阅读说明：本技术 用于制造hit太阳能电池的cvd设备、成套cvd设备及镀膜方法 (CVD equipment for manufacturing HIT solar cell, complete set of CVD equipment and film coating method ) 是由 汪训忠 其他发明人请求不公开姓名 于 2019-09-27 设计创作，主要内容包括：本发明提供用于制造HIT太阳能电池的CVD设备、成套CVD设备及镀膜方法。所述CVD设备包括：加载腔,其配置成接收来自上料位的承载有硅片的托盘；多个CVD工艺腔,其配置成接收承载有硅片的托盘,并各自通过本征和掺杂CVD工艺依次在硅片的一面上沉积I/N型或I/P型非晶硅薄膜；卸载腔,其配置成接收承载有已完成所述本征和掺杂CVD工艺的硅片的托盘并将其传送至下料位,以从托盘下料硅片；以及传输腔,其与加载腔、多个CVD工艺腔和卸载腔连接且配置成接收来自加载腔或任一CVD工艺腔的承载有硅片的托盘,并将其对应传送至任一可用的CVD工艺腔或卸载腔。本发明能同腔沉积I/N型或I/P型非晶硅薄膜,并能有效提高设备集成度、降低自动化难度、缩小占地面积、提高设备产能。(The invention provides a CVD device, a CVD device set and a film coating method for manufacturing an HIT solar cell. The CVD apparatus includes: a loading chamber configured to receive a tray carrying silicon wafers from a loading position; a plurality of CVD process chambers configured to receive a tray carrying a silicon wafer and to sequentially deposit an I/N type or I/P type amorphous silicon thin film on one side of the silicon wafer by respective intrinsic and impurity-doped CVD processes; an unloading chamber configured to receive a tray carrying silicon wafers having completed the native and doping CVD processes and convey them to a discharge position to discharge the silicon wafers from the tray; and the transfer cavity is connected with the loading cavity, the plurality of CVD process cavities and the unloading cavity and is configured to receive the tray carrying the silicon wafers from the loading cavity or any CVD process cavity and correspondingly transfer the tray to any available CVD process cavity or any unloading cavity. The invention can deposit I/N type or I/P type amorphous silicon film in the same cavity, and can effectively improve the integration level of equipment, reduce the automation difficulty, reduce the occupied area and improve the productivity of the equipment.)

用于制造HIT太阳能电池的CVD设备、成套CVD设备及镀膜方法

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造领域，特别涉及用于制造异质结太阳能电池的CVD设备、成套CVD设备及镀膜方法。

背景技术

薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称HIT或HJT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，它结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到26％以上，具有广阔的市场前景。

生产HIT太阳能电池的核心工艺是双面I型非晶硅薄膜钝化及N、P掺杂技术，当前主要通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称PECVD)镀膜设备来实现，其也可通过热丝化学气相沉积(Hot Wire CVD；简称HWCVD)(又称触媒化学气相沉积(Catalytic CVD；简称CAT-CVD))镀膜设备实现。

现有的能用于大规模量产HIT太阳能电池的设备都是给双面I及N、P共4层非晶硅膜各配备一个成膜工艺腔，并且对应四个CVD工艺腔通常沿直线或U形排列，导致设备集成度不高、自动化复杂、成本高、占地面积大、相对产能低、性价比较低。另外，现有的PECVD设备在开始PECVD镀膜工艺前需将对应硅片加热到100-300℃的范围内，然后才能进行PECVD镀膜工艺，现有技术中进入PECVD腔的硅片通常是常温的，若在PECVD工艺腔内对硅片进行预热，势必会延长硅片在工艺腔中的时间，从而会使得PECVD设备的产能较低并使得PECVD工艺腔成为整个设备的产能瓶颈。

因此，如何提供一种能提高设备集成度及产能的CVD设备及镀膜技术已成为业内亟待解决的技术问题。

针对现有技术的上述问题，本发明提出了一种用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的第1技术方案。在第1技术方案中，所述CVD设备包括：加载腔，其配置成接收来自上料位的承载有硅片的托盘；多个CVD工艺腔，其配置成接收承载有所述硅片的所述托盘，并各自通过本征CVD工艺和掺杂CVD工艺依次在所述硅片的一面上沉积I/N型或I/P型非晶硅薄膜；卸载腔，其配置成接收承载有已完成所述本征CVD工艺和掺杂CVD工艺的所述硅片的所述托盘，并将其传送至下料位以从所述托盘下料硅片；以及传输腔，其与所述加载腔、所述多个CVD工艺腔和所述卸载腔连接且配置成接收来自所述加载腔或多个CVD工艺腔中的任一CVD工艺腔的承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至多个CVD工艺腔中的任一可用的CVD工艺腔或所述卸载腔。

本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第2技术方案，其中，所述CVD设备包括PECVD设备和HWCVD设备。

本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第3技术方案，其中，所述加载腔中还设置有预热模块，所述预热模块配置成在所述硅片进入所述多个CVD工艺腔中任一可用的工艺腔之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内。

本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第4技术方案，其中，所述多个CVD工艺腔还具有能对腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗的清洗功能。

本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第5技术方案，其中，所述多个CVD工艺腔均配置成：将所述硅片加热至预设成膜温度，提供进行所述本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述硅片的一面上沉积I型非晶硅薄膜；提供进行所述掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述I型非晶硅薄膜上沉积所述N型或P型非晶硅薄膜并形成I/N型或I/P型非晶硅薄膜。

