具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明，根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图均采用非常简化的形式且均适用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

需要说明的是，为了清楚地说明本发明的内容，本发明特举多个实施例以进一步阐释本发明的不同实现方式，其中，该多个实施例是列举式而非穷举式。此外，为了说明的简洁，前实施例中已提及的内容往往在后实施例中予以省略，因此，后实施例中未提及的内容可相应参考前实施例。

虽然该发明可以以多种形式的修改和替换来扩展，说明书中也列出了一些具体的实施图例并进行详细阐述。应当理解的是，发明者的出发点不是将该发明限于所阐述的特定实施例，正相反，发明者的出发点在于保护所有给予由本权利声明定义的精神或范围内进行的改进、等效替换和修改。同样的元模块件号码可能被用于所有附图以代表相同的或类似的部分。

请参照图1至图5，本发明提供一种减小暗室反射性能测量误差的方法，包括：

步骤S101，提供一被测暗室，在所述被测暗室内设置天线支架台，将发射天线与接收天线置于所述天线支架台上，保持收发天线及天线支架台相对位置固定；

步骤S102，将所述天线支架台正对暗室墙面进行测量，获取被测暗室墙面的第一反射信号；

步骤S103，在被测暗室墙面位置处放置参考金属板，将所述天线支架台正对暗室墙面进行测量，获取参考金属板的第一反射信号；

步骤S104，将所述天线支架台背对暗室墙面进行测量，获取被测暗室墙面的第二反射信号；

步骤S105，在被测暗室墙面位置处放置参考金属板，将所述天线支架台背对暗室墙面进行测量，获取参考金属板的第二反射信号；

步骤S106，根据所述被测暗室墙面的第一反射信号、参考金属板的第一反射信号、被测暗室墙面的第二反射信号以及参考金属板的第二反射信号的相互关系，计算得到被测暗室墙面反射性能。

在一个实施例中，将所述天线支架台正对暗室墙面进行测量，包括：将所述天线支架台正对暗室墙面进行测量，由信号发生器产生信号，经过发射天线向空间辐射，由接收天线进行接收。

在一个实施例中，在被测暗室墙面位置处放置参考金属板，将所述天线支架台正对暗室墙面进行测量，包括：保持收发天线及天线支架台相对位置固定。

在一个实施例中，将所述天线支架台背对暗室墙面进行测量，包括：将所述天线支架台整体沿水平方向旋转180度，使收发天线背对被测暗室墙面，正对暗室空间。

在一个实施例中，在被测暗室墙面位置处放置参考金属板，将所述天线支架台背对暗室墙面进行测量，包括：保持收发天线及天线支架台相对位置固定。

在一个实施例中，所述被测暗室墙面反射性能根据以下算法进行解算：

其中，S₁为被测暗室墙面的第一反射信号，M₁为参考金属板的第一反射信号，S₂为被测暗室墙面的第二反射信号，M₂为参考金属板的第二反射信号。

作为具体的实施例，本发明的暗室反射性能测量使用如图2、图3、图4及图5所示的测量方法，该测量方法中，使用由信号发生器、信号接收设备、发射天线、接收天线及天线支架台共同组成的测量系统，通过该系统可以实现暗室反射性能的测量。

作为具体的实施例，如图3所示，首先由收发天线对准被测暗室墙面，测量距离为d，由信号发生器产生的信号，经过发射天线向空间辐射电磁波，由接收天线接收被测暗室墙面反射的电磁波，送入信号接收设备；如图3所示，在被测暗室墙面位置处，放置参考金属板，重复上述测量步骤。根据计算公式(1)，为了计算暗室反射性能，需要获得被测暗室墙面反射信号和参考金属板反射信号。

作为具体的实施例，，在图2所示测量过程中，接收天线送入信号接收设备的信号，记为S₁，包括三部分：发射天线直接耦合到接收天线的信号，记为S_oh1；发射天线辐射到被测暗室墙面，经由被测暗室墙面反射到接收天线的信号，记为S_fs1；测量空间内其余反射物产生的杂散信号，记为S_zs1。其中，第二部分，被测暗室墙面反射信号即S_fs1是计算暗室反射性能所需的信号。各部分信号关系式如下所示：

S₁＝S_oh1+S_fs1+S_zs1………………………………………(2)

作为具体的实施例，在图3所示测量过程中，接收天线送入信号接收设备的信号，记为M₁，包括三部分：发射天线直接耦合到接收天线的信号，记为M_oh1；发射天线辐射到参考金属板，经由参考金属板反射到接收天线的信号，记为M_fs1；测量空间内其余反射物产生的杂散信号，记为M_zs1。其中，第二部分，参考金属板反射信号即M_fs1是计算暗室反射性能所需的信号。各部分信号关系式如下所示：

M₁＝M_oh1+M_fs1+M_zs1………………………………………(3)

