阅读说明：本技术 用于半导体器件布局的分数高度转换单元 (Fractional height conversion cell for semiconductor device layout ) 是由 黄志伟 阿什瓦尼·库马尔·斯里瓦斯塔瓦 于 2019-07-11 设计创作，主要内容包括：本公开涉及用于半导体器件布局的分数高度转换单元。本文公开的主题一般涉及半导体器件,并且更具体地,涉及半导体器件布局,包括诸如包含finFET型器件的单元。例如,半导体器件可以包括finFET型器件,其布置在包括分数高度单元的标准单元结构中。(Subject matter disclosed herein relates generally to semiconductor devices and, more particularly, to semiconductor device layouts, including cells such as including finFET-type devices.)

用于半导体器件布局的分数高度转换单元

技术领域

本文公开的主题一般涉及半导体器件，并且更具体地，涉及半导体器件单元布局，包括诸如包含finFET型器件的单元。

背景技术

在一些情况下，可以使用来自单元库的单元、基于期望的功能来设计集成电路，其可以使用基于计算机的布局工具来组合以形成期望的电路。而且，在一些情况下，单元库可以基于基于finFET的设计架构，其响应于对更低功率、更高性能和/或更紧凑设计的持续期望而获得越来越多的接受。例如，基于基于finFET的设计架构的晶体管可能比先前的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)晶体管相对小得多，从而在一些情况下将半导体晶体管按比例缩小至纳米级。例如，基于FinFET的设计架构可以提供相对更紧凑和/或相对更快的集成电路，和/或可以允许降低功耗。

具体实施方式

贯穿本说明书对一个实施方式、实施方式、一个实施例、实施例和/或类似物的引用意味着关于特定实施方式和/或实施例描述的特定特征、结构、特性和/或类似物包括在要求保护的主题的至少一个实施方式和/或实施例中。因此，例如，在整个说明书中的各个地方出现这样的短语不一定旨在表示相同的实施方式和/或实施例或任何一个特定的实施方式和/或实施例。此外，应该理解，所描述的特定特征、结构、特性和/或类似物能够在一个或多个实施方式和/或实施例中以各种方式进行组合，并且因此，在预期的权利要求范围内。当然，一般而言，如同专利申请说明书一直如此，这些和其他问题有可能在特定的使用环境中变化。换句话说，在整个专利申请中，描述和/或使用的特定环境提供了关于描绘合理推断的有用指导；然而，同样地，在没有进一步的限定的情况下，“在该环境中”通常是指本专利申请的环境。

如上所述，在一些情况下，可以使用来自单元库的单元、基于期望的功能来设计集成电路，其可以使用基于计算机的布局工具来组合以形成期望的电路。而且，在一些情况下，单元库可以基于基于finFET的设计架构，其响应于对更低功率、更高性能和/或更紧凑设计的持续期望而获得越来越多的接受。例如，基于基于finFET的设计架构的晶体管可能比先前的MOSFET晶体管相对小得多，从而在一些情况下将半导体晶体管按比例缩小至纳米级。例如，基于FinFET的设计架构可以提供相对更紧凑和/或相对更快的集成电路、和/或可以允许降低功耗。

如本文所用，“finFET”是指半导体器件的单元结构，其至少部分地由一种或多种扩散类型的多个鳍来表征。“鳍”是指基本上矩形和/或基本上三角形横截面的细长和/或线性扩散结构，例如，从下面的衬底向上突出。例如，图1描绘了示例性finFET晶体管结构的实施例100的示例性布局图。描绘了顶视图和横截面视图。在一个实施例中，finFET晶体管(例如，finFET晶体管100)可以由特定扩散类型的鳍(例如，鳍102)构成。例如，在一个实施例中，鳍102可以包括n型扩散材料。在其他实施例中，鳍102可以包括p型扩散材料。在一个实施例中，鳍(例如，鳍102)可以由多种材料(包括诸如硅、硅锗、锗等，仅举几个例子)中的任何一种形成。此外，例如，在一个实施例中，栅电极(例如，栅电极104)可以包括一种或多种导电材料，例如由多晶硅覆盖的氮化钛和/或氮化钽的膜。此外，在一个实施例中，栅极氧化物层(例如，栅极氧化物层106)可以由多种介电材料中的任何一种形成，包括诸如二氧化硅。然而，要求保护的主题不受这些方面的范围的限制。

