阅读说明：本技术 体声波谐振器 (Bulk acoustic wave resonator ) 是由 丁大勳 金成昱 孙尚郁 韩相宪 韩源 于 2019-06-24 设计创作，主要内容包括：本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；下电极，设置在所述膜层上；插入层，设置为覆盖所述下电极的至少一部分；压电层，设置在所述下电极上以覆盖所述插入层；以及上电极，至少部分地设置在所述压电层上，其中，所述上电极包括设置在所述插入层上的反射凹槽。(The present disclosure provides a bulk acoustic wave resonator, including: a substrate; a membrane layer forming a cavity with the substrate; a lower electrode disposed on the film layer; an insertion layer disposed to cover at least a portion of the lower electrode; a piezoelectric layer disposed on the lower electrode to cover the insertion layer; and an upper electrode at least partially disposed on the piezoelectric layer, wherein the upper electrode includes a reflective recess disposed on the interposer.)

体声波谐振器

本申请要求于2018年8月9日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0093001号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波谐振器。

背景技术

传统的体声波谐振器由堆叠结构组成，所述堆叠结构在比压电元件的位置高的位置和比压电元件的位置低的位置具有相应的电极。另外，在体声波谐振器的操作中会出现横向波(侧向波)，并且该横向波会从体声波谐振器的谐振部泄漏，从而导致不必要的能量损耗，进而使体声波谐振器的性能劣化。为了解决这个问题，传统的体声波谐振器可主要使用诸如反射层的结构来将横向波反射到谐振部中。

反射层相对于横向波的反射率可根据反射层的结构而变化。设置在谐振器的谐振部外部的反射层的部分的截面形状可与设置在谐振器的其余部分中的反射层的部分的截面形状不同。因此，设置在谐振器的谐振部外部的反射层的部分的反射率可与设置在谐振器的其余部分中的反射层的部分的反射率不同。换句话说，存在这样的问题：设置为通过存在于谐振部外部的部分包围谐振部的反射层的部分具有彼此不同的横向反射率水平。

发明内容

提供本发明内容是为了以简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的

具体实施方式

中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；下电极，设置在所述膜层上；***层，设置为覆盖所述下电极的至少一部分；压电层，设置在所述下电极上以覆盖所述***层；以及上电极，至少部分地设置在所述压电层上，其中，所述上电极包括设置在所述***层上的反射凹槽。

所述上电极的设置在有效区域中的端部可设置在所述***层上，所述下电极、所述压电层和所述上电极在所述有效区域中重叠。

所述上电极的所述端部和所述反射凹槽可连接以形成闭合且弯曲的形状。

所述反射凹槽的端部可设置在比所述***层的倾斜表面的位置高的位置。

所述体声波谐振器还可包括保护层，其中，所述保护层的至少一部分设置在比所述上电极的位置高的位置。

所述体声波谐振器还可包括设置为包围所述腔的蚀刻防止部。

所述体声波谐振器还可包括设置在所述蚀刻防止部外部的牺牲层。

所述压电层可包括压电部和弯曲部，所述压电部设置在所述压电层的平坦部中，并且所述弯曲部从所述压电部延伸并设置在所述压电层的延伸部中。

所述反射凹槽可设置在所述弯曲部上。

所述反射凹槽可设置在所述体声波谐振器的有效区域的周边部中。

在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；下电极，设置在所述基板上；压电层，包括压电部和弯曲部，所述压电部设置为覆盖所述下电极，并且所述弯曲部具有倾斜表面并具有大于所述压电部的厚度的厚度；上电极，所述上电极的至少一部分设置在比所述压电层的位置高的位置；以及反射凹槽，设置在所述上电极上，并且设置在比所述弯曲部的位置高的位置。

