阅读说明：本技术 用于体声波谐振器的凹陷框架结构 (Recessed frame structure for bulk acoustic wave resonator ) 是由 松尾信文 黄宰申 于 2019-09-12 设计创作，主要内容包括：一种薄膜体声波谐振器(FBAR),其包括设置在中心区域中和凹陷框架区域中的压电薄膜,该中心区域限定在操作期间产生主声波的主有源区域,该凹陷框架区域横向设置在中心区域的相对侧上。设置在该凹陷框架区域中的压电薄膜包括比设置在该中心区域中的压电薄膜中的缺陷浓度更大的缺陷浓度。(A Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) comprising a piezoelectric film disposed in a central region defining a primary active region in which primary acoustic waves are generated during operation and in a depressed frame region disposed laterally on opposite sides of the central region. The piezoelectric film disposed in the recessed frame region includes a defect concentration greater than a defect concentration in the piezoelectric film disposed in the central region.)

用于体声波谐振器的凹陷框架结构

技术领域

本申请涉及声波器件以及减轻该声波器件中的杂散信号的结构和方法。

背景技术

声波器件，例如体声波(bulk acoustic wave，BAW)器件可被用作射频电子系统中的滤波器的部件。例如，移动电话的射频前端中的滤波器可包括声波滤波器。两个声波滤波器可被布置为双工器。

发明内容

根据本文公开的一个方面，提供了一种薄膜体声波谐振器(film bulk acousticwave resonator，FBAR)。FBAR包含设置在中心区域中和凹陷框架区域中的压电薄膜，该中心区域限定主有源区域，在操作期间在该主有源区域中产生主声波，并且凹陷框架区域横向地设置在该中心区域的相对侧上。设置在凹陷框架区域中的压电薄膜包括比设置在中心区域中的压电薄膜中的缺陷浓度更大的缺陷浓度。

在一些实施例中，FBAR还包括设置在压电薄膜的顶表面上的顶电极和设置在压电薄膜的底表面上的底电极，中心区域中的顶电极和底电极之间的垂直距离大于凹陷框架区域中的顶电极和底电极之间的垂直距离。FBAR还可包含相对于该中心区域横向设置在该凹陷框架区域的相对侧上的凸起框架区域，压电薄膜横向延伸穿过该凹陷框架区域，凸起框架区域中的顶电极的厚度大于中心区域中的顶电极的厚度。凹陷框架区域中的压电薄膜中的声速可与凸起框架区域中的压电薄膜中的声速不同。凹陷框架区域和凸起框架区域中的声速差异可产生声速不连续性，该声速不连续性足以防止在中心区域的外部行进穿过压电薄膜的横向声波进入该中心区域。

在一些实施例中，凸起框架区域内的压电薄膜的至少一部分包括比设置在中心区域中的压电薄膜中的缺陷浓度更大的缺陷浓度。凸起框架区域中的压电薄膜的包括比设置在中心区域中的压电薄膜中的缺陷浓度更大的缺陷浓度的部分可接触底电极。

在一些实施例中，凹陷框架区域中的压电薄膜的包括比设置在中心区域中的压电薄膜中的缺陷浓度更大的缺陷浓度的部分与底电极接触。

在一些实施例中，FBAR还包含共形地沉积在顶电极的顶表面上的介电材料层。

在一些实施例中，凹陷框架区域中的底电极的上表面表现出比中心区域中的底电极的表面有更大程度的表面缺陷。凸起框架区域中的底电极的上表面可表现出比中心区域中的底电极的表面有更大程度的表面缺陷。

在一些实施例中，射频滤波器包括如上所公开的FBAR。射频滤波器可被包括在电子模块中。该电子模块可被包括在电子设备中。

根据另一方面，提供了一种形成薄膜体声波谐振器(FBAR)的方法。该方法包含：在介电材料层的上表面上沉积底电极，该介电材料层设置在介电材料层和基板之间限定的腔体上方；在底电极的上表面上沉积压电材料的种子层；蚀刻穿过压电材料的种子层的一个或多个开口，蚀刻一个或多个开口包括以足以损伤通过蚀刻一个或多个开口而暴露的底电极的上表面的部分的量来过蚀刻种子层；并且，在种子层的上表面上，在包括所述损伤部分的底电极的上表面的一部分上，以及在介电层的上表面的一部分上，沉积压电材料的主体膜(bulk film)。