此外，尽管图1描绘了具有从衬底105基本垂直地突出的基本矩形横截面的鳍102，但是其他实施例可以包括不同形状的鳍。例如，在一个实施例中，鳍(例如，鳍102)可以具有稍微和/或基本上三角形的横截面。然而，同样，要求保护的主题不受这些方面的范围的限制。

在一些实例中，单元库可以包括一个或多个标准高度单元。如本文所用，“标准高度”是指为特定单元库指定的特定高度。例如，具有“标准”高度的单元可以说包括“标准高度”、“单高度”和/或“1.0高度”单元。在一个实施例中，单元库可以包括不同宽度的单高度单元。此外，在一个实施例中，单元库可以包括具有不同于标准高度的高度的单元。例如，如下所述，示例性半导体器件布局可以包括一个或多个单高度单元和/或一个或多个双高度单元。也可以掺入其他高度的单元。在实施例中，双高度单元包括具有NWELL偏移的双高度单元(下面将更全面地讨论)。如本文所用，“具有NWELL偏移的双高度单元”被称为“双高度单元”。如下面还讨论的，例如，单高度单元和双高度单元之间的布局的转换(transition)可能带来挑战。例如，在一些实例中，双高度单元确保电源电压电极(例如，VDD和/或VSS电极)诸如在单高度单元与邻接的双高度单元之间匹配，以确保单元之间的电源电压信号的导电性。例如，在其中双高度单元邻接跨越半导体器件布局中的一行或多行的单高度单元的情况下，可以利用包括标准单元高度的一半的填充区域来为双高度单元提供所需的偏移，如下面更全面的解释。然而，利用填充区域来为双高度单元提供偏移可能导致不利的半导体晶片区域的未充分利用，如下面更全面地解释的。

图2是描绘包括单元的示例性布局的示例性半导体器件的一部分的实施例200的图示。例如，半导体器件布局200包括多个单高度单元210。还描绘了诸如半导体器件布局200是双高度单元230。在一个实施例中，单个单元(例如，单元210和/或230)可以包括多个第一扩散类型的鳍和另一多个第二扩散类型的鳍，如示例性布局200中所示。此外，如上所述，在一个实施例中，双高度单元(例如，单元230)包括具有NWELL偏移的双高度单元。还如上所述，“NWELL偏移”在下面更全面地描述。

如上所述，例如，在一些实例中，可以将填充区域(例如，填充区域220)***到半导体器件布局中以为特定单元(例如，双高度单元230)提供偏移。此外，在一些实例中，填充区域(例如，填充区域220)可以具有单高度单元的一半的高度。例如，双高度单元230邻接单高度单元210，其中偏移量为标准单元高度的一半。在一些实例中，填充区域(例如，填充区域220)可以包括未使用的鳍和/或可以提供很少的功能或不提供功能。例如，填充区域(例如，填充区域220)可能导致相对于半导体晶片面积利用的成本。例如，减少用于提供单高度单元和双高度单元之间的转换的填充区域的半导体晶片区域的数量的技术将是有利的。

图3是描绘用于半导体器件的至少一部分的示例性布局300的图示。例如，半导体器件布局300包括多个单高度单元310，以及示例性双高度单元330。此外，类似于上述示例性布局200，单个单元(例如，单元310和/或330)可以包括多个第一扩散类型的鳍和另一多个第二扩散类型的鳍，如示例性布局300中所示。此外，类似于上述示例性布局200，双高度单元(例如，双高度单元330)邻接单高度单元(例如，单高度单元310)，其中偏移量为标准单元高度的一半。也就是说，在一个实施例中，双高度单元(例如，双高度单元330)可以相对于邻接的单高度单元(例如，单元310)偏移高度，该高度是单高度单元的高度的一半。