本发明还提供根据第5技术方案所述的CVD设备的第6技术方案，其中，所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述本征CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷或乙硼烷或三甲基硼。

本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第7技术方案，其中，所述CVD设备包括单层设备单元和多层设备单元，所述单层设备单元包括位于同一水平层中的所述加载腔、所述传输腔、所述多个CVD工艺腔和所述卸载腔；所述多层设备单元包括沿竖直方向对应层叠的多个单层设备单元，所述多层设备单元包括多层加载腔、多层传输腔、多层多个CVD工艺腔和多层卸载腔，所述多层加载腔、多层传输腔、多层多个CVD工艺腔和多层卸载腔分别对应一体构造成加载腔竖列、传输腔竖列、多个CVD工艺腔竖列和卸载腔竖列。

本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第8技术方案，其中，所述CVD设备还包括配置成将空托盘从所述下料位传送到所述上料位的托盘回传装置，其中，在所述上料位处将所述硅片放置到所述托盘中，在所述下料位处将所述硅片从所述托盘中取出以获得所述空托盘。

本发明还提供针对用于制造异质结太阳能电池的成套CVD设备的第9技术方案，其中，所述成套CVD设备用于在硅片的第一面和第二面上分别沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的第一种非晶硅薄膜和不同于第一种非晶硅薄膜的第二种非晶硅薄膜；所述成套CVD设备包括：第一CVD设备，其为如上任一技术方案所述的CVD设备，所述第一CVD设备包括第一加载腔、第一传输腔、多个第一CVD工艺腔和第一卸载腔，每个第一CVD工艺腔均配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一本征CVD工艺和N型或P型掺杂CVD工艺依次在所述硅片的所述第一面上沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的所述第一种非晶硅薄膜；硅片翻面装置，其配置成接收来自所述第一CVD设备的第一卸载腔且其第一面已完成沉积并经下料的所述硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面完成对调；以及第二CVD设备，其为如上任一技术方案所述的CVD设备，所述第二CVD设备配置成接收承载有经所述硅片翻面装置翻面后的所述硅片的所述托盘，所述第二CVD设备包括第二加载腔、第二传输腔、多个第二CVD工艺腔和第二卸载腔，每个第二CVD工艺腔均配置成接收承载有经翻面后的所述硅片的所述托盘，并通过第二本征CVD工艺和P型或N型掺杂CVD工艺依次在所述硅片的第二面上沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的第二种非晶硅薄膜。

本发明还提供根据第9技术方案所述的成套CVD设备的第10技术方案，其中，所述CVD设备包括PECVD设备和HWCVD设备。

本发明还提供根据第9技术方案所述的成套CVD设备的第11技术方案，其中，所述第一加载腔和第二加载腔各自都设置有预热模块，所述预热模块配置成在所述硅片进入任一可用的第一CVD工艺腔或第二CVD工艺腔之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内。

本发明还提供根据第9技术方案所述的成套CVD设备的第12技术方案，其中，所述第一CVD工艺腔和所述第二CVD工艺腔还具有能对腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗的清洗功能。

本发明还提供根据第9技术方案所述的成套CVD设备的第13技术方案，其中，沉积I/N型非晶硅薄膜的所述第一CVD工艺腔或第二CVD工艺腔均配置成：将所述硅片加热至预设成膜温度，提供进行第一或第二本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述硅片的第一面上沉积I型非晶硅薄膜；提供进行N型掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积N型非晶硅薄膜并形成所述I/N型非晶硅薄膜；其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第一或第二本征CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述N型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷。

本发明还提供根据第9技术方案所述的成套CVD设备的第14技术方案，其中，沉积I/P型非晶硅薄膜的所述第一CVD工艺腔或所述第二CVD工艺腔配置成：将所述硅片加热至所述预设成膜温度，提供进行第一或第二本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积I型非晶硅薄膜；提供进行P型掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积P型非晶硅薄膜并形成所述I/P型非晶硅薄膜；其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第一或第二本征CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述P型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼。

本发明还提供根据第9技术方案所述的成套CVD设备的第15技术方案，其中，沉积I/P型非晶硅薄膜的所述第一CVD工艺腔或所述第二CVD工艺腔还配置成进行能消除硼污染的硼清除装置。

本发明还提供针对用于制造异质结太阳能电池的成套CVD设备的镀膜方法的第16技术方案，其中，所述成套CVD设备包括第一CVD设备、硅片翻面装置和第二CVD设备，所述方法包括以下步骤：(a).由所述第一CVD设备的第一加载腔接收来自第一上料位的承载有硅片的托盘；(b).由所述第一CVD设备的第一传输腔接收来自所述第一加载腔且承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至多个第一CVD工艺腔中的任一可用的第一CVD工艺腔；(c).由所述第一CVD工艺腔通过第一本征CVD工艺和N型或P型掺杂CVD工艺，依次在所述硅片的第一面上沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的第一种非晶硅薄膜，并将承载有其第一面完成沉积的所述硅片的所述托盘对应传送至所述第一传输腔；(d).由所述第一传输腔接收来自所述第一CVD工艺腔的承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至所述第一CVD设备的第一卸载腔；(e).由所述第一卸载腔接收来自所述第一传输腔且承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘传送至所述第一CVD设备的第一下料位，以从所述托盘下料硅片；(f).由硅片翻面装置接收来自所述第一CVD设备的第一下料位的经下料的硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面完成对调，还将经翻面后的所述硅片传送至所述第二CVD设备的第二上料位，以上料至托盘；(g).由所述第二CVD设备的第二加载腔接收来自所述第二上料位且承载有经翻面后的所述硅片的所述托盘；(h).由所述第二CVD设备的第二传输腔接收来自所述第二加载腔的承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至多个第二CVD工艺腔中的任一可用的第二CVD工艺腔；(i).由所述第二CVD工艺腔通过第二本征CVD工艺和P型或N型掺杂CVD工艺，依次在所述硅片的第二面上沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的第二种非晶硅薄膜，并将承载有完成沉积的所述硅片的所述托盘对应传送至所述第二传输腔，所述第二种非晶硅薄膜与所述第一种非晶硅薄膜不同；(j).由所述第二传输腔接收来自所述第二CVD工艺腔的承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘传送至所述第二CVD设备的第二卸载腔；以及(k).由所述第二卸载腔接收来自所述第二传输腔且承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘传送至下料位，以从所述托盘下料硅片。