在一些实施例中，种子层的过蚀刻导致对底电极的上表面的充分损伤，以使得沉积在一个或多个开口上方的压电材料的主体膜的区域表现出比沉积在不包括该一个或多个开口的种子层的部分上的压电材料的主体膜的区域有更高的缺陷浓度。

在一些实施例中，该方法还包含在压电材料的主体膜的上表面上沉积导电材料层以形成顶电极。沉积导电材料层可包括：以第一厚度在中心区域中沉积导电材料层，该中心区域设置在种子层中的一个或多个开口正上方的各区域之间；并且，相对于从中心区域在种子层中的一个或多个开口正上方的各区域的相对侧上的各区域中，以大于第一厚度的第二厚度来沉积导电材料。

在一些实施例中，该方法还包含在导电材料层的上表面上共形地沉积介电材料层。

附图说明

现在将参考附图，借助于非限制性示例来描述本申请的实施例。

图1是薄膜体声波谐振器的示例的截面图；

图2是薄膜体声波谐振器的另一示例的截面图；

图3A是薄膜体声波谐振器的另一示例的截面图；

图3B是薄膜体声波谐振器的另一示例的截面图；

图4图示了形成薄膜体声波谐振器的示例的方法中的动作；

图5A图示了形成薄膜体声波谐振器的示例的方法中的另一个动作；

图5B图示了形成薄膜体声波谐振器的示例的方法中的另一个动作；

图5C图示了形成薄膜体声波谐振器的示例的方法中的另一个动作；

图6图示了形成薄膜体声波谐振器的示例的方法中的另一个动作；

图7是滤波器模块的一个示例的框图，该滤波器可包括一个或多个根据本本申请的多个方面的声波元件；

图8是前端模块的一个示例的框图，该前端模块可包括一个或多个根据本申请的多个方面的滤波器模块；以及

图9是包括图8的前端模块的无线设备的一个示例的框图。

具体实施方式

某些实施例的以下描述呈现了特定实施例的各种描述。然而，本文描述的创新可以以多种不同的方式来实现，例如，以根据权利要求所定义和覆盖的方式来实现。在本说明书中，参考附图，其中相同的附图标记可指示相同或功能相似的元件。应该理解，图中所图示的元件不一定按比例绘制。此外，应当理解，某些实施例可包括比图中所图示的元件和/或图中所图示的元件的子集更多的元件。此外，一些实施例可结合来自两个或更多个附图的特征的任何合适的组合。

薄膜体声波谐振器(FBAR)是一种形式的体声波谐振器，其通常包括夹在顶电极和底电极之间并悬置在允许压电材料膜振动的腔体上方的压电材料膜。施加在顶电极和底电极上的信号导致声波在压电材料膜中产生并行进穿过该压电材料膜。FBAR表现出对施加信号的频率响应，其谐振峰值由压电材料膜的厚度决定。理想地，将在FBAR中产生的唯一声波是主声波，其将在垂直于形成顶电极和底电极的导电材料层的方向上行进穿过压电材料膜。然而，FBAR的压电材料通常具有非零泊松比。因而，与主声波的通过相关联的压电材料的压缩和松弛可引起压电材料在垂直于主声波的传播方向的方向上的压缩和松弛。压电材料在垂直于主声波传播方向的方向上的压缩和松弛可产生横向声波，该横向声波垂直于主声波(平行于电极膜的表面)行进穿过压电材料。横向声波可被反射回主声波传播的区域中，并且可引起在与主声波相同的方向上行进的杂散声波。这些杂散声波可能使FBAR的频率响应从预期的或所意欲的降低，并且通常被认为是不希望有的。