如上所述，例如，利用填充区域(例如，填充区域220)来促进双高度单元的偏移，可能导致不利的半导体晶片区域的未充分利用。例如，填充区域(例如，填充区域220)可以包括未使用的鳍和/或可以提供很少的功能或不提供功能。因此，例如，专用于填充区域的半导体晶片区域不能有助于芯片功能。例如，为了帮助解决在采用双高度单元偏移的半导体器件布局中填充区域利用率的至少一些缺陷和/或缺点，实施例可以包括一个或多个分数高度单元。“分数高度”是指包括标准高度的非整数倍的高度。例如，分数高度单元(例如，单元320)可以具有大约是单高度单元(例如，单元310)的高度的1.5倍的高度。在一个实施例中，使用分数高度单元可以允许使用在某些情况下可能以其他方式用于填充区域的半导体晶片的区域。例如，示例性布局200中描绘的填充区域220可以至少部分地由分数高度单元320的有源区域替换。在一个实施例中，分数高度单元(例如，单元320)可以包括可以形成单元库的部分的功能单元。此外，如所讨论的，分数高度单元可用于在单高度单元(例如，单高度单元310)和双高度单元(例如，双高度单元330)之间转换。

在一个实施例中，通过用分数高度单元替换单高度单元和填充区域，可以产生增加数量的可用鳍。例如，通过将填充区域鳍转换为有源鳍和/或利用位于电源轨下方的鳍，与单高度单元中特定扩散类型的鳍数相比，高度约为单高度单元的1.5倍的分数高度单元可以是特定扩散类型的鳍数的两倍或更多。在一个实施例中，1.0高度的单元可以包括诸如2个n型鳍和2个p型鳍。此外，例如，在一个实施例中，1.5高度的单元可以包括2个p型鳍，并且可以包括6个n型鳍。在另一实施例中，例如，1.5高度的单元可以包括2个n型鳍，并且可以包括6个p型鳍。更一般地，在一个实施例中，分数高度单元可以具有单高度单元的非整数倍的高度，其中分数高度单元的高度大于单高度单元。此外，在一个实施例中，可以实现各种比率的p型到n型鳍。在一个实施例中，特定单元(例如，转换单元320)的可用鳍的数量的增加可以导致该特定单元的驱动强度增加，可能导致电路性能的增加，如下面更全面地讨论的。

例如，除了通过用分数高度转换单元替换单高度单元和填充区域来提供驱动强度的增加(例如，由于可用鳍的数量增加)，实施例还可以提供用于半导体器件的每单位面积的器件密度更大的优点。在一个实施例中，每单位面积更大的器件密度可以产生各种潜在的优点，包括诸如降低成本、改善电路性能、降低功耗等。

图4是描绘用于半导体器件的至少一部分的示例性布局400的图示。例如，半导体器件布局400包括多个单高度单元(例如，单元410和/或单元411)、以及示例性2.5高度单元425和示例性1.5高度转换单元415。此外，类似于上述示例性布局200和/或300，单个单元(例如，单元410、411、415和/或425)诸如可以包括多个第一扩散类型的鳍和另一多个第二扩散类型的鳍，如示例性布局400所示。在一个实施例中，2.5高度单元(例如，单元425)直接邻接(例如，不使用转换单元)单高度单元(例如，单高度单元410)。在一个实施例中，为了邻接另一个特定单高度单元(例如，单高度单元411)，可以使用转换单元(例如，1.5高度单元415)。

在一个实施例中，例如，2.5高度单元可以包括n型和p型扩散的有源鳍。此外，在一个实施例中，用于2.5高度单元的n型和p型鳍中的一些可以形成为位于电源电压电极和/或公共源电极下方。另外，在一个实施例中，例如，与双高度单元相比，2.5高度单元可以包括额外的鳍，这至少部分地是由于填充单元引脚被转换为有源鳍，并且至少部分地由于利用转换区域中的鳍，否则这些鳍将被闲置。在一个实施例中，利用位于电源电压和/或公共源电极下的鳍和/或利用转换区域中的鳍可以允许增加有源鳍的数量，并且因此提高半导体晶片面积的利用率。

