阅读说明：本技术 用于存储器装置的行锤击保护 (Row hammer protection for memory devices ) 是由 S·E·谢弗 A·P·贝姆 于 2019-08-22 设计创作，主要内容包括：本发明描述用于存储器装置的行锤击保护的方法、系统和装置。存储器装置可识别用于存储器阵列的相关行存取的阈值(例如,对同一行地址或行地址空间的存取命令或激活)。在第一操作模式中,所述存储器装置可在所述存储器阵列上执行从主机装置接收的命令。所述存储器装置可确定所述所接收的行存取命令的度量满足相关行存取的所述阈值。所述存储器装置可基于满足所述阈值,使所述存储器阵列从所述第一操作模式切换到第二操作模式。所述第二操作模式可约束对所述存储器的至少一行的存取,而所述第一模式可具有较低约束性。另外或替代地,所述存储器装置可向所述主机装置通知所述度量已满足所述阈值。(Methods, systems, and devices for row hammer protection of a memory device are described. The memory device may identify a threshold for an associated row access of the memory array (e.g., an access command or activation to the same row address or row address space). In a first mode of operation, the memory device can execute commands received from a host device on the memory array. The memory device can determine that a metric of the received row access command satisfies the threshold of a related row access. The memory device may switch the memory array from the first mode of operation to a second mode of operation based on the threshold being met. The second mode of operation may restrict access to at least one row of the memory, while the first mode may have a lower restriction. Additionally or alternatively, the memory device may notify the host device that the metric has met the threshold.)

具体实施方式

存储器装置可在各种条件下作为电子设备的部分进行操作，所述电子设备例如个人计算机、无线通信装置、服务器、物联网(IoT)装置、机动车辆的电子组件等等。在一些情况下，支持用于某些实施方案(例如，机动车辆，在一些情况下，具有自主或半自主驾驶能力的机动车辆)的应用程序的存储器装置可受到增加的可靠性约束条件限制。因而，用于一些应用程序的存储器装置(例如，DRAM)可预期以受到相对较高行业规范(例如，较高可靠性约束条件)限制的可靠性进行操作。

一些存储器类型可在频繁行激活或行锤击的情况下丢失所存储的状态或使所存储的状态改变为不同状态。也就是说，如果以相对较高的频率存取单一行、行群组或行样式(pattern)，那么受害者行(例如，相邻或邻近行)的存储器状态可受影响。在一些情况(例如，汽车应用程序)下，存储器单元的增加的可靠性可为所要的(例如，针对关键安全功能)。也就是说，可能需要防止动态存储器单元归因于行锤击而改变所存储的状态。举例来说，存储器装置的动态存储器单元(例如，DRAM单元)可在没有周期性地刷新数据的情况下丢失其所存储的数据，且行锤击可致使动态存储器单元在较少时间内(例如，刷新循环更快速地)丢失所存储的状态或使所存储的状态改变为不同状态。另外，一些应用程序可在正常或预测的使用期间存在不同的存储器存取样式。

描述改进用于存储器装置的的行锤击保护的技术。举例来说，存储器装置可利用与存储器阵列的相关存取(例如，对同一行地址或同一行地址空间的存取命令或激活))的最大度量对应的阈值。在存储器装置检测到行存取命令的满足(例如，等于或大于)所述阈值的度量(例如，数目或样式)(例如，存储器装置检测到行锤击)的情况下，存储器装置可基于检测到行锤击采取措施。在一个实例中，存储器装置可激活存储器阵列的与所检测到的行锤击相关联的安全模式。安全模式可防止对存储器阵列的至少一行的行存取，因此减小由频繁行存取产生的进一步数据损坏的机率。另外或替代地，存储器装置可将指示所检测到的与存储器阵列相关联的行锤击的通知发射到主机装置。基于所述通知，主机装置可采取规避措施以防止应用程序在存储器阵列处执行与行锤击相关的额外行存取。

首先在参考图1、2和3所描述的存储器系统和装置的上下文中描述本公开的特征。在如参考图4、5和6所描述的过程流的上下文中描述本公开的特征。进一步由涉及用于存储器装置的行锤击保护的图7-9中的设备图和流程图来说明并且参考所述设备图和流程图来描述本公开的这些和其它特征。

图1说明根据本文中所公开的方面的利用一或多个存储器装置的系统100的实例。系统100可包含外部存储器控制器105、存储器装置110以及使外部存储器控制器105与存储器装置110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但为易于描述，可将所述一或多个存储器装置描述为单个存储器装置110。

系统100可包含电子装置的各方面，例如计算装置、移动计算装置、无线装置或图形处理装置。在一些情况下，系统100是汽车系统，例如车辆控制系统、车队管理系统、方位跟踪系统、导航系统、信息娱乐系统等。在其它情况下，系统100可为便携式电子装置的实例。系统100可为计算机、手提式计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置等等的实例。存储器装置110可以是被配置成存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。在一些实例中，系统100被配置成用于使用基站或接入点与其它系统或装置进行双向无线通信。在一些实例中，系统100能够进行机器类型通信(MTC)、机器对机器(M2M)通信或装置对装置(D2D)通信。

系统100的至少部分可为主机装置的实例。这种主机装置可为使用存储器执行过程的装置的实例，所述装置例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置(例如，图形处理单元(GPU))、计算机、手提式计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置、某一其他固定或便携式电子装置等等。在某些情况下，主机装置可指代实施外部存储器控制器105的功能的硬件、固件、软件或其组合。在某些情况下，外部存储器控制器105可被称为主机或主机装置。

在一些情况下，存储器装置110可以是被配置成与系统100的其它组件通信并提供可潜在地供系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可配置成与至少一种或多种不同类型的系统100合作。系统100的组件和存储器装置110之间的传信可用来支持调制信号的调制方案、用于传送信号的不同引脚设计、系统100和存储器装置110的不同封装、系统100和存储器装置110之间的时钟传信和同步、定时惯例和/或其它因素。

存储器装置110可被配置成存储用于系统100的组件的数据。在一些情况下，存储器装置110可充当系统100的从属型装置(例如，对系统100通过外部存储器控制器105提供的命令作出响应及执行所述命令)。此类命令可以包含用于存取操作的存取命令，例如用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令。存储器装置110可包含支持用于数据存储的所要或指定容量的两个或更多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可以被称为多裸片存储器或封装(也被称为多芯片存储器或封装)。

系统100可另外包含处理器120、基本输入/输出系统(BIOS)组件125、一或多个外围组件130和输入/输出(I/O)控制器135。系统100的组件可以使用总线140彼此电子通信。

处理器120可被配置成控制系统100的至少部分。处理器120可为通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其可为这些类型的组件的组合。在这类状况下，处理器120可以是中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、通用GPU(GPGPU)或芯片上系统(SoC)的实例，以及其它实例。

BIOS组件125可以是包含作为固件操作的BIOS的软件组件，它可初始化并运行系统100的各种硬件组件。BIOS组件125还可管理处理器120与系统100的各种组件之间的数据流，所述各种组件例如是外围组件130、I/O控制器135等。BIOS组件125可包含存储在只读存储器(ROM)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。

外围组件130可以是任何输入装置或输出装置，或此类装置的接口，其可集成到系统100中或与系统100集成在一起。实例可以包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(USB)控制器、串行或并行端口，或外围卡插槽，例如外围组件互连(PCI)或加速图形端口(AGP)插槽。外围组件130可为本领域技术人员理解为外围设备的其它组件。

I/O控制器135可管理处理器120和外围组件130、输入145或输出150之间的数据通信。I/O控制器135可管理未集成到系统100中或未与系统100集成的外围设备。在一些情况下，I/O控制器135可表示到外部外围组件的物理连接或端口。