图1是FBAR的示例的横截面图，总的用100指示。FBAR 100设置在基板110上，例如，设置在硅基板上，该硅基板可包括例如二氧化硅的介电表面层110A。FBAR 100包括例如氮化铝(aluminum nitride，AlN)的压电材料的层或膜115。顶电极120设置在压电材料的层或膜115的一部分的顶部上，并且底电极125设置在压电材料的层或膜115的一部分的底部上。顶电极120可由例如钌(Ru)来形成。底电极125可包括与压电材料的层或膜115的一部分的底部接触设置的Ru层125A和设置在Ru层125A的下侧上的钛(Ti)层125B，该下侧和与压电材料的层或薄膜115的一部分的底部接触的Ru层125A的那一侧相反。顶电极120和底电极125中的每一个可覆盖有介电材料(例如，二氧化硅)层130。腔体135被限定在覆盖底电极125和基板110的表面层110A的介电材料层130下面。由例如铜形成的底部电触点140可与底电极125形成电连接，并且由例如铜形成的顶部电触点145可形成与顶电极120的电连接。

FBAR 100可包括中心区域150，该中心区域150包括压电材料的层或膜115中的主有源区域，其中在操作期间主声波被激发。中心区域可具有例如在约20μm和约100μm之间的宽度。一个或多个凹陷框架区域155可界定并限定中心区域150的横向范围。凹陷框架区域可具有例如约1μm的宽度。凹陷框架区域155可由在顶电极120顶部上具有比在中心区域150中更薄的介电材料层130的各区域来限定。凹陷框架区域155中的介电材料层130可比中心区域150中的介电材料层130薄约10nm至约100nm和/或凹陷框架区域155中与中心区域150中的介电材料的厚度的差异可使得凹陷框架区域155中的器件的谐振频率比中心区域150中的器件的谐振频率高约5MHz至约50MHz。可在凹陷框架区域155的与中心区域150相对的一侧上限定一个或多个凸起框架区域160，并且该凸起框架区域160可直接邻接凹陷框架区域155的外边缘。凸起框架区域可具有例如约1微米的宽度。凸起框架区域160可由顶电极120的比在中心区域150和在凹陷框架区域155中厚的那些区域来限定。顶电极120可在中心区域和凹陷框架区域中具有相同的厚度，但在凸起框架区域160中厚度更大。与在中心区域150中和/或在凹陷框架区域155中相比，凸起框架区域160中的顶电极120的厚度可更大大约50nm至约500nm。

凹陷框架区域155和凸起框架区域160可有助于在操作期间在FBAR100中产生的横向声波的耗散或散射和/或可反射在凹陷框架区域155和凸起的框架区域160外部传播的横向波，并防止这些横向声波进入中心区域并在FBAR的主有源区域中引入杂散信号。不受特定理论的束缚，据信由于凹陷框架区域155中的顶电极120顶部上的较薄的介电材料层130，凹陷框架区域155可呈现比中心区域150更高的声波传播速度。相反地，由于凸起框架区域160中的顶电极120的增加的厚度和质量，凸起框架区域160可表现出与中心区域150相比而言较低的声波传播速度和与凹陷框架区域155相比而言较低的声波传播速度。凹陷框架区域155和凸起框架区域160之间的声波速度的不连续性产生屏障，其散射、抑制和/或反射横向声波。

已经认识到，图1中所图示的FBAR结构100可进一步改进。例如，在制造期间，有时难以精确地控制对覆盖凹陷框架区域155中的顶电极120的介电材料层130的蚀刻。制造可变性可导致在批次中的不同晶圆之间，或在不同的生产运行过程之间，与覆盖在其上形成FBAR结构的晶圆上的中心区域的顶电极120的介电材料层130相比，覆盖凹陷框架区域155中的顶电极120的介电材料层130之间的绝对或相对不同的厚度。图1中所图示的FBAR结构100的行为因此可能在各个器件之间不期望地变化。

