具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

本实施例提供的方形凹部复合基板，结构如图2所示，包括基板1a，籽层101和碳层110，其中，在所述基板上形成多个凹部100。其中，所述籽层101位于所述基板1a上，所述籽层101部分的位于所述复合基板的中部，所述籽层101的上表面位于与基板1a上表面齐平或者略高，该籽层有利于金刚石形核，从而促进金刚石膜的生长，而且籽层有利于提高膜层与基板的结合力。

通过调节籽层结构可以调节复合基板的透过率，具体地，通过调节图2中所述凹部100的宽度和相邻所述凹部100的间距来调节透过率。所述凹部100不限于实例中结构，可以为锥形，方形，梯形等结构。所述凹部所占的面积越大，则透过率越低，但有助于提供碳层与基板的结合力。优选的，多个所述凹部与所述基板的面积比例为20％-80％。

如图2所示，所述籽层101的厚度是与所述凹部100平齐的所述籽层101在垂直方向上的长度，所述籽层101的厚度范围为2-15nm。低于2nm则碳层不易成膜，高于15nm则影响透过率。优选的，所述籽层的厚度为3-10nm。

所述凹部100的宽度为30-2000nm。优选的，所述凹部100的宽度为500-2000nm。如果所述凹部100的宽度大于2000nm，则透过率降低。如果所述凹部100的宽度小于30nm，制造难度大，工艺成本增加。

相邻所述凹部100的间距为30-2000nm，优选100-1000nm。

图3为本发明提出的采用锥形凹部的复合基板结构示意图，所述凹部的剖面图为锥形结构，通过调节斜面201和垂直面202的长度及夹角a，可以有效控制复合基板的透过率。与斜面201和垂直面202平齐的籽层厚度范围为2-15nm，夹角a的范围为20-150°，优选40-100°。锥形间距低于2000nm。锥形结构把内部籽层移到上表面，增加籽层上表面积，有利于沉积金刚石膜。整个籽层厚度没有增加，膜层光吸收不变，即透过率不变。

所述籽层101的材料包括Si，Ti，Mo，Ta中的一种或者几种的组合。

所述碳层110位于所述籽层101上，或者部分位于基板1a上。

所述碳层110为含有金刚石结构的涂层，具体的，所述碳层110可以是金刚石膜或类金刚石膜。本发明提供的复合基板的制备方法包含以下步骤：

提供一基板，所述基板为耐高温材料，所述基板包含但不限于石英玻璃；

通过图形化工艺，在所述基板上形成多个凹部；

在所述基板和凹部上沉积籽层；

在所述籽层上沉积碳层。

可选地，所述碳层的沉积工艺包括：

提供第一反应气体，第二反应气体和第三反应气体，所述第一反应气体如甲烷，丙酮和乙烯的一种或几种组合，所述第二反应气体为氢气、氧气，或氢气，所述第三反应气体为惰性气体，包括氦气、氖气、氩气和氪气中的一种或者几种组合。

可选地，所述第一反应气体和第二反应气体的流量百分比为1:10-1:100。

可选地，沉积所述碳层的反应温度为600℃-1200℃，工作气压1kPa-20kPa，工作脉冲偏压为0-600V。

具体制备实施例

第一步，基板清洗，依次采用酸，碱，丙酮，酒精，去离子水，获得清洁表面；

第二步，图形化处理，采用模板，曝光，显影，刻蚀获得具有多个凹部的基板表面。

第三步，制备籽层，首先采用Ar等离子体清洗基片表面，采用真空镀膜方式沉积的硅层。

第四步，采用热丝化学气相沉积法制备碳层，首先向真空反应腔室通入氢气，甲烷和氩气，流量分别是300sccm，10sccm，和100sccm，调节工作气压为5kPa，然后缓慢加载热丝电流，当基板温度为800℃时，停止加载热丝电流，加载基板偏压200V，沉积20min，卸载基板偏压，缓慢卸载灯丝电流，关闭灯丝电流，关闭反应气体，待真空腔室冷却至室温后，取出产品。

以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。