发明内容

为此，DMS滤波器按照独立权利要求被提供。从属权利要求提供优选的实施例。

DMS滤波器包括第一和第二端口。

DMS滤波器可以是11-IDT DMS滤波器。在十一个IDT中，六个IDT可以作为第一IDT以及五个IDT可以作为第二IDT。此外，DMS滤波器可以有第一声学反射器以及第二声学反射器。第一IDT可以被电连接到第一端口。第二组IDT可以被电连接到第二端口。

此外，DMS滤波器可以包括压电材料。另外，DMS滤波器可以具有布置于压电材料上方或上的电极结构。电极结构可以电连接在第一端口和第二端口之间。

电极结构可以具有多层结构。然后，多层结构可以包括金属材料和介电材料。

六个第一IDT和五个第二IDT可以是电极结构的部分。因此，IDT可以被电连接在第一端口和第二端口之间。具体地，第一IDT和第二IDT是声学耦合的。因此，两个声学反射器和十一个IDT一起创建DMS滤波器的声学有源元件。

IDT的数目不是特定被限制在十一个的。DMS滤波器可以具有多于十一个或少于十一个IDT。然而，11-IDT DMS滤波器似乎提供了性能和滤波器结构所需的空间之间的好的折衷。

11-IDT DMS滤波器具有不同于n-IDT的DMS滤波器的电损失，相差大约为(1-(n/11)*(n/11))的因子。一项(n/11)是由于变换的指的数目(当全部的阻抗应当被维持时)。其他项(n/11)是由于对应的指的长度。因此，作为示例，当与9-IDT DMS滤波器比较时，电损失以因子0.33减小。

DMS滤波器可以分别经由第一端口和第二端口电连接到外部电流环境。DMS滤波器可以耦合到其他滤波元件，例如无源阻抗元件或其他电声学谐振器，以生成更复杂的电声RF滤波器。

具体地，DMS滤波器可以被串联电连接到类似梯子-形的电路拓扑，以提供电声滤波器伴随优秀的滤波性能以及高的电源持久性是可能的。这样的滤波器可以作为移动通信设备的接收滤波器。

DMS滤波器的电极结构可以被直接布置在压电材料上。然而，一个或多个的子层可以被布置在电极结构和压电材料之间。

通过提供电极结构作为多层结构以及通过提供多层结构伴随金属和介电材料，一种改进的信号导体在DMS滤波器的结构可以被获得。为此，介电材料和金属被相对于彼此布置，使得诸如电容损失或欧姆损失的电损失被减少。此外，通过配置根据本发明的公开的DMS滤波器，必要的芯片面积可以最小化，减小成本，以及帮助小型化尺寸。另外，寄生电容可以被减小以及可能的滤波带宽可以被增加。相应的，DMS滤波器可能建立带通滤波器或带阻滤波器。

DMS滤波器的IDT可以包括母线和电极指。每个电极指电连接到IDT的一个或两个总线。当相邻的电极指连接到相反的电极总线，声学激励中心被置于两个电极指之间。电极指以基本垂直于表面波的传播方向延伸。此外，电极指有正交于压电材料法线方向的延伸。

这样的DMS滤波器提供减少的电极以及寄生损耗，同时所需要的芯片面积减少。因此，这样的DMS滤波器兼容于仍在进行的趋势朝向最小化以及滤波器层构造兼容于传统的层沉积以及结构化技术。

IDT可以是第一IDT和第二IDT，可以被分别布置在两个声学反射器之间，以限制声学能量到谐振器的活动区域，以增加DMS结构的品质因素Q并减少损耗。相应的带宽滤波器具有在通带内减少的插入损耗。

DMS滤波器可以包括第一IDT间连接和第二IDT间连接。每个IDT可以具有第一母线和第二母线。第一IDT的第一母线可以经由第一IDT间连接互相电连接。第二IDT的第二母线可以经由第二IDT间连接互相电连接。