在图2中示出了对图1的FBAR结构100的改进，其可以减小制造可变性并且增加横向声波和相关的杂散信号被抑制的程度。图2的FBAR 200与图1的FBAR实质上相同，并且共同特征没有编号，本文不再详细描述。图1的FBAR结构100和图2的FBAR结构200之间的差异在于，在图2的FBAR结构200中，低质量压电材料115的区域210被有意地形成在凹陷框架区域255中。低质量压电材料115的区域210可包括比中心区域250和凸起框架区域260中的压电材料115更大的缺陷浓度(例如，压电材料晶体的空穴、堆垛层错、位错、未对准等)。在一些实施例中，低质量压电材料115的区域210可具有高于压电材料115的其他区域的表面粗糙度和/或与压电材料115的其他区域相比有更大数量或密度的其他形式的缺陷，例如，晶格空位、自填隙原子、取代或间隙杂质原子或其他杂质、晶界、交替相、夹杂物或不匹配的结晶度，其他区域例如在中心区域250和/或凸起的框架区域260中。与图1的FBAR结构100中的相应的凹陷框架区域155和凸起的框架区域160和/或中心区域150之间的相比，低质量压电材料115的区域210中的缺陷可以在图2的FBAR结构中的凹陷框架区域255和凸起框架区域260和/或中心区域250之间产生更大程度的声阻抗差异。与图1的FBAR100相比，图2的FBAR200的不同区域之间的增加的声阻抗差异可更大程度地抑制或折射横向声波。凹陷框架区域255还可以表现出比中心区域250和凸起框架区域260更高的声速，这是由于与中心区域250和凸起框架区域260中的整体膜厚度相比，凹陷框架区域255中的整体薄膜厚度减小。如下面进一步描述的，压电材料115的种子层215具有开口区域220，低质量压电材料115的区域210延伸到开口区域220中，这可有助于形成低质量压电材料115的区域210。

在另一个实施例中，如图3A中所图示的，在FBAR结构300中，与图2中的区域210类似的低质量压电材料115的区域310可延伸到凹陷框架区域255中，并且部分地或完全地延伸到中心区域250的相对侧上的凸起框架区域260中。

在另一个实施例中，如图3B所图示的，在FBAR结构300中，与图2中的区域210类似的低质量压电材料115的区域310可延伸到凹陷框架区域255中并且经过中心区域250的相对侧上的一个或每个凸起框架区域260，并且部分地或完全地延伸到由底部电触点140和/或顶部电触点145覆盖的压电材料115的部分中。

应该理解的是，图1-图3B中以高度简化的形式图示了FBAR。不按比例显示不同特征的相对尺寸。此外，典型的FBAR可包括未图示的附加特征或层。

图4-图6中图示了形成包括低质量压电材料的区域的FBAR结构的实施例的某些动作。应当理解，存在未图示但是本领域普通技术人员将理解可涉及形成完整的FBAR结构的许多其他动作。

如图4所图示的，在一个动作中，底电极125沉积在形成在基板110上并限定腔体135的介电材料层110A上。压电材料(例如AlN)的种子层215直接沉积在底电极125的顶部以及介电材料110A的暴露部分上。种子层215可通过例如化学气相沉积(chemical vapordeposition，CVD)或原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)来沉积，其可提供对种子层215的厚度的非常精确的控制。

在沉积压电材料的种子层215之后，形成开口区域220，之后在该开口区域220之上将形成低质量压电材料的区域。开口区域的位置和尺寸可如图2和如图5A所图示(下面进一步讨论)的，与待完成的FBAR的凹陷框架区域155相对应，和/或如图3A和图5B(下面进一步讨论)中所图示的，与待完成FBAR的凸起框架区域160的一部分或整体相对应。在其他实施例中，如图5C所图示的，压电材料的种子层215可从底电极125的所有部分和中心区域250外部的介电材料层移除，以形成如图3B所图示的FBAR。可使用例如等离子体或离子束，通过干法蚀刻来蚀刻压电材料的种子层215。可执行种子层215的过蚀刻，这导致在蚀刻压电材料的种子层215中的开口区域220期间变得暴露的底电极125的各部分的上表面中的损伤，例如表面粗糙度、凹坑或其他不均匀性。