本发明还提供根据第16技术方案所述的镀膜方法的第17技术方案，其中，所述步骤(c)包括以下步骤：(c1).由所述第一CVD工艺腔将所述硅片加热至预设成膜温度；(c2).由所述第一CVD工艺腔提供进行所述第一本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述硅片的所述第一面上沉积I型非晶硅薄膜；以及(c3).由所述第一CVD工艺腔提供进行所述N型或P型掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积选自所述N型和P型非晶硅薄膜中的所述第一种非晶硅薄膜；其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，所述步骤(c2)中进行所述第一本征CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，所述步骤(c3)中进行N型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷，进行所述P型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼。

本发明还提供根据第16技术方案所述的镀膜方法的第18技术方案，其中，所述步骤(i)包括以下步骤：(i1).由所述第二CVD工艺腔将所述硅片加热至所述预设成膜温度；(i2).由所述第二CVD工艺腔提供进行所述第二本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述硅片的所述第二面上沉积I型非晶硅薄膜；以及(i3).由所述第二CVD工艺腔提供进行所述P型掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积选自所述N型和P型非晶硅薄膜中的所述第二种非晶硅薄膜；其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，所述步骤(i2)中进行所述第二本征CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，所述步骤(i3)中进行所述N型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷，进行所述P型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼。

本发明还提供根据第16技术方案所述的镀膜方法的第19技术方案，其中，所述方法在步骤(a)之前还进行以下步骤：(a0).在所述第一CVD设备的第一上料位将硅片放置到托盘中。

本发明还提供根据第16技术方案所述的镀膜方法的第20技术方案，其中，所述方法在步骤(g)之前还进行以下步骤：(g0).在所述第二CVD设备的第二上料位将经翻面后的硅片放置到托盘中。

本发明还提供根据第16技术方案所述的镀膜方法的第21技术方案，其中，所述方法在步骤(e)和(f)还包括：(e1).在所述第一CVD设备的第一下料位处接收来自所述第一卸载腔的承载有所述硅片的所述托盘，并将硅片从托盘中取出以获得空托盘；(e2).由所述第一CVD设备的第一托盘回传装置将所述空托盘从所述第一下料位回传到所述第一上料位。

本发明还提供根据第16技术方案所述的镀膜方法的第22技术方案，其中，所述方法在步骤(k)之后还包括：(k1).在所述第二CVD设备的第二下料位处接收来自所述第二卸载腔的承载有所述硅片的所述托盘，并将硅片从托盘中取出以获得空托盘；(k2).由所述第二CVD设备的第二托盘回传装置将所述空托盘从所述第二下料位回传到所述第二上料位。

本发明与现有技术相比具有以下有益效果：本发明的CVD设备及镀膜方法通过第一CVD工艺腔和第二CVD工艺腔先后在硅片的第一面和第二面沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的不同的第一种和第二种非晶硅薄膜,如此可避免分别配备用于沉积I/N/I/P型非晶硅薄膜的4个CVD工艺腔，另外各个多层腔竖向层叠且一体构造成各腔室竖列，从而有效提高设备的集成度、缩小占地面积、减少自动化设备、减少硅片传输环节，大幅提高产能和良率，提高设备竞争力，沉积I/P型非晶硅薄膜的所述第一CVD工艺腔或第二CVD工艺腔通过进行硼清除工艺能有效防止硼带来的交叉污染；本发明的CVD设备还可通过其加载腔对硅片进行预热，可避免在第一CVD工艺腔和第二CVD工艺腔中过长时间的预热，从而有效缩短硅片在其中停留的时间，可有效提高CVD设备的效率及产能。

附图说明

在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。

图1为本发明的用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的实施例的组成结构示意图；

图2为本发明的用于制造异质结太阳能电池的成套CVD设备的实施例的组成结构示意图；

图3为本发明的用于制造异质结太阳能电池的成套CVD设备的镀膜方法的第一实施例的流程图；

图4为本发明的用于制造异质结太阳能电池的成套CVD设备的镀膜方法的第二实施例的流程图。

具体实施方案

以下结合附图和

具体实施方式

对本发明作详细描述，以便更清楚理解本发明的目的、特点和优点。应理解的是，以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的，而不应被理解为对本发明的保护范围进行任何限制。除非上下文明确地另外指明，否则单数形式“一”和“所述”包括复数指代物。本说明书以及权利要求书中所使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。