输入145可以表示系统100外部的装置或信号，其将信息、信号或数据提供到系统100或其组件。这可包含用户接口或与其它装置或在其它装置之间的接口。在一些情况下，输入145可以是经由一或多个外围组件130与系统100介接的外围装置，或可以由I/O控制器135管理。

输出150可以表示在系统100外部的装置或信号，其被配置成从系统100或其任何组件接收输出。输出150的实例可包含显示器、音频扬声器、印刷装置或印刷电路板上的另一处理器等等。在一些情况下，输出150可以是经由一或多个外围组件130与系统100介接的外围装置，或可以由I/O控制器135管理。

系统100的组件可由经设计以执行其功能的通用或专用电路构成。这可包含被配置成执行本文中所描述的功能的各种电路元件，例如，导线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器或其它有源或无源元件。

存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b和/或本地存储器控制器165-N)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b和/或存储器阵列170-N)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，网格)，其中每一存储器单元被配置成存储至少一个位的数字数据。参考图2更详细地描述存储器阵列170和/或存储器单元的特征。

存储器装置110可为二维(2D)存储器单元阵列的实例或可为三维(3D)存储器单元阵列的实例。例如，2D存储器装置可以包含单一存储器裸片160。3D存储器装置可包含两个或更多个存储器裸片160(例如，存储器裸片160-a、存储器裸片160-b和/或任何数目个存储器裸片160-N)。在3D存储器装置中，多个存储器裸片160-N可彼此上下堆叠。在一些情况下，3D存储器装置中的存储器裸片160-N可称为叠组、层级、层或裸片。3D存储器装置可包含任何数量的堆叠式存储器裸片160-N(例如，两个高的堆叠式存储器裸片、三个高的堆叠式存储器裸片、四个高的堆叠式存储器裸片、五个高的堆叠式存储器裸片、六个高的堆叠式存储器裸片、七个高的堆叠式存储器裸片、八个高的堆叠式存储器裸片)。这与单一2D存储器装置相比可增加可定位于衬底上的存储器单元的数目，反过来可减少生产成本或增加存储器阵列的性能，或这两者。在一些3D存储器装置中，不同叠组可共享至少一个共同存取线，使得一些叠组可共享字线、数字线和/或板线中的至少一个。

装置存储器控制器155可包含被配置成控制存储器装置110的操作的电路或组件。因而，装置存储器控制器155可包含使存储器装置110能够执行命令的硬件、固件和软件，且可被配置成接收、发射或执行与存储器装置110相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可被配置成与外部存储器控制器105、一或多个存储器裸片160或处理器120通信。在一些情况下，存储器装置110可从外部存储器控制器105接收数据和/或命令。举例来说，存储器装置110可接收写入命令或读取命令，所述写入命令指示存储器装置110存储代表系统100的组件(例如，处理器120)的某些数据，所述读取命令指示存储器装置110将存储在存储器裸片160中的某些数据提供到系统100的组件(例如，处理器120)。在一些情况下，装置存储器控制器155可与存储器裸片160的本地存储器控制器165结合控制本文所描述的存储器装置110的操作。装置存储器控制器155和/或本地存储器控制器165中包含的组件的实例可包含用于对从外部存储器控制器105接收的信号进行解调的接收器、用于调制及发射信号到外部存储器控制器105的解码器、逻辑、解码器、放大器、滤波器等。

本地存储器控制器165(例如，存储器裸片160的本地)可被配置成控制存储器裸片160的操作。而且，本地存储器控制器165可被配置成与装置存储器控制器155通信(例如，接收及传输数据和/或命令)。本地存储器控制器165可支持装置存储器控制器155以控制如本文中所描述的存储器装置110的操作。在一些情况下，存储器装置110不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器105可执行本文中所描述的各种功能。因此，本地存储器控制器165可被配置成与装置存储器控制器155通信，与其它本地存储器控制器165通信，或直接与外部存储器控制器105或处理器120通信。

外部存储器控制器105可被配置成实现系统100的组件(例如，处理器120)与存储器装置110之间的信息、数据和/或命令的通信。外部存储器控制器105可以充当系统100的组件与存储器装置110之间的联络者，使得系统100的组件可能不需要知道存储器装置110的操作细节。系统100的组件可以向外部存储器控制器105呈现外部存储器控制器105满足的请求(例如，读取命令或写入命令)。外部存储器控制器105可转换或转译在系统100的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些情况下，外部存储器控制器105可包含产生共同(源)系统时钟信号的系统时钟。在一些情况下，外部存储器控制器105可以包含产生公共(源)数据时钟信号的公共数据时钟。

在一些情况下，外部存储器控制器105或系统100的其它组件或其在本文中所描述的功能可由处理器120实施。举例来说，外部存储器控制器105可为由处理器120或系统100的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器105被描绘为在存储器装置110外部，但是在一些情况下，外部存储器控制器105或其在本文中所描述的功能可由存储器装置110实施。举例来说，外部存储器控制器105可为由装置存储器控制器155或一或多个本地存储器控制器165实施的硬件、固件或软件或其某一组合。在一些情况下，外部存储器控制器105可分布在处理器120及存储器装置110上，使得外部存储器控制器105的部分由处理器120实施，且其它部分由装置存储器控制器155或本地存储器控制器165实施。同样地，在一些情况下，本文中归属于装置存储器控制器155或本地存储器控制器165的一或多个功能可在一些情况下由外部存储器控制器105(与处理器120分离或包含在处理器120中)执行。

系统100的组件可使用多个信道115与存储器装置110交换信息。在一些实例中，信道115可实现外部存储器控制器105与存储器装置110之间的通信。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。举例来说，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含外部存储器控制器105处的一或多个引脚或衬垫以及存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可被配置成充当信道的部分。在一些情况下，端子的引脚或衬垫可为信道115的信号路径的一部分。额外信号路径可与信道的端子耦合以用于在系统100的组件内路由信号。举例来说，存储器装置110可包含信号路径(例如，存储器装置110或其组件内部，例如在存储器裸片160内部的信号路径)，所述信号路径将信号从信道115的端子路由到存储器装置110的各个组件(例如，装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170)。

信道115(以及相关联的信号路径和端子)可专用于传送特定类型的信息。在一些情况下，信道115可以是聚合信道且因此可以包含多个单独的信道。举例来说，数据信道190可以是x4(例如，包含四个信号路径)、x8(例如，包含八个信号路径)、x16(包含十六个信号路径)等等。

在一些情况下，信道115可包含一或多个命令和地址(CA)信道186。CA信道186可被配置成在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传送命令，包含与命令相关联的控制信息(例如，地址信息)。举例来说，CA信道186可包含关于所需数据的地址的读取命令。在一些情况下，CA信道186可寄存在上升时钟信号沿和/或下降时钟信号沿上。在一些情况下，CA信道186可包含八个或九个信号路径。

在一些情况下，信道115可包含一或多个时钟信号(CK)信道188。CK信道188可被配置成在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传送一或多个共同时钟信号。每个时钟信号可被配置成在高状态与低状态之间振荡，且协调外部存储器控制器105及存储器装置110的措施。在一些情况下，时钟信号可为差分输出(例如，CK_t信号及CK_c信号)且可相应地配置CK信道188的信号路径。在一些情况下，时钟信号可以是单端的。在一些情况下，时钟信号可为1.5GHz信号。CK信道188可包含任何数目个信号路径。在一些情况下，时钟信号CK(例如，CK_t信号和CK_c信号)可提供用于存储器装置110的命令和寻址操作或者存储器装置110的其它系统范围内的操作的定时参考。时钟信号CK因此可不同地称为控制时钟信号CK、命令时钟信号CK或系统时钟信号CK。系统时钟信号CK可以由系统时钟产生，所述系统时钟可以包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管等)。