所述反射凹槽的端部可设置在比所述弯曲部的所述倾斜表面的位置高的位置。

所述反射凹槽和所述上电极的设置在有效区域中的端部可彼此连接以形成闭合且弯曲的形状，所述下电极、所述压电层和所述上电极在所述有效区域中重叠。

所述反射凹槽可被构造为在所述体声波谐振器的有效区域的周边部中形成反射器。

通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。

附图说明

图1是示出根据实施例的体声波谐振器的平面图。

图2是沿图1中的线A-B截取的截面图。

图3是图2中的部分X的放大图。

图4是沿图1中的线C-D截取的截面图。

图5是图4中的部分Y的放大图。

图6是示出传统的谐振器的性能的曲线图。

图7是示出根据实施例的体声波谐振器的性能的曲线图。

图8是示出根据第二实施例的体声波谐振器的示意性截面图。

在所有的附图和具体实施方式中，相同的附图标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、装置和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、装置和/或系统的各种改变、变型和等同物将是显而易见的。例如，除了必须以特定顺序发生的操作之外，在此描述的操作顺序仅是示例，并不限于在此所阐述的顺序，而是可在理解本申请的公开内容之后作出将是显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略对本领域中已知的特征的描述。

在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此所描述的示例仅仅是为了示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现在此描述的方法、装置和/或系统的多种可行方式中的一些可行方式。

在此，应注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这种特征的至少一个示例或实施例，而所有示例和实施例不限于此。

在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。

尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。

为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上部”、“在……之下”和“下部”的空间关系术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间关系术语意在除包含在附图中所描绘的方位之外，还包含器件在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上部”的元件随后将相对于另一元件位于“之下”或“下部”。因此，术语“在……之上”根据器件的空间方位而包含“在……之上”和“在……之下”两种方位。器件还可以以其他方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并对在此使用的空间关系术语做出相应的解释。

在此使用的术语仅用于描述各种示例，并不用于限制本公开。除非上下文另有明确说明，否则单数形式也旨在包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”表示存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，附图中所示的形状可能发生变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间发生的形状上的变化。

在此描述的示例的特征可以以在理解本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的其他构造是可行的。

图1是示出根据实施例的体声波谐振器100的平面图。图2是沿图1中的线A-B截取的截面图。图3是图2中的部分X的放大图。图4是沿图1中的线C-D截取的截面图。图5是图4中的部分Y的放大图。

参照图1至图5，体声波谐振器100可包括基板110、牺牲层120、蚀刻防止部130、膜层140、下电极150、压电层160、上电极170、***层180、保护层190和金属焊盘195。

基板110可以是硅基板。例如，可使用硅晶片作为基板110。可选地，可使用绝缘体上硅(SOI)型基板作为基板110。

可在基板110的上表面上形成绝缘层112，并且绝缘层112可使基板110与形成在比基板的位置高的位置的层电隔离。当在制造工艺期间形成腔C时，绝缘层112还可防止基板110被蚀刻气体蚀刻。

例如，绝缘层112可利用二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化铝(Al₂O₃)和氮化铝(AlN)中的至少一种形成，并且可通过化学气相沉积工艺、RF磁控溅射工艺和蒸镀工艺中的至少一种形成。

可在绝缘层112上形成牺牲层120，并且腔C和蚀刻防止部130可设置在牺牲层120内部。可通过在制造工艺期间去除牺牲层120的部分来形成腔C。如上所述，因为腔C形成在牺牲层120内部，所以设置在比牺牲层120的位置高的位置的下电极150、压电层160、上电极170和其他层可形成为平坦形状。

蚀刻防止部130可沿腔C的水平边界设置。在形成腔C的工艺中，蚀刻防止部130可防止蚀刻进行到超出腔的区域。

膜层140可与基板110一起形成腔C。此外，当去除牺牲层120时，膜层140可利用与蚀刻气体具有低反应性的材料形成。可将蚀刻防止部130***到由膜层140形成的凹槽142中。可使用包含氮化硅(Si₃N₄)、二氧化硅(SiO₂)、氧化锰(MnO)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO₂)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)和氧化锌(ZnO)中的任何一种的介电层作为膜层140。

可在膜层140上形成利用氮化铝(AlN)形成的种子层(未示出)。例如，种子层可设置在膜层140与下电极150之间。除了氮化铝(AlN)之外，种子层还可利用具有HCP晶体结构的金属或电介质形成。作为示例，当种子层利用金属形成时，种子层可利用钛(Ti)形成。