图5是示出示例性finFET半导体器件布局的实施例500的图示，其包括标准高度单元(例如，单元510)和双高度单元(例如，单元520)。如示例性布局500中所示，标准高度单元(例如，单元510)和/或双高度单元(例如，单元520)可以包括多个p型鳍(例如，鳍580)和多个n型鳍(例如，鳍570)。还如示例性布局500中所描绘的，各种单元(例如，标准高度单元510和/或双高度单元520)可以包括多个指状物(例如，指状物560)，其在与鳍570和/或580基本正交的方向上对齐。示例性布局500还示出了包括电压供应电极501和/或502的金属层的元件。在一个实施例中，电压供应电极501可以包括公共源(VSS)电极，并且电压供应电极502可以包括诸如电源电压(VDD)电极。在示例性布局500中还描绘了层间互连505。出于本讨论的目的，电路输入端子A和/或B以及相关联的金属层电极和/或层间互连505仅仅是实例，并且要求保护的主题在范围上不限于输入电极和/或层间互连器的任何特定布置、配置和/或数量。此外，例如，要求保护的主题在范围上不限于电路配置的任何其他特定方面，例如关于单元510和/或520。例如，本文描述的技术可以应用于宽范围的单元和/或电路类型和/或配置中的任何一种。

如示例性布局500中所示，在一些实例中，单高度单元(例如，单元510)和/或双高度单元(例如，单元520)的组合可以与填充单元(例如，单元531和/或535)一起实现。例如，填充单元531和/或535可以包括诸如未使用的鳍，例如鳍540，并且还可以包括诸如半填充单元区域530。如上所述，填充区域内的鳍(例如，区域530和/或540内的鳍)在某些情况下可能未被使用，例如示例性布局500。此外，单高度单元的电源电压电极下方的鳍(例如，单高度单元510的VSS电极501下方的鳍和/或VDD电极502下方的鳍)在示例性布局500中可以不使用。

对于示例性布局500，单高度单元(例如，单元510)可以包括2个n型鳍(例如，n型鳍570)和2个p型鳍(例如，p型鳍580)。此外，对于示例性布局500，双高度单元(例如，双高度单元520)可以包括6个n型鳍(例如，n型鳍570)和6个p型鳍(例如，p型鳍580)。对于单元510和/或520中的每一个，p型鳍与n型鳍的比率(例如，“β”比率P/N)可以包括1：1的比率。当然，布局500仅仅是实例，并且要求保护的主题不受这些方面的范围的限制。

如上所述，双高度单元(例如，双高度单元520)可以被称为“具有NWELL偏移的双高度单元”。在一个实施例中，p型鳍(例如，鳍580)可以在衬底内的NWELL结构上方形成。在一个实施例中，包括NWELL区域的双高度单元(例如，单元520)可以至少部分地由嵌入式电源轨(例如，电源轨501和502)来表征。例如，如图5所示，对于双高度单元520，可以***电源轨501和/或502，以便与逻辑块内的其他单元的相应电源轨对准。

图6是描绘包括示例性分数高度转换单元(例如，单元610)的示例性finFET布局的实施例500的图示。在一个实施例中，布局600可以与上面讨论的示例性布局500共享一些相似性。例如，双高度单元(例如，单元520)可以包括多个p型鳍(例如，鳍580)和多个n型鳍(例如，鳍570)。此外，示例性布局500可以包括多个指状物(例如，指状物560)，其在与鳍570和/或580基本正交的方向上对齐。示例性布局600还示出了包括电压供应电极501和/或502的金属层的部分。示例性布局600还描绘了层间互连器505。如上所述，电路输入端子A和/或B以及相关联的金属层电极和/或层间互连505仅仅是实例，并且要求保护的主题在范围上不限于输入电极和/或层间互连器的任何特定布置、配置和/或数量。此外，例如，要求保护的主题在范围上不限于电路配置的任何其他特定方面，例如关于单元610和/或520。

