一转速旋钮33，以对第一搅拌件6的转动速度进行调节，从而实现第一搅拌件6的搅拌效果的调节。

可选地，该化学水浴沉积装置还包括：磁子模块9；其中，磁子模块9转动设置于水浴锅1的底部，磁子模块9在工作状态下进行转动，以带动水浴锅1水浴加热的样品容器4内的磁性搅拌子10转动。

其中，磁子模块9可以为磁铁。

为了实现磁子模块9的转动，该化学水浴沉积装置中还可以对应于磁子模块9设置第二驱动机构(例如驱动电机)，第二驱动机构用于驱动磁子模块9在工作状态下进行转动。具体地，第二驱动机构可以驱动磁子模块9以第二速度匀速转动，第二速度可以位于每分钟200转至每分钟300转之间。

本实施例中，磁子模块9在工作状态下进行转动，这时，磁性搅拌子10会在磁子模块9的带动下进行转动，磁性搅拌子10起到搅拌作用，以带动周围的溶液进行转动，这样有利于保证样品容器4中的溶质的均匀分布。

可选地，磁子模块9设置于水浴锅1的底部的中心区域。

需要指出的是，磁性搅拌子10一般设置在样品容器4的底部的中心区域，另外，在通过水浴锅1中的去离子水对样品容器4进行间接加热时，样品容器4和水浴锅1一般对中放置，这样，本实施例中，磁子模块9可以设置在水浴锅1的底部的中心区域，以实现磁子模块9与磁性搅拌子10两者的对中放置，从而可靠地保证磁性搅拌子10跟随磁子模块9进行转动。

可选地，水浴锅1的底部开设有第二凹槽11，磁子模块9设置于第二凹槽11内。

需要指出的是，若磁子模块9需要设置于水浴锅1的底部的中心区域，那么，第二凹槽11需要开设于水浴锅1的底部的中心区域。

本实施例中，磁子模块9设置于第二凹槽11内，这样，磁子模块9不会对水浴锅1底部的空间造成过多占用，水浴锅1底部能够存在更多的可利用空间。

可选地，如图1所示，磁子模块9通过安装轴(为了与上述实施例中出现的安装轴相区分，后续将本实施例中的安装轴称为第二安装轴13)设置于水浴锅1的底部，第二安装轴13上还设置有第二搅拌件14，第二搅拌件14在工作状态下进行转动。

其中，第二安装轴13的下端(相对于图1而言)可以通过焊接等方式固定于第二凹槽11的槽底，磁子模块9可以转动连接于第二安装轴13的上端(相对于图1而言)，第二搅拌件14可以设置于第二安装轴13的中部。具体实施时，第二搅拌件14与磁子模块9可以是相对固定的，第二驱动机构可以同时驱动磁子模块9和第二搅拌件14进行转动；或者，第二搅拌件14与磁子模块9可以是相对独立的，第二搅拌件14的转动可以通过不同于第二驱动机构的驱动机构进行驱动。

需要指出的是，在磁子模块9设置于水浴锅1的底部的中心区域，且水浴锅1的底部的中心区域设置有一个第一搅拌件6的情况下，第二搅拌件14与该第一搅拌件6可以为同一搅拌件。

本实施例中，磁子模块9和第二搅拌件14可以通过第二安装轴13同时设置于水浴锅1的底部，这样有利于节约水浴锅1的底部的设置空间。另外，第二搅拌件14可以起到搅拌效果，以带动周围水域转动，这样有利于加快水浴锅1中不同区域之间的热交换，以保证水浴锅1内的不同区域的温度均匀性，从而进一步提高沉积的薄膜质量。

可选地，该化学水浴沉积装置还包括：第二转速旋钮，第二转速旋钮用于调节磁子模块9和/或第二搅拌件14的转动速度。

具体地，第二转速旋钮也可以设置于壳体3上。

本实施例中，第二转速旋钮与第一转速旋钮33可以为两个相互独立的转速旋钮，这样，通过对第二转速旋钮进行旋转，本实施例可以实现磁子模块9和第二搅拌件14中的至少一者的转速调节，从而实现磁子模块9和/或第二搅拌件14的搅拌效果的调节。当然，第二转速旋钮与第一转速旋钮33也可以为同一转速旋钮，这样，通过对第二转速旋钮进行旋转，本实施例可以同时实现磁子模块9和第二搅拌件14中的至少一者，以及第一搅拌件6的转速调节。

可选地，该化学水浴沉积装置还包括：测温元件15、显示面板(图中未示出)和控制器(图中未示出)。

其中，测温元件15的数量至少两个，各测温元件15用于测量水浴锅1内的不同位置的温度值。

控制器分别与显示面板和各测温元件15电连接，控制器用于获取各测温元件15测得的温度值，并在任意两个测温元件15测得的温度值的差值均小于预设的温差阈值的情况下，控制显示面板以文字、数字或图案形式显示温度均匀提示信息。

其中，测温元件15可以为温度传感器，测温元件15的数量可以为三个、四个、五个或者五个以上，温差阈值可以为1摄氏度、2摄氏度或者其他温度值，本实施例对测温元件15的具体数量和温差阈值的具体取值不做任何限定。

需要说明的是，在任意两个测温元件15测得的温度值的差值均小于预设的温差阈值的情况下，可以认为水浴锅1中不同区域的温度是均匀的，这时，控制器可以控制显示面板显示以文字、数字或图案形式显示温度均匀提示信息，以通知该情况。这样，可以仅在水浴锅1中不同区域的温度是均匀的情况下，将样品容器4放入水浴锅1中进行加热并开始计时，以进行薄膜材料的制备。在任意两个测温元件15测得的温度值的差值均大于或等于预设的温差阈值的情况下，可以认为水浴锅1中不同区域的温度是不均匀的，这时，控制器可以控制显示面板显示以文字、数字或图案形式显示温度不均匀提示信息，以通知该情况；同时，控制器控制第一搅拌件6或第二搅拌件14转动继续完成水浴锅1内不同高度的水域环境完成热交换，直到任意两个测温元件15测得的温度值的差值均小于预设的温差阈值的情况时，再将样品容器4放入水浴锅1中进行加热并开始计时，以进行薄膜材料的制备，从而有效地保证沉积的薄膜质量。

可选地，该化学水浴沉积装置还包括：温控表34，温控表34用于设定水浴锅1的加热参数。

具体地，温控表34也可以设置于壳体3上。

本实施例中，水浴锅1的加热参数包括但不限于：水浴锅1中的去离子水的目标温度，去离子水加热至目标温度所需的时长，去离子水保持目标温度的时长，以及去离子水的升温速度等。具体实施时，去离子水的目标温度可以位于80摄氏度和90摄氏度之间，去离子水保持目标温度的时长可以位于20分钟和30分钟之间，去离子水的升温速度可以位于每分钟3摄氏度和每分钟5摄氏度之间。

可见，本实施例中，可以根据实际需求，在温控表34上对水浴锅1的加热参数进行设定，以使水浴锅1中的去离子水的加热效果能够较好地与实际需求相匹配。

综上，本实施例能够增大加热面积，缩短不同高度温度达到均匀分布的时间，另一方面能够持续维持水浴锅的不同高度处的温度均匀性，能够提高薄膜沉积效率和沉积质量。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。