具体实施方式

对于某些类型的存储器单元(例如，易失性存储器单元)，刷新操作可用于维持由存储器单元存储的逻辑值。例如，存储器单元可能随着时间而丢失其所存储的逻辑值(例如，由于泄漏或其它影响)，并且刷新操作可包含从一组存储器单元读取所存储的逻辑值并将那些相同的逻辑值写回到该组存储器单元。

在一些情况下，存储器阵列可以包含多个存储器部分。在一个部分内，存储器单元可以组织为多行和多列，其中每行存储器单元与对应的行线耦合或以其它方式相关联，并且每列存储器单元与对应的列线耦合或以其它方式相关联。除了其它可能的术语之外，行线可以可替代地称作字线，列线可以可替代地称作数位线或位线。一些存储器阵列可以包含多种类型的存储器部分，并且对一种类型的存储器部分的存储器单元执行刷新操作可以包含激活比在另一类型的存储器部分中执行刷新操作更多的字线。

作为一个实例，在一些阵列架构中，感测部件(例如，感测放大器)可位于阵列的存储器部分之间，并且当阵列的内部部分中的存储器单元被存取(例如，读取、写入或刷新)时，可以使用两组感测部件，其中存储器部分中的一些数位线与存储器部分的一侧上的第一组感测部件耦合，并且存储器部分中的其它数位线与存储器部分的另一侧上的第二组感测部件耦合。然而，当阵列的边缘部分中的存储器单元被存取时，可能只有一组感测部件可用-例如，由于部分在阵列的边缘上，可能只有部分的一侧上有感测部件。因此，尽管边缘部分中的存储器单元行可以包含与内部部分中的存储器单元行相同数量的存储器单元(例如，为了降低制造复杂性，或者出于任意数量的其它原因)，但是与激活内部部分中的一条字线相比，激活边缘部分中的一条字线可以支持存取更少数量的存储器单元(例如，仅与奇数数位线耦合的存储器单元，或者与偶数数位线耦合的存储器单元)。

因此，在一些情况下，为了在所有刷新操作中刷新或激活相同数量的被刷新的存储器单元，当存储器单元在边缘部分内被刷新时，可以比当存储器单元在内部部分内被刷新时激活更多的字线(例如，两倍)。例如，对于边缘部分中的刷新操作，可以跨不同部分激活多条字线(例如，可以在一个边缘部分中激活一条字线，并且可以在另一部分中激活另一条字线，诸如在阵列的相对侧上的另一边缘部分或配置为与一或多个边缘部分同时存取的内部部分)。因为每次刷新操作总共可以激活更多的字线，所以与内部部分的刷新操作相比，边缘部分的刷新操作可以消耗更多的功率和/或电流。

应该理解的是，前述仅是一个实例，并且一种类型的存储器部分的刷新操作可以包含由于任意数量的其它原因相对于另一类型的存储器部分的刷新操作激活一或多个附加的字线。进一步，应该理解的是，虽然术语内部部分在本文可以用来指第一类型的存储器部分，对于第一类型的存储器部分，对于每个刷新操作激活一或多条字线的基线(例如，默认)数量，并且术语边缘部分在本文可以用来指第二类型的存储器部分，对于第二类型的存储器部分，对于每个刷新操作激活至少一条附加的字线，此类术语的使用仅仅是为了讨论的清楚和简洁；取决于阵列架构或其它因素，第一类型的存储器部分不必物理上位于存储器阵列的内部，并且第二类型的存储器部分不必物理上位于存储器阵列的边缘(外围)。

在一些情况下，相同装置的多个存储器管芯(例如，相同等级的管芯，诸如双列直插式存储器模块(DIMM)的等级)可以每个包含至少一个各自的存储器阵列，并且可以共享相同的命令/地址(CA)总线。因为CA总线是共享的，所以CA总线上的刷新命令还可以是共享的(例如，每个存储器管芯可以同时接收相同的刷新命令)。如果多个存储器管芯每个同时刷新边缘部分内的存储器单元，则装置可能出现功率和/或电流尖峰。这可能导致装置的峰值功率和/或电流以及装置的峰值平均功率比(PAPR)因此上升。如本领域普通技术人员可以理解的，由于许多原因，此类电流/功率尖峰可能是不希望的。

如本文所述，存储器管芯可以包含刷新计数器或者以其它方式与刷新计数器相关联(例如，耦合)，并且当存储器管芯要执行刷新操作时，存储器管芯可以基于由刷新计数器指示的值(例如，二进制数)来激活一或多条字线。例如，刷新计数器的值可以包括或以其他方式指示行地址，并且当存储器管芯执行刷新操作时，它可以刷新一组一或多行存储器单元，其中该组包含对应于刷新计数器的操作值的行。

为了防止一组存储器管芯同时刷新所有边缘部分，即使它们共享相同的CA总线或以其它方式执行并发刷新操作，至少一些存储器管芯的刷新计数器可以交错(相对于彼此偏移)，使得在任意给定时间，至少一些存储器管芯具有不同值的刷新计数器。例如，不同计数器可以偏移至少与每个部分的行数一样大的量。因此，当接收刷新命令时，即使装置的一或多个存储器管芯具有指向边缘部分中的行的值的刷新计数器，装置的一或多个其它存储器管芯还可以具有指向内部部分中的行的不同值的刷新计数器。

为了引入刷新计数器之间的交错，可以为每个存储器管芯提供(例如，在装置内)熔丝电路，并且配置熔丝电路，使得至少一些存储器管芯的刷新计数器设置为指示不同(例如，偏移的、交错的)值。例如，此类交错可以在管芯(例如，包含管芯的装置)的启动或重启时引入。在一些情况下，当接收刷新命令并且在不同管芯处执行刷新操作时，存储器管芯处的刷新计数器可以以相似的方式递增(例如，根据相同的模式或进程)-因此，在存储器管芯的操作期间可以维持刷新计数器之间的偏移。

最初在参考图1描述的存储器管芯的上下文中描述本公开的特征。然后在参考图2-4描述的装置、系统、刷新过程和位反相方案的上下文中描述本公开的特征。通过参考图5-7描述的与存储器装置的交错刷新计数器相关的设备图和流程图来进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。

图1示出了根据本文公开的实例的支持存储器装置的交错刷新计数器的存储器管芯100的实例。在一些实例中，存储器管芯100可以称作存储器芯片，并且可以包含在存储器装置或电子存储器设备中(例如，一或多个存储器管芯100可以包含在封装中，并且封装可以安装在或以其它方式包含在DIMM或其它类型的模块中)。存储器管芯100可以包含一或多个存储器单元105，每个存储器单元是可编程的，以存储一组逻辑值中的一个(例如，编程为一组两个或更多个可能状态中的一个)。例如，存储器单元105可以用于一次存储一位信息(例如，逻辑0或逻辑1)。