可在膜层140上形成下电极150，并且下电极150的部分可设置在腔C的上部上。另外，下电极150可以是分别用于输入或输出诸如RF(射频)信号等的电信号的输入电极或输出电极。

下电极150可利用例如导电材料(诸如钼(Mo)或Mo的合金)形成。本公开不限于该示例，并且下电极150可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或者Ru、W、Ir、Pt、Cu、Ti、Ta、Ni或Cr的合金的导电材料形成。

压电层160可形成为至少覆盖下电极150，下电极150设置在比腔C的位置高的位置。压电层160可被构造为引起压电效应以将电能转换为声波形式的机械能，并且可利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PZT；PbZrTiO)中的任何一种形成。例如，当压电层160利用氮化铝(AlN)形成时，压电层160还可包括稀土金属。作为示例，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任何一种或者任何两种或更多种的任何组合。另外，作为示例，过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任何一种或任何两种或更多种的任何组合。作为二价金属的镁(Mg)也可被包括在压电层160中。

压电层160可包括设置在平坦部S中的压电部162，以及设置在延伸部E中的弯曲部164。

参照图4，压电部162可直接堆叠在下电极150的上表面上。因此，压电部162可设置在下电极150与上电极170之间，并且可与下电极150和上电极170一起形成为平坦形状。

仍然参照图4，弯曲部164可以是从压电部162在向外方向上延伸的部分，并且可位于延伸部E中。

如图4和图5中所示，弯曲部164可设置在稍后将描述的***层180上，并且可形成为沿***层180的形状升高的形状。压电层160可在压电部162与弯曲部164之间的交界处弯曲，并且弯曲部164可与***层180的厚度和形状相对应地升高。

仍然参照图4和图5，弯曲部164可包括倾斜部164a和延伸部164b。倾斜部164a是形成为沿稍后将描述的***层180的倾斜表面L倾斜的部分。延伸部164b是从倾斜部164a在向外方向上延伸的部分。

参照图5，倾斜部164a可形成为与***层180的倾斜表面L平行，并且倾斜部164a的倾斜角度可与倾斜表面L的倾斜角度θ相同。

参照图2至图5，上电极170可形成为至少覆盖压电层160，并且可形成为覆盖设置在比腔C的位置高的位置的附加层。可使用上电极170作为分别用于输入或输出诸如RF(射频)信号等的电信号的输入电极或输出电极。例如，当使用下电极150作为输入电极时，可使用上电极170作为输出电极，并且当使用下电极150作为输出电极时，可使用上电极170作为输入电极。

上电极170可利用例如导电材料(诸如钼(Mo)或其合金)形成。然而，下电极170不限于利用Mo形成，并且上电极170可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或者Ru、W、Ir、Pt、Cu、Ti、Ta、Ni或Cr的合金的导电材料形成。

如图5中所示，上电极170可包括设置在稍后将描述的***层180的上部上的反射凹槽172。此外，反射凹槽172的一端可设置在比稍后将描述的***层180的倾斜表面L的位置高的位置。也就是说，反射凹槽172的一端可在与由体声波谐振器100产生的横向波/侧向波的方向垂直的方向上设置在比***层180的倾斜表面L的位置高的位置。另外，反射凹槽172的另一端可设置在比延伸部164b的位置高的位置。此外，反射凹槽172的底表面可具有二阶倾斜。

上电极170的上端设置在比***层180的位置更高的位置(例如，在与由体声波谐振器100产生的横向波/侧向波的方向垂直的方向上)。另外，如图1中所示，当在垂直方向上(例如，在上电极170的上表面上)观看时，反射凹槽172的端部和上电极170的端部可形成闭合且弯曲的形状。

