具体实施方式

图1、图2分别为本发明的电子零件的一实施方式的温度补偿型的晶振器1的纵截侧面图、横截上表面图。晶振器1包括封装体(框体)11、晶振4及IC芯片5。封装体11包含陶瓷制的封装体本体12、及例如金属制或陶瓷制的盖10。

封装体本体12分别包括俯视为长方形的基板(中板)13、设于基板13的一面侧的一面侧框壁14、及设于另一面侧的另一面侧框壁15，一面侧框壁14及另一面侧框壁15沿着基板13的周缘部而形成。因此，纵截面观看时，封装体本体12形成为H型。基板13、一面侧框壁14及另一面侧框壁15通过焙烧而一体化。如发明所要解决的问题的项目中简单描述那样，所述封装体本体12是通过将多个片材重叠而形成的层叠体沿着槽分割而制造。包含所述封装体本体12的制造工序的晶振器1的制造工序将在下文中详述。

以下，有时将基板13的一面侧设为上侧，将基板13的另一面侧设为下侧进行说明，但所述上侧、下侧是为了方便说明各部的结构而记载，将晶振器1以何种朝向使用为任意。通过所述一面侧框壁14、另一面侧框壁15，而在基板13的一面侧、另一面侧分别形成有凹部。在另一面侧框壁15的下侧，设有用于将晶振器1安装于安装基板(未图示)的电极19。

在一面侧框壁14的上侧，经由沿着所述一面侧框壁14而设置的密封环16，以堵塞所述一面侧的凹部而形成经密闭的收容空间17的方式设有上文已述的盖10。即，盖10堵塞一面侧框壁14的开口部，与基板13相向。在所述收容空间(第一收容空间)17收容着所述晶振4。而且，基板13的另一面侧的凹部形成收容IC芯片5的收容空间(第二收容空间)18。

对基板13进一步进行说明。在形成所述收容空间17的基板13的一面侧，在所述基板13的长度方向的一端侧的左右，分别形成有大致矩形状的电极21。本例中，相对于左右的中心而对称地设有作为一面侧电极的电极21。此外，所谓所述左右，为与长度方向正交的宽度方向。

而且，在基板13的长度方向的另一端侧的左右，分别形成有大致矩形状的作为金属膜的虚拟垫(dummy pad)22。本例中，虚拟垫22的面积与电极21的面积大致相等，相对于基板13的长度方向的中心，虚拟垫22与电极21配置在对称位置。因此，将基板13在长度方向进行二等分所得的区域中的一个和另一个中，分别设有电极21、虚拟垫22。更详细而言，假设将基板13以俯视为十字且基板13的中心与所述十字的中心一致的方式一分为四，则成为在各分割片包含电极21或虚拟垫22的布局。关于所述虚拟垫22的作用，将在下文中描述。

图3表示形成收容空间18的基板13的另一面侧。关于所述另一面侧，在基板13的长度方向的一端侧、中央部、另一端侧，分别在左右各设有电极。将一端侧的电极设为31、中央部的电极设为32、另一端侧的电极设为33而分别图示，这些电极31～33为用于安装IC芯片5的电极。使电极31、电极33朝向接近的基板13的角部伸出，分别形成伸出电极34。所述伸出电极34经由设于另一面侧框壁15的未图示的配线，连接于设于所述另一面侧框壁15的下部的电极19。

此外，关于电极31、电极32、电极33，对设于左右其中一侧的电极附注字母A，对设于左右另一侧的电极附注字母B进行说明。即，例如关于左右设有两个的电极31，有时以31A、31B相互区分而表示。以下，为了防止由说明导致的错误，关于基板13的电极21、电极31～电极33，有时记载为振子用电极21、IC用电极31～IC用电极33。

所述各振子用电极21经由设于基板13的导电路29，连接于IC用电极31、IC用电极32、IC用电极33的至少任一个，图1中作为一例，以连接于IC用电极31的方式表示。这样，以在晶振4、IC芯片5及封装体本体12的电极19之间电导通的方式，在封装体本体12形成有导电路。

此外，图1中将基板13的厚度表示为H1，将封装体本体12的厚度表示为H2。更详细而言，厚度H2为从一面侧框壁14的设有盖10的一侧端(上端)到电极19的表面(下表面)的厚度，例如为0.68mm。若基板13的厚度H1小，则所述基板13的强度不足，由此可能像下文所述那样，在制造封装体本体12时产生翘曲。如后述的评价试验所示，确认到在H1/H2＝0.29的情况下，可获得翘曲的抑制效果，因而优选这样H1/H2为0.29以上，根据所述评价试验，更优选将H1/H2设为0.34以上。