本说明书以及权利要求书中所使用的“I/P型非晶硅薄膜”、“I/N型非晶硅薄膜”并不表示“I型或P型非晶硅薄膜”、“I型或N型非晶硅薄膜”，而是表示“I型和P型非晶硅薄膜”、“I型和N型非晶硅薄膜”。

参见图1，其显示了本发明的用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的实施例的组成结构示意图，所述CVD设备1包括上料位10、加载腔11、传输腔12、多个CVD工艺腔14、卸载腔16、下料位17，所述传输腔12位于所述CVD设备1的中部区域，加载腔11、多个CVD工艺腔14和卸载腔16均与传输腔12连接并围绕传输腔12布置，加载腔11、多个CVD工艺腔14和卸载腔16的相对位置可根据需求而改变。所述CVD设备1可为PECVD设备和HWCVD设备等。

所述CVD设备1还包括用于将硅片传送到各腔室或在腔室之间传送的传送装置(大部分设置在传输腔12中)、用于将硅片在上料位10处从花篮放置到托盘的对应托槽中的上料装置以及用于将硅片在下料位17处从托盘中取出传送到花篮的下料装置，具体可包括本领域现今通常使用或将来开发出的各种传送装置、上料装置和下料装置，为简化图示及说明，本说明书中就不再对硅片的各种传送装置或机构进行详述。在本发明中，传输腔12作为所述CVD设备1的承载有硅片的托盘的传送枢纽，需与其他腔室进行频繁互动即频繁地将所述托盘传进传出传输腔12，因此传输腔12中可设置比其他腔室更多的传送装置。

所述CVD设备1可包括单层设备单元和多层设备单元，图1中示例性地示出单层设备单元的组成结构，单层设备单元包括位于同一水平层中的上料位10、加载腔11、传输腔12、多个CVD工艺腔14、卸载腔16、下料位17。所述多层设备单元包括沿竖直方向对应层叠的多个单层设备单元，具体可包括5层、10层、15层、20层、30层等本领域技术人员可以想到且可实施的数量的单层设备单元。所述多层设备单元中的多层加载腔一体构造成加载腔竖列，所述多层设备单元中的多层传输腔一体构造成传输腔竖列，所述多层设备单元中的多层多个CVD工艺腔一体构造成多个CVD工艺腔竖列，所述多层设备单元中的多层卸载腔一体构造成卸载腔竖列；当所述CVD设备1为多层设备单元时，能有效提高设备集成度、减小占地面积，并且其对应的传送装置、上料装置和下料装置可集成并同步运行。

所述CVD设备1还可包括将在下料位17处的空托盘从所述下料位17传送到所述上料位10的托盘回传装置(未图示)，所述托盘回传装置可包括用于缓存托盘的托盘缓冲区。托盘缓冲区还可选地具有用于预热托盘的功能。

参见图1，加载腔11用于接收来自上料位10的承载有硅片的托盘，所述加载腔11中还可设置有预热模块(未图示)，所述预热模块用于在所述硅片进入所述多个CVD工艺腔14中任一可用的工艺腔141、142、…14m、…、或14n之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内。加载腔11的预热模块的加热方式可为接触式加热和/或辐射式加热，其具体可实施为红外加热器、热电阻加热器和/或高频加热器等，所述预热模块经过10-500秒范围内的预热时间可将所述硅片预热到25-250℃的范围内。

传输腔12用于接收来自所述加载腔11且承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至多个CVD工艺腔14中的任一可用的CVD工艺腔141、142、…14m、…、或14n，传输腔12还用于接收来自多个CVD工艺腔14中的任一CVD工艺腔141、142、…14m、…、或14n且承载有已完成对应沉积工艺的所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至所述卸载腔16。所述传输腔12的形状可以为正方形、五边形、六边形或圆形或另外的适于与其他各腔室进行相互传输的形状。在图1所示的非限制性实施例中，所述传输腔12的形状为圆形。

多个CVD工艺腔14各自配置成接收由传输腔12从加载腔11中接收并传送来的承载有所述硅片的所述托盘，并各自通过本征CVD工艺和掺杂CVD工艺依次在所述硅片的一面上沉积I/N型或I/P型非晶硅薄膜。所述多个CVD工艺腔14均配置成将所述硅片加热至预设成膜温度，所述加热可在含氢气氛中进行。多个CVD工艺腔14还各自配置成：提供进行所述本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述硅片的一面上沉积I型非晶硅薄膜；提供进行所述掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述I型非晶硅薄膜上沉积所述N型或P型非晶硅薄膜并形成I/N型或I/P型非晶硅薄膜。

所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述本征CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气；所述掺杂CVD工艺包括N型掺杂CVD工艺和P型掺杂CVD工艺，进行N型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷或其他适于进行N型掺杂的气体；进行P型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼或其他适于进行P型掺杂的气体。在一实施例中，所述本征CVD工艺和掺杂CVD工艺均在100-300℃的范围内进行。

所述CVD设备1包括多个CVD工艺腔14，具体可包括两个、三个、四个、大于四个的n个(例如六个)CVD工艺腔，所述CVD工艺腔的数量可根据传输腔12的传送能力以及CVD设备的处理能力等因素进行综合确定。在一实施例中，所述CVD设备1包括两个CVD工艺腔14，所述传输腔12可以对应设置成正方形，加载腔11、两个CVD工艺腔14和卸载腔16分别围绕正方形的传输腔12且各自设置在正方形的四个边上。在一实施例中，所述CVD设备1包括三个CVD工艺腔，所述传输腔12可以对应设置成五边形，加载腔11、三个CVD工艺腔14和卸载腔16分别围绕五边形的传输腔12且各自设置在五边形的五个边上。