在一些情况下，信道115可包含一或多个数据(DQ)信道190。数据信道190可被配置成在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传送数据和/或控制信息。举例来说，数据信道190可传送将写入到存储器装置110的信息(例如，双向)或从存储器装置110读取的信息。数据信道190可传送可使用多种不同调制方案(例如，NRZ、PAM4)进行调制的信号。

在一些情况下，信道115可包含可专用于其它目的的一或多个其它信道192。这些其它信道192可包含任何数目个信号路径。

在一些情况下，其它信道192可包含一或多个写入时钟信号(WCK)信道。虽然WCK中的‘W’在名义上可代表“写入”，但写入时钟信号WCK(例如，WCK_t信号和WCK_c信号)可提供一般用于存储器装置110的存取操作的定时参考(例如，用于读取和写入操作两者的定时参考)。因此，写入时钟信号WCK也可以被称为数据时钟信号WCK。WCK信道可被配置成在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达共同数据时钟信号。数据时钟信号可被配置成协调外部存储器控制器105和存储器装置110的存取操作(例如，写入操作或读取操作)。在一些情况下，写入时钟信号可为差分输出(例如，WCK_t信号和WCK_c信号)，且WCK信道的信号路径可相应地予以配置。WCK信道可包含任何数目个信号路径。数据时钟信号WCK可以由数据时钟产生，所述数据时钟可以包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管等)。

信道115可以使用多种不同架构将外部存储器控制器105与存储器装置110耦合。各种架构的实例可包含总线、点对点连接、纵横开关、例如硅中介层等高密度中介层，或形成于有机衬底中的信道，或其某一组合。举例来说，在一些情况下，信号路径可以至少部分地包含高密度中介层，例如硅中介层或玻璃中介层。

可以使用各种不同的调制方案来调制在信道115上传送的信号。在一些情况下，可以使用二进制符号(或二进制层级)调制方案来调制在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达的信号。二进制符号调制方案可为M进制调制方案的实例，其中M等于二。二进制符号调制方案的每一符号可被配置成表示一位数字数据(例如符号可表示逻辑1或逻辑0)。二进制符号调制方案的实例包含但不限于不归零(NRZ)、单极编码、双极编码、曼彻斯特编码、具有两个符号的脉冲幅度调制(PAM)(例如，PAM2)等等。

在一些情况下，可以使用多符号(或多层级)调制方案来调制在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达的信号。多符号调制方案可以是M进制调制方案的实例，其中M大于或等于三。多符号调制方案的每一符号可被配置成表示多于一个位的数字数据(例如，符号可表示逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。多符号调制方案的实例包含但不限于PAM4、PAM8等、正交振幅调制(QAM)、正交相移键控(QPSK)等。多符号信号或PAM4信号可以是使用包含用以对多于一个位的信息进行编码的至少三个层级的调制方案来调制的信号。多符号调制方案及符号可替代地被称作非二进制、多位或高阶调制方案和符号。

系统100可被配置成采用改进用于存储器装置110的行锤击保护的技术。存储器装置110可利用与存储器阵列170的相关存取(例如，对同一行地址或同一行地址空间的存取命令或激活))的最大度量对应的阈值。在存储器装置110检测到行存取命令的满足所述阈值的度量(例如，数目或样式)(例如，存储器装置110检测到行锤击)的情况下，存储器装置110可基于检测到行锤击采取措施。在一个实例中，存储器装置110可激活存储器阵列170的与所检测到的行锤击相关联的安全模式。安全模式可防止对存储器阵列170的至少一行的行存取，因此减小由频繁行存取产生的进一步数据损坏的机率。另外或替代地，存储器装置110可将指示所检测到的与存储器阵列170相关联的行锤击的通知发射到主机(例如，外部存储器控制器105)。主机可采取规避措施以防止应用程序在存储器阵列170处执行与行锤击相关的额外行存取。

图2说明根据本公开的各种实例的存储器装置200的实例。存储器裸片200可以是参考图1描述的存储器裸片160的实例。在一些情况下，存储器裸片200可被称作存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可以包含一或多个可编程以存储不同逻辑状态的存储器单元205。每一存储器单元205可以是可编程的以存储两个或更多个状态。举例来说，存储器单元205可被配置成每次存储一个位的数字逻辑(例如，逻辑0和逻辑1)。在一些情况下，单个存储器单元205(例如，多级存储器单元)可被配置成每次存储多于一个位的数字逻辑(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。

存储器单元205可存储表示电容器230中的可编程状态的电荷。DRAM架构可包含电容器230，其包含介电材料以存储表示可编程状态的电荷。在其它存储器架构中，其它存储装置和组件也是可能的。举例来说，可使用非线性介电材料。

可通过激活或选择例如字线210和/或数字线215等存取线而在存储器单元205上执行例如读取和写入等操作。在一些情况下，数字线215也可被称作位线。对存取线、字线和数字线或其类似物的引用可互换，且不影响理解或操作。激活或选择字线210或数字线215可包含将电压施加到相应线。

存储器裸片200可将存取线(例如，字线210和数字线215)布置成网格状样式。存储器单元205可定位于字线210和数字线215的相交点处。通过偏置字线210和数字线215(例如，对字线210或数字线215施加电压)，可在其相交点处存取单个存储器单元205。

可通过行解码器220或列解码器225控制对存储器单元205的存取。举例来说，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址，且基于所接收的行地址激活字线210。列解码器225可以从本地存储器控制器260接收列地址且可以基于所接收的列地址来激活数字线215。举例来说，存储器裸片200可包含标记为WL_1至WL_M的多个字线210以及标记为DL_1至DL_N的多个数字线215，其中M和N取决于存储器阵列的大小。因此，通过激活字线210和数字线215，例如WL_1和DL_3，可以存取其相交处的存储器单元205。在二维或三维配置中的字线210和数字线215的相交点可被称作存储器单元205的地址。

存储器单元205可包含逻辑存储组件，例如电容器230和开关组件235。电容器230可以是介电电容器或铁电电容器的实例。电容器230的第一节点可与开关组件235耦合，且电容器230的第二节点可与电压源240耦合。在一些情况下，电压源240可为单元板参考电压，例如Vpl，或可接地，例如Vss。在一些情况下，电压源240可以是与板线驱动器耦合的板线的实例。开关组件235可以是选择性地建立或撤销建立两个组件之间的电子通信的晶体管或任何其它类型的开关装置的实例。

选择或撤销选择存储器单元205可通过激活或解除激活开关组件235来实现。电容器230可以使用开关组件235与数字线215电子通信。举例来说，当解除激活开关组件235时，电容器230可与数字线215隔离，且当激活开关组件235时，电容器230可与数字线215耦合。在一些情况下，开关组件235是晶体管，且其操作可通过将电压施加到晶体管栅极来控制，其中晶体管栅极与晶体管源极之间的电压差可大于或小于晶体管的阈值电压。在一些情况下，开关组件235可以是p型晶体管或n型晶体管。字线210可与开关组件235的栅极电子通信，且可基于施加到字线210的电压而激活/解除激活开关组件235。

字线210可以是与存储器单元205电子通信的导电线，其用以对存储器单元205执行存取操作。在一些架构中，字线210可与存储器单元205的开关组件235的栅极电子通信，且可被配置成控制存储器单元的开关组件235。在一些架构中，字线210可与存储器单元205的电容器的节点电子通信，且存储器单元205可不包含开关组件235。

