具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的实施例的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明的实施例进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明的实施例还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不限于下面公开的具体实施例的限制。

下面参照图1至图13描述根据本发明一些实施例提供的镀膜设备100。

实施例一

如图1、图3、图5、图7、图9和图11所示，本发明的一个实施例提供的镀膜设备100，包括第一电极组件111、第二电极组件112和热丝组件120。其中，第一电极组件111和第二电极组件112存在间隙，第一电极组件111与第二电极组件112极性相反。值得说明的是，第一电极组件111为正极，第二电极组件112为负极；或者，第一电极组件111为负极，第二电极组件112为正极。

进一步地，第一电极组件111与第二电极组件112之间的间隙形成沉积空间113，物料200位于沉积空间113，物料200与第一电极组件111平行，且物料200与第二电极组件112平行。具体地，物料200通过载具能够在沉积空间113内运动，或者跟随等离子体组件一起在沉积空间113内运动。等离子体组件通电后，两个电极组件之间产生射频、中频或高频，最常使用的是中频，频率在40kHz到400kHz之间。另外，还有比较常用的射频的频率为13.56MHz至60MHz。需要说明的是，kHz为千赫，MHz为兆赫。

进一步地，热丝组件120设于第一电极组件111与第二电极组件112之间，或者热丝组件120绕设于第一电极组件111以及第二电极组件112的外周。换言之，热丝组件120设于沉积空间113，或者热丝组件120设置在沉积空间113以外的位置。热丝组件120用于利用温度场使反应物分解，即利用自身放热特性来分解工艺气体达到等离子态。考虑到镀膜设备100的种类、占用空间大小、成本以及其它因素，根据实际需求对热丝组件120进行灵活设置。

本发明中的物料200为硅异质结太阳能电池，当然，还可以是其它类型的物料200。硅异质结太阳能电池是一种在晶体硅表面沉积非晶硅基薄膜形成异质结的电池，相较于传统的晶硅电池，其具有工艺简单、发电量高、度电成本底等优点，硅异质结太阳能电池已成为光伏行业的热点。

硅异质结太阳能电池通常采用化学气相沉积(CVD)的工艺进行加工，化学气相沉积包括两种，一种是等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)，另一种是热丝化学气相沉积(Hot Wire Chemical VaporDeposition，HWCVD)。相关技术的等离子体增强化学气相沉积工艺中，由于需要发射中频或射频(RF)，镀膜过程中离子会对沉积的薄膜进行轰击，虽然随着等离子体射频频率的提高，离子轰击能力逐渐降低，但是依然会存在，且等离子体射频频率提高的副作用是有效的薄膜均匀面积减少。

此外，相关技术的热丝化学气相沉积工艺中，虽然没有离子轰击的副作用，但是其成膜均匀性受到自身热丝特性的限制，热丝自身也会被镀膜从而导致镀膜稳定性受到影响，难以做到大面积的均匀性和规模生产。

换言之，单独采用等离子体增强化学气相沉积或热丝化学气相沉积工艺，会至少存在以下问题：离子轰击导致膜层产生缺陷、面积不均匀难以量产、热丝镀膜导致镀膜稳定性差等。

本发明限定的技术方案中，同时采用等离子体增强化学气相沉积和热丝化学气相沉积工艺对硅片进行镀膜，热丝组件120能够减弱离子轰击的副作用，降低由于离子轰击导致膜层产生缺陷的可能性，且热丝组件120的无离子轰击作用有利于提高沉积薄膜的质量，结合第一电极组件111和第二电极组件112的等离子体增强的作用，薄膜的沉积面积均匀性好，降低了热丝本身镀膜的可能性，有利于实现太阳能电池的规模化生产，达到高速沉积微晶硅和纳米硅的目的，提高产品质量。

本发明提供了一种等离子体结合热丝的镀膜方式，将等离子体技术和热丝技术共同作用同时镀膜的方法来实现大面积均匀高效无损伤镀膜的目的。可以是在PECVD结构中增设HWCVD结构，也可以是在HWCVD结构中增设PECVD结构。热丝组件120具备从真空腔体中引线出来施加电压实现真空中加热的功能，等离子体组件能够实现借助微波或射频等使工艺气体电离，在局部形成等离子体的功能。

以下方法步骤为在PECVD结构中增设HWCVD结构的其中一种：

步骤一：根据PECVD结构的种类，设计分别适用于板式和筒式结构的HWCVD结构。PECVD结构的种类分为板式和筒式两种，根据实际需求对HWCVD结构进行灵活设置；

步骤二：安装HWCVD结构进入PECVD结构中；

步骤三：工艺进程中，可以单独采用射频(RF)或热丝的其中一种，也可以射频和热丝功能同时工作。

热丝的存在减弱了PECVD的离子轰击的副作用，利用PECVD的等离子体电场减弱热丝的反应气体沉积到热丝上的副作用，利用热丝的无等离子轰击作用提高沉积薄膜的质量，也利用热丝的高速沉积，结合射频等离子体增强作用提高薄膜沉积的质量和形成良好的微观结构。微观结构包括非晶硅、微晶硅(1e^-6m)和纳米硅(1e^-9m)。

需要说明的是：筒式CVD即使用石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为主要加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积；板式CVD即将多片硅片放置在石墨载具上，放入一个金属的沉积腔室，腔室中有平板型电极，形成一个放电回路，将工艺气体分解成等离子体沉积到硅片表面。