因此，相对于第一IDT间连接以及第二IDT间连接，IDT并联电连接，反向母线典型的接地。

具体地，第一IDT的第一母线可以电连接到第一端口，并且第二IDT的第二母线可以电连接到第二端口。

从RF信号的角度，DMS滤波器结构可以经由第一端口作为输入端口而被进入。经由第一IDT间连接，RF信号被划分为若干个子信号，经由其第一母线进入，建立第一IDT的输出，第一IDT。第一IDT的第二母线可以电连接到地电势。第一IDT内的，子信号的能量激励传输到第二IDT的声波。第二IDT的第一母线可以电连接到地电势。第二DTS的所有第二母线建立第二IDT的输出部件。在第二IDT中，声能被转换成提供给该第二IDT间连接的电磁能。第二IDT资源可以被电连接或耦合到第二端口可以被作为DMS滤波器的输出端口。

第一和第二IDT间连接可包括下部金属条和上部金属条。

下部金属条和上部金属条可以是被布置为电极结构的不同层的多层机构的条带。作为多层结构的电极结构的提供，允许选择不同层级的材料，例如，根据不同的需求，用于包括下金属条的层和包括上金属条的层。更靠近压电材料的材料层可以根据它们的声学(即，机电)特性被选择。进一步远离压电材料的材料层可以根据它们的电学特性被选择。

因此，下部金属条可以包括金属或分层结构，其提供良好的抗分层和/或电声迁移能力，并且具有对于电声耦合和反射率优化的层高度。典型地，所得到的层高度是低的并且意味着更高的电阻。可以选择上部金属条的金属或材料层系统以提供低电阻率和较高层高。

因此，下部金属条能够包括金属或分层结构，这提供好的对分层的抵抗和/或电声学迁移，伴随的对于电声耦合和反射率被优化的层高。典型地，结果层的高度是低的以及意味高的电阻。金属或上部金属条的材料层系统可以被选择去提供低阻抗以及高层高。

因此，下部金属条可以包含或由铜，铝，钛，铬，银，金，以及其他适合的材料组成。

上部金属条可以包括或由银，金，铝，铜，钛以及其他适合的材料组成。

DMS滤波器还可以包括第三IDT间连接以及第四IDT间连接。每个第三IDT间连接以及第四IDT间连接可以包括内部金属条。

术语“内部”与中心激励区域以及垂直于表面波的传播方向的横向(y)相关。

具体地，相对于元件的占用面积，内部金属条能够相对于横向方向被布置于下部金属条和/或上部金属条之间。

对比之下，术语“下”和“上”是指它们相应的垂直位置(z)。

当第一和第二IDT间连接，特别是上部金属条，分别减少在第一端口和在第二端口的阻抗时，第三IDT间连接和第四IDT间连接能够在涉及接地连接时帮助减少电极结构的阻抗。

第三IDT间连接可以电连接于第二IDT的接地连接以及第四IDT间连接电连接第一IDT的接地连接，以减小接地阻抗。

相应地，下部金属条，上部金属条和内部金属条可以是沿纵向方向延伸并且沿横向方向布置在中心激励区域以及相应的第一端口或第二端口之间的条形贴片。金属条的长度可以基本上等于声学反射器之间的有效区域的长度。

内部金属条可以长于下部金属条和上部金属条。第二IDT间连接和它们的对应金属条可以短于第一IDT间连接。

对应地，第三IDT间连接可以电连接于第二导体的第一母线以及第四IDT间连接可以电连接于第二导体的第一母线，从而获得对地电势减少的阻抗。

DMS滤波器此外可以包括绝缘贴片。滤波器能够包括在第三IDT间连接和第一连接C₁之间的绝缘贴片以及在第四IDT间连接和第二连接C₂之间的另外的绝缘贴片。

绝缘贴片的至少一部分材料可以在多层结构中处于在第三IDT间连接以及第一连接之间的垂直位置。第四IDT间连接可以是与第三IDT间连接处于同样的垂直位置，以及第二IDT间连接可以是和第一IDT间连接处于同样的垂直位置。