数字线215可为连接存储器单元205与感测组件245的导线。在一些架构中，存储器单元205可在存取操作的部分期间选择性地与数字线215耦合。举例来说，字线210和存储器单元205的开关组件235可被配置成耦合和/或隔离存储器单元205的电容器230和数字线215。在一些架构中，存储器单元205可与数字线215电子通信(例如，恒定)。

感测组件245可被配置成检测存储器单元205的电容器230上存储的状态(例如，电荷)，且基于存储状态确定存储器单元205的逻辑状态。在一些情况下，由存储器单元205存储的电荷可能极小。因此，感测组件245可包含一或多个感测放大器以放大由存储器单元205输出的信号。感测放大器可检测在读取操作期间数字线215的电荷的小改变，且可基于检测到的电荷产生对应于逻辑状态0或逻辑状态1的信号。在读取操作期间，存储器单元205的电容器230可以输出信号(例如，释放电荷)到其对应的数字线215。所述信号可以使数字线215的电压改变。感测组件245可被配置成将跨越数字线215从存储器单元205接收的信号与参考信号250(例如，参考电压)进行比较。感测组件245可以基于所述比较确定存储器单元205的存储状态。举例来说，在二进制信令中，如果数字线215具有比参考信号250高的电压，那么感测组件245可确定存储器单元205的存储状态是逻辑1，并且如果数字线215具有比参考信号250低的电压，那么感测组件245可确定存储器单元205的存储状态是逻辑0。感测组件245可包含各种晶体管或放大器以检测和放大信号的差。存储器单元205的检测到的逻辑状态可经由列解码器225作为输出255输出。在某些情况下，感测组件245可以是另一组件(例如，列解码器225、行解码器220)的一部分。在一些情况下，感测组件245可与行解码器220或列解码器225电子通信。

本地存储器控制器260可经由各种组件(例如，行解码器220、列解码器225和感测组件245)控制存储器单元205的操作。本地存储器控制器260可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些情况下，行解码器220、列解码器225和感测组件245中的一或多个可以与本地存储器控制器260处于相同位置。本地存储器控制器260可被配置成从外部存储器控制器105(或参考图1所描述的装置存储器控制器155)接收命令和/或数据，将命令和/或数据转译成存储器裸片200可使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，且响应于执行一或多个操作而将数据从存储器裸片200传达到外部存储器控制器105(或装置存储器控制器155)。本地存储器控制器260可产生行和列地址信号以激活目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260还可以产生和控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文所论述的施加电压或电流的振幅、形状或持续时间可经调整或变化，且针对在操作存储器裸片200中论述的各种操作可为不同的。

在一些情况下，本地存储器控制器260可被配置成对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可经编程以存储所需逻辑状态。在一些情况下，可以在单个写入操作期间对多个存储器单元205进行编程。本地存储器控制器260可以识别将执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可以识别与目标存储器单元205电子通信的目标字线210和目标数字线215(例如，目标存储器单元205的地址)。本地存储器控制器260可激活目标字线210和目标数字线215(例如，对字线210或数字线215施加电压)，以存取目标存储器单元205。本地存储器控制器260可在写入操作期间对数字线215施加特定信号(例如，电压)以在存储器单元205的电容器230中存储特定状态(例如，电荷)，所述特定状态(例如，电荷)可指示所需逻辑状态。

在一些情况下，本地存储器控制器260可被配置成在存储器裸片200的一或多个存储器单元205上执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可确定存储于存储器裸片200的存储器单元205中的逻辑状态。在一些情况下，可在单个读取操作期间感测多个存储器单元205。本地存储器控制器260可以识别将执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可以识别与目标存储器单元205电子通信的目标字线210和目标数字线215(例如，目标存储器单元205的地址)。本地存储器控制器260可激活目标字线210和目标数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)，以存取目标存储器单元205。目标存储器单元205可响应于偏置存取线将信号传递到感测组件245。感测组件245可放大信号。本地存储器控制器260可以触发感测组件245(例如，锁存感测组件245)，且进而将从存储器单元205接收的信号与参考信号250进行比较。基于所述比较，感测组件245可以确定存储在存储器单元205上的逻辑状态。作为读取操作的部分，本地存储器控制器260可以将存储在存储器单元205上的逻辑状态传达到外部存储器控制器105(或装置存储器控制器155)。

在一些存储器架构中，存取存储器单元205可使存储在存储器单元205中的逻辑状态降级或毁坏。举例来说，在DRAM架构中执行的读取操作可能使目标存储器单元205的电容器230部分或完全放电。本地存储器控制器260可以执行重写操作或刷新操作以将存储器单元205恢复到其原始逻辑状态。本地存储器控制器260可在读取操作之后将逻辑状态重写到目标存储器单元205。在一些情况下，重写操作可被视为读取操作的部分。另外，激活单一存取线(例如，字线210)可干扰存储在与所述存取线电子通信的一些存储器单元中的状态。因此，可对可能尚未被存取的一或多个存储器单元执行重写操作或刷新操作。

图3说明支持用于存储器装置的行锤击保护技术的系统300的实例。系统300可包含本文中参考图1和2所描述的一或多个组件。举例来说，系统300可包含主机装置305，其可为参考图1所描述的外部存储器控制器105的实例；存储器装置310，其可为参考图1和2所描述的存储器装置110、存储器裸片160或存储器裸片200的实例；控制器320，其可为参考图1和2所描述的装置存储器控制器155、一或多个本地存储器控制器165或本地存储器控制器260的实例、或其任何组合；存储器阵列325，其可为参考图1所描述的存储器阵列170的实例。存储器装置310还可包含阈值存储装置330和多余行存取检测电路335。

主机装置305可将命令发送到存储器装置310，可经由存储器接口315接收所述命令。所述命令可包含个别行存取命令(例如，个别读取或写入命令)，或突发命令(多个依序行或列存取命令)。控制器320可从存储器接口315接收命令，处理命令，并且在存储器阵列325上执行命令。控制器320可根据操作模式操作存储器阵列325。如本文中所使用的存取模式可包含控制器320执行从主机装置305发到存储器阵列325的所指示部分的命令(例如，接收到的全部命令)。存储器阵列325可包含一或多个存储器库，其中的每一个可包括一或多个行和/或一或多个列。每一命令可包含存取命令，其可包含针对存储器阵列325内的行地址的激活(例如，读取、写入等)。控制器320可在存储器阵列325上执行多个存取命令(例如，存取命令样式)，因此存取存储器阵列325内的库、行和/或列的样式。

阈值存储装置330可存储与用于存储器装置310的存取命令或存取相关联的阈值。所述阈值可定义相关存取数目，当超过所述相关存取数目时，可引起来自行锤击的数据损坏。在一些情况下，相关存取可对应于对同一行地址或同一行地址空间(例如，行群组、库等)的最大数目个存取。另外或替代地，相关存取可对应于针对行地址空间的一或多个存取样式的存取合数。最大数目的相关存取可依序或可在特定时间窗(例如，刷新循环、刷新循环的一部分)、特定数目的存取操作或某一其它准则内出现。

在一些情况下，存储器装置310可具有相关联预配置阈值。举例来说，阈值存储装置330可存储由供应商(例如DRAM供应商)固定的预配置阈值。阈值存储装置330可包含例如硬接线(例如，存储于一或多个熔丝中、反熔丝或以其它方式存储于非易失性并且可经预配置的一或多个存储器元件(例如，只读存储器(ROM)或一次性可编程(OTP)存储器)中)的经预配置阈值的值。