接下来，对作为压电振子的晶振4进行说明。晶振4例如包括：晶体片41，俯视时形成为矩形；激振电极42，分别设于晶体片41的一面侧的中央部、另一面侧的中央部；以及伸出电极43，以从各激振电极42朝向晶体片41的相同的短边，进而经由晶体片41的侧面而向相反的主面(一面或另一面)伸出的方式形成。各伸出电极43与所述基板13的各振子用电极21经由导电性胶粘材料44而电连接。此外，振子用电极21如所述那样设于基板13的长度方向的端部，由此可与各种大小的晶振4的伸出电极43连接。即，振子用电极21是以可使用的晶振4的选择范围变广的方式设置。

接下来，对作为半导体元件的IC芯片(集成电路芯片)5进行说明。IC芯片5例如俯视为矩形，以其长度方向与基板13的长度方向一致的方式设于基板13的中央部。将在所述IC芯片5的主面设有多个的电极表示为51，所述多个电极51经由例如包括金的凸块52，而分别连接于上文已述的基板13的IC用电极31、IC用电极32、IC用电极33。如背景技术的项目中所述，IC芯片5是通过倒装芯片键合而安装于基板13。

所述IC芯片5包含使晶振4振荡的振荡电路。而且，除此以外构成为，包含感知晶振器1周围的温度的温度传感器电路、及使用所述温度传感器电路的输出进行晶振4的温度补偿的温度补偿电路，由此从晶振器1取出所需的频率信号。IC芯片5的长度方向的大小L1例如为1mm。而且，在收容空间18的基板13的另一面与IC芯片5之间，设有被称为底层填料的树脂层53，用于保护所述基板13的另一面，并且提高IC芯片5对基板13的安装强度。

此外，关于设于封装体本体12的上文已述的电极19、电极21、电极31～电极33，其母材例如包括钨(W)，以被覆所述母材的方式形成有由例如包含镍(Ni)和金(Au)的被覆膜。而且，关于所述虚拟垫22，其母材例如与所述电极21等同样地包括钨。但是，与电极21等不同，在虚拟垫22并未形成有被覆膜，所述母材露出。此外，作为所述各电极及金属膜的母材而列举出的W、作为各电极的被膜而列举出的Ni、Au为一例，也可使用其他种类的金属。例如作为所述母材，除了W以外，可使用钼。

另外，所述虚拟垫22与振子用电极21不同，不电连接于IC用电极31～IC用电极33。即，并未于基板13设置将所述虚拟垫22与IC用电极31～IC用电极33连接的导电路，即，即便暂且将晶振4的伸出电极43连接于虚拟垫22，也不将所述伸出电极43与封装体本体12的电极19导通。因此，在使用晶振器1时，虚拟垫22设为电游离的状态。所述虚拟垫22具有下述作用：抑制发明所要解决的问题中所述的、在晶振器1的制造工序中可能产生的基板13的翘曲。

以下，一方面参照图4(a)及图4(b)～图6(a)至图6(c)，一方面对晶振器1的制造工序及虚拟垫22的作用进行说明。图中，61为基板形成用的片材，62为另一面侧框壁形成用的片材，63为一面侧框壁形成用的片材，各片材61～63为陶瓷制。关于各片材61～63，基板13的形成区域61A、另一面侧框壁15的形成区域62A、一面侧框壁14的形成区域63A在俯视时排列设定为矩阵状，由一个形成区域61A～形成区域63A制造一个封装体本体12。在片材62形成有形成IC芯片5的收容空间18的开口部，在片材63形成有形成晶振4的收容空间17的开口部。

例如，对于在内部已形成导电路29等各导电路的片材61，在基板13的形成区域61A的一面侧、另一面侧，分别介隔掩模沿着规定的图案涂布例如钨(W)的导电性膏，形成金属图案64。所述金属图案64包含以后成为振子用电极21及IC用电极31～IC用电极33的图案、和虚拟垫22的图案。即，所述导电性膏的涂布工序为形成上文已述的电极21、电极31～电极33及虚拟垫22的各母材的工序。例如，关于在内部已形成各配线的片材62，也与形成区域61A同样地在各形成区域62A涂布W的导电性膏，形成以后成为电极19的金属图案65。此外，金属图案64、金属图案65的厚度例如为5μm以上。