在一些情况下，存储器单元105可以在电容器中存储代表可编程状态(对应于各自的逻辑值)的电荷。例如，DRAM架构可以包含电容器，其包含电介质材料以存储代表可编程状态的电荷。在其它存储器架构中，其它存储装置和部件也是可能的。例如，可以采用非线性电介质材料。存储器单元105可以包含诸如电容器130的逻辑存储部件和开关部件135。电容器130的节点可以与电压源140耦合，电压源可以是电池板参考电压，诸如Vpl，或者可以是地，诸如Vss。

存储器管芯100可以包含以图案布置的一或多条存取线(例如，一或多条字线110和一或多条数位线115)，诸如图1的实例中所示的行和列的网格状图案。存取线可以是与存储器单元105耦合的导线，并且可以用于对存储器单元105执行存取操作。在一些实例中，字线110可以称作行线，并且与相同的字线110耦合的一组存储器单元可以称作行。在一些实例中，数位线115可以称作列线或位线，并且与相同的数位线115耦合的一组存储器单元可以称作列。对存取线、行线、列线、字线、数位线或位线或其类似物的引用是可互换的，而不会丧失理解或操作。在一些情况下，存储器单元105可以定位在字线110和数位线115的相交处。

可以通过激活或选择存取线(诸如一或多条字线110或数位线115)来在存储器单元105上执行诸如读取和写入的操作。激活字线110或数位线115可以包含将字线110或数位线115偏置到特定电压(例如，向字线110或数位线115施加电压)。在一些架构中，当激活用于存储器单元105的字线110时，可以基于设置或感测对应的数位线115的电压来存取(例如，写入或读取)存储器单元105。二维或三维配置的字线110和数位线115的相交处可以称作存储器单元105的地址。进一步，字线110可以被分配对应的字线地址(可替代地，行地址)，并且数位线115可以被分配相应的数位线地址(可替代地，列地址)。

激活字线110和数位线115可以通过行解码器120或列解码器125来控制。例如，行解码器120可以从本地存储器控制器160接收行地址，并且基于接收的行地址激活字线110。在一些情况下，如本文别处更详细描述的，对于刷新操作，行地址可以从刷新计数器165提供给行解码器120或给本地存储器控制器160(例如，用于中继到行解码器120)。列解码器125可以从本地存储器控制器160接收列地址，并且基于接收的列地址可以激活一或多个数位线115。

选择或取消选择存储器单元105可以通过基于激活或去激活与开关部件135耦合的字线110来激活或去激活开关部件135来实现。例如，当去激活开关部件135时(基于去激活字线110)，电容器130可以与数位线115隔离，并且当激活开关部件135时(基于字线110被激活)，电容器130可以与数位线115耦合。

感测部件145可操作以经由对应的数位线115检测存储在存储器单元105的电容器130上的状态(例如，电荷)，并且基于存储的状态确定存储器单元105的逻辑值。感测部件145可以包含一或多个感测放大器，以放大或以其它方式反相由存取存储器单元105产生的数位线115上的信号。感测部件145可以将从存储器单元105检测到的信号与参考150(例如，参考电压)进行比较。在一些情况下(例如，对于读取操作)，存储器单元105的检测到的逻辑值可以被提供为感测部件145的输出(例如，到输入/输出155)，其可以向包含存储器管芯100的存储器装置的另一部件指示检测到的逻辑值。对于刷新操作，检测到的逻辑值可以被写回到存储器单元105(例如，通过或以其它方式使用感测部件145)。

本地存储器控制器160可以通过各种部件(例如，行解码器120、列解码器125、感测部件145)来控制对存储器单元105的存取。在一些实例中，行解码器120、列解码器125和感测部件145中的一或多个可以与本地存储器控制器160位于同一位置(例如，包含在其中)。本地存储器控制器160可操作以从主机装置或与存储器管芯100相关联的另一控制器接收一或多个命令或数据，将命令或数据(或两者)翻译成可由存储器管芯100使用的信息，在存储器管芯100上执行一或多个操作，并且基于执行一或多个操作将数据从存储器管芯100通信到主机装置。

例如，本地存储器控制器160可操作以在存储器管芯100的一或多个存储器单元105上执行一或多个存取操作。存取操作的实例可以包含写入操作、读取操作或刷新操作等。在一些实例中，存取操作可以由本地存储器控制器160响应于各种存取命令来执行或以其它方式协调，这些存取命令可以在内部生成或从外部装置(例如，从主机装置)接收。在一些情况下，本地存储器控制器160可操作以执行此处未列出的其它存取操作，或者与存储器管芯100的操作相关的、与存取存储器单元105不直接相关的其它操作。

对于某些类型的存储器单元105(诸如易失性存储器单元105)，由存储器单元105存储的逻辑值可能随着时间而退化(例如，由于泄漏或其它影响)。本地存储器控制器160可以执行重写入或刷新操作(例如，周期性地或基于另一个调度或命令的基础)，以维持存储器单元105存储它们各自的逻辑值。执行刷新操作可以包含激活一或多条字线110，其中本地存储器控制器160可以将存储的逻辑值重写入到与一或多条字线110耦合的存储器单元105。

如图1中的实例所示，存储器管芯100可以包含刷新计数器165。刷新计数器165可以与本地存储器控制器160耦合。可替代地，刷新计数器165可以包含在本地存储器控制器160中，或者直接与行解码器120耦合，以及其它可能的配置。刷新计数器165可以指示对应于(例如，包括或以其它方式指示)字线地址(可替代地，行地址、字线索引或刷新索引)的值，其中每条字线110具有唯一的字线地址。

当要执行刷新操作时，可以激活具有对应于刷新计数器165的值的字线地址的字线110，并且可以刷新与激活的字线110耦合的存储器单元105的一些或所有。在一些情况下，作为单次刷新操作的一部分，存储器管芯100可以刷新多行(例如，两行、四行、八行或十六行)存储器单元105，其可以与称作字线组的对应的一组字线110耦合。例如，刷新计数器165的值可以指示字线组的起始字线地址，或者每个字线组可以具有对应的刷新索引。刷新计数器165可以针对每个刷新操作递增(或者可替代地，递减)其值，使得当要执行下一个刷新操作时，刷新计数器165的值对应于与作为先前刷新操作的部分而未被刷新的单元耦合的字线110(或字线组)。在一些情况下，可以响应于存储器管芯100从外部装置(例如，主机装置)接收的命令来执行刷新操作。附加地或可替代地，可以基于在存储器管芯100内部生成的命令(例如，由本地存储器控制器160)来执行刷新操作。

并且在一些情况下，存储器管芯100可以基于从外部装置接收的单个刷新命令来执行多个刷新操作(例如，每个刷新操作用于不同字线组)。例如，存储器管芯100可以配置为在接收每个外部刷新命令之后生成一些附加的内部刷新命令，存储器管芯100可以响应于每个刷新命令来刷新一行或一组行，而不管刷新命令是从外部源接收的还是内部生成的。

图2示出了根据本文公开的实例的支持存储器装置的交错刷新计数器的系统200的实例。

系统200可以包含主机装置201。主机装置201可以是使用存储器来执行过程的装置的实例，诸如中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)或另一类型的处理器。