存储器装置310可用于支持多种应用程序。在一些情况下，每一应用程序可根据已知存取样式存取存储器装置310的存储器阵列325。也就是说，应用程序的预期目的可产生特定存取样式集。举例来说，通用应用程序(例如，具有各种预期目的)可根据不可预测存取样式存取存储器阵列325。替代地，专用应用程序(例如，具有较狭窄预期目的)可根据更可预测的存取样式存取存储器阵列325，并且可在对相关或邻近地址(例如，单一行或行群组)的存取命令上具有可辨别边界。对于专用应用程序(例如，自主车辆内的应用程序)，某些存取样式与其它存取样式相比可被确定为更不可能。举例来说，专用应用程序可能不大可能会在其正常操作中展现类似于行锤击的存取样式。当与其它应用程序(例如，通用应用程序)比较时，可能需要存储器装置310利用与一些应用程序(例如，专用应用程序)相关联的存储器装置310的较低阈值。替代地，专用应用程序可有可能在其正常操作中展现类似于行锤击的存取样式。此处，存储器装置310可能需要利用较高阈值。

在一些情况下，存储器阵列325的不同部分(例如，行、库等)可与不同阈值相关联。举例来说，存储器阵列325的一些部分可为其中允许较低数目个存取的受保护区域。在一个实例中，一些受保护区域可具有单一行存取的阈值，其中任何额外行存取(例如，刷新循环内)将超过阈值并且致使对多余行存取条件的检测。因此，主机装置305可出于不同应用程序或目的利用存储器阵列325的不同部分。举例来说，存储器阵列325的与较低阈值相关联的部分可用于与很少(即使有的话)产生与行锤击一致的存取样式的关键功能相关联的应用程序，而存储器阵列325的与较高阈值相关联的其它部分可用于通用或较不关键功能。

在一些情况下，阈值存储装置330中的经预配置阈值可为可调整或可覆写(例如，作为修整参数)。举例来说，阈值存储装置330可包含用于存储经预配置阈值的OTP存储器(例如，熔丝或反熔丝)，且主机装置305可在初始存储器装置310通电或配置(例如，主机装置305存取存储器装置310的第一时间)后即刻编程经预配置阈值。在编程之后，接着可在后续电力循环内固定经预配置阈值。

根据各种方面的阈值存储装置330可包含存储经编程(例如，未经预配置)阈值的能力。在一些情况下，阈值存储装置330可包含用于存储经编程阈值的非易失性存储器(例如，一次性可编程(OTP)存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(RAM))。替代地，阈值存储装置330可包含用于存储经编程阈值的易失性存储器(例如，DRAM、静态随机存取存储器(SRAM)、寄存器)主机装置305可将阈值存储装置330编程为存储经编程阈值(例如，在初始化或配置后)。经编程阈值可基于存储器装置310的应用程序。也就是说，虽然经预配置阈值可表示与减小的数据保持相关联的数个相关存取，但某些应用程序(例如，专用应用程序)可利用不同(例如，较低)阈值。举例来说，存储器装置310的经预配置阈值可为10,000。然而，存储器装置310可与可能不大可能会展现类似行锤击的存取的自主车辆应用程序相关联。因此，主机装置305可编程阈值存储装置330(经由控制器320或存储器接口315)存储小于10,000的经编程阈值。在一些情况下，主机装置305可通过编程存储器装置310内的模式寄存器来将阈值存储装置330编程为存储可编程阈值。在一些情况下，主机装置305可将阈值存储装置330编程为存储大于经预配置阈值的可编程阈值，但多余行存取检测电路335可被配置成将两个阈值中的较低阈值视为可操作的。

阈值存储装置330可存储经编程阈值并且随后保护经编程阈值的存储。举例来说，阈值存储装置330可包含可熔断以防止经编程阈值改变的熔丝(例如，阈值存储装置330可为OTP存储器)。在另一实例中，阈值存储装置330可以不调整经编程阈值直到从主机装置305接收到已知命令序列。也就是说，主机装置305可将命令序列发射到存储器装置310。存储器装置310(例如，经由控制器320或多余行存取检测电路335)接着可确定基于接收到命令序列而将经更新的经编程阈值存储于阈值存储装置330处。

多余行存取检测电路335可基于最小阈值确定使用经预配置阈值或经编程阈值中的哪一个(例如，选择经预配置阈值或经编程阈值中的最小值)。在某一其它情况下，多余行存取检测电路335可基于旗标寄存器确定使用经预配置阈值或经编程阈值中的哪一个。旗标寄存器可指示多余行存取检测电路335使用经编程阈值。举例来说，如果旗标寄存器存储逻辑‘0’，那么多余行存取检测电路335可使用经预配置阈值。替代地，如果旗标寄存器存储逻辑‘1’，那么多余行存取检测电路335可使用经编程阈值。在一些情况下，主机装置305可设置旗标寄存器。在一些情况下，在本文中归属多余行存取检测电路335的一或多个(例如，一些或全部)可集成到控制器320中。

多余行存取检测电路335可包含被配置成确定行存取度量的电路组件。多余行存取检测电路335可以是或包含计数器、定时器等。行存取度量可指示相关存取数目(例如，对相同或类似行、库等的存取数目或样式)。多余行存取检测电路335可从存储器接口315或控制器320接收存取指示(例如，从主机装置305接收的存取命令)。也就是说，在存取模式期间，控制器320可在存储器阵列325上执行从主机装置305接收的存取命令。控制器320可进一步将存取指示提供给多余行存取检测电路335。基于所述存取，多余行存取检测电路335可确定相关存取数目并且将行存取度量与来自阈值存储装置330的阈值(例如，经预配置阈值或经编程阈值)进行比较。如果多余行存取检测电路335确定行存取度量满足阈值，那么多余行存取检测电路335可将指示提供给控制器320。所述指示可包含指示行存取度量满足阈值所针对的一或多个行(例如，行群组、库)的信息。在接收到行存取度量满足阈值的指示后，控制器320即刻可使存储器阵列325的一或多个部分从存取模式转变到安全模式。安全模式可防止对存储器阵列325的额外行存取，所述额外行存取会增加存储器阵列325的位改变存储器状态(例如，归因于行锤击存取样式)的概率。如本文中所使用，安全模式包含对存储器阵列325的至少一行的存取约束条件。

除了进入安全模式之外，或替代地，控制器320可将行存取度量满足阈值的指示发射到主机装置305。在一些情况下，所述指示可包含与存取度量满足阈值(例如，触发条件)所针对的行或行样式相关的信息。另外或替代地，可存储与触发条件的行或行样式相关的信息(例如，存储于控制器320或多余行存取检测电路335中)以供主机装置305存取。因此，在接收到指示后，主机装置305即刻可读取存储器装置的一或多个寄存器，所述寄存器包含与存取度量满足阈值所针对的行或行样式相关的信息。

安全模式可包含控制器320阻挡指向存储器阵列325的存取命令。在一个实例中，安全模式可包含控制器320阻挡对存储器阵列325的库中的每一个的存取命令。在另一实例中，安全模式可包含控制器320阻挡对单一库(例如，存取命令的受害者库)的存取命令。此处，控制器320可阻挡对单一库的存取命令，同时存储器阵列325内的剩余库可继续在存取模式中操作(例如，控制器320可将存取命令传播到剩余库)。在安全模式期间，控制器320可起始对与安全模式相关联的一或多个库的刷新操作。