然后，将作为第一片材的片材61、作为第三片材的片材62及作为第二片材的片材63，以基板13的形成区域61A、另一面侧框壁15的形成区域62A及一面侧框壁14的形成区域63A的位置对齐的方式对位后，如图4(a)所示那样将片材61～片材63重合并施加荷重而接合，形成层叠体60。图7表示所述层叠体60的上表面。所述接合作业例如使用夹具，以片材61～片材63的外形相互对齐的方式进行。另外，通过所述接合，构成一个封装体本体12的一组形成区域61A、62A、63A的导电路成为经相互连接的状态，在形成区域的组与组之间，也成为所述导电路彼此经相互连接的状态。

接下来，使作为模具的夹具66相对于层叠体60的一面侧相对下降，将所述夹具66相对地按压于层叠体60(图4(b))。如图8的平面图所示，所述夹具66为井字状，通过所述按压，形成沿着各形成区域61A～63A的外缘的槽67(图5(a))。

对形成所述槽67时的、层叠体60的状态进行详细说明。由于上文已述的原因，封装体本体12的振子用电极21偏向基板13的长度方向的一端侧而形成。因此，形成于基板13的形成区域61A的金属图案64中，与振子用电极21对应的图案偏向基板13的形成区域61A的长度方向的一端侧而形成。

另一方面，在如所述那样将夹具66按压于层叠体60时，金属图案64对形成区域61A中产生的应力造成影响。即，在形成有金属图案64的部位与未形成金属图案64的部位，即便施加相同或大致相同的荷重，产生的应力也互不相同。因此，虽然下文将使用图来例示，但在未形成金属图案64中的作为虚拟垫22的部位的情况下，即便对形成区域61A内施加相同的荷重，也可能由于振子用电极21的配置所致的、所述形成区域61A内的金属图案64的分布不均，导致在形成区域61A内的各部产生的应力大不相同。这样会在形成区域61A产生大的翘曲。

但是，如到此为止所述那样，在层叠体60，在形成区域61A的长度方向的另一端侧也设有金属图案64作为虚拟垫22，所述形成区域61A成为其长度方向的金属图案64的分布不均得到抑制的结构。因此，若如所述那样为了形成槽67而将夹具66按压于层叠体60时，形成区域61A的长度方向的应力不均得到抑制，而抑制所述形成区域61A中产生的翘曲。即，形成槽67后也维持形成区域61A的平坦性。

回到晶振器1的制造工序的说明。形成所述槽67后，将层叠体60在高温下焙烧而硬化。接下来，将层叠体60浸渍于化学液，对如上文已述那样，以随后形成各封装体本体12的导电路的方式相互连接的状态的导电路进行通电，由此对所述导电路中在层叠体60露出的部位实施电镀，形成Ni及Au的被膜。由此，由金属图案64、金属图案65形成所述各电极19、21、31～33。另一方面，关于虚拟垫22，未形成被膜。换句话说，关于金属图案64中不形成封装体本体12的导电路的部位，保持未形成被膜的状态，作为虚拟垫22而残留。

然后，沿着槽67分割层叠体60，制造封装体本体12(图5(b))。接下来，使形成于IC芯片5的电极51上的凸块52抵接于由形成区域61A所形成的基板13的IC用电极31～IC用电极33，对所述IC芯片5施加荷重，并且例如对凸块52施加热和/或超声波，进行倒装芯片键合(图6(a))。

所述键合时，由形成区域61A所形成的基板13的翘曲得到抑制，其平坦性高，因而IC用电极31～IC用电极33之间的高度相互对齐，对各凸块52以高均匀性施加荷重。因此，各凸块52以成为相同凸块径的方式以高均匀性被压扁，压接于IC用电极31～IC用电极33(图6(b))。然后，进行树脂层53的形成和晶振4、密封环16及盖10的安装，制造晶振器1(图6(c))。

为了更明确地表示设置所述虚拟垫22的效果，针对未设置所述虚拟垫22的比较例的晶振器的制造工序，以与晶振器1的制造工序的不同点为中心，使用图9(a)及图9(b)、图10进行说明。在所述基板13的形成用的片材61形成金属图案64。但是，所述金属图案64不包含相当于虚拟垫22的图案。将夹具66按压于由所述片材61形成的层叠体60，形成槽67。此时，由于偏向基板13的形成区域61A的长度方向而形成相当于电极21的金属图案64，因而在所述长度方向产生的应力之差大，在形成区域61A产生翘曲(图9(a)、图9(b))。