由于反射凹槽172形成在上电极170中，因此反射凹槽172可与上电极170的端部一起形成布拉格(Bragg)反射器。结果，可改善体声波谐振器100的性能。

参照图2至图5，***层180可设置在下电极150与压电层160之间。***层180可利用诸如二氧化硅(SiO₂)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化锰(MnO)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO₂)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO₂)、氧化钛(TiO₂)或氧化锌(ZnO)的电介质形成，但是可利用与压电层160的材料不同的材料形成。另外，如果需要，可将设置***层180的区域形成为空气空间。这可通过在制造工艺期间去除***层180来实现。

例如，***层180的厚度可与下电极150的厚度相同或相似。***层180可形成为比压电层160薄，或者可形成为厚度与压电层160的厚度相似。例如，***层180可形成为具有

或更厚的厚度，并且可形成为具有比压电层160的厚度薄的厚度。然而，***层180的构造不限于以上提供的示例。

***层180可沿由膜层140、下电极150和蚀刻防止部130形成的表面设置。

参照图2和图4，***层180可设置在平坦部S周围以支撑压电层160的弯曲部164。根据***层180的形状，压电层160的弯曲部164可分成倾斜部164a和延伸部164b。

仍然参照图2和图4，***层180可设置在除平坦部S之外的区域中。例如，***层180可设置在除平坦部S之外的整个区域上，或者可设置在除平坦部S之外的区域的部分中。

如图2至图5中所示，***层180的至少一部分可设置在压电层160与下电极150之间。

参照图2和图4，沿平坦部S的边界设置的***层180的侧表面可形成为具有随着与平坦部S的距离增加而增加的厚度。如图5中所示，***层180包括倾斜表面L，使得与平坦部S相邻设置的侧表面具有恒定的倾斜角度θ。

如果***层180的侧表面的倾斜角度θ形成为小于5度，则为了制造***层180，会要求***层180的厚度非常薄或者会要求倾斜表面L的面积特别大。因此，会难以实现侧表面的倾斜角度θ小于5度的***层。

另外，如果***层180的侧表面的倾斜角度θ形成为大于70度，则堆叠在***层180上的压电层160的倾斜部164a的倾斜角度可形成为大于70度。在这种情况下，由于压电层160可能会过度弯曲，因此可能会在压电层160的弯曲部中产生裂纹。

因此，可在大于或等于5度且小于或等于70度的范围内形成倾斜表面L的倾斜角度θ。

参照图2和图4，可在除下电极150的部分和上电极170的部分之外的区域中形成保护层190。保护层190可防止在制造工艺期间对上电极170、压电层160和下电极150的损坏。

可在最终工艺中通过用于频率控制的蚀刻来部分地去除保护层190。例如，可调整保护层190的厚度。例如，可使用包含氮化硅(Si₃N₄)、二氧化硅(SiO₂)、氧化锰(MnO)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO₂)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)和氧化锌(ZnO)中的任何一种材料的介电层作为保护层190。

仍然参照图2和图4，可在未形成保护层190的下电极150的部分和上电极170的部分上形成金属焊盘195。作为示例，金属焊盘195可利用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)、铝合金等的材料制成。例如，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金。

如上所述，可通过形成在上电极170中的反射凹槽172来改善体声波谐振器100的性能。例如，可通过图1至图5中所示的反射凹槽172在有效区域(即，上电极170、压电层160和下电极150全部重叠的区域)的周边部的一部分中形成布拉格反射器。例如，可在有效区域的周边部中形成反射凹槽172以形成布拉格反射器，周边部设置在延伸到延伸部E的部分中。因此，可改善水平波(例如，横向波或侧向波)的反射率。

反射凹槽172的起始点或起始区域的宽度(如图5中所示的重叠区域的宽度W2)可与如图3中所示的***层180与上电极170重叠的重叠区域的宽度W1相同或基本上相同。

如图6中所示，可以看出，传统的体声波谐振器(例如，未形成反射凹槽172的谐振器)的衰减性能在特定的重叠区域宽度(例如，重叠区域宽度是0.1μm)处会是最佳的。

如图7中所示，在在此公开的体声波谐振器100的情况下，可以理解的是，通过添加反射凹槽172可改善衰减性能，并且不会发生诸如Kt²性能劣化的副作用。

下面参照图8描述根据实施例的体声波谐振器200。通过使用以上所使用的标号在图8中示出与以上针对体声波谐振器100描述的元件相同的元件，因此，将省略对上述相同元件的详细描述。

