阅读说明：本技术 存储器元件及其制造方法 ([db:专利名称-en]) 是由 吴冠纬 张耀文 杨怡箴 于 2018-10-26 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种存储器元件,包括一双晶体管存储单元阵列,双晶体管存储单元阵列中的双晶体管存储单元包括一垂直式选择晶体管与一垂直式数据储存晶体管。双晶体管存储单元阵列包括多个导线叠层,一导线叠层包括一选择栅极线与一字线,字线相邻于选择栅极线。存储器元件包括一垂直通道线的阵列、栅极介电质结构、电荷储存结构与位线,垂直通道线的阵列穿过导线至一参考线,栅极介电质结构环绕在垂直通道线与选择栅极线的阵列中的垂直式选择晶体管的通道区的垂直通道线,电荷储存结构环绕在垂直通道线与字线的阵列中的垂直式数据储存晶体管的通道区的垂直通道线,位线通过垂直通道线的上端耦接至垂直通道线。([db:摘要-en])

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