接下来，通过焙烧层叠体60而使各片材61～63一体化，并沿着槽67分割层叠体60，由此形成封装体本体12，然后进行IC芯片5的倒装芯片键合。此时，由形成区域61A所形成的基板13翘曲，因而IC用电极31～IC用电极33的高度不同，对各凸块52施加的荷重变得不均匀，所述各凸块52的压扁程度(凸块高度)也变得不均匀(图10)。

此种情况下，关于多个凸块52中的一部分凸块52，可能产生未充分对基板13的电极施力因而并未压接的不良状况。为了防止所述不良状况，想到增大IC芯片5对基板13的荷重，但这样一来可能产生下述不良状况：一部分凸块52被过度压扁，导致对IC芯片5施加过度的力，致使IC芯片5破损。而且，如所述那样，也担心压接后的凸块52的凸块径不均导致IC芯片5与基板13的电连接的可靠性降低，使IC芯片5对基板13的接合强度降低等。

根据设有所述虚拟垫22的晶振器1，而消除这种比较例的晶振器所产生的各不良状况。即，根据晶振器1，在将IC芯片5安装于构成封装体本体12的基板13时，可抑制基板13的翘曲，以高均匀性进行各凸块52与基板13的IC用电极31～IC用电极33的连接。由此，防止IC芯片5的破损或IC芯片5的电极51与基板的电极31～电极33之间的导通不良，并且对基板13牢固地安装IC芯片5。因此，可抑制晶振器1的不良率，且提高晶振1的可靠性。

此外，若IC芯片5的长度方向的大小L1(参照图1)大，则IC用电极31～IC用电极33的间隔也对应于所述IC芯片5的大小而变大。若这样电极彼此的间隔大，则在基板13翘曲时，所述IC用电极31～IC用电极33的高度差也变大，因而有容易产生比较例中说明的各不良状况的倾向。当所述L1为例如0.9mm以上时，为了防止所述不良状况的产生，本技术特别有效。而且，若将收容空间18的长度方向的大小设为L2，则所谓所述那样L1为例如0.9mm以上时，是L1/L2为0.55以上时。此外，若这样L1相对较大，则俯视时，IC芯片5相对于振子用电极21及虚拟垫22而重叠。

此外，对由振子用电极21的配置的影响导致在形成槽67时基板13的形成区域61A内的应力不均的情况作说明。在形成区域61A内，振子用电极21占相对较大的面积，因此在未设置虚拟垫22的情况下，想到这样大幅度地受到振子用电极21的影响而导致形成区域61A内的应力的不均变大，但形成于基板13内的导电路也会对所述形成区域61A内的应力造成影响。因此，为了在形成槽67时使形成区域61A内的各部的应力变得均匀而抑制翘曲，不限于将所述那样的电极21与虚拟垫22设为大致相同大小且大致相同的形状。

以下，表示虚拟垫22的其他结构例。图11所示的示例中，如上文在图2中所述的示例同样地，在基板13的左右远离设有虚拟垫22，但所述图11的各虚拟垫22沿着基板13的长度方向而细长地形成，其一端侧(振子用电极21侧)位于较基板13的长度方向的中心更靠近所述振子用电极21。此外，若振子用电极21与虚拟垫22的间隔L3过小则会短路，因而所述间隔L3设为不引起短路的间隔。关于所述间隔L3，只要不引起这种短路，则并无限制。

作为虚拟垫22，不限于在基板13设有多个，也可仅设有一个。图12中，表示了这样仅设有一个虚拟垫22的示例。所述图12的虚拟垫22是以图11中所说明的两个虚拟垫22的基板13的宽度中心侧的端部向所述宽度中心延伸，并相互接合的方式构成，呈大致正方形。

而且，在将虚拟垫22分别设于基板13的左右的情况下，也可为互不相同的形状，在图13中表示这种示例。所述图13的示例中，在基板13的左右设有形状不同的钩状且沿着基板13的长度方向的长度互不相同的虚拟垫22。进而如图14所示，虚拟垫22也可构成为环状。所述图14表示图12中形成有虚拟垫22的区域中的仅周缘部形成为虚拟垫22的示例。此外，这种各图的虚拟垫22为例示，关于其形状及大小，可由图示的示例适当变更。