控制器320可维持安全模式达一预定时间段(例如，一时间段或数个时钟)，或直到从主机装置305接收到返回到存取模式的命令。重置程序可使存储器阵列325从安全模式转变到存取模式。重置为存取模式的命令可包含单一命令，主机装置305和控制器320可已知的命令序列。所述序列可充当防护密钥。此处，主机装置305可将命令序列(例如，防护密钥)发射到存储器装置310。控制器320可辨识命令序列并且使一或多个库或行从安全模式转变到存取模式。由于转变到安全模式中且接收到所述序列以再次进入存取模式的时间，可在恢复存取模式后即刻完全刷新存储器阵列325的任何受害者单元。因此，任何尝试的行锤击可引起循环进出安全模式，但存储器单元的状态可能不会受损。

除了进入安全模式之外，或在其中不进入安全模式的情况下，控制器320可针对所检测到的行锤击条件执行其它规避措施。举例来说，在控制器320不将整个库或多个库置于自刷新模式中的情况下，控制器320可对受害者行(例如，那些可能受所检测到的行锤击影响的行)执行额外后台刷新操作。

图4示出支持用于存储器装置的行锤击保护技术的过程流400的实例图。过程流400的特征可由参考图1到3所描述的存储器装置(例如，参考图1到3描述的存储器装置110、存储器裸片160、存储器裸片200或存储器装置310)或存储器装置的组件(例如装置存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器260、控制器320或多余行存取检测电路335)实施或执行。

在框405处，与存储器装置相关联的电路系统可从主机装置接收命令。所述命令可为用于存储器阵列的行存取命令。所述电路系统可根据存取模式进行操作，这包含所述电路系统在存储器阵列上执行来自主机装置的命令。举例来说，所述电路系统可对应于图3的存储器接口315、控制器320、多余行存取检测电路335或阈值存储装置330的部分。

在框410处，电路系统可确定是否已经超过与存储器阵列的存取命令相关联的阈值。所述阈值可定义当被超过时可产生行锤击引起数据损坏的风险的相关存取数目(例如，样式的部分)。在一些情况下，在框405处接收到的行存取命令可与经历多个相关存取的一或多个行相关联。所述电路系统可产生相关存取的度量并且将所述度量与阈值进行比较。当所述电路系统确定存储器存取的度量满足阈值时，电路系统可转到框415。替代地，当电路系统确定所述度量不满足阈值时，电路系统可继续在存取模式中例如在框430处操作。

在框415处，电路系统可任选地将指示已满足阈值的通知发射到主机装置。

在框420处，电路系统可使存储器阵列从存取模式转变到安全模式操作。所述安全模式可防止对存储器阵列的额外行存取，所述额外行存取会增加存储器阵列的位改变存储器状态(例如，归因于行锤击存取样式)的概率。安全模式可另外包含电路完成对存储器阵列的在安全模式内操作的部分的刷新操作。在一些情况下，电路系统可确定从一个安全模式操作转变到多个不同安全模式操作。每一不同安全模式操作可包含存储器阵列的至少一部分转变到安全模式中。举例来说，第一安全模式操作可包含电路阻挡对行或行群组的存取命令。在第二安全模式操作中，电路系统可阻挡对整行地址空间或库的命令。在第三安全模式操作中，电路可阻挡对整个存储器阵列的命令。在一些实例中，(例如，在第一或第二安全模式中)，存储器阵列内的不在安全模式内操作的部分可继续正常操作(例如，根据存取模式)。也就是说，电路系统可使存储器阵列的一部分转变到安全模式(例如，因此阻挡对所述部分的存取命令)，同时执行用于主机装置对存储器装置的存取存储器阵列的其它部分的存取命令。

在框425处，控制器可识别是否已在存储器阵列的已转变到安全模式操作的部分处执行了重置程序。重置程序可使存储器阵列从安全模式转变到存取模式。当电路系统确定已执行重置程序时，电路系统可转到框430，其中电路系统可使存储器阵列的已在安全模式中操作的一或多个部分转变到存取模式中。替代地，当电路系统确定尚未执行重置程序时，控制器可转到框420(例如，电路系统可继续阻挡对存储器阵列的在安全模式内操作的一或多个部分的存取命令)。

图5示出支持用于存储器装置的行锤击保护技术的过程流500的实例图式。过程流500的特征可由参考图1到3所描述的存储器装置(例如，参考图1到3描述的存储器装置110、存储器裸片160、存储器裸片200或存储器装置310)或存储器装置的组件(例如装置存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器260、控制器320或多余行存取检测电路335)实施或执行。

在框505处，与存储器装置相关联的电路系统可从主机装置接收命令。所述命令可为用于存储器阵列的行存取命令。所述电路系统可根据存取模式进行操作，这包含所述电路系统在存储器阵列上执行来自主机装置的命令。举例来说，所述电路系统可对应于图3的存储器接口315、控制器320、多余行存取检测电路335或阈值存储装置330的部分。

在框510处，电路系统可确定是否已经满足与存储器阵列的存取命令相关联的阈值。所述阈值可定义当被超过时可产生行锤击引起数据损坏的风险的相关存取数目(例如，样式的部分)。在一些情况下，在框505处接收到的行存取命令可与经历多个相关存取的一行相关联。所述电路系统可产生相关存取的度量并且将所述度量与阈值进行比较。当所述电路系统确定已经满足了存储器装置的阈值时，电路系统可转到框515。替代地，当电路系统确定未满足存储器装置的阈值时，电路系统可继续在存取模式中例如在框525处操作。

在框515处，电路系统可将指示已满足阈值的通知发射到主机装置。通知的发射可包含例如改变与主机装置耦合的引脚(例如，多功能或专用引脚)上的状态。在一些其它实例中，所述通知可经由边带端口通信(例如，经由集成电路间(I2C)总线或联合测试行动小组(JTAG)总线)发射。所述通知可经由数据包内的一或多个位发射。另外或替代地，所述通知可存储于寄存器的一或多个位中，且主机可轮询电路系统以确定存储于寄存器中的值(例如，经由引脚或边带端口通信)。主机装置可基于所述通知采取任何数目个响应性措施。举例来说，在一些情况下，主机装置可接收通知并且可阻挡可与存储器阵列的由被满足的阈值指示的一或多个部分对应的命令(例如，不将命令发送到存储器装置)，可允许存储器装置继续正常操作(例如，可确定产生所述通知的存取是合法的或者是有效的，或确定存储器装置的持续操作是任务关键型)，或可阻挡一或多个应用程序将后续存取命令发到存储器装置。另外或替代地，电路系统可继续到框520。

在框520处，电路系统可任选地阻挡对应于存储器阵列的一部分的存取命令。控制器可在一预定量的时间内阻挡存取命令，此后再继续进行框525。也就是说，控制器可使存储器阵列的一部分转变到安全模式中。在一些情况下，控制器可允许从主机装置发到存储器阵列的不在安全模式中操作的部分的存取命令。也就是说，电路系统可根据安全模式操作存储器阵列的一部分，同时根据存取模式操作存储器阵列的某一其它部分。

在框525处，电路系统可将整个存储器阵列转变到操作的存取模式。也就是说，控制器可重新开始执行从主机装置发到存储器阵列的存取命令(例如，全部存取命令)。

图6说明支持用于存储器装置的行锤击保护技术的过程流600的实例。在一些实例中，过程流600可实施系统100和300、存储器裸片200以及过程流400和500的方面。过程流600可包含由应用程序605执行的操作，所述应用程序605可为在处理器上运行的软件的实例。主机610可为参考图1、3、4和5描述的主机装置的实例。应用程序605可在与主机610隔开的处理器上运行。替代地，应用程序605可在作为主机610的组件的处理器上运行。存储器装置615可为参考图1到5所描述的存储器装置(例如，存储器装置110、存储器裸片160、存储器裸片200或存储器装置310)的实例。