在一个实施例中，示例性布局600可以包括分数高度转换单元(例如，单元610)和/或双高度单元(例如，单元520)的组合。示例性布局600还描绘了来自半标准单元高度填充区域530和来自电源电压电极502下方的鳍被合并到分数高度转换单元(例如，单元610)中。对于示例性布局500，分数高度转换单元(例如，单元610)可以包括2个n型鳍(例如，n型鳍570)和6个p型鳍(例如，p型鳍580)。此外，对于示例性布局600，如上面讨论的实例500，双高度单元(例如，双高度单元520)可以包括6个n型鳍(例如，n型鳍570)和6个p型鳍(例如，p型鳍580)。对于单元520，p型鳍与n型鳍的β比率的值可能为1.0。对于分数高度转换单元610，至少部分地由于来自电源电压电极502下方的区域620中的鳍和区域630中的鳍的贡献，用于分数高度转换单元610的p型鳍与n型鳍的β比率的值大约为3.0(例如，6个p型鳍和2个n型鳍)。当然，布局600仅仅是实例，并且要求保护的主题不受这些方面的范围的限制。

如通过查看图5的示例性布局500和图6的示例性布局600可以看出，实现分数高度转换单元(例如，单元610)，而不是实现单高度单元和相应填充区域，可以将更多数量的鳍合并和/或用于类似的半导体晶片区域。例如，类似区域内的更多数量的鳍导致器件密度的增加。在一个实施例中，更大的器件密度可以产生各种潜在的优点，包括诸如降低成本、改善电路性能、降低功耗等。

图7是描绘用于示例性单元库的示例性单高度NAND单元布局的实施例700的图示。在一个实施例中，示例性布局700可以包括多个p型扩散鳍(例如，p型鳍755)和/或多个n型扩散鳍(例如，n型鳍750)。此外，在一个实施例中，示例性单高度NAND单元布局700可以包括多个指状物(例如，指状物760)，其在与鳍755和/或750基本正交的方向上对齐。示例性单高度NAND单元布局700还可以包括金属层，该金属层包括输入端子A、B和C，以及VSS电极701和VDD电极702。

在一个实施例中，示例性单高度NAND单元布局700可以包括2个n型鳍(例如，n型鳍750)，和/或可以包括2个p型鳍(例如，鳍755)，其β比例为1：1。此外，在一个实施例中，具有多晶半偏移结构的示例性单高度NAND单元布局(例如，布局700)可以表现出接触多晶间距的值为5。例如，就根据特定单元的特定单元库的特定间距大小排列的多个多晶硅指状物而言，“接触多晶间距”(CPP)可以用于描述单元(例如，单元510)的宽度。对于示例性布局700，CPP是5，具有2个n型鳍750和2个p型鳍755。

图8是描绘用于示例性单元库的示例性分数高度NAND单元布局的实施例800的图示。在一个实施例中，示例性布局800可以包括多个p型扩散鳍(例如，p型鳍855)和/或多个n型扩散鳍(例如，n型鳍850)。此外，在一个实施例中，示例性分数高度NAND单元布局800可以包括多个指状物(例如，指状物860)，其在与鳍855和/或850基本正交的方向上对齐。类似于上面讨论的示例性布局600，示例性分数高度NAND单元布局800可以包括金属层，该金属层包括输入端子A、B和C、以及VSS电极801和VDD电极802。

在一个实施例中，示例性分数高度NAND单元布局800可以包括6个n型鳍(例如，n型鳍850)，和/或可以包括2个p型鳍(例如，鳍855)，其β比率为0.33。此外，在一个实施例中，示例性分数高度NAND单元布局800可以表现出单元面积值为7.5CPP(5CPP乘以1.5高度)。相比之下，为了创建具有6个n型鳍的单高度单元，将有源晶体管(例如，A、B和C多晶)折叠(例如，将额外的多晶指状物添加到加宽的单元中)3次，从而产生单位面积值为11CPP(例如，用于有源晶体管的3个指状物折叠3次加上两侧的2个伪多晶指状物)。显然，在一个实施例中，对于示例性分数高度NAND单元布局800的7.5CPP面积值是比对于示例性单高度NAND单元布局600的11CPP面积值更小的面积，并且对于分数高度单元其器件密度将更大。