系统200还可以包含存储器装置202。存储器装置202可以包含两个或更多个存储器管芯205。尽管示出了四个存储器管芯205，但是应该理解的是，任意数量的存储器管芯205都是可能的。存储器管芯205-a、205-b、205-c和205-d中的每个都可以是参考图1描述的存储器管芯100的实例。例如，每个存储器管芯205可以包含刷新计数器。在一些情况下，存储器装置可以是模块(例如，DIMM)。

存储器装置202内的每个存储器管芯205可以经由共享的CA总线215与主机装置201耦合。在一些情况下，共享的CA总线215的存储器管芯205可以被统称为一个等级，并且尽管示出了一个等级，但是存储器装置202可以包含任意数量的等级。CA总线215可以在主机装置201和存储器管芯205之间传送信号，并且CA总线215可以包括一或多个耦合信号路径(例如，线迹、接合线、衬垫或引脚等)的任意组合。由于CA总线215可以在存储器管芯205之间共享，所以由主机装置201发射的每个信号可以由每个存储器管芯205接收。由主机装置沿CA总线215发射的信号的一些实例可以包含诸如读取命令、写入命令和刷新命令之类的命令。主机装置201还可以与一或多个数据(DQ)总线(未示出)耦合，该总线可以在主机装置201和存储器管芯205之间传送数据，其中数据可以与通过CA总线215的命令相关联(例如，响应于命令而读取或写入)。

每个存储器管芯205可以与各自的熔丝电路210耦合。例如，存储器管芯205-a可以与熔丝电路210-a耦合，存储器管芯205-b可以与熔丝电路210-b耦合，存储器管芯205-c可以与熔丝电路210-c耦合，并且存储器管芯205-d可以与熔丝电路210-d耦合。每个熔丝电路210可以包含任意数量的熔丝(或者可替代地，反熔丝或一些其它种类的非易失性存储元件)，并且熔丝电路210内的熔丝的状态可以控制(例如，初始化或以其它方式设置)对应的存储器管芯205的一或多个操作参数或其它设置。

存储器管芯205可以在启动事件(启动或重启)时读取(感测或以其它方式检测)对应的熔丝电路210的熔丝的状态。例如，存储器管芯205可以基于(如所指示的)对应的熔丝电路210中的一或多条熔丝的状态来初始化或以其它方式将其刷新计数器设置为初始值。不同熔丝电路210的熔丝的状态可以变化，使得至少一些存储器管芯205的刷新计数器设置为不同初始值-即偏移。

在启动事件之后，主机装置201可以经由CA总线215向存储器管芯205发送命令(例如，写入、读取、刷新命令)。主机装置201和存储器管芯205还可以基于命令经由一或多条其它总线交换数据。当主机装置201经由CA总线215发射刷新命令时，每个存储器管芯205可以接收刷新命令，并且每个存储器管芯205可以基于刷新命令来刷新各自的存储器单元组。对于每个存储器管芯205，哪些存储器单元被刷新可以取决于在接收刷新命令时存储器管芯205的刷新计数器的值。因此，如果两个存储器管芯205具有在接收刷新命令时指示不同值的刷新计数器，则两个存储器管芯205可以响应于相同的刷新命令，基于两个各自的刷新计数器的不同值来刷新不同行的存储器单元。响应于总线215上的每个刷新命令，存储器管芯205的刷新计数器可以以相似的方式递增(或递减)(例如，递增相同的量，或者根据相同的模式)。因此，当存储器装置202操作时，在启动时(例如，由熔丝电路210)引入的存储器管芯205的刷新计数器之间的任意偏移可持续(被维持)。

图3A和3B示出了根据本文公开的实例的刷新操作的实例300-a和300-b。图3A和3B中所示的刷新操作可以由存储器管芯205-e和205-f来执行，该存储器管芯可以共享公共的CA总线215，并且是如参考图2所描述的存储器装置202内的存储器管芯205的实例。实例300-a可以示出两个存储器管芯205-e、205-f在第一时间的各自的刷新操作，并且实例300-b可以示出两个存储器管芯205-e、205-f在第二时间的各自的刷新操作。

两个存储器管芯205-e、205-f可以具有两个边缘部分305和一定数量的内部部分310。对边缘部分305执行的刷新操作可以包含激活比在内部部分310中执行的刷新操作更多的行(更多的字线)。例如，对边缘部分305执行的刷新操作可以包含激活两倍于在内部部分310中执行刷新操作的行315(例如，更多字线)。例如，可以激活第一边缘部分305的第一行315和第二边缘部分305的第二行315作为边缘部分305的单次刷新操作的部分，而可以激活单个行315作为内部部分310的单次刷新操作的部分。作为一个实例，两个边缘部分305的第一个可以具有与奇数索引数位线耦合的存储器单元，并且两个边缘部分305的第二个可以具有与偶数索引数位线耦合的存储器单元。

存储器管芯205-e、205-f的各自的刷新计数器可能已经设置(例如，初始化)为不同(偏移的、交错的)值(例如，由于不同相关联的熔丝设置)，并且当两个存储器管芯205-e、205-f响应于共享的CA总线上的共享刷新命令执行刷新操作时，它们的各自的刷新计数器的值可能继续偏移。

两个存储器管芯205-e、205-f的刷新计数器值之间的偏移可以足够大，使得当存储器管芯205-e的刷新计数器指示边缘部分305内的行地址时，存储器管芯205-f的刷新计数器指示内部部分310内的行地址。例如，两个存储器管芯205-e、205-f的每个存储器部分305、310可包含相同数量的存储器单元行(并且因此相同数目的字线)。阵列内的一个存储器部分305、310中的行数可以称作数位线长度，因为给定部分中的数位线可以跨距(例如，耦合)该部分中的所有字线。例如，1,024的数位线长度可以指示每个存储器部分305、310包含1024条字线。应该理解的是，本文提供的任意数字实例仅仅是为了说明清楚，而不是限制。如果两个存储器管芯205-e、205-f的两个刷新计数器偏移大于或等于数位线长度的量(例如，基于被初始化为由偏移量分隔的不同值)，则当一个刷新计数器指示边缘部分305中的行地址时，另一刷新计数器可以指示内部部分310中的行地址，因为两个计数器可以随着接收共享的刷新命令而一起递增。

在一些情况下，由于当激活边缘部分305时可以激活多行(例如，第一边缘部分305中的第一行和第二边缘部分305中的第二行)，因此对应的刷新计数器可以被索引到激活的多行中的一行。例如，行解码器可以配置为当刷新计数器的值具有特定值时激活行315-a和行315-b(例如，行315-a和行315-b可以具有公共的(相同)行地址)。附加地，在一些情况下，即使在每个边缘部分305中激活的行的绝对位置可能彼此不同，但是在每个边缘部分305中激活的行的相对位置可能相同。例如，如果第一边缘部分305中的第一行被激活并且是该第一边缘部分305内的第X行，则还可以激活作为该第二边缘部分305内的第X行(或具有地址X的行)的第二边缘部分305中的第二行。