所述多个CVD工艺腔14还具有能对腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗的清洗功能。

卸载腔16用于接收来自传输腔12且承载有已完成所述本征CVD工艺和掺杂CVD工艺的所述硅片的所述托盘并将其传送至下料位17，以从所述托盘下料硅片。

图1中虽示出了加载腔11和卸载腔16中间设置了一个CVD工艺腔14n，但在其他实施例中，加载腔11和卸载腔16中间可以设置多个CVD工艺腔，也可以不设置任何CVD工艺腔。

参见图2，其显示了本发明的用于制造异质结太阳能电池的成套CVD设备的实施例的组成结构。所述成套CVD设备包括依次连接的第一CVD设备2、第二CVD设备3和硅片翻面装置4，第一CVD设备2和第二CVD设备3用于在硅片的第一面和第二面上分别沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的第一种非晶硅薄膜和不同于第一种非晶硅薄膜的第二种非晶硅薄膜。所述第一CVD设备2和第二CVD设备3的各组成部分的结构及运行原理及过程与图1及上文所述的CVD设备1实质上相同并且为其具体实施例，可参照图1及上述描述的CVD设备1来理解第一CVD设备2和第二CVD设备3。第一CVD设备2包括第一上料位20、第一加载腔21、第一传输腔22、多个第一CVD工艺腔24和第一卸载腔26、第一下料位27。所述第二CVD设备3包括第二上料位30、第二加载腔31、第二传输腔32、多个第二CVD工艺腔34、第二卸载腔36和第二下料位37。所述第一CVD设备2还包括用于将所述空托盘从第一下料位27传送到所述第一上料位20的托盘回传装置，所述第二CVD设备3还包括用于将所述空托盘从第二下料位37传送到所述上料位30的托盘回传装置。

所述第一CVD设备2和第二CVD设备3均包括PECVD设备和HWCVD设备，所述第一加载腔21和第二加载腔31各自都可设置预热模块，所述预热模块用于在所述硅片进入任一可用的第一CVD工艺腔241、242、…24m、…、或24n或第二CVD工艺腔341、342、…34m、…、或34n之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内。

所述成套CVD设备包括单层成套设备单元或多层成套设备单元，如图2所示的，单层成套设备单元包括大致位于同一水平层中的第一CVD设备2、第二CVD设备3和硅片翻面装置4。所述多层成套设备单元包括沿竖直方向对应层叠的多个单层成套设备单元，具体可包括5层、10层、15层、20层、30层等本领域技术人员可以想到且可实施的数量的单层成套设备单元。所述多层成套设备单元中的多层第一加载腔21、多层第一传输腔22、多层多个第一CVD工艺腔24、多层第一卸载腔26、多层第二加载腔31、多层第二传输腔32、多层多个第二CVD工艺腔34、多层第二卸载腔36可分别一体构造成第一加载腔竖列、第一传输腔竖列、多个第一CVD工艺腔竖列、第一卸载腔竖列、第二加载腔竖列、第二传输腔竖列、多个第二CVD工艺腔竖列、第二卸载腔竖列。

图2中的第一CVD设备2的多个第一CVD工艺腔24用于通过第一本征CVD工艺和N型或P型掺杂CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的第一种非晶硅薄膜，图2中的第二CVD设备3的多个第二CVD工艺腔34通过第二本征CVD工艺和P型或N型掺杂CVD工艺依次在所述硅片的第二面上沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的不同于第一种非晶硅薄膜的第二种非晶硅薄膜。

在所述成套设备的第一实施例中，第一种和第二种非晶硅薄膜分别为I/N型和I/P型非晶硅薄膜，多个第一CVD工艺腔24的每个CVD工艺腔通过第一本征CVD工艺和N型掺杂CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜，图2中的第二CVD设备3的多个第二CVD工艺腔34的每个CVD工艺腔通过第二本征CVD工艺和P型掺杂CVD工艺依次在所述硅片的第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。

在所述成套设备的第二实施例中，第一种和第二种非晶硅薄膜分别为I/P型和I/N型非晶硅薄膜，多个第一CVD工艺腔24的每个CVD工艺腔通过第一本征CVD工艺和P型掺杂CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积I/P型非晶硅薄膜，图2中的第二CVD设备3的多个第二CVD工艺腔34的每个CVD工艺腔通过第二本征CVD工艺和N型掺杂CVD工艺依次在所述硅片的第二面上沉积I/N型非晶硅薄膜。

每个第一CVD工艺腔241、242、…24m、…、或24n都配置成将所述硅片加热至预设成膜温度，所述加热可在含氢气氛中进行。每个第二CVD工艺腔341、342、…34m、…、或34n配置成将所述硅片加热至所述预设成膜温度，所述加热可在含氢气氛中进行。

沉积I/N型非晶硅薄膜的每个第一CVD工艺腔241、242、…24m、…、或24n或每个第二CVD工艺腔341、342、…34m、…、或34n还配置成：提供进行第一或第二本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在硅片的第一面上沉积I型非晶硅薄膜，提供进行N型掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在硅片的第一面上沉积所述N型非晶硅薄膜并形成I/N型非晶硅薄膜。所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第一或第二本征CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述N型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷或其他适于进行N型掺杂的气体。所述第一或第二本征CVD工艺和N型掺杂CVD工艺均在100-300℃的范围内进行。