作为具体的实施例，根据图2、图3测量过程及被测暗室墙面反射性能测量方法，其反射性能计算公式如下所示：

作为具体的实施例，完成如图2、3所示测量过程后，收发天线与天线支架台相对位置保持不变，将收发天线与天线支架台整体沿水平方向旋转180度，其余测量布置保持不变，此时收发天线背对被测暗室墙面，正对暗室空间。如图4、5所示，重复上述测量过程，获得两次测量中接收天线接收的信号。其中在图5所示测量过程中，接收天线送入信号接收设备的信号，记为S₂；由于暗室反射性能测量中使用的收发天线方向性很好，当收发天线背对被测暗室墙面，正对暗室空间时，发射天线辐射到暗室空间，再经由暗室空间反射到接收天线的信号与其余反射信号相比，传输路径更长，信号衰减更大，其幅度已经小到可以忽略不计的程度，因此S₂主要包括两部分：发射天线直接耦合到接收天线的信号，记为S_oh2；测量空间内其余反射物产生的杂散信号，记为S_zs2。各部分信号关系式如下所示：

S₂＝S_oh2+S_zs2………………………………………(5)

作为具体的实施例，在图5所示测量过程中，由于收发天线背对参考金属板，正对暗室空间，因此接收天线送入信号接收设备的信号，记为M₂，包括两部分：发射天线直接耦合到接收天线的信号，记为M_oh2；测量空间内其余反射物产生的杂散信号，记为M_zs2。各部分信号关系式如下所示：

M₂＝M_oh2+M_zs2………………………………………(6)

作为具体的实施例，在图2、图4测量获得的接收信号中，由于发射天线与接收天线的相对位置保持不变，收发天线直接耦合信号在两次测量中保持不变；同时除收发天线与天线支架台沿水平方向变化180度外，其余布置不变，因此两次测量过程中空间杂散信号基本保持不变；同理，在图3、图5测量获得的接收信号中，由于发射天线与接收天线的相对位置保持不变，收发天线直接耦合信号在两次测量中保持不变；同时除收发天线与天线支架台沿水平方向变化180度外，其余布置不变，因此两次测量过程中空间杂散信号基本保持不变。因此，上述测量过程中，接收信号之间存在下述关系：

S_oh1＝S_oh2………………………………………(7)

S_zs1＝S_zs2………………………………………(8)

M_oh1＝M_oh2………………………………………(9)

M_zs1＝M_zs2………………………………………(10)

根据式(2)、式(5)、式(7)、式(8)，可以得到：

S_fs1＝S₁-S₂………………………………………(11)

根据式(3)、式(6)、式(9)、式(10)，可以得到：

M_fs1＝M₁-M₂………………………………………(12)

根据式(4)、式(11)、式(12)，可以得到：

从式(13)可以看出，在完成图2、图3、图4、图5所示的测量过程后，分别获得接收天线送入信号接收设备的信号S₁、M₁、S₂、M₂，即可计算获得被测暗室墙面反射性能。

具体的测量步骤如下：

i)如图2所示，将收发天线置于天线支架台上，对准被测暗室墙面，测量距离为d，由信号发生器产生信号，经过发射天线向空间辐射，由接收天线接收信号，获得S₁；

ii)保持收发天线及天线支架台固定，如图3所示，在被测暗室墙面位置处放置参考金属板，重复上述测量步骤，获得接收信号M₁；

iii)如图5所示，将收发天线置于天线支架台上，整体沿水平方向旋转180度，使收发天线背对被测暗室墙面，正对暗室空间，同时保持收发天线及天线支架台相对位置与图2一致，重复测量步骤，获得接收信号S₂；

iv)保持收发天线及天线支架台固定，如图5所示，在被测暗室墙面位置处放置参考金属板，重复上述测量步骤，获得接收信号M2；

v)根据公式(13)计算得到被测暗室墙面反射性能。

本发明实现了以下显著的有益效果：

实现简单，包括：提供一被测暗室，在所述被测暗室内设置天线支架台，将发射天线与接收天线置于所述天线支架台上，保持收发天线及天线支架台相对位置固定；将所述天线支架台正对暗室墙面进行测量，获取被测暗室墙面的第一反射信号；在被测暗室墙面位置处放置参考金属板，将所述天线支架台正对暗室墙面进行测量，获取参考金属板的第一反射信号；将所述天线支架台背对暗室墙面进行测量，获取被测暗室墙面的第二反射信号；在被测暗室墙面位置处放置参考金属板，将所述天线支架台背对暗室墙面进行测量，获取参考金属板的第二反射信号；根据所述被测暗室墙面的第一反射信号、参考金属板的第一反射信号、被测暗室墙面的第二反射信号以及参考金属板的第二反射信号的相互关系，计算得到被测暗室墙面反射性能。在不需要分离暗室墙面或参考金属板反射信号的同时，通过改变测量方向，选择合理的测量方法，来计算获得被测暗室墙面反射性能。通过使用该方法，不仅可以减小信号时频域转换过程中的截断误差，还可以有效降低收发天线直接耦合信号与空间杂散信号对反射信号的影响，进而提高暗室反射性能测量准确度，减小测量误差。

根据本发明技术方案和构思，还可以有其他任何合适的改动。对于本领域普通技术人员来说，所有这些替换、调整和改进都应属于本发明所附权利要求的保护范围。