在压电材料的种子层215中形成开口区域220或移除种子层215的部分之后，将压电材料膜115的主体沉积在种子层215和底电极125的部分以及介电材料层110A上方。可使用与用于沉积种子层215的类似方法，例如，CVD或ALD，来沉积压电材料膜的主体。沉积在由于种子层215的过蚀刻而损伤的底电极125的部分125A和/或介电层110B上方的压电材料可具有比沉积在种子层215以及底电极215和介电材料层110A的未损伤部分上方的压电材料115中更大程度的缺陷和/或未对准的晶畴。沉积在被种子层215的过蚀刻而损伤的底电极125和/或介电材料110B的部分上的压电材料因此可包括区域210、310，其表现出比沉积在种子层以及底电极215和介电材料层110A的未损伤部分上方的压电材料更低的质量。

在完成压电材料膜的主体的沉积之后，在种子层215(区域210)中的开口区域220上方或者在从其移除了种子层215的底电极125和/或介电材料的110A、110B层的各部分的上方沉积的压电材料膜的部分的表面，可以从沉积在种子层215上方的压电材料的部分的表面和底电极215/或介电材料层110A的未损坏部分凹进。凹陷605(图6)的深度可对应于种子层215的厚度。如上所述，可以以对厚度高程度地控制来沉积种子层215。因而，与图1所图示的FBAR结构100中的凹陷框架区域155中的电介质层130中蚀刻的凹陷相比，凹陷605的深度可以被更严格地控制并且更不易于有制造可变性。

为了完成FBAR结构，可在图6所图示的压电材料膜的主体的顶部上沉积一层(或多层)电极材料，其中电极材料膜的较厚部分沉积在凸起框架区域260中。然后可在电极材料膜上方沉积共形的介电材料层130，以产生图2、图3A或图3B中所图示的FBAR结构。

本文讨论的声波器件可在各种封装模块中实现。现在将讨论一些示例封装模块，其中可实现本文讨论的封装声波器件的任何合适的原理和优点。图7、图8和图9是根据某些实施例的描述性封装模块和器件的示意性框图。

如上所述，例如，所公开的FBAR的实施例可被配置为滤波器或被用于滤波器中。反过来，使用了一个或多个FBAR元件的FBAR滤波器可被并入并封装为最终可用在电子设备中的模块，该电子设备例如无线通信设备。图7是框图，其图示包括FBAR滤波器710的模块700的一个示例。FBAR滤波器710可在包括一个或多个连接焊盘722的一个或多个晶片720上实现。例如，FBAR滤波器710可包括与FBAR滤波器的输入触点相对应的连接焊盘722和与FBAR滤波器的输出触点相对应的另一个连接焊盘722。封装模块700包括封装基板730，其被配置为接纳包括晶片720的多个部件。多个连接焊盘732可设置在封装基板730上，并且FBAR滤波器晶片的各种连接焊盘722可经由电连接器734连接到封装基板730上的连接焊盘732，电连接器734可以是例如焊料凸块或引线键合，以允许各种信号传递到FBAR滤波器710和从FBAR滤波器710传递。模块700可以可选地进一步包括其他电路晶片740，例如如半导体制造领域的技术人员鉴于本公开所知的一个或多个附加滤波器、放大器、预滤波器、调制器、解调器、下变频器等。在一些实施例中，模块700还可包括一个或多个封装结构，以例如提供保护并便于更容易地处理模块700。这样的封装结构可包括在包装基板730上方形成的包覆模制件，其尺寸设计成基本上封装其上的各种电路和部件。

FBAR滤波器710的各种示例和实施例可用在广泛种类的电子设备中。例如，FBAR滤波器710可用在天线双工器中，天线双工器本身可结合到诸如RF前端模块和通信设备的各种电子设备中。