在所述成套设备的第一实施例中，每个第一CVD工艺腔241、242、…24m、…、或24n均用于沉积I/N型非晶硅薄膜。在所述成套设备的第二实施例中，每个第二CVD工艺腔341、342、…34m、…、或34n均用于沉积I/N型非晶硅薄膜。

沉积I/P型非晶硅薄膜的每个第一CVD工艺腔241、242、…24m、…、或24n或每个第二CVD工艺腔341、342、…34m、…、或34n还配置成：提供进行第一或第二本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积I型非晶硅薄膜；提供进行P型掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积P型非晶硅薄膜并形成所述I/P型非晶硅薄膜。所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第一或第二本征CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述P型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼或其他适于进行P型掺杂的气体。所述第一或第二本征CVD工艺和P型掺杂CVD工艺均在100-300℃的范围内进行。在所述成套设备的第一实施例中，每个第二CVD工艺腔341、342、…34m、…、或34n均用于沉积I/P型非晶硅薄膜。在所述成套设备的第二实施例中，每个第一CVD工艺腔241、242、…24m、…、或24n均用于均用于沉积I/P型非晶硅薄膜。

硅片翻面装置4配置成接收来自所述第一CVD设备2的第一卸载腔26并在第一下料位27完成下料的所述硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面对调。所述硅片翻面装置4可为对硅片进行一次整体翻面的装置也可多步旋转对硅片进行翻面的装置，也可为本领域的技术人员可以想到的或未来开发出的其他硅片翻面装置。

需说明的是，第二CVD工艺腔34中进行的第二本征CVD工艺与第一CVD工艺腔24中进行的第一本征CVD工艺可以完全相同，第二本征CVD工艺与第一本征CVD工艺也可以不相同，两者在具体的工艺气体成分、工艺气体流量、工艺时间、工艺温度等参数上都可以存在差异。

每个第一CVD工艺腔241、242、…24m、…、或24n和第二CVD工艺腔341、342、…34m、…、或34n还具有能对腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗的清洗功能，也可对空托盘进行预镀膜工艺。所述预镀膜工艺用于在托盘表面沉积非晶硅薄膜，从而避免托盘自身对异质结太阳能电池造成任何污染。所述清洗功能对应的清洗气体包括NF₃、C₂F₆、CF₄、CHF₃、SF₆、F₂、HF、Ar、Cl₂和HCl中的一种或任意组合。也可将多个第一CVD工艺腔24和多个第二CVD工艺腔34来不及经清洗功能处理的一部分托盘送往成套设备以外的托盘预镀膜/清洗装置完成托盘的预镀膜工艺或者清洗工艺。

所述多个第一CVD工艺腔24或第二CVD工艺腔34在完成一定数量或批次的硅片的I/P型非晶硅薄膜之后，可在进行下一批次硅片的成膜之前进行硼清除工艺，从而为下一批次硅片提供较洁净的多个第一CVD工艺腔24或第二CVD工艺腔34以在其中沉积I/P型非晶硅薄膜。所述硼清除工艺能够有效消除多个第一CVD工艺腔24或第二CVD工艺腔34的不同工艺循环之间的交叉污染。

在一些实施例中，第一CVD设备2和第二CVD设备3为PECVD设备，其对应的多个第一CVD工艺腔24和多个第二CVD工艺腔34可通过低频解离、高频解离、甚高频解离、超高频解离或微波解离工艺气体并通过等离子体点燃来分别沉积选自I/N和I/P型非晶硅薄膜中的不同的第一种和第二种非晶硅薄膜。在另一些实施例中，第一CVD设备2和第二CVD设备3为HWCVD设备，其对应的多个第一CVD工艺腔24和多个第二CVD工艺腔34可通过热丝解离方式促使工艺气体的解离来分别沉积选自I/N和I/P型非晶硅薄膜中的不同的第一种和第二种非晶硅薄膜。

如图2所示的，硅片沿着由第一上料位20、第一加载腔21、第一传输腔22、任一可用的第一CVD工艺腔24、第一传输腔22、第一卸载腔26、第一下料位27、硅片翻面装置4、第二上料位30、第二加载腔31、第二传输腔32、任一可用的第二CVD工艺腔34、第二传输腔32、第二卸载腔36、第二下料位37组成的流转路径进行流转，而用于承载硅片的托盘在第一CVD设备2中沿着由第一上料位20、第一加载腔21、第一传输腔22、任一可用的第一CVD工艺腔24、第一传输腔22、第一卸载腔26、第一下料位27、托盘回传装置和第一上料位20组成的流转路径进行流转，而用于承载硅片的托盘在第二CVD设备3中沿着由第二上料位30、第二加载腔31、第二传输腔32、任一可用的第二CVD工艺腔34、第二传输腔32、第二卸载腔36、第二下料位37、托盘回传装置和第二上料位30组成的流转路径进行流转。

在其他一些实施例中，硅片也可沿着第二CVD设备3、硅片翻面装置4、第一CVD设备2的顺序流转，其流转路径及方式与上述描述实质相同。

参见图3，结合参见图1和图2，图3示出了本发明的用于制造异质结太阳能电池的成套CVD设备的镀膜方法的第一实施例的流程图。所述成套CVD设备包括第一CVD设备2、第二CVD设备3和硅片翻面装置4，第一CVD设备2、第二CVD设备3和硅片翻面装置4的各自组成构件的详细构造、特征及运作均可参照上文及图1和图2进行理解。所述成套CVD设备包括PECVD成套设备和HWCVD成套设备等。