在图3A的实例中，第一刷新命令可以由两个存储器管芯205-e、205-a通过共享的CA总线接收。在接收第一刷新命令时，存储器管芯205-e的刷新计数器可以指示行315-a或315-b中的一个的行地址，并且存储器管芯205-f的刷新计数器可以指示行315-c的行地址。如本文所述，行315-a和315-b在一些情况下可以对应于它们各自的边缘部分305内的相同的相对位置或相同地址。

当接收第一刷新命令时，可以基于存储器管芯205-e的刷新计数器的值激活边缘部分305-a中的行315-a和边缘部分305-b中的行315-b，并且当接收第一刷新命令时，可以基于存储器管芯205-f的刷新计数器的值激活内部部分310-c中的行315-c。行315-a、315-b和315-c内的存储器单元中一些或全部可以被刷新(例如，同时)。例如，在一些情况下，可以刷新内部部分310(例如，行315-c)中的激活行内的所有存储器单元，并且可以刷新边缘部分305(例如，行315-a和315-b)中的激活行内的存储器单元的部分(例如，一半)。

当接收后续刷新命令时，两个存储器管芯205-e、205-f可以响应于每个刷新命令执行相同数量的刷新操作，并且因此它们各自的刷新计数器可以递增相似的量，使得它们各自的刷新计数器之间的偏移得以维持。例如，在图3B的实例中，第二刷新命令可以由两个存储器管芯205-e、205-f通过共享的CA总线接收(例如，在第一刷新命令之前或之后的时间)。响应于第二刷新命令，存储器管芯205-e可以激活内部部分310-a内的行315-d，而存储器管芯205-f可以激活边缘部分305-c内的行315-e和边缘部分305-d内的行315-f。

尽管图3A和3B可以示出在单个内部部分310内激活单行的实例，但是可以存在可以激活多行的每行(例如同时)作为单次刷新操作的部分的实例，其中每个激活的行在不同内部部分310内(例如，激活的行可以分布在四个、八个或十六个内部部分310上)。此类行可以统称为行组，或者在每行对应于各自的字线的情况下，称作字线组。

在激活多行可以作为单次刷新操作的部分的情况下，多行的每行在不同内部部分310内，可以将对应的刷新计数器索引到激活的多行中的一行。附加地，在一些情况下，即使激活的行的绝对位置可能彼此不同，但是在每个各自的内部部分310内激活的行的相对位置可能相同。例如，如果第一内部部分310的第一行被激活并且是该第一内部部分310的第Y行，则还可以激活作为该第二内部部分310的第Y行的第二内部部分310的第二行。因此，当激活第一内部部分310的最后一行时，可以对应地激活第二内部部分310的最后一行。类似地，当激活第一内部部分310的第一行时，还可以激活第二内部部分310的第一行。

在一些情况下，为了在不同存储器管芯205的刷新计数器之间引入偏移，可以采用相加法。例如，不同固定量可以被添加到刷新值或以其它方式将由一或多个存储器管芯205处的刷新计数器165来维持或指示，在单个存储器管芯205处添加的量(如果有的话)由存储器管芯的熔丝电路210的配置来设置。添加到刷新计数器165的固定量可以等于调整因子的整数倍，其中调整因子可以等于存储器管芯205的数位线长度。或者，调整因子可以大于存储器管芯205的数位线长度。不同存储器管芯205的刷新计数器165可以通过调整因子的不同倍数来调整。在一些情况下，相加法(诸如下面参考图4A的实例描述的那些方法)可以帮助确保刷新操作总是在不同管芯的不同部分中，例如，调整因子可以设置为任意期望的量，以及本领域普通技术人员可以理解的其它权益。

并且在一些情况下，为了在不同存储器管芯205的刷新计数器之间引入偏移，可以采用反相法。例如，一或多位(例如，一定数量的最高有效位(MSB))可以在刷新值内反相，或以其它方式将由一或多个存储器管芯205处的刷新计数器165维持或指示，反相的位(如果有的话)由存储器管芯的熔丝电路210的配置来设置。调整刷新计数器165的值的量可以取决于反相了哪些位以及它们各自的重要性。进一步，改变刷新计数器165的值的量可以等于调整因子的整数倍，其中调整因子可以等于或大于存储器管芯205的数位线长度。不同存储器管芯205的刷新计数器的值可以通过调整因子的不同倍数来调整。在一些情况下，反相法(诸如下面参考考图4B和4C的实例描述的那些方法)可以提供与设计复杂性和面积效率相关的权益，以及本领域普通技术人员可以理解的其它权益。

图4A示出了用于使用相加法调整与刷新计数器165-a相关联的值的电路400-a的实例，其可以支持在刷新计数器165-a和与不同存储器管芯205相关联的刷新计数器165之间引入偏移。

包含刷新计数器165-a的存储器管芯205还可以包含加法器405，并且加法器405可以配置为将固定量添加到以其它方式由存储器管芯205的刷新计数器指示的值。加法器405可以通过链路410-a与刷新计数器165-a耦合，其中链路410-a可以配置为向加法器405提供由刷新计数器165-a指示(维持、生成)的值。

因此，例如，当刷新计数器指示以其它方式等于X的值时，加法器可以通过链路420-a输出等于X加上固定量(受到翻转效应的影响)的值，并且因此不同存储器管芯205的加法器可以基于设置为添加不同固定量来输出不同值。例如，链路420-a可以与存储器管芯205内的存储器控制器或行解码器耦合。

例如，由加法器为存储器管芯205添加的固定量可以由通过链路415-a接收的信号来确定(设置、指示)，信号可以基于存储器管芯205的熔丝电路210的配置或以其它方式指示该配置而生成。例如，可以在启动事件时为加法器405读取和锁存熔丝电路210的设置。

尽管图4A的实例将加法器405示为与刷新计数器165-a耦合，但是加法器405可以可替代地认为包含在刷新计数器165-a中；本文的教导不考虑也不依赖于此类概念化。

在一些情况下，为了在不同存储器管芯205的刷新计数器之间引入偏移，可以采用反相法。图4B示出了用于使用反相法调整与刷新计数器165-b相关联的值的电路400-b的实例，其可以支持在刷新计数器165-b和与不同存储器管芯205相关联的刷新计数器165之间引入偏移。

刷新计数器165-b可以包含默认状态部件425、反相电路430-a、多路复用器435-a和锁存器440。应该理解的是，刷新计数器165-b还可以包含任意数量的附加部件(例如，加法器)，但是为了清楚描述所示部件起见，可以不示出此类附加部件。