应用程序605可发出存取命令620，其可为逻辑或虚拟存储器存取命令。主机610可执行存取命令620，这可致使主机610在存储器装置615上执行存储器功能。主机610可将存取命令625发射存储器装置615。存储器装置615可根据存取模式操作，这可包含执行从主机610接收的全部存取命令。

在630处，存储器装置615可检测多余行存取(例如，行锤击)条件。在一些情况下，存储器装置615可通过确定与包含存取命令625的存取命令相关联的度量(例如，数目或样式)满足与用于存储器装置615的存取命令相关联的阈值，检测多余行存取条件。

存储器装置615可将所检测到的多余行存取条件的指示635发射到主机610。所述指示635可包含与所检测到的多余行存取条件相关联的行、行群组或库的指示。在645处，存储器装置615可任选地进入安全模式。安全模式可约束对存储器装置615的存储器阵列的至少一行(例如，行、行群组、库、多个库)的存取。

在640处，主机610可针对存储器装置615检测到的多余行存取条件执行规避措施。在一些情况下，规避措施可包含致使存储器装置615进入安全模式(例如，自刷新模式)。替代地，主机610可防止应用程序605执行的命令产生对存储器装置615的至少一部分的存储器存取命令。也就是说，主机610可以不将存取与所检测到的多余行存取条件相关联的行、行群组、一或多个库的存取命令发射到存储器装置。举例来说，主机610可处理需要存取存储器装置615的存取命令650，而非执行对存储器装置615的存取命令。在某一其它情况下，主机610可通过例如暂时切换到冗余存储器装置来考虑多余行存取条件。也就是说，基于应用程序605执行的任何命令可发射到不同于存储器装置615的存储器装置和/或由所述存储器装置执行。在某一其它情况下，主机610可通过关闭应用程序605(例如，暂停来自应用程序605的命令的执行)来规避多余行存取条件。所述关闭可为暂时的(例如，主机610可在对多余行存取条件指示做出反应的预定量的时间内关闭应用程序605)。另外或替代地，所述关闭可基于刷新操作的时间发生(例如，主机610可在刷新存储器装置615内与所检测到的多余行存取条件相关联的一或多个库所必需的时间量内关闭应用程序605)。

主机610可任选地，使重置命令655发射到存储器装置615以使存储器装置615从安全模式转变到存取模式。也就是说，在存储器装置615已进入安全模式的情况下，主机610可将重置命令655发射到存储器装置615。举例来说，如果从主机610接收的命令与对应于所检测到的多余行存取条件的一或多个库相关联，那么与存储器装置615相关联的控制器可以不执行所述命令。在655处，主机610可发射重置命令，触发存储器装置615从安全模式转变到存取模式。重置到存取模式的命令可包含单一命令，或主机610和存储器装置615可能已知的命令序列。存储器装置615可辨识所述命令序列并且从安全模式转变到存取模式(未示出)。

图7示出如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的电路系统705的框图700。电路系统705可为如本文中所描述的控制器、存储器接口、多余行存取检测电路或阈值存储装置的方面的实例。电路系统705可包含阈值识别器710、存取命令接收器715、阈值确定组件720、模式切换组件725、命令序列组件730、刷新模式组件735、命令抑止组件740和指示组件745。这些模块中的每一个可彼此直接或间接(例如，经由一或多个总线)通信。

阈值识别器710可识别用于存储器阵列的行存取的阈值，所述存储器阵列包含行集。在一些实例中，阈值识别器710可识别用于存储器阵列的行存取的阈值，所述存储器阵列包含行集。在一些实例中，阈值识别器710可从主机接收指示行存取的第二阈值的信令，其中识别阈值是基于第二阈值。在一些实例中，阈值识别器710可通过将第二阈值与存储于非易失性存储器中的第三阈值(例如，经预配置阈值)进行比较来确定阈值。在一些实例中，阈值识别器710可基于从主机接收的第二阈值和存储于非易失性存储器中的第三阈值中的最小值确定阈值。

存取命令接收器715可在第一操作模式中，从主机接收用于存储器阵列的行存取命令。举例来说，第一操作模式可为如本文中所描述的存取模式。在一些实例中，存取命令接收器715可从主机接收用于存储器阵列的行存取命令集。在一些实例中，存取命令接收器715可接收用于存储器阵列的第二行的行存取命令。在一些实例中，存取命令接收器715可基于将指示发射到主机而从主机接收指示操作模式的命令序列。

阈值确定组件720可针对行集中的行，确定行存取命令的度量满足阈值。在一些实例中，阈值确定组件720可针对行集中的行，确定行存取命令集的样式或度量满足阈值。

模式切换组件725可基于确定行存取命令的度量满足阈值而使存储器阵列从第一操作模式切换到第二操作模式，其中第二操作模式是与约束对存储器阵列的行集中的至少一行的存取相关联。举例来说，第二操作模式可为如本文中所描述的安全模式。

在一些实例中，模式切换组件725可基于接收到命令序列而使存储器阵列从第二模式切换到第一模式。在一些实例中，模式切换组件725可在使存储器阵列从第一模式切换到第二模式后即刻开始定时器。在一些实例中，模式切换组件725可基于定时器到期而使存储器阵列从第二模式切换到第一模式。在一些实例中，模式切换组件725可根据经配置的设置从操作模式集中选择第二操作模式。在一些实例中，模式切换组件725可使存储器阵列的第二库在第一模式中操作。

命令序列组件730可从在第二模式中操作的主机接收将存储器阵列重置到第一模式的命令序列。

刷新模式组件735可使存储器阵列的与所述行相关联的第一库在自刷新模式中操作。在一些实例中，刷新模式组件735可使存储器阵列的库集在自刷新模式中操作。

命令抑止组件740可抑止对与所述行相关联的存储器阵列库的行存取命令。在一些实例中，命令抑止组件740可基于接收到用于第二行的行存取命令，抑止用于存储器阵列的第二行的存取。在一些情况下，第二行和所述行是同一行。

指示组件745可基于确定行存取命令集的样式满足阈值，将指示发射到主机。

图8示出说明如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的方法800的流程图。方法800的操作可由如本文中所描述的装置或其组件来实施。举例来说，方法800的操作可由如本文中所描述的电路系统执行。在一些实例中，装置可执行指令集以控制装置的功能元件执行下文描述的功能。另外或替代地，装置可使用专用硬件执行下文描述的功能的方面。

在805处，装置可识别用于存储器阵列的行存取的阈值，所述存储器阵列包含行集。可根据本文中所描述的方法执行805的操作。在一些实例中，可由参考图7所描述的阈值识别器执行805的操作的方面。

在810处，装置可在第一操作模式中，从主机接收用于存储器阵列的行存取命令。举例来说，第一操作模式可为如本文中所描述的存取模式。可根据本文中所描述的方法执行810的操作。在一些实例中，可由参考图7所描述的存取命令接收器执行810的操作的方面。

在815处，装置可针对行集中的行，确定行存取命令集的度量满足阈值。可根据本文中所描述的方法执行815的操作。在一些实例中，可由参考图7所描述的阈值确定组件执行815的操作的方面。