图3所示的第一实施例的方法40包括步骤S300，在第一CVD设备2的第一上料位20将硅片放置到托盘中。在可包括第一实施例的一些实施例中，在所述第一上料位20上通过上料装置将硅片放置到托盘中，所述托盘可为8*8共可放置64片硅片的方形托盘，其也可为具有其他放置硅片量的矩形托盘，托盘尺寸可根据需要或腔体尺寸进行设定和调整。

所述方法40还包括步骤S310，由所述第一CVD设备2的第一加载腔21接收来自第一上料位20的承载有硅片的托盘。在步骤S310中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘接收到第一加载腔21。

所述方法40还包括步骤S320，在第一加载腔21中，将所述硅片预热到25-250℃的范围内，并将承载有所述硅片的托盘传送至所述第一CVD设备2的第一传输腔22。在可包括第一实施例的一些实施例中，经过10-500秒范围内的预热时间将所述硅片预热到25-250℃的范围内。在可包括第一实施例的另一些实施例中，经过10-500秒范围内的预热时间将所述硅片预热到40-200℃的范围内。在步骤S310中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至第一传输腔22。

所述方法40还包括步骤S330，由所述第一传输腔22接收来自所述第一加载腔21且承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至多个第一CVD工艺腔14中的任一可用的第一CVD工艺腔。在步骤S330中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘接收到第一传输腔22，还可通过对应的机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至任一可用的第一CVD工艺腔；所述第一CVD设备2的多个第一CVD工艺腔24可依产能设计成在需要时有空闲可用的，但不会存在第一CVD工艺腔24长时间被闲置不用的情况。

所述方法40还包括步骤S340，由所述第一CVD工艺腔将所述硅片加热至预设成膜温度。在可包括第一实施例的一些实施例中，步骤S340在含氢气氛中进行，所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内。所述预设成膜温度更具体地可在150-250℃的范围内，其可为针对硅片表面测得的温度。

所述方法40还包括步骤S350，由所述第一CVD工艺腔提供进行第一本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述硅片的第一面上沉积I型非晶硅薄膜。在可包括第一实施例的一些实施例中，步骤S350中进行所述本征CVD工艺所需的气体包括硅烷。在另一些实施例中，步骤S350中进行所述本征CVD工艺所需的气体包括硅烷和氢气。

所述方法40还包括步骤S360，由所述第一CVD工艺腔提供进行N型掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积所述N型非晶硅薄膜并形成I/N型非晶硅薄膜。在可包括第一实施例的一些实施例中，步骤S360中进行N型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷或或其他适于进行N型掺杂的气体。

所述方法40还包括步骤S370，由所述第一CVD工艺腔将承载有其第一面完成I/N型非晶硅薄膜沉积的硅片的托盘传送至第一传输腔22。在步骤S370中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至第一传输腔22。

所述方法40还包括步骤S380，由所述第一传输腔22接收来自所述第一CVD工艺腔的承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至所述第一CVD设备2的第一卸载腔26。在步骤S380中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至所述第一卸载腔26。

所述方法40还包括步骤S390，由所述第一卸载腔26接收来自所述第一传输腔22且承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘传送至所述第一CVD设备2的第一下料位27。在步骤S390中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至所述第一下料位27。

所述方法40还包括步骤S400，由硅片翻面装置4接收来自所述第一下料位27且经下料的硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面完成对调，还将经翻面后的所述硅片传送至所述第二CVD设备3的第二上料位30，以上料至托盘。在可包括第一实施例的一些实施例中，硅片翻面装置4可通过一次翻转180度来进行步骤S400中的硅片翻面。在步骤S400中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至所述第二上料位30。

所述方法40还包括步骤S410，由所述第二CVD设备3的第二加载腔31接收来自所述第二上料位30且承载有经翻面后的所述硅片的所述托盘。在步骤S410中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘接收到第二加载腔31。

所述方法40还包括步骤S420，由所述第二加载腔31将所述硅片预热到25-250℃的范围内，并将承载有所述硅片的托盘传送至所述第二CVD设备3的第二传输腔32。在可包括第一实施例的一些实施例中，经过10-500秒范围内的预热时间将所述硅片预热到25-250℃的范围内。在步骤S420中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至所述第二传输腔32。

所述方法40还包括步骤S430，由所述第二传输腔32接收来自所述第二加载腔31的承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘对应传送至多个第二CVD工艺腔34中的任一可用的第二CVD工艺腔。在步骤S430中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将托盘接收到第二传输腔32，并可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮等将承载有硅片的托盘传送至任一可用的第二CVD工艺腔。所述第二CVD设备3的多个第二CVD工艺腔34可依产能较佳地设计成在需要时有空闲可用的，但不会存在第二CVD工艺腔34长时间被闲置不用的情况。

所述方法40还包括步骤S440，由所述第二CVD工艺腔将所述硅片加热至所述预设成膜温度。在一实施例中，步骤S440在含氢气氛中进行，所述预设成膜温度在100-300℃的范围内。