锁存器440可以配置为维持由刷新计数器165-b维持的值(刷新索引)的一位的逻辑值，并且通过链路420-b指示该一位的逻辑值。例如，链路420-b可以与存储器管芯205内的存储器控制器或行解码器耦合。默认状态部件425可以配置为通过链路412-a提供(生成、输出)信号，该信号指示锁存器440的输入的默认(例如，非反相)状态(值)。反相电路430-a(例如，反相器)可以经由链路412-a与默认状态部件425耦合，并且反相电路430-a可以配置为通过链路412-b提供(生成、输出)信号，该信号指示锁存器440的输入的反相状态(值)-即，通过链路412-a指示的默认状态的反相。

多路复用器435-a可以经由链路412-a与默认状态部件425耦合，并且经由链路412-b与反相电路430-a耦合。多路复用器435-a可以配置为选择默认状态(例如，如经由链路412-a所指示的)或者反相状态(例如，如经由链路412-b所指示的)，并且通过链路445输出指示所选状态的信号，其中链路445可以与锁存器440的输入耦合。例如，多路复用器可以配置为基于经由链路415-b接收的信号来选择默认状态或反相状态是否输入到锁存器440，信号可以基于存储器管芯205的熔丝电路210的配置或以其它方式指示该配置而生成。因此，因为锁存器440的输出可以基于经由链路445在锁存器440的输入处接收的信号，所以熔丝电路210的配置可以控制通过链路420-b输出的逻辑值是默认值还是反相值。

刷新计数器165-b的值可以包括任意数量的位。图4B中所示的部件的一些或所有可以与所描述的单个位相关联，并且应该理解的是，可以复制这些部件以提供期望数量的位，基于存储器管芯205的熔丝电路210的配置，每一位可以独立地被选择性地反相或不反相。例如，刷新计数器165-b可以包含刷新计数器165-b的值的每一位的各自的锁存器440和各自的多路复用器435-a。例如，如果基于锁存器440的对应的子集将值的位的子集反相(例如，一定数量的MSB)，锁存器配置为接收反相输入，则刷新计数器165-b的值可以基于反相位的重要性改变一定量。

尽管图4B的实例示出了包含在刷新计数器165-b中的默认状态部件425、反相电路430-a和多路复用器435-a，但是这些方面可以可替代地被认为与刷新计数器165-b耦合；本文的教导不考虑也不依赖于此类概念化。

图4C示出了用于使用反相法调整与刷新计数器165-c相关联的值的电路400-c的另一实例，其可以支持在刷新计数器165-c和与不同存储器管芯205相关联的刷新计数器165之间引入偏移。

包含刷新计数器165-c的存储器管芯205还可以包含多路复用器435-b。刷新计数器165-c还可以包含反相电路430-b(例如，一或多个反相器，或者配置为输出锁存状态的真(非反相)值和互补(反相)值的锁存器)。多路复用器435-b可以通过链路412-c和412-d与刷新计数器165-c耦合，其中链路412-c配置为向多路复用器435-b提供由刷新计数器165-c指示(维护、生成)的位值，并且链路412-d可以配置为向多路复用器435-b提供那些位的反相值(例如，由反相电路430-b生成)。

例如，对于刷新计数器165-c的值的每一位，多路复用器435-b可以配置为基于通过链路415-b接收的信号来选择位的非反相(例如，经由链路412-c)或反相(例如，经由链路412-d)值，信号可以基于存储器管芯205的熔丝电路210的配置或以其它方式指示该配置而生成。如果值的位的子集反相(例如，一定数量的MSB)，则由多路复用器435-b通过链路420-c输出的值(其可以认为是刷新计数器165-c的值，是由存储器管芯205的其它部件所感知的)可以基于反相位的重要性改变一定的量。例如，链路420-c可以与具有存储器管芯205内的存储器控制器或行解码器耦合。

例如，存储器管芯205的刷新计数器值的一或多位是否将反相可以通过在链路415上接收的一或多个信号来确定(设置)，信号可以基于存储器管芯205的熔丝电路210的配置或以其它方式指示该配置而生成，配置可以提供多路复用器435是否为每一位(或可能反相的位的子集的每一位)选择反相或非反相值的信号或其它指示。例如，可以在启动事件时为多路复用器435读取和锁存熔丝电路210的设置。

尽管图4C的实例将多路复用器435-b示为与刷新计数器165-c耦合，但是多路复用器435-b可以可替代地认为包含在刷新计数器165-c中；本文的教导不考虑也不依赖于此类概念化。

回到图2，在一些情况下，不同熔丝电路210的不同设置可以设置(熔断)在存储器202的测试阶段。在一些情况下，取决于存储器装置202中包含的存储器管芯205的数量、存储器管芯205内每次刷新操作刷新的行数、每个存储器管芯205的数位线长度、每个存储器管芯205内的存储器部分的数量或其任意组合，可能或不可能配置刷新计数器之间的偏移，使得没有两个存储器管芯205同时刷新边缘部分(例如，响应于相同的刷新命令)。例如，就刷新的存储器单元而言，第二存储器管芯205可以从第一存储器管芯205偏移一个部分，第三存储器管芯可以从第一存储器管芯205偏移两个部分等，但是基于上述因素或其它(例如，基于存储器装置202内足够大数量的存储器管芯205)，至少一个其它存储器管芯205可以响应于刷新命令来刷新与第一存储器管芯205相同的部分。

然而，本文的教示仍可用于避免所有存储器管芯205同时刷新边缘部分(例如，响应于相同的刷新命令)，并且在一些情况下均衡化或接近均衡化跨越刷新命令刷新边缘部分的存储器管芯205的数量。例如，在具有十八个存储器管芯205的等级中，三个存储器管芯205可以响应于每个刷新命令来刷新边缘部分(与例如所有十八个存储器管芯205响应于每六个刷新命令来刷新边缘部分，并且没有一个存储器管芯205响应于其它刷新命令来刷新边缘部分相反)。因此，可以避免或减少存储器装置202的电流/功率尖峰-即，可以平滑存储器装置的电流和功率消耗-并且可以改善存储器装置202的PAPR。

在一些情况下，存储器管芯205内的存储器阵列可以包含多个存储体，其中每个存储体可以包含边缘部分305和内部部分310。例如，图3的实例可以说明存储器管芯205内的一个存储体内的存储器部分，尽管存储器管芯205也可以包含一或多个附加存储体。在一些情况下，存储器管芯205的一个存储体中的存储器单元可以独立于存储器管芯205的另一存储体中的存储器单元存取(并且因此可能同时存取)。然而，在单个存储体内，一次只能存取一个存储器部分中的存储器单元。

在一些情况下，存储器装置202和其中的存储器管芯可以支持两种不同类型的刷新命令和两种对应的类型的刷新操作。第一类型的刷新命令可以称作每存储体刷新命令，响应于该命令，存储器管芯205可以执行每存储体刷新操作，其中存储器管芯205刷新单个存储体(例如，由每存储体刷新命令指示或以其它方式基于每存储体刷新命令确定的存储体)内的存储器单元。对于每存储体刷新操作，本文所述的结构和技术可以减少如上所述的存储器装置202内的存储器管芯205上同时刷新的边缘部分的数量。