内部IDT连接的元件对于下部条可以具有在垂直方向0.08μm≤t≤0.5μm的厚度，例如0.15μm，以及对于上部条和内部条，厚度为0.7μm≤t≤3μm，例如2.5μm。

绝缘贴片能够有一个-在垂直方向-厚度用于0.5μm≤t≤1.5μm，例如，0.87μm。

绝缘贴片与内部IDT连接一起建立导体交叉。根据本发明，相应条的位置和尺寸允许寄生电容的显著减少，同时结构的总导体长度在DMS滤波器内被保持较短以至于欧姆损失也被保持在最小值内。

绝缘贴片优选地由介电材料多层结构的电极结构组成。介电材料可以根据其介电特性(诸如其介电常数、介电损耗)来选择。然而，由于电学有源和声学有源的电声滤波器的两重特性，介电材料的机械特性也可以被用于增加滤波器结构的波导。

绝缘贴片也可以被用于增强DMS滤波器的其他特性。如果被应用为接近于或在电极指之上，绝缘贴片的材料能够被用于减少温度引起的特性频率的漂移。特性频率可以是通带的中心频率或左或右通带边缘的频率。

为此，介电材料，例如绝缘贴片，可以是抵消温度引起的频率偏移的材料或载频基底或压电材料。

除了绝缘贴片外，另外的TCF(频率的温度系数)补偿层可以被布置于在电极结构的上方和/或在下方或在压电材料的下方。

此外，每个第二IDT被布置于在线性布置的两个第一IDT之间是可能的。

线性布置涉及IDT，以及声学反射器，例如IDT被沿着直线一起布置。IDT关于其他IDT的横向补偿基本可以是0。

线性布置的延伸基本和平行于x方向的声波传播方向一致，。

电极指被沿着关于声学传播方向确定的倾斜角决定的直线放置也是可能的。

另外，IDT的覆盖区相对于垂直于SAW传播的方向的对称线是可能的。

具体地，对称线基本平行于电极指的延伸。在11-IDT DMS滤波器的情况下，对称线在第二IDT的中心内。

当DMS滤波器的结构被投射于建立足迹的压电材料的表面，前文提及的对称性是有效的。当构造沿着垂直方向被涉及时，对称线能够具有对称平面作为等于三个维度的等效物。

对应的对称平面继而垂直于SAW的传播方向。

此外，当涉及垂直建造时，多层结构能够包括在第一层中的第一和第二IDT间连接的下部金属条。此外，多层结构能够包括在第三层中第一和第二IDT间连接的上部金属条。此外，多层结构能够包括在第二层中的绝缘贴片，被布置于第一层和第三层之间。

此外，为减小第三层的欧姆损失，第三层能够有比第一层更高的厚度。因此，导体获得更大的横截面，导致减小的欧姆损失。

另外，第三IDT间连接以及第四IDT间连接可以被连接到地电势，使得每个IDT的电连接被改善。

第一IDT可以是输入IDT，第二IDT可以是输出IDT。

因此，第一IDT可以是电连接到第一端口，它可以是输入端口以及第二IDT可以是电连接到第二端口，它可以是输出端口。

DMS滤波器可以进一步包括TC(温度补偿)结构。TC结构可以是多层TC结构。多层TC结构可以包括TC材料(TC＝温度补偿)，其位于在压电材料下方，在压电材料和电极结构之间，在电极结构的元件和/或上面的电极结构之间。具体地，多层TC结构能够包括在电极结构上面的TC材料层以及电极结构内的绝缘贴片。有利地，可以使用TC材料以及作为介电材料去构造绝缘贴片用于形成线交叉。