图8是示出体声波谐振器200的示意性截面图。

参照图8，体声波谐振器200可包括基板110、牺牲层120、蚀刻防止部130、膜层140、下电极150、压电层260、上电极170、保护层190和金属焊盘195。

压电层260可形成为至少覆盖下电极150，下电极150设置在比腔C的位置高的位置。压电层260可被构造为引起压电效应以将电能转换为声波形式的机械能，并且可利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PZT；PbZrTiO)中的任何一种形成。例如，当压电层260利用氮化铝(AlN)形成时，压电层260还可包括稀土金属。作为示例，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任何一种或者任何两种或更多种的任何组合。另外，作为示例，过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任何一种或者任何两种或更多种的任何组合。作为二价金属的镁(Mg)也可被包括在压电层260中。

压电层260可包括设置在平坦部S中的压电部262，以及设置在延伸部E中的弯曲部264。

压电部262可以是直接堆叠在下电极150的上表面上的部分。因此，压电部262可设置在下电极150与上电极170之间，并且可与下电极150和上电极170一起形成为平坦形状。

弯曲部264可以是从压电部262在向外方向上延伸的部分，并且可位于延伸部E中。

弯曲部264是具有厚度大于压电部262的厚度的部分，并且可在压电部262与弯曲部264之间的交接处弯曲。

弯曲部264可包括倾斜部264a和延伸部264b。

倾斜部264a是形成为倾斜的部分，并且延伸部264b是从倾斜部264a在向外方向上延伸的部分。

上电极170可形成为至少覆盖压电层260，压电层260设置在比腔C的位置高的位置。可使用上电极170作为分别用于输入或输出诸如RF(射频)信号等的电信号的输入电极或输出电极。例如，当使用下电极150作为输入电极时，可使用上电极170作为输出电极，并且当使用下电极150作为输出电极时，可使用上电极170作为输入电极。

上电极170可利用例如导电材料(诸如钼(Mo)或Mo的合金)形成。上电极不限于利用Mo形成，并且上电极170可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或者Ru、W、Ir、Pt、Cu、Ti、Ta、Ni或Cr的合金的导电材料形成。

上电极170可包括设置在压电层260的弯曲部264的上部上的反射凹槽172。此外，反射凹槽172的一端可设置在比弯曲部264的倾斜部264a的位置高的位置。也就是说，反射凹槽172的一端可在与由体声波谐振器200产生的横向波/侧向波的方向垂直的方向上设置在比倾斜部264a的位置高的位置。另外，反射凹槽172的另一端可设置在比延伸部264b的位置高的位置。此外，反射凹槽172的底表面可具有二阶倾斜。

上电极170的上端设置在比弯曲部264的延伸部264b的位置高的位置(例如，在与由体声波谐振器200产生的横向波/侧向波的方向垂直的方向上)。另外，与图1中的示出类似，当在垂直方向上(例如，在上电极170的上表面上)观看时，反射凹槽172的端部和上电极170的端部可形成闭合且弯曲的形状。

由于反射凹槽172形成在上电极170中，因此反射凹槽172可与上电极170的端部一起形成布拉格反射器。结果，可改善体声波谐振器100的性能。

由于反射凹槽172形成在上电极170中，因此反射凹槽172可与上电极170的端部一起形成布拉格反射器。结果，可改善体声波谐振器200的性能。

根据本公开的一方面，可减少能量损耗以改善体声波谐振器的衰减性能。

虽然本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中进行形式和细节上的各种改变。在此描述的示例仅被认为是描述性的，而不是用于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述被认为适用于其他示例中的相似的特征或方面。如果所描述的技术以不同的顺序执行，和/或如果所描述的系统、架构、装置或电路中的组件以不同的方式组合和/或由其他组件或其他组件的等同物替换或增补，则可实现合适的结果。因此，本公开的范围不是由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且权利要求及其等同物的范围内的全部变型应被视为被包括在本公开中。