第二种类型的刷新命令可以称作全存储体刷新命令，响应于该命令，存储器管芯205可以执行全存储体刷新操作，其中存储器管芯205刷新包含在存储器管芯205中的每个存储体内的存储器单元。在一些情况下，全存储体刷新命令可以导致在单个存储器管芯205内刷新多个边缘部分(例如，可以在存储器管芯205的每个存储体中执行边缘部分刷新)。然而，如上所述，可基于本文所述的结构和技术来避免或减少存储器装置202的电流/功率尖峰-即，可以平滑存储器装置的电流和功率消耗-并且可以从存储器装置202的角度(例如，在模块级)改善存储器装置202的PAPR，因为可以均衡化或接近均衡化跨越刷新命令刷新边缘部分的存储器管芯205的数量。

附加地或可替代地，本文所述的结构和技术可以扩展到管芯级，以均衡化或接近均衡化跨越刷新命令刷新的存储器管芯205内边缘部分的数量(即，跨越存储器管芯205的多个存储体)。例如，存储器管芯205可以每个包含多个刷新计数器(例如，对应的存储器管芯205的每个存储体中的一个)，并且熔丝电路210可以包含以与本文所述相似的方式偏移不同存储体的刷新计数器的多个设置，以用于偏移存储器装置202内不同存储器管芯205的刷新计数器。在一些情况下，当此类管芯级技术与模块级技术相结合时，响应于单个刷新命令，增加存储器管芯205的数量可以刷新边缘部分(例如，相对于当不采用此类管芯级技术时)，但是可以降低管芯级的峰值功率或电流水平，并且可以提高管芯级的PAPR，并且存储器装置202的峰值功率或电流水平以及PAPR不会受到不利影响(例如，相对于当不采用此类管芯级技术时)。

图5示出了根据本文公开的实例的支持存储器装置的交错刷新计数器的存储器阵列505的框图500。存储器阵列505可以是参考图1至4描述的存储器阵列的各方面的实例。存储器阵列505可以包含字线索引调整部件510、命令接收器515、字线激活部件520、刷新部件525、熔丝读取部件530、启动过程部件535和字线识别部件540。这些模块的每个可以直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多条总线)。

字线索引调整部件510可以调整一组刷新计数器的一或多个刷新计数器的各自的字线索引，其中刷新计数器组的每个刷新计数器对应于一组存储器管芯的各自的存储器管芯，并且其中刷新计数器组的至少两个刷新计数器的各自的字线索引基于调整而偏移。在一些实例中，字线索引调整部件510可以将一或多个刷新计数器的每个各自的字线索引增加或减少调整因子的整数倍。在一些实例中，执行增加或减少的字线索引调整部件510可以包含将一或多个刷新计数器的每个各自的字线索引的一或多位反相。

在一些情况下，存储器管芯组的每个存储器管芯包含具有一组阵列部分的存储器阵列。在一些情况下，阵列部分组的每个阵列部分包含一定数量的字线。在一些情况下，调整因子等于或大于字线数量。

命令接收器515可以接收存储器管芯组的刷新命令。在一些情况下，刷新命令是经由与存储器管芯组的每个存储器管芯共用的信道接收。

字线激活部件520可以基于刷新命令和各自的字线索引，为存储器管芯组的每个存储器管芯激活一或多条字线的各自的组。在一些情况下，存储器管芯组的第一存储器管芯的一或多条字线的各自的组包含第一数量的字线。在一些情况下，存储器管芯组的第二存储器管芯的一或多条字线的各自的组包含大于第一数量的第二数量的字线。在一些情况下，第一存储器管芯的一或多条字线的各自的组在第一存储器管芯的存储器阵列的内部部分内。在一些情况下，第二存储器管芯的一或多条字线的各自的组在第一存储器管芯的存储器阵列的边缘部分内。

在一些实例中，字线索引调整部件510可以基于刷新递增刷新计数器组的各自的字线索引。在一些实例中，命令接收器515可以接收存储器管芯组的第二刷新命令，其中，基于递增，当接收第二刷新命令时，刷新计数器组的至少两个刷新计数器的各自的字线索引与当接收刷新命令时偏移相同的量。在一些实例中，字线激活部件520可以基于刷新命令和各自的字线索引，为存储器管芯组的每个存储器管芯激活一或多条字线的第二各自的组。在一些实例中，基于字线激活部件520激活一或多条字线的第二各自的组，刷新部件525可以为存储器管芯组的每个存储器管芯刷新存储器单元的第二各自的组。

基于字线激活部件520激活一或多条字线的各自的组，刷新部件525可以为存储器管芯组的每个存储器管芯刷新存储器单元的各自的组。

熔丝读取部件530可以读取存储器管芯组的每个存储器管芯的各自的熔丝设置，其中调整基于各自的熔丝设置。

启动过程部件535可以对存储器管芯组执行启动或重启过程，其中调整基于启动或重启过程。

在一些实例中，命令接收器515可以在一组存储器管芯的每个存储器管芯处接收刷新命令，其中刷新命令经由与存储器管芯组的每个存储器管芯耦合的信道接收。字线识别部件540可以响应于刷新命令，识别存储器管芯组的每个存储器管芯的各自的字线地址，其中基于与第一存储器管芯相关联的第一熔丝设置和与第一存储器管芯相关联的第二熔丝设置，存储器管芯组的第一存储器管芯的第一各自的字线地址和存储器管芯组的第二存储器管芯的第二各自的字线地址不同。在一些实例中，响应于刷新命令，刷新部件525可以基于第一各自的字线地址来刷新第一存储器管芯中的第一组存储器单元。在一些实例中，响应于刷新命令，刷新部件525可以基于第二各自的字线地址来刷新第二存储器管芯中的第二组存储器单元，其中第二组存储器单元与比第一组存储器单元更多数量的字线相关联。

在一些情况下，第一组存储器单元包含在第一存储器管芯内的第一存储器阵列的内部部分中。在一些情况下，第二组存储器单元包含在第二存储器管芯内的第二存储器阵列的边缘部分中。

图6示出了根据本文公开的实例的支持存储器装置的交错刷新计数器的一或多种方法600的流程图。方法600的操作可以由本文所述的存储器阵列或其部件来实现。例如，方法600的操作可以由参考图5描述的存储器阵列来执行。在一些实例中，存储器阵列可以执行一组指令来控制存储器阵列的功能元件以执行所描述的功能。附加地或可替代地，存储器阵列可以使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。

在605，存储器阵列可以调整一组刷新计数器的一或多个刷新计数器的各自的字线索引，其中刷新计数器组的每个刷新计数器对应于一组存储器管芯的各自的存储器管芯，并且其中刷新计数器组的至少两个刷新计数器的各自的字线索引基于调整而偏移。605的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，605的操作的各方面可以由参考图5描述的字线索引调整部件来执行。

在610，存储器阵列可以接收存储器管芯组的刷新命令。610的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，610的操作的各方面可以由参考图5描述的命令接收器来执行。