为了抑制所述那样施加荷重时的振子用电极21所致的影响，若虚拟垫22的面积过小，则可能无法获得充分的效果，因而优选虚拟垫22的面积/振子用电极21的面积＞0.7。所谓所述振子用电极21的面积，为如上文已述那样设有两个的振子用电极21的面积的合计。而且，在如上文已述那样设有多个虚拟垫22时，所谓虚拟垫22的面积，为所述多个虚拟垫22的面积的合计。

而且，虚拟垫22虽然母材的金属露出，但也可进行镀覆等，与各电极同样地在其表面形成例如由Au等所构成的被膜。但是，如所述那样，虚拟垫22不作为电极发挥功能，因而不形成被膜的情况下，在降低晶振器1的制造成本时有利。此外，虚拟垫22的母材和各电极的母材不限于包括相同金属，也可为不同金属。

此外，关于晶振4，不限于设为上文已述那样的晶体片41的形状及电极的布局。例如，伸出电极43也能以向晶体片41的相反方向伸出的方式形成。此时，例如也可对应于所述伸出电极43的位置，而使基板13的电极21也以向长度方向的一端部和另一端部远离的方式设置。另外，此种情况下，也可向基板13的长度方向的中央部的左右远离地设置虚拟垫22。即，关于电极21及虚拟垫22在基板13上的布局，也可根据晶振4的结构而变更。

应认为，本次公开的实施方式在所有方面为例示而非限制性。所述实施方式也可在不偏离随附的权利要求及其主旨的情况下，以各种实施方式进行省略、替换、变更或组合。

(评价试验)

对有关本发明而进行的评价试验1进行说明。作为评价试验1-1，通过图4(a)及图4(b)、图5(a)及图5(b)所述的工序来制作封装体本体12。即，以形成虚拟垫22的方式形成金属图案64后，在层叠体60形成槽67而制作封装体本体12。所述封装体本体12的基板13的厚度H1(＝基板13的形成用的片材61的厚度)设为0.20mm。将所制作的封装体本体12中的10个作为样本，针对各样本的IC用电极，测定电极31A、电极31B、电极32A、电极32B、电极33B相对于作为Vcc端子的33A的高度的高低差。进而，针对各样本，算出所获取的高低差的最大值-最小值作为翘曲的大小，算出所述翘曲的大小的平均值。

作为评价试验1-2～评价试验1-4，通过图9(a)及图9(b)所述的工序来制作封装体本体12。即，形成不含虚拟垫22的金属图案64，进行封装体本体12的制作。评价试验1-2、评价试验1-3、评价试验1-4中，基板13的厚度H1分别为0.20mm、0.23mm、0.25mm。另外，关于评价试验1-2～评价试验1-4，也与评价试验1-1同样地，针对10个封装体本体12的样本，算出电极的高低差及翘曲的大小。而且，算出翘曲的大小的平均值。此外，评价试验1-1～评价试验1-4中，封装体本体12的厚度H2与上文所述的实施方式相同，为0.68mm。因此，关于H1/H2，评价试验1-1、评价试验1-2中为0.29，评价试验1-3中为0.34，评价试验1-4中为0.37。

下述的表1、表2表示评价试验1的结果，表1表示有关各样本的电极的高低差，表2表示翘曲的大小及其平均值。此外，各表中的数值的单位为μm。如表1所示，评价试验1-2的各样本中，与电极31A、电极31B、电极33A、电极33B相比，电极32A、电极32B高。即，关于基板13，可见以长度方向的中央部高于长度方向的两端部的方式翘曲的倾向。然而，评价试验1-1中未见这种倾向，与评价试验1-2相比而各电极的高低差得到抑制。而且，如表2所示，关于翘曲的大小的平均值，在评价试验1-1～评价试验1-4中，评价试验1-1最小。因此，由所述评价试验表示设置虚拟垫22的本发明的效果。

[表1]

[表2]

而且，若查看在基板13的长度方向相邻的电极的高低差，则视样本不同，有时相较于评价试验1-2，评价试验1-3、评价试验1-4的情况下抑制得更小。而且，若查看翘曲的大小的平均值，则评价试验1-3的值小于评价试验1-2的值。关于这一情况，可认为片材61的厚度(＝基板13的厚度)大因而强度高，因此施加荷重时的变形得到抑制。可推定，通过在设有虚拟垫22的基础上，如所述评价试验1-3、评价试验1-4那样增大基板13的厚度，从而能更可靠地抑制基板13的翘曲，因而优选如上文已述那样，H1/H2设为0.34以上。