阅读说明：本技术 静态随机存取存储器结构 () 是由 曾俊砚 龙镜丞 郭有策 黄俊宪 余欣炽 王淑如 于 2018-05-28 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种静态随机存取存储器结构,其主要包含一第一反相器包含一第一下拉晶体管以及一第一上拉晶体管、一第二反相器包含一第二下拉晶体管以及一第二上拉晶体管、一第一传导晶体管耦接于该第一反相器以及一第二传导晶体管耦接于该第二反相器。其中第一反相器耦接于一第一穿隧磁阻(tunnel magnetoresistance,TMR)结构而第二反相器耦接于一第二穿隧磁阻结构。()