此外，DMS滤波器可以是TF-SAW DMS滤波器(TF＝薄膜)。

在TF-SAW DMS滤波器中，压电材料被提供作为压电薄膜。压电薄膜可以是单晶材料。然而，压电材料可以被提供作多晶材料。

压电薄膜材料可以被提供，利用薄膜层沉积技术，例如CVD(化学池沉积)，PVD(物理池沉积)，MBE(分子束外延)，以及溅射等。此外，例如“智能-切割”技术或磨碎的技术可以用于获得多晶材料的薄膜。

压电材料可以是氮化铝或钪掺杂氮化铝，钽酸锂，铌酸锂或石英。当单晶压电材料被需要时，可以优选钽酸锂和铌酸锂。

第一IDT间连接(IIC₁)和/或第二IDT间连接(IIC₂)的上部金属条(UMS)可以以覆盖宽度o₁覆盖绝缘贴片(IP)。

第三IDT间连接(IIC₃)和/或第四IDT间连接(IIC₄)的内部金属条(IMS)位于绝缘贴片(IP)的顶部上，具有全宽度(full width)。

第一IDT间连接(IIC₁)的上部金属条(UMS)可以完全覆盖于IIC₁的下部金属条(LMS)，和/或第二IDT间连接(IIC₂)的上部金属条(LMS)可以完全覆盖IIC₂的下部金属条(LMS)。

绝缘贴片(IP)可以不覆盖下部金属条(LMS)。

电极结构可以不包含下部金属条(LMS)。

绝缘贴片(IP)可以覆盖第一IDT(IDT₁)的第一连接(C₁)以及第二IDT(IDT₂)的第二连接(C₂)。

绝缘贴片(IP)不与第二母线(B₁)或第一母线(B₂)重叠.

此外，DMS滤波器是电声滤波器的一部分，如电声RF滤波器，(例如移动通信设备)。

此外，相应的电声滤波器可以是多路复用器的一部分(例如，双工器，三工器，四工器或更高阶的多路复用器)。

具体的，电声滤波器可能是移动通信设备的接收滤波器。

作为移动通信设备的接收滤波器，例如，在前端电路，电声滤波器可以电连接在公共端口之间，(例如，到天线连接的端口)，以及低噪声放大器。

第一和/或第二IDT间连接的上行金属层的宽度可以在10μm和25μm之间，(例如14μm)。

第三IDT间连接的宽度和/或第四IDT间连接可以在8μm和20μm之间，(例如10μm)。第一IDT间连接和第三IDT间连接的内部金属条之间以及在第二IDT间连接和第四IDT间连接的内部金属条之间的横向距离分别可以在3μm和10μm之间，例如5μm。内部金属条和IDT的母线之间的横向距离可以在6μm和15μm之间，例如11μm。

可以选择沿纵向的IDT的长度和沿横向的IDT的宽度(特别是IDT的孔径)以及每个DMS滤波器的IDT的数目，使得滤波器的关于与其它电路元件的阻抗匹配的规范能够被遵守。

优选地，减少IDT的指长度，使得电和声损耗的和是最小的。

与具有九个IDT的DMS滤波器相比，11-IDT滤波器提供改进的在区域消耗和性能之间的折衷。此外，IDT可以有增长的金属化比率η≥0.5，金属在垂直方向增长的厚度>150nm，分别地，增长的指横截面，以增长电导率。

在IDT的远端电极指处的接地/接地连接次序减少了电容性耦合，这增加了该滤波器的宽带选择水平。

绝缘贴片可以包括或由硅的氧化物组成，例如，二氧化硅，或有机材料，如BCB(BCB＝苯并环丁烯)。

滤波器还可以包括用于将电极结构电连接到外部电路环境的连接焊盘。用于将结构连接到地电势的连接焊盘可以包括两个焊盘，其被布置于音轨的相对侧，例如，用于双接地连接。然而，可以使用仅单个连接焊盘用于连接到地以及使用从音轨的一侧到音轨的相应另一侧的对应的导体回路。该循环能够电连接DMS滤波器结构的内部金属条。

优选实施例中心方面，工作原则和偏置的实施例的细节示于附图。