参考图8，图示了前端模块800的一个示例的框图，该前端模块800可用在诸如无线通信设备(例如，移动电话)之类的电子设备中。前端模块800包括具有公共节点802、输入节点804和输出节点806的天线双工器810。天线910连接到公共节点802。

天线双工器810可包括连接在输入节点804和公共节点802之间的一个或多个发射滤波器812，以及连接在公共节点802和输出节点806之间的一个或多个接收滤波器814。发射滤波器的通带与接收滤波器的通带不同。FBAR滤波器710的示例可被用于形成发射滤波器812和/或接收滤波器814。电感器或其他匹配部件820可在公共节点802处连接。

前端模块800还包括连接到双工器810的输入节点804的发射器电路832和连接到双工器810的输出节点806的接收器电路834。发射器电路832可生成用于经由天线发射的信号，并且接收器电路834可接收和处理经由天线910接收的信号。在一些实施例中，如图8所显示的，接收器和发射器电路被实现为单独的部件，然而，在其他实施例中，这些部件可集成到公共收发器电路或模块中。如本领域技术人员将理解的，前端模块800可包括图8中未图示的其他部件，包括但不限于开关、电磁耦合器、放大器、处理器等。

图9是无线设备900的一个示例的框图，该无线设备900包括图8中所显示的天线双工器810。无线设备900可以是蜂窝电话、智能电话、平板电脑、调制解调器、通信网络或配置为用于话音或数据通信的任何其他便携式或非便携式设备。无线设备900可从天线910接收和发射信号。无线设备包括类似于上面参考图8所讨论的前端模块800的实施例。如上所述，前端模块800包括如上所述的双工器810。在图9所示的示例中，前端模块800还包括天线开关840，其可被配置为在不同的频带或模式之间切换，例如在发射和接收模式之间切换。在图9所示的示例中，天线开关840位于双工器810和天线910之间；然而，在其他示例中，双工器810可位于天线开关840和天线910之间。在其他示例中，天线开关840和双工器810可集成到单个部件中。

前端模块800包括收发器830，该收发器830被配置为生成用于发射的信号或处理所接收的信号。如图8中的示例所显示的，收发器830可包括发射器电路832和接收器电路834，发射器电路832可连接到双工器810的输入节点804，并且接收器电路834可连接到双工器810的输出节点806。

为了通过发射器电路832发射而产生的信号由功率放大器(power amplifier，PA)模块850接收，该功率放大器(PA)模块850放大来自收发器830的所产生的信号。功率放大器模块850可包括一个或多个功率放大器。功率放大器模块850可被用于放大广泛种类的RF或其他频带发射信号。例如，功率放大器模块850可接收使能信号，该使能信号可被用于脉冲化功率放大器的输出以辅助发射无线局域网(wireless local area network，WLAN)信号或任何其他合适的脉冲化信号。功率放大器模块850可被配置为放大各种信号中的任何一种，包括例如全球移动系统(Global System for Mobile，GSM)信号、码分多址(codedivision multiple access，CDMA)信号、W-CDMA信号、长期演进(Long-Term Evolution，LTE)信号或EDGE信号。在某些实施例中，功率放大器模块850和包括开关等在内的相关部件可使用例如高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistor，pHEMT)或绝缘栅双极晶体管(insulated-gate bipolar transistor，BiFET)在砷化镓(GaAs)基板上制造，或者使用互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor，CMOS)场效应晶体管在硅基板上制造。