在615，存储器阵列可以基于刷新命令和各自的字线索引，为存储器管芯组的每个存储器管芯激活一或多条字线的各自的组。615的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，615的操作的各方面可以由参考图5描述的字线激活部件来执行。

在620，存储器阵列可以基于激活一或多条字线的各自的组，为存储器管芯组的每个存储器管芯刷新存储器单元的各自的组。620的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，620的操作的各方面可以由参考图5描述的刷新部件来执行。

在一些实例中，本文所描述的设备可以执行一或多种方法，诸如方法600。设备可以包含用于调整一组刷新计数器的一或多个刷新计数器的各自的字线索引的特征、设备或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)，其中刷新计数器组的每个刷新计数器对应于一组存储器管芯的各自的存储器管芯，并且其中刷新计数器组的至少两个刷新计数器的各自的字线索引基于调整而偏移，接收所述存储器管芯组的刷新命令，基于刷新命令和各自的字线索引，为存储器管芯组的每个存储器管芯激活一或多条字线的各自的组，并且基于激活一或多条字线的所述各自的组，为所述存储器管芯组的每个存储器管芯刷新存储器单元的各自的组。

本文描述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含用于读取存储器管芯组的每个存储器管芯的各自的熔丝设置的操作、特征、设备或指令，其中调整可以基于各自的熔丝设置。

本文描述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含用于对存储器管芯组执行启动或重启过程的操作、特征、设备或指令，其中调整可以基于启动或重启过程。

在本文描述的方法600和设备的一些实例中，调整可以包含用于将一或多个刷新计数器的每个各自的字线索引增加或减少调整因子的整数倍的操作、特征、设备或指令。

在本文描述的方法600和设备的一些实例中，存储器管芯组的每个存储器管芯包含具有一组阵列部分的存储器阵列，阵列部分组的每个阵列部分包含一定数量的字线，并且调整因子可以等于或大于字线数量。

在本文描述的方法600和设备的一些实例中，增加或减少可以包含用于将一或多个刷新计数器的每个各自的字线索引的一或多位反相的操作、特征、设备或指令。

在本文描述的方法600和设备的一些实例中，存储器管芯组的第一存储器管芯的一或多条字线的各自的组包含第一数量的字线，并且存储器管芯组的第二存储器管芯的一或多条字线的各自的组包含可以大于第一数量的第二数量的字线。

在本文描述的方法600和设备的一些实例中，第一存储器管芯的一或多条字线的各自的组可以在第一存储器管芯的存储器阵列的内部部分内，第二存储器管芯的一或多条字线的各自的组可以在第一存储器管芯的存储器阵列的边缘部分内。

本文描述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含用于基于刷新来递增刷新计数器组的各自的字线索引操作、特征、设备或指令，接收存储器管芯组的第二刷新命令，其中，基于递增，当可以接收第二刷新命令时，刷新计数器组的至少两个刷新计数器的各自的字线索引与当可以接收刷新命令时可以偏移相同的量，基于刷新命令和各自的字线索引，为存储器管芯组的每个存储器管芯激活一或多条字线的第二各自的组，并且基于激活一或多条字线的第二各自的组，为存储器管芯组的每个存储器管芯刷新存储器单元的第二各自的组。

在本文描述的方法600和设备的一些实例中，刷新命令可以经由与存储器管芯组的每个存储器管芯共用的信道接收。

图7示出了根据本文公开的实例的支持存储器装置的交错刷新计数器的一或多种方法700的流程图。方法700的操作可以由本文所述的存储器阵列或其部件来实现。例如，方法700的操作可以由参考图5描述的存储器阵列来执行。在一些实例中，存储器阵列可以执行一组指令来控制存储器阵列的功能元件以执行所描述的功能。附加地或可替代地，存储器阵列可以使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。

在705，存储器阵列可以在一组存储器管芯的每个存储器管芯处接收刷新命令，其中刷新命令经由与存储器管芯组的每个存储器管芯耦合的信道接收。705的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，705的操作的各方面可以由参考图5描述的命令接收器来执行。

在710，存储器阵列可以响应于刷新命令，识别存储器管芯组的每个存储器管芯的各自的字线地址，其中基于与第一存储器管芯相关联的第一熔丝设置和与第一存储器管芯相关联的第二熔丝设置，存储器管芯组的第一存储器管芯的第一各自的字线地址和存储器管芯组的第二存储器管芯的第二各自的字线地址不同。710的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，710的操作的各方面可以由参考图5描述的字线识别部件来执行。

在715，响应于刷新命令，存储器阵列可以基于第一各自的字线地址来刷新第一存储器管芯中的第一组存储器单元。715的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，715的操作的各方面可以由参考图5描述的刷新部件来执行。

在720，响应于刷新命令，存储器阵列可以基于第二各自的字线地址来刷新第二存储器管芯中的第二组存储器单元，其中第二组存储器单元与比第一组存储器单元更多数量的字线相关联。720的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，720的操作的各方面可以由参考图5描述的刷新部件来执行。

在一些实例中，本文所描述的设备可以执行一或多种方法，诸如方法700。设备可以包含用于接收一组存储器管芯的每个存储器管芯处的刷新命令的特征、设备或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)，其中刷新命令是经由与存储器管芯组的每个存储器管芯耦合的信道接收，响应于刷新命令，识别存储器管芯组的每个存储器管芯的各自的字线地址，其中基于与第一存储器管芯相关联的第一熔丝设置和与第一存储器管芯相关联的第二熔丝设置，存储器管芯组的第一存储器管芯的第一各自的字线地址和存储器管芯组的第二存储器管芯的第二各自的字线地址不同，响应于刷新命令，基于第一各自的字线地址来刷新第一存储器管芯中的第一组存储器单元，并且响应于刷新命令，基于第二各自的字线地址来刷新第二存储器管芯中的第二组存储器单元，其中第二组存储器单元与比第一组存储器单元更多数量的字线相关联。

在本文描述的方法700和设备的一些实例中，第一组存储器单元可以包含在第一存储器管芯内的第一存储器阵列的内部部分中，第二组存储器单元可以包含在第二存储器管芯内的第二存储器阵列的边缘部分中。

应该注意的是，上述方法描述了可能的实施方式，并且操作和步骤可以被重新排列或以其它方式修改，并且其它实施方式是可能的。进一步，可以组合来自两种或多种方法的部分。

描述了一种设备。设备可以包含一组存储器管芯、包含存储器管芯组的每个存储器管芯的各自的刷新计数器的一组刷新计数器，其中各自的刷新计数器每个都配置为指示各自的刷新索引，并且其中存储器管芯组的至少两个存储器管芯的各自的刷新计数器配置为指示不同刷新索引，以及与存储器管芯组的每个存储器管芯耦合的信道，其中存储器管芯组配置为经由信道每个接收相同的刷新命令并且至少两个存储器管芯配置为响应于相同的刷新命令，基于不同刷新索引来刷新对应于不同地址的存储器单元。

