本申请案涉及晶片配准及重叠测量系统以及有关方法。一种方法包含向晶片施加磁场,检测从所述晶片内的第一组配准标记中的至少一个配准标记发射的至少一个残余磁场,响应于所述所检测到的残余磁场,确定所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记的位置,确定第二组配准标记中的至少一个配准标记的位置,及响应于所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记及所述第二组配准标记中的所述至少一个配准标记的所述相应确定位置,计算所述晶片的所关注层级与所述晶片的参考层级之间的位置偏移。还揭示有关方法及系统。

本发明公开了一种卷对卷双面数字化激光直写曝光机及曝光对位方法,方法包括：首次曝光时：标定三组对位相机的位置；捕捉曝光卷料边缘并确定三组标记点,通过三组标记点的坐标获取偏移角度和曝光区域；根据偏移角度和曝光区域进行曝光；标记两颗Mark点；第二次曝光时：重新标定三组对位相机的位置；捕捉上一次曝光标记的两颗Mark点并进行校对；捕捉曝光卷料其中一侧边的边缘并确定两组标记点,通过两组标记点和两颗Mark点的坐标获取偏移角度和曝光区域；比较偏移角度与可调角度和极限角度以确定曝光图形的偏转角度；根据偏转角度和曝光区域进行曝光操作；标记新的两组Mark点；后续曝光时重复第二次曝光时的步骤。本发明可实现对曝光卷料进行精确连续曝光。

一种用以降低被布置成测量衬底的高度的水平传感器对于所述水平传感器中的光学部件的性质的变化的灵敏度的方法,包括：朝向衍射元件引导辐射的束；和经由光学系统,以第一入射角将所述束引导至第一反射元件。所述束具有第一偏振和垂直于所述第一偏振的第二偏振。所述第一反射元件以第二入射角朝向第二反射元件反射所述束,使得所述束入射到所述衬底上。所述第一入射角和所述第二入射角被选择成减小所述束的所述第一偏振与所述第二偏振的强度比率的、由所述第一反射元件和所述第二反射元件中的至少一个的层的性质所施加的变化。

公开了一种光学部件,所述光学部件被配置为在宽带辐射源装置中用作光学频率转换器。所述光学部件包括气室以及被至少部分地封闭在所述气室内的空芯光子晶体光纤。所述气室的局部腔室容积包括36cm～(3)/所述空芯光子晶体光纤的长度cm的最大值,在局部腔室容积中,所述空芯光子晶体光纤被封闭在所述气室内。

一种本发明的半导体标记及其形成方法,所述半导体标记包括：前层标记,所述前层标记包括第一图形和第二图形,所述第二图形位于相邻的所述第一图形之间,所述第一图形与所述第二图形的材料性质不同。由于本发明中半导体标记中的前层标记中第一图形和第二图形的材料性质不同,进行测量时,所述第一图形和第二图形对测量光的反射率是不同的,因而提高了测量时获得的第一图形和第二图形的图像对比度,使得第一图形和第二图形的位置和边界得以清楚的确认,从而使得前层标记的测量更加精确。

描述了一种用于提供准确的且鲁棒性的测量光刻特征或量测参数的方法和设备。所述方法包括为量测目标的多个量测参数中的每一个量测参数提供一个范围的值或多个值,为多个量测参数中的每一个量测参数提供约束,并且通过处理器计算以在所述一个范围的值或多个值内优化/修改这些参数,从而导致多个量测目标设计具有满足约束的量测参数。

提供EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法。EUV曝光装置包括：EUV光源；第一光学系统,配置为将来自EUV光源的EUV光传输到EUV掩模；第二光学系统,配置为将从EUV掩模反射的EUV光传输到晶片；掩模平台；晶片平台；以及控制单元,配置为控制掩模平台和晶片平台,其中,基于第一套刻参数与第二套刻参数之间的相关性,第一套刻参数通过校正第二套刻参数来校正,该第一套刻参数是在晶片上的各层之间的套刻误差的参数中的一个,第二套刻参数是所述套刻误差的参数中的另一参数。

用于估计能够用于制造半导体器件的衬底的表面的形状的至少一部分的方法和设备。所述方法包括：获得由检查设备所测量的所述衬底的所述表面的至少一个聚焦位置,所述至少一个聚焦位置用于在所述检查设备的光学器件的聚焦范围内将目标置于所述衬底上或所述衬底中；和基于所述至少一个聚焦位置来确定所述衬底的所述表面的形状的至少一部分。

本公开内容一般涉及光刻系统以及用于校正光刻系统中的位置误差的方法。在第一次启动光刻系统时,所述系统进入稳定期。在所述稳定期期间,在所述系统印刷或曝光基板时,收集位置读数和数据,诸如温度、压力和湿度数据。基于所收集的数据和位置读数来产生模型。在后续稳定期中,使用所述模型来估计误差,并且在所述后续稳定期期间动态地校正所估计的误差。

披露了一种在设备内对准衬底的方法。所述方法包括基于多个目标的测量来确定衬底栅格,每个目标位于衬底上的不同部位处。所述确定步骤包括重复以下：在对目标的每次测量之后更新所述衬底栅格,以及使用经更新的栅格来对准后续目标的测量。