一种电容耦合pecvd装置用的基底材料载体

文档序号：1668762 发布日期：2019-12-31 浏览：31次 >En<

阅读说明：本技术 一种电容耦合pecvd装置用的基底材料载体 (Substrate material carrier for capacitive coupling PECVD device ) 是由郝奕舟陈剑豪王天戌于 2018-06-25 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体,属于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的技术领域,包括电极片、基底材料夹持片、连接组件,其中,连接组件包括多个连接杆、间隔管和紧固螺母,多个连接杆穿入电极片和基底材料夹持片上开的多个槽孔中,间隔管套在连接杆上,间隔各片,连接杆两端使用紧固螺母紧固。通过本发明提供的技术方案,实现了在电容耦合PECVD生产石墨烯的工艺过程中,对基底材料为金属箔片的承载和等离子体的产生,解决了现有的大型电容耦合PECVD设备中没有适用于金属箔片的载体的技术空白。(The invention relates to a substrate material carrier for a capacitive coupling PECVD device, which belongs to the technical field of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) equipment and comprises an electrode plate, a substrate material clamping sheet and a connecting assembly, wherein the connecting assembly comprises a plurality of connecting rods, spacing pipes and fastening nuts, the connecting rods penetrate into a plurality of slotted holes formed in the electrode plate and the substrate material clamping sheet, the spacing pipes are sleeved on the connecting rods and are spaced, and two ends of the connecting rods are fastened by the fastening nuts. By the technical scheme provided by the invention, the bearing of the metal foil as the substrate material and the generation of plasma are realized in the process of producing graphene by capacitive coupling PECVD, and the technical blank that no carrier suitable for the metal foil exists in the conventional large capacitive coupling PECVD equipment is solved.)

一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体

技术领域

本发明属于化学气相沉积的设备领域，更具体的，涉及一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)是利用高频或射频电场激发增强的化学气相沉积，被广泛应用于石墨烯的生长、氮化硅的镀膜等材料的制造工艺。

现有的大型等离子体增强化学气相沉积设备主要应用于生长氮化硅，使用的基底材料的载体为石墨舟。石墨舟作为等离子体源的同时承载着基底材料。

目前尚没有一种大型的等离子体增强化学气相沉积设备用于生产石墨烯，目前的大型PECVD设备无法用于高效的在金属箔片上生产石墨烯，原因在于金属箔片较软，无法安装在石墨舟的卡槽内。因此行业内需要一种适用于承载金属箔片的载体，用于在金属箔片上生产石墨烯及其它材料。

发明内容

本发明的内容是针对现有的PECVD装置用于生长石墨烯及其他碳材料所存在的上述问题，提供一种高效的用于电容耦合PECVD装置的基底材料载体。包括电极片、基底材料夹持片(2)、连接组件。

其中，电极片和基底材料夹持片通过连接组件并列连接。

其中，电极片包括第一组电极片(11)和第二组电极片(12)，所述第一组电极片开有多个槽孔(111)，所述第二组电极片开有多个槽孔(121)。

其中，基底材料夹持片(2)开有多个槽孔(21)。

其中，连接组件包括多个连接杆(31)、间隔管(32)和紧固螺母(33)，多个连接杆(31)穿入第一组电极片、第二组电极片和基底材料夹持片上开的多个槽孔中，所述间隔管(32)套在连接杆(31)上，间隔各片，连接杆(31)两端使用紧固螺母(33)紧固。

其中，第一组电极片的材质为耐高温的导体，设置于载体两侧。

其中，连接杆和间隔管的材质为耐高温的绝缘体。

其中，连接杆和间隔管的材质可以为陶瓷。

其中，第二组电极片包括电极夹片(12)和一片基底材料夹持片(2)，电极夹片(12)与一片基底材料夹持片(2)通过连接组件夹合在一起，中间夹持基底材料，基底材料为导体，作为第二组电极片的导电部分。第二组电极片(12)设置于第一组电极片(11)内侧。

其中，电极夹片的材质为耐高温的绝缘体。

其中，连接组件还包括导电连接组件，设置于载体两端，所述导电连接组件包括导电连接杆(34)、导电隔块(35)、紧固螺母(33)、导电支撑脚(36)；导电隔块(35)和导电支撑脚(36)开有孔，所述连接杆(34)穿入导电隔块(35)和导电支撑脚(36)上开的孔中，导电连接杆(34)两端用紧固螺母(33)紧固。

其中，导电连接杆、导电隔块、导电支撑脚的材质为耐高温的导体。

其中，导电连接杆、导电隔块、导电支撑脚的材质可以为石墨。

其中，紧固螺母(33)的材质为耐高温的材料。

其中，基底材料夹持片(2)还包括有镂空槽(22)，用于使夹持的基底材料与等离子体接触发生反应。

其中，基底材料夹持片(2)的材质为耐高温的绝缘体。

根据以上技术方案可以看出，本发明通过设置电极片、基底材料夹持片、连接组件构成的载体，实现了大型PECVD生产石墨烯技术中载体作为等离子体源和承载基底材料。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解，并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1是载体整体示意图。

图2是载体左视图。

图3是左电极片示意图。

图4是右电极片示意图。

图5是基底材料夹持片示意图。

图6是连接组件示意图。

图7是导电连接组件示意图。

图中各标号表示：11、左电极片；111、槽孔；12、右电极片；121、槽孔；122、镂空槽；2、基底材料夹持片；21、槽孔；22、镂空槽；31、陶瓷杆；32、陶瓷套；33、石墨螺母；34、石墨杆；35、石墨隔块；36、支撑脚；

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。

请参阅图1，图1是本发明实施例整体示意图包括电极片、基底材料夹持片(2)、连接组件。