所述方法40还包括步骤S450，由所述第二CVD工艺腔提供进行第二本征CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述硅片的所述第二面上沉积I型非晶硅薄膜。所述步骤S450中进行所述本征CVD工艺所需的气体包括硅烷，也可包括一定量的氢气。在可包括第一实施例的一些实施例中，步骤S450中的第二本征CVD工艺与步骤S350中的第一本征CVD工艺可以完全相同。在其他实施例中，步骤S450中的第二本征CVD工艺与步骤S350中的第一本征CVD工艺可以不相同，两者在具体的工艺气体成分、气体流量、工艺时间、工艺温度等参数上都可以存在差异。

所述方法40还包括步骤S460，由所述第二CVD工艺腔提供进行P型掺杂CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积所述P型非晶硅薄膜并形成I/P型非晶硅薄膜。所述步骤S460中进行所述P型掺杂CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼或其他适于进行P型掺杂的气体。

所述方法40还包括步骤S470，由所述第二CVD工艺腔将承载有其第一面完成I/P型非晶硅薄膜沉积的硅片的托盘传送至所述第二传输腔32。在步骤S470中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至所述第二传输腔32。

所述方法40还包括步骤S480，由所述第二传输腔32接收来自所述第二CVD工艺腔的承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘传送至所述第二CVD设备的第二卸载腔36。在步骤S480中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至所述第二卸载腔36。

所述方法40还包括步骤S490，由所述第二卸载腔36接收来自所述第二传输腔且承载有所述硅片的所述托盘，并将所述托盘传送至第二下料位37，以从所述托盘下料硅片。在步骤S490中，可通过本领域中常用的传送装置例如机械臂或滚轮或皮带等将承载有硅片的托盘传送至下料位37。

所述方法40在步骤S390之后还可进行以下步骤：在所述第一CVD设备的第一下料位27处接收来自所述第一卸载腔26的承载有所述硅片的所述托盘，并将硅片从托盘中取出以获得空托盘；由所述第一CVD设备的第一托盘回传装置将所述空托盘从所述第一下料位27回传到所述第一上料位20。

所述方法40在步骤S490之后还可进行以下步骤：在所述第二CVD设备的第二下料位37处接收来自所述第二卸载腔36的承载有所述硅片的所述托盘，并将硅片从托盘中取出以获得空托盘；由所述第二CVD设备的第二托盘回传装置将所述空托盘从所述第二下料位37回传到所述第二上料位30。

所述方法40还可以包括分别在多个第一CVD工艺腔24和第二CVD工艺腔34中通过其具有的清洗功能对腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗，所述清洗功能可以安排定期使用，也可按照所进行的镀膜次数或预估的膜厚来安排使用。

所述方法40还可以包括硼清除工艺，硼清除工艺在第二CVD工艺腔34完成一定数量或批次硅片的I/P型非晶硅薄膜之后进行，从而为下一批次硅片提供较洁净的第二CVD工艺腔34以在其中沉积I/P型非晶硅薄膜。所述硼清除工艺能够有效消除第二CVD工艺腔34的不同工艺循环之间的交叉污染。

图4示出了本发明的用于制造异质结太阳能电池的成套CVD设备的镀膜方法的第二实施例的流程图，镀膜方法40”与镀膜方法40在诸多步骤上存在着实质性的相同，例如镀膜方法40中的步骤S300-S340、S380-S440、S480-S490与镀膜方法40”中的步骤S300”-S340”、S380”-S440”、S480”-S490”基本对应相同。

镀膜方法40和40”最大的不同之处在于，方法40先进行步骤S350和S360在硅片的第一面上形成I/N型非晶硅薄膜，后进行步骤S450和S460在硅片的第二面上形成I/P型非晶硅薄膜，而方法40”先进行步骤S350”和S360”在硅片的第一面上形成I/P型非晶硅薄膜，后进行步骤S450”和S460”在硅片的第二面上形成I/N型非晶硅薄膜；与之对应的后续步骤S370和S370”传送至第一传输腔22的托盘所承载的硅片的第一面是分别完成I/N型和I/P型非晶硅薄膜沉积，后续步骤S470和S470”传送至第二传输腔32的托盘所承载的硅片的第二面是分别完成I/P型和I/N型非晶硅薄膜沉积。为简化说明，可以参照上述针对方法40的描述来理解方法40”。

图1中单个的用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的镀膜方法可参照图3中的方法40中的步骤S300至S390或S410至S490进行，为简化图示及说明，在此不再为文赘述。

本发明的CVD设备及镀膜方法通过第一CVD工艺腔和第二CVD工艺腔先后在硅片的第一面和第二面上分别沉积选自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的不同的第一种和第二种非晶硅薄膜，可避免配备4个CVD工艺腔分别沉积I/N/I/P型非晶硅薄膜，另外各个多层腔竖向层叠且一体构造成各腔室竖列，从而有效提高设备的集成度、能缩小占地面积、减少自动化设备，减少硅片传输环节，大幅提高产能和良率，提高设备竞争力，沉积I/P型非晶硅薄膜的所述第一CVD工艺腔或第二CVD工艺腔通过其硼清除装置能有效防止硼相关的交叉污染；本发明的CVD设备通过其加载腔对硅片进行预热，可避免在第一CVD工艺腔和第二CVD工艺腔中过长时间的预热，从而有效缩短硅片在其中停留的时间，可有效提高CVD设备的效率及产能。

上述实施例是提供给熟悉本领域内的人员来实现或使用本发明的，熟悉本领域的人员可在不脱离本发明的发明思想的情况下，对上述实施例做出种种修改或变化，因而本发明的保护范围并不被上述实施例所限，而应该是符合权利要求书提到的创新性特征的最大范围。