实施例二

如图1和图3所示，镀膜设备100为板式结构。通过将镀膜设备100设置为板式结构，可以理解为，第一电极组件111与第二电极组件112为板式PECVD结构，根据PECVD结构的种类，设计适用于板式结构的HWCVD结构。进一步地，如图2和图4所示，热丝组件120包括安装框架121和加热丝122。具体地，安装框架121起到安装载体的作用，加热丝122穿设于安装框架121。物料200在载具的作用下，能够在加热丝122与其中一个电极组件之间运动，以完成镀膜工艺。

进一步地，热丝组件120还包括承接柱141。承接柱141的一端与第一电极组件111连接，承接柱141的另一端与第二电极组件112连接。安装框架121设置在沉积空间113中，承接柱141上设有限位凸起142，安装框架121与限位凸起142连接。

值得说明的是，在控制系统上，热丝与射频互不干扰，根据实际的工艺需求，可以任意使用一种或者联合使用。承接柱141的数量为四个，四个承接柱141分别位于电极组件的四角位置，以提高两个电极组件之间的连接强度。

进一步地，加热丝122的数量为多个，多个加热丝122平行设置，有利于增强热丝组件120的加热功能，以提高工艺处理后产品的质量。

值得说明的是，如图2所示，多个加热丝122平行设置，相邻两个加热丝122之间可以没有连接关系，即每个加热丝122均单独与供电组件电连接，当其中一根加热丝122故障出现问题时，其它的加热丝122仍然会继续工作；或者，如图4所示，相邻两个加热丝122之间首尾连接，方便工作人员进行接线，工作人员只需要整组接一次线，有利于提高工作效率。

可选的，本实施例中第一电极组件111与第二电极组件112平行设置。

实施例三

如图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12所示，镀膜设备100为筒式结构。通过将镀膜设备100设置为筒式结构，可以理解为，第一电极组件111和第二电极组件112为筒式PECVD结构，根据PECVD结构的种类，设计适用于筒式结构的HWCVD结构。进一步地，镀膜设备100还包括筒体130。具体地，第一电极组件111与第二电极组件112均设于筒体130内部，物料200在载具或等离子体组件的作用下，能够沿筒体130的长度方向进行运动，以完成镀膜工艺。

进一步地，如图5、图6、图7和图8所示，热丝组件120包括加热丝122。具体地，加热丝122设置在筒体130的内部，加热丝122沿筒体130的内壁进行周向设置，加热丝122的设置方向与筒体130的长度方向一致，有利于增强热丝组件120的加热功能，以提高工艺处理后产品的质量。

值得说明的是，加热丝122的数量可以是一个，也可以是两个或者多个。当加热丝122的数量为一个时，加热丝122螺旋环绕设置；当加热丝122为两个或者多个时，加热丝122为螺旋状，或者为环状，相邻两个加热丝122平行设置，或者径向尺寸较大的加热丝122套设在径向尺寸较小的加热丝122的外侧。考虑到占用空间大小、加热效果、成本以及其它因素，根据实际需求进行灵活设置。

在另一个实施例中，如图9、图10、图11和图12所示，热丝组件120包括加热丝122。具体地，加热丝122沿筒体130的内壁螺旋延伸，加热丝122绕筒体130的轴向方向布设在筒体130内部。可以理解为，加热丝122的轴线方向与筒体130的长度方向一致，加热丝122的轴线与筒体130的轴线平行或重合。根据镀膜设备100的结构，对加热丝122进行设置，有利于增强热丝组件120的加热功能，以提高工艺处理后产品的质量。

实施例四

如图13所示，第一电极组件111包括第一连接部1111和多个第一电极板1112。具体地，多个第一电极板1112设于第一连接部1111，第一连接部1111起到安装载体的作用，相邻两个第一电极板1112之间的间距相同。通过设置多个第一电极板1112，有利于增大第一电极板1112的有效面积。

进一步地，第二电极组件112包括第二连接部1121和多个第二电极板1122。具体地，第二连接部1121与第一连接部1111平行设置，多个第二电极板1122设于第二连接部1121，第二连接部1121起到安装载体的作用，相邻两个第二电极板1122之间的间距相同。通过设置多个第二电极板1122，有利于增大第二电极板1122的有效面积。

进一步地，第二电极板1122与第一电极板1112交错设置，且第二电极板1122与第一电极板1112相互平行，第二电极板1122与第一电极板1112之间的间隙形成沉积空间，相邻的第一电极板1112与第二电极板1122通过陶瓷隔开。可以理解为，多个第一电极板1112与多个第二电极板1122之间形成多个沉积空间113，可同时对多个物料200进行工艺处理，有利于提高工作效率。

进一步地，物料200与第一电极板1112平行，且物料200与第二电极板1122平行，有利于增大两个电极组件以及热丝组件120对物料200的工艺处理面积，提高工作处理后产品的质量。

值得说明的是，如图6和图10所示，第一电极组件111中的第一电极板1112竖直设置，且第二电极组件112中的第二电极板1122竖直设置，此时的物料200也是竖直设置；如图8和图12所示，第一电极组件111中的第一电极板1112水平设置，且第二电极组件112中的第二电极板1122竖直设置，此时的物料200为水平设置。

根据本发明的镀膜设备的实施例，同时采用等离子体增强化学气相沉积和热丝化学气相沉积工艺对硅片进行镀膜，热丝组件能够减弱离子轰击的副作用，降低由于离子轰击导致膜层产生缺陷的可能性，且热丝组件的无离子轰击作用有利于提高沉积薄膜的质量，结合第一电极组件和第二电极组件的等离子体增强的作用，薄膜的沉积面积均匀性好，降低了热丝本身镀膜的可能性，有利于实现太阳能电池的规模化生产，达到高速沉积微晶硅和纳米硅的目的，提高产品质量。

在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。