例如，可以通过利用分数高度转换单元(例如，示例性单元610和/或800)实现的另一个潜在优点可以包括在广泛使用的单元中加速相对慢的堆叠晶体管，前述单元包括但不限于NAND2、NAND3、NAND4、NOR2、NOR3、NOR4、AOI31、AOI211、OAl31、OAI211等。例如，不是利用具有相同数量的n型鳍和/或p型鳍的单高度单元，实施例可以包括包含更多数量的n型鳍和/或p型鳍的分数高度单元。此外，与诸如具有相同数量的n型鳍和/或p型鳍的标准高度单元相比，更大数量的鳍可以导致更大的驱动强度和/或更快的电路操作。

虽然本文讨论的实施例可以描述具有特定数量的n型鳍和/或p型鳍的示例性单元，但是其他实施例可以使用不同数量的n型鳍和/或p型鳍。类似地，要求保护的主题不限于本文所讨论的关于各种示例性单元类型、配置、高度、间距等的特定实例的范围。例如，尽管已经结合本文的实施例描述了单高度单元、1.5高度单元、和/或双高度单元，但是例如，其他实施例可以包括其他单元高度，例如2.5。例如，在一个实施例中，可以通过β比率为1.67(包括10个p型鳍和6个n型鳍)来表征高度为标准单元的高度的2.5倍的分数高度转换单元的β比率。当然，要求保护的主题不受这些方面的范围的限制。

图9描绘了用于在半导体晶片上形成分数高度finFET单元的示例性工艺的实施例800的图示。根据要求保护的主题的实施例可以包括所有框910-960、少于框910-960、和/或多于框910-960。此外，框910-960的顺序仅是示例性顺序，并且主题不受这些方面的范围的限制。

在一个实施例中，如在框910处所示，可以至少部分地根据特定半导体器件布局从存储在计算设备的存储器中的单元库中读取用于第一高度的第一finFET单元类型的规范。此外，在一个实施例中，如在框920处所示，可以根据特定半导体器件布局在半导体晶片上形成第一高度的第一finFET单元类型的至少一个单元。另外，如在框930和940处所示，可以从单元库读取第二高度的第二finFET单元类型的规范，并且例如，可以根据特定半导体器件布局在半导体晶片上形成第二高度的第二finFET单元类型的至少一个单元。

此外，在一个实施例中，如在框950处所示，可以从单元库读取用于第三高度的第三finFET单元类型的规范。还如在框960处所示，根据特定半导体器件布局，在半导体晶片上形成第三高度的第三finFET单元类型的至少一个单元，其中，在一个实施例中，第三高度是第一高度的非整数倍，并且其中，第三高度大于第一高度。

在一个实施例中，形成第三高度的第三finFET单元类型的至少一个单元可以包括在第一高度的第一finFET单元类型的至少一个单元与第二高度的第二finFET单元类型的至少一个单元之间提供转换。在一个实施例中，第一高度可以包括由单元库指定的标准单元高度，以及第二高度可以包括诸如双单元高度。此外，在一个实施例中，第三单元高度可以包括诸如标准单元高度的约1.5倍的转换单元高度。

在一个实施例中，形成第三高度的第三FinFET单元类型的至少一个单元可以包括形成沿第一方向排列的第一扩散类型的第一多个鳍和沿第一方向排列的第二扩散类型的第二多个鳍。此外，在一个实施例中，例如，第一扩散类型的第一多个鳍的数量可以大于第二扩散类型的第二多个鳍的数量。此外，形成第一扩散类型的第一多个鳍可以包括形成位于电源电压电极下方的第一扩散类型的第一多个鳍中的一个或多个。当然，要求保护的主题不受这些方面的范围的限制。