仍然参考图9，前端模块800还可包括低噪声放大器模块860，其放大来自天线910的接收信号并将放大的信号提供给收发器830的接收器电路834。

图9的无线设备900还包括电源管理子系统920，其连接到收发器830并管理用于无线设备900的操作的电力。电源管理系统920还可控制基带子系统930和无线设备900的各种其他部件的操作。电源管理系统920可包括或可连接到为无线设备900的各种部件供电的电池(未显示)。电源管理系统920还可包括例如可控制信号发射的一个或多个处理器或控制器。在一个实施例中，基带子系统930连接到用户接口940，以便于向用户提供和从用户接收的话音和/或数据的各种输入和输出。基带子系统930还可连接到存储器950，该存储器950被配置为存储数据和/或指令以便于无线设备的操作，和/或为用户提供信息的存储。上述实施例的任何一个可与诸如蜂窝手机之类的移动设备相关联地实现。实施例的原理和优点可被用于可受益于本文描述的任何实施例的任何系统或装置，诸如任何上行链路无线通信设备。本文的教导适用于各种系统。尽管本申请包括一些示例实施例，但是本文描述的教导可应用于各种结构。本文讨论的任何原理和优点可与RF电路相关联地实现，该RF电路被配置为处理大约30kHz到300GHz范围内的信号，例如在大约450MHz到6GHz的范围内的信号。

本公开的各方面可在各种电子设备中实现。电子设备的示例可包括但不限于消费电子产品、诸如封装的射频模块的消费电子产品的部件、上行链路无线通信设备、无线通信基础设施、电子测试装备等。电子设备的示例设备可包括但不限于诸如智能电话的移动电话、诸如智能手表或耳机的可穿戴计算设备、电话、电视、计算机监视器、计算机、调制解调器、手提电脑、笔记本电脑、平板电脑、微波炉、冰箱、诸如汽车电子系统的车载电子系统、立体声系统、数字音乐播放器、收音机、诸如数码相机的相机、便携式存储器芯片、洗衣机、干衣机、洗衣机/干衣机、复印机、传真机、扫描仪、多功能***设备、腕表、时钟等。此外，电子设备可包括未完成的产品。

除非上下文另有明确要求，否则在整个说明书和权利要求书中，单词“包含”、“包含了”、“包括”、“包括了”等应以包含性的含义来解释，而不是排他性的或穷举性的含义；也就是说，在“包括但不限于”的意义上。如本文通常所使用的，单词“耦接”指的是可直接连接或借助于一个或多个中间元件连接的元件。同样地，如本文通常使用的，单词“连接”指的是可直接连接或借助于一个或多个中间元件连接的两个或更多个元件。另外，当在本申请中使用时，单词“本文”、“上方”、“下方”和类似含义的单词应当指代本申请的整体而不是指本申请的任何特定部分。在上下文允许的情况下，使用单数或复数的上述详细描述中的单词也可分别包括复数或单数。单词“或”是指两个或多个项目的列表，该单词涵盖了该单词的以下所有解释：列表中的任何项目、列表中的所有项目以及列表中的项目的任何组合。

此外，除非另有明确说明，或者在所使用的上下文中以其他方式理解，否则本文使用的条件语言，例如“能够”、“可能的”、“可能”、“可”、“如”、“例如”、“诸如”等通常旨在表达某些实施例包括，而其他实施例不包括某些特征、元件和/或状态。因此，这样的条件语言通常不旨在暗示一个或多个实施例以任何方式需要特征、元件和/或状态，或者一个或多个实施例必须包括逻辑，该逻辑用于在有或没有作者输入或提示的情况下决定这些特征、元件和/或状态包括在任何特定实施例中或将在任何特定实施例中执行。

虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅作为示例呈现，并且不旨在限制本申请的范围。实际上，本文描述的新颖装置、方法和系统可以各种其他形式体现；此外，在不脱离本申请的精神的情况下，可对本文描述的方法和系统的形式进行各种省略、替换和改变。例如，虽然以给定布置呈现框，但是替代实施例可采用不同部件和/或电路拓扑执行类似功能，并且可删除、移动、添加、细分、组合和/或修改一些框。这些框中的每一个可以以各种不同的方式实现。可组合上述各种实施例的元件和动作的任何合适组合以提供进一步的实施例。所附权利要求及其等同物旨在覆盖落入本公开的范围和精神内的这些形式或修改。