在一些实例中，存储器管芯组的每个存储器管芯包含存储器阵列，该存储器阵列具有刷新操作包含激活第一数量的字线的第一类型部分和刷新操作包含激活可能大于第一数量的第二数量的字线的第二类型部分，至少两个存储器管芯的第一存储器管芯可以配置为响应于相同的刷新命令，至少部分基于第一各自的刷新索引来刷新包含在第一类型的存储器部分中的存储器单元，并且至少两个存储器管芯的第二存储器管芯可以配置为响应于相同的刷新命令，至少部分基于第二各自的刷新索引来刷新包含在第二类型的存储器部分中的存储器单元。

设备的一些实例可以包含至少两个存储器管芯的第一存储器管芯的第一熔丝电路，以及至少两个存储器管芯的第二存储器管芯的第二熔丝电路，其中：第一熔丝电路和第二熔丝电路配置为在第一存储器管芯的第一各自的刷新计数器和第二存储器管芯的第二各自的刷新计数器之间引起偏移，并且不同刷新索引基于该偏移。

在一些实例中，存储器管芯组的每个存储器管芯包含具有一组阵列部分的存储器阵列，并且偏移可以大于或等于包含在阵列部分组的阵列部分中的字线数量的整数倍。

在一些实例中，第一熔丝电路可以配置为基于使第一各自的刷新计数器的各自的刷新索引的一或多位反相来引起偏移。

在一些实例中，第一存储器管芯可以包含多路复用器，其中多路复用器可以配置为基于第一熔丝电路的配置来选择一或多位的一位的反相值。

在一些实例中，第一存储器管芯可以包含加法器，其中加法器配置为基于熔丝电路的配置向第一各自的刷新索引添加量，并且其中偏移可以基于该量。

在一些实例中，各自的刷新索引是或者包含字线地址。

本文描述的信息和信号可以使用各种不同技术和工艺中的任一种来表示。例如，贯穿以上描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片可以由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或其任意组合来表示。一些附图可以将信号表示为单个信号；然而，本领域普通技术人员将理解，信号可以表示信号总线，其中总线可以具有多种位宽。

术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指支持部件之间信号流动的部件之间的关系。如果在部件之间存在任意导电路径，可以在任意时候支持部件之间的信号流，则部件被认为是彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)。在任意给定时间，基于包含连接的部件的装置的操作，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的部件之间的导电路径可以是开路或闭路。连接的部件之间的导电路径可以是部件之间的直接导电路径，或者连接的部件之间的导电路径可以是可以包含中间部件(诸如开关、晶体管或其它部件)的间接导电路径。在一些实例中，连接的部件之间的信号流可以被中断一段时间，例如，使用一或多个诸如开关或晶体管的中间部件。

术语“耦合”指的是从部件之间的开路关系(其中信号目前不能通过导电路径在部件之间通信)转变为部件之间的闭路关系(其中信号能够通过导电路径在部件之间通信)的情况。当诸如控制器之类的部件将其它部件耦合在一起时，部件启动允许信号通过导电路径在其它部件之间流动的改变，该导电路径以前不允许信号流动。

术语“隔离的”指的是部件之间的关系，其中信号目前不能在部件之间流动。如果部件之间存在开路，则它们彼此隔离。例如，当开关打开时，由位于部件之间的开关分开的两个部件彼此隔离。当控制器隔离两个部件时，控制器使用先前允许信号流动的导电路径来影响阻止信号在部件之间流动的改变。

本文讨论的包含存储器阵列的装置可以形成在半导体衬底上，诸如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，诸如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或者另一衬底上的半导体材料的外延层。衬底或衬底的子区域的导电性可以通过使用各种化学物质掺杂来控制，包含但不限于磷、硼或砷。掺杂可以在衬底的初始形成或生长期间，通过离子注入或通过任意其它掺杂方式来执行。

本文讨论的开关部件或晶体管可以代表场效应晶体管(FET)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。端子可以通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，并且可以包括重掺杂的例如退化的半导体区域。源极和漏极可以由轻掺杂半导体区域或信道分开。如果信道是n型的(即多数载流子是电子)，那么FET可以称作n型FET。如果信道是p型的(即多数载流子是空穴)，那么FET可以称作p型FET。信道可以由绝缘栅氧化物覆盖。可以通过向栅极施加电压来控制信道电导率。例如，分别向n型FET或p型FET施加正电压或负电压可能导致信道变得导通。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可以“导通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可以“关闭”或“去激活”。

结合附图，本文阐述的描述描述了实例性配置，并且不代表可以实现的或者在权利要求范围内的所有实例。本文使用的术语“实例性的”意味着“用作实例、例子或说明”，而不是“优选的”或“优于其它实例的”。详细描述包含提供对描述的技术的理解的具体细节。然而，这些技术可以在没有这些具体细节的情况下实施。在一些情况下，以框图形式示出了众所周知的结构和装置，以避免模糊所描述的实例的概念。

在附图中，类似的部件或特征可以具有相同的参考标记。进一步，相同类型的各种部件可以通过在参考标记之后加上破折号和在类似部件之间进行区分的第二标记来区分。如果在说明书中仅使用第一参考标记，则描述适用于具有相同第一参考标记的任意一个类似部件，而与第二参考标记无关。

本文描述的信息和信号可以使用各种不同技术和工艺中的任一种来表示。例如，贯穿以上描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片可以由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或其任意组合来表示。

结合本文公开内容描述的各种说明性块和模块可以用通用处理器、DSP、ASIC、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、分立门或晶体管逻辑、分立硬件部件或设计成执行本文描述的功能的它们的任意组合来实现或执行。通用处理器可以是微处理器，但是可选地，处理器可以是任意处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以实现为计算装置的组合(例如，数字信号处理器(DSP)和微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器与DSP核心的组合或任意其此类配置)。

本文描述的功能可以在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任意组合中实现。如果在由处理器执行的软件中实现，则这些功能可以作为一或多个指令或代码存储在计算机可读介质上或通过其发射。其它实例和实施方式在本公开和所附权利要求的范围内。例如，由于软件的性质，上述功能可以使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些的任意组合来实现。实现功能的特征还可以物理地位于不同位置，包含被分布使得部分功能在不同物理位置实现。此外，如在本文使用的，包含在权利要求中，在项目列表中使用的“或”(例如，以诸如“至少一个”或“一或多个”的短语开头的项目列表)指示包含性列表，例如，A、B或C的至少一个的列表意味着A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。此外，如本文所使用的，短语“基于”不应被解释为对封闭条件集的引用。例如，描述为“基于条件A”的实例性步骤可以基于条件A和条件B，而不脱离本公开的范围。换句话说，如本文所使用的，短语“基于”应以与短语“至少部分基于”相同的方式来解释。

本文提供的描述使本领域技术人员能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对于本领域技术人员来说是将显而易见的，并且在不脱离本公开的范围的情况下，本文定义的一般原理可以应用于其它变型。因此，本公开不限于本文描述的实例和设计，而是符合与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。