在本专利申请的环境中，术语“连接”、术语“组件”和/或类似术语旨在是物理的，但不一定总是有形的。因此，这些术语是否涉及有形主题可能在特定的使用环境中有所不同。作为示例，可以形成有形连接和/或有形连接路径，例如通过有形电连接，例如包括金属或其他导体的导电路径，其能够在两个有形组件之间传导电流。同样地，有形连接路径可以至少部分地受到影响和/或控制，使得通常有形连接路径可以是打开或关闭的，有时是由一个或多个外部导出的信号(例如，外部电流和/或电压)的影响导致的，例如电气开关。电气开关的非限制性说明包括晶体管、二极管等。然而，在特定的使用环境中，“连接”和/或“组件”同样虽然是物理的，但也可以是无形的，例如客户端和服务器之间通过网络的连接，其通常是指客户端和服务器发送、接收和/或交换通信的能力，如下面更详细地讨论的。

因此，在特定的使用环境中，例如正在讨论有形组件的特定环境中，术语“耦合”和“连接”以使得术语不是同义的方式而使用。类似术语也可以以其中表现出类似意图的方式而使用。因此，例如，“连接”用于指示两个或更多个有形组件和/或类似物有形地直接物理接触。因此，使用先前实例，电连接的两个有形组件通过有形电连接物理连接，如前所述。然而，“耦合”用于表示潜在的两个或更多个有形组件有形地直接物理接触。尽管如此，例如，也用于表示两个或更多个有形组件和/或类似物不一定有形地直接物理接触，而是能够合作、联络和/或交互，例如通过“光耦合”。同样，术语“耦合”也应理解为间接连接。在本专利申请的环境中进一步指出，由于存储器(例如，存储器组件和/或存储器状态)旨在是非暂时性的，因此术语物理，至少如果与存储器相关地使用，必然意味着继续该实例的这种存储器组件和/或存储器状态是有形的。

在本专利申请中，在特定的使用环境中，例如上面讨论了有形组件(和/或类似地，有形材料)的情况，在“在......上”和“在......上方”之间存在区别。作为一个实例，在后一实例中，在衬底上沉积物质是指涉及在沉积的物质与衬底之间没有中间体(例如，中间物质)的直接物理和有形接触的沉积；然而，沉积在衬底“上方”，同时理解为潜在地包括沉积在衬底“上”(因为“在......上”也可以准确地描述为“在......上方”)，应理解为包括其中一个或多个中间体的情况。例如，一种或多种中间物质存在于沉积的物质与衬底之间，使得沉积的物质不一定与衬底直接物理和有形接触。

在适当的特定使用环境中，在“在......下方”和“在......之下”之间进行类似的区分，例如在其中讨论有形材料和/或有形组件。而在这种特定的使用环境中，“在......下方”旨在必然意味着物理和有形接触(类似于上面描述的“在......上”)，“在......之下”可能包括其中存在直接的物理和有形接触的情况，但不一定意味着直接的物理和有形接触，例如，如果存在一种或多种中间体(例如，一种或多种中间物质)。因此，“在......上”应理解为“直接在......上方”，以及“在......下方”应理解为“直接在......之下”。

同样应理解，如本文中使用的诸如“在......上方”和“在......之下”的术语以与前面提到的术语“向上”、“向下”、“顶部”、“底部”等类似的方式理解。这些术语可用于促进讨论，但不旨在必然限制要求保护的主题的范围。例如，作为一个实例，术语“在......上方”并不意味着要求保护范围仅限于其中实施例正面向上的情况，例如与诸如倒置的实施例相比。作为一个示例，实例包括衬垫实施例，其中，例如，在不同时间(例如，在制造或应用期间)处的取向可能不一定对应于最终产品的取向。因此，作为一个实例，如果对象在特定方向(例如，倒置)的适用的要求保护的范围内，作为一个实例，同样地，后者也被解释为包括在另一方向(例如，正面向上)的适用的要求保护的范围内，再次作为一个实例，反之亦然，即使适用的字面要求保护语言有可能被解释为其他方面。当然，同样如同关于专利申请说明书的情况一样，描述和/或使用的特定环境提供了关于要得出合理推断的有用指导。