在820处，装置可基于确定行存取命令的度量满足阈值而使存储器阵列从第一操作模式切换到第二操作模式，其中第二操作模式是与约束对存储器阵列的行集中的至少一行的存取相关联。举例来说，第二操作模式可为如本文中所描述的安全模式。可根据本文中所描述的方法执行820的操作。在一些实例中，可由参考图7所描述的模式切换组件执行820的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行例如方法800的一或多种方法。所述设备可包含用于以下操作的特征、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：识别用于存储器阵列的行存取的阈值，所述存储器阵列包括多个行；在第一操作模式中，从主机接收用于所述存储器阵列的行存取命令；针对所述多个行中的行，确定所述行存取命令的度量满足所述阈值；和至少部分地基于确定所述行存取命令的所述度量满足所述阈值，使所述存储器阵列从所述第一操作模式切换到第二操作模式，其中所述第二操作模式与约束对所述存储器阵列的所述多个行中的至少一行的存取相关联。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：从在所述第二模式中操作的所述主机接收将所述存储器阵列重置到所述第一模式的命令序列；和基于接收到所述命令序列，使所述存储器阵列从所述第二模式切换到所述第一模式。

在一些实例中，本文中所描述的方法和设备可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：在使所述存储器阵列从所述第一模式切换到所述第二模式后即刻起始定时器；和基于所述定时器到期而使所述存储器阵列从所述第二模式切换到所述第一模式。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：从所述主机接收指示行存取的第二阈值的信令，其中识别所述阈值可基于所述第二阈值。

在本文中所描述的方法和设备的一些实例中，识别行存取的所述阈值可包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：通过将所述第二阈值与可存储于非易失性存储器中的第三阈值进行比较来确定所述阈值。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：根据经配置设置从操作模式集中选择所述第二操作模式。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：在使所述存储器阵列在所述第二模式中操作时，使所述存储器阵列的与所述行相关联的第一库在自刷新模式中操作；和使所述存储器阵列的第二库在所述第一模式中操作。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：在使所述存储器阵列在所述第二模式中操作时，使所述存储器阵列的库集在自刷新模式中操作。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：在使所述存储器阵列在所述第二模式中操作时，抑止对与所述行相关联的所述存储器阵列的库的行存取命令。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：在使所述存储器阵列在所述第二模式中操作时，接收用于所述存储器阵列的第二行的行存取命令；和基于接收到用于所述第二行的所述行存取命令，抑止用于所述存储器阵列的所述第二行的存取。

在本文中所描述的方法和设备和本文中所描述的非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，所述第二行和所述行可为同一行。

图9示出说明如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的方法900的流程图。方法900的操作可由如本文中所描述的装置或其组件实施。举例来说，方法900的操作可由如本文中所描述的电路系统执行。在一些实例中，装置可执行指令集以控制装置的功能元件执行下文描述的功能。另外或替代地，装置可使用专用硬件执行下文描述的功能的方面。

在905处，装置可识别用于存储器阵列的行存取的阈值，所述存储器阵列包含行集。可根据本文中所描述的方法执行905的操作。在一些实例中，可由参考图7所描述的阈值识别器执行905的操作的方面。

在910处，装置可从主机接收用于存储器阵列的行存取命令集。可根据本文中所描述的方法执行910的操作。在一些实例中，可由参考图7所描述的存取命令接收器执行910的操作的方面。

在915处，装置可针对行集中的行，确定行存取命令集的样式或度量满足阈值。可根据本文所描述的方法来执行915的操作。在一些实例中，可由参考图7所描述的阈值确定组件执行915的操作的方面。

在920处，装置可基于确定行存取命令集的样式满足阈值，将指示发射到主机。可根据本文中所描述的方法执行920的操作。在一些实例中，可由参考图7所描述的指示组件执行920的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行例如方法900的一或多种方法。所述设备可包含用于以下操作的特征、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：识别用于存储器阵列的行存取的阈值，所述存储器阵列包括行集；从主机接收用于所述存储器阵列的行存取命令集；针对所述行集中的行，确定所述行存取命令集的样式满足所述阈值；和基于确定所述行存取命令集的所述样式满足所述阈值，将指示发射到所述主机。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：基于从所述主机接收的第二阈值和存储于非易失性存储器中的第三阈值中的最小值来确定所述阈值。

本文中所描述的方法和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的过程、特征、装置或指令：基于将所述指示发射到所述主机，从所述主机接收指示操作模式的命令序列。

应注意，本文中所描述的方法描述可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自两种或更多种方法的方面。

在一些实例中，设备或装置可使用通用或专用硬件执行本文中所描述的功能的方面。所述设备或装置可包含存储器阵列，其具有行集；存储器接口，其与所述存储器阵列和主机耦合，所述存储器接口可操作以从所述主机接收行存取命令；和电路系统，其与所述存储器阵列和所述存储器接口耦合。所述电路系统可为可操作的以在第一操作模式中，在所述存储器阵列上执行所述行存取命令；针对所述行集中的行，确定所述行存取命令的度量满足所述阈值；和基于确定所述行存取命令的所述度量满足所述阈值，使所述存储器阵列从所述第一操作模式切换到第二操作模式，其中所述第二操作模式与约束对所述存储器阵列的所述行集中的至少一行的存取相关联。

在一些实例中，所述电路系统可为可操作的以在使所述存储器阵列在所述第二模式中操作时，经由所述存储器接口从所述主机接收用于将所述存储器阵列重置到所述第一模式的命令序列；和基于接收到所述命令序列，使所述存储器阵列切换到所述第一模式。

在一些实例中，所述电路系统可为可操作的以在使所述存储器阵列从所述第一模式切换到所述第二模式后即刻起始定时器；和基于所述定时器到期而使所述存储器阵列从所述第二模式切换到所述第一模式。

在一些实例中，所述电路系统可为可操作的以基于将从所述主机接收的第二阈值与可存储于非易失性存储器中的第三阈值进行比较来识别所述阈值。

在一些实例中，所述电路系统可为可操作的以根据经配置设置从操作模式集中选择所述第二操作模式。

在一些实例中，所述电路系统可为可操作的以使所述存储器阵列的与所述行相关联的第一库在自刷新模式中操作；和使所述存储器阵列的第二库在不同于所述自刷新模式的模式中操作。

在一些实例中，所述电路系统可为可操作的以使所述存储器阵列的库集在自刷新模式中操作。

在一些实例中，所述电路系统可为可操作的以确定是否执行用于所述存储器阵列的库集中的至少一些的所述行存取命令。

在一些实例中，所述电路系统可为可操作的以接收用于所述存储器阵列的第二行的行存取命令；和在接收到所述行存取命令之后抑止用于所述存储器阵列的所述第二行的存取。在一些实例中，所述第二行和所述行可为同一行。

在一些实例中，所述设备或装置可包含存储器阵列，其具有行集；存储器接口，其与所述存储器阵列和主机耦合，所述存储器接口可操作以从所述主机接收行存取命令；和电路系统，其与所述存储器阵列和所述存储器接口耦合。所述电路系统可为可操作的以对所述存储器阵列执行所述行存取命令；针对所述行集中的行，确定执行所述行存取命令满足所述阈值；和经由所述存储器接口将执行所述行存取命令满足所述阈值的指示发射到所述主机。

可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，所述信号可表示信号总线，其中总线可具有多种位宽度。

术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持电子在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，则组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些情况下，可例如使用如开关或晶体管的一或多个中间组件将所连接组件之间的信号流动中断一段时间。

术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的所述组件在开关断开时彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，所述控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。

本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些情况下，衬底为半导体晶片。在其它情况下，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。

本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂，例如简并，半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(例如，大部分载流子为信号)，那么FET可以被称作n型FET。如果沟道是p型的(即，大部分载流子为电洞)，那么FET可被称为p型FET。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“解除激活”。

本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。

可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。

结合本文中本公开所描述的各种说明性区块和模块可使用通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、或经设计以执行本文所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合(例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心结合的一或多个微处理器，或任何其它此类配置)。

本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体予以传输。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)A、B或C中的至少一者的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体以及包含促进将计算机程序从一处传递到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用以携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码装置且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文描述的实例和设计，而是被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。