还应注意，如本文所使用的术语“类型”和/或“类似物”，例如其中特征、结构、特性和/或类似物意指至少部分地和/或以存在微小变化(甚至可能以其他方式不被认为与特征、结构、特性和/或类似物完全一致的变化)的这种方式涉及特征、结构、特性和/或类似物，通常不会阻止特征、结构、特性和/或类似物成为“类型”和/或成为“类似物”，如果微小变化足够小以使特征、结构、特性和/或类似物将仍然被认为基本上存在有同样存在的这种变化。应当注意，本专利申请的说明书仅提供一个或多个示例性实例，并且要求保护的主题不旨在限于一个或多个示例性实例；然而，再次，如同关于专利申请的说明书的一如既往的情况，描述和/或使用的特定环境提供了关于要得出合理推断的有用指导。

除非另有说明，否则在本专利申请的环境中，术语“或”如果用于关联列表，例如，A、B或C旨在表示A、B和C，这里使用的是包含性意义，以及A、B或C，这里使用的是独占性意义。根据这种理解，“和”用于包含性意义并且旨在表示A、B和C；而“和/或”可以充分谨慎地使用，以表明所有上述含义是有意的，尽管不需要这样的用法。此外，术语“一个或多个”和/或类似术语用于以单数形式描述任何特征、结构、特性和/或类似物，“和/或”也用于描述多个和/或特征、结构、特性和/或类似物的一些其他组合。同样地，术语“基于”和/或类似术语被理解为不一定旨在传达穷举的因素列表，而是允许存在未必明确描述的其他因素。

此外，对于涉及要求保护的主题的实施方式并且受到关于程度的测试、测量和/或规范的约束的情况，旨在以下面的方式理解。作为一个实例，在给定情况下，假设要测量物理特性的值。如果对于普通技术人员而言，合理地可能发生关于程度的测试、测量和/或规范的可选合理方法，至少就属性而言，则继续该实例，至少出于实现目的，除非另有明确说明，否则要求保护的主题旨在涵盖那些可选的合理方法。作为一个实例，如果产生一个区域上的测量图并且要求保护的主题的实施方式涉及采用该区域上的斜率的测量，但是存在用于估计该区域上的斜率的各种合理和可选技术，除非另有明确说明，否则要求保护的主题旨在涵盖那些合理的可选技术。

在所要求保护的范围内，主题涉及一个或多个特定测量，例如关于能够物理测量的物理表现，例如但不限于，温度、压力、电压、电流、电磁辐射等，相信要求保护的主题并不符合法定主题的抽象概念司法例外。相反，有人断言，物理测量不是心理步骤，并且同样地，也不是抽象概念。

然而，应该注意，所采用的典型测量模型是一个或多个测量可以分别包括至少两个分量的总和。因此，对于给定的测量，例如，一个分量可以包括确定性分量，其在理想意义上可以包括通常以信号、信号样本和/或状态中的一个或多个形式的物理值(例如，通过一个或多个测量来寻找)，并且一个分量可以包括随机分量，其可以具有可能难以量化的各种源。有时，例如，缺乏测量精度可能会影响给定的测量。因此，对于要求保护的主题，除了确定性模型之外，还可以使用统计或随机模型作为关于可能涉及要求保护的主题的一个或多个测量值的识别和/或预测的方法。

在前面的描述中，已经描述了要求保护的主题的各个方面。出于解释的目的，阐述了诸如量、系统和/或配置的细节作为实例。在其他情况下，省略和/或简化了众所周知的特征，以免模糊要求保护的主题。虽然本文已说明和/或描述了某些特征，但本领域技术人员现在将想到许多修改、替换、改变和/或等同物。因此，应该理解，所附权利要求旨在覆盖如落入要求保护的主题内的所有修改和/或改变。