本发明提供一种光学镀膜半导体晶圆嫁接方法及光学镀膜半导体,该方法通过将光刻胶涂布在半导体晶圆基板表面并在半导体晶圆基板的表面划分为透光区和遮光区,让然后采用光刻工艺在所述透光区刻画图案再进行光学薄膜的沉积,将高折射率或低折射率材料的光学薄膜膜层交错堆叠在所述透光区表面,使得所述透光区和所述遮光区交界处膜层厚度梯度变化,最后去除所述光刻胶即可。该方法获得的光学镀膜半导体在竖直方向上,IRC层的远离基板的边缘与涂胶背胶面的边缘不重叠,在保证其正常的电性能的前提下附加光学性能,附加的光学性能使产品精度大大提高,具有很高的推广价值。

本发明涉及一种用于通过光刻胶生产三维结构,具体地用于产生处于微米到毫米范围内的台阶式结构的方法。寻找一种实现微机械和高性能电子结构的允许台阶式结构的基本上自由成型和高产出量生产的微结构的新的可能性的目的根据本发明通过以下得以实现：用第一光刻胶涂覆(3)铜包覆的衬底(1)至少一次,以产生限定高度的至少一个结构台阶,并且用第二光刻胶涂覆(3)所述第一光刻胶至少一次,以产生限定高度的至少一个另外的结构台阶,其中所述第一光刻胶和所述第二光刻胶具有不同光敏性和透射特性,通过用不同波长和辐射剂量进行曝光(4)并且在显影(5)之后,所述不同光敏性和透射特性使至少所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的结构形成性区域(35；36)得以产生。所述结构形成性区域(35；36)彼此至少部分地重叠并且形成台阶式三维结构。

本发明公开了一种基于无掩膜版工艺的快速曝光装置及其使用方法,涉及无掩膜版曝光机技术领域,包括曝光机构,用于与曝光作业生产线对接,所述曝光机构的顶部设置有硅片本体,所述曝光机构包括机体,所述机体的内部设置有直线模组一以及直线模组二,所述直线模组一的顶部通过电动推杆一设置有承载板一,所述直线模组二的顶部设置有承载板二。通过设置曝光机构、曝光组件、喷胶烘干组件、支撑组件以及胶箱,该装置将喷胶和烘干工序合二为一,减少硅片本体在工序之间转运的时间,同时也降低了硅片本体喷胶后粘附灰尘的风险,保证了曝光作业的整体效率以及成品质量,符合经济效益,具有广阔的应用前景。

本发明涉及一种半导体硅晶圆制造加工系统及加工工艺,通过设有的工作台、支撑板、固定装置和匀胶装置协同完成晶圆制造加工时的涂胶工作。本发明提供的一种半导体硅晶圆制造加工系统及加工工艺,可以解决现有晶圆制造加工系统对晶圆表面涂抹光刻胶时,通常现有晶圆制造加工系统直接对光刻胶进行涂胶处理,没有对涂胶后的光刻胶进行涂匀处理,使得晶圆表面的光刻胶涂抹不均匀,导致晶圆表面的光刻胶存在突起、微纹和划痕以及现有晶圆制造加工系统直接对光刻胶进行涂匀时,难以将堆积的光刻胶及时摊开、涂匀,使得光刻胶涂匀过程时间较长,降低晶圆制造效率等问题。

本发明公开了一种改善方片边缘膜厚的涂胶方法,属于光刻胶涂胶工艺技术领域。该工艺首先进行BSR背洗工艺,然后使用EBR进行方片边缘润湿,此后再进行喷胶涂覆,涂胶过程中进行关闭Cover、关闭Damper操作,成膜之后开启Cover并采用低转速甩干,保证溶剂完全挥发。该工艺可使得方片涂覆过程中保证腔体内充分的湿度,使得光刻胶在方片边缘处具有更好的流动性,在相同的曝光显影条件下可以得到更好的边缘图形。

本发明公开一种转印式滚轮的制造方法及转印式滚轮。转印式滚轮的制造方法包括一前置步骤、一曝光步骤、以及一显影步骤。前置步骤提供一透光圆管及涂布于透光圆管外表面的一负光阻层。曝光步骤将一曝光装置伸入透光圆管内并发出一图案化光线来穿过透光圆管而照射在负光阻层,曝光装置与透光圆管为相对地移动,以使邻近透光圆管的外表面的负光阻层的一部位,其受到图案化光线照射而构成一全像纹路图案层。显影步骤去除未形成全像纹路图案层的负光阻层的另一部位,令透光圆管及形成于透光圆管上的全像纹路图案层共同构成一转印式滚轮。借此,转印式滚轮的制造时间及成本被节省,且转印式滚轮形成有机械强度足够且受到均匀曝光的全像纹路图案层。

本发明提供喷嘴单元、液处理装置以及液处理方法。使基板面内的温度分布的均匀性提高。本公开的一技术方案所涉及的喷嘴单元是一种对基板施加使用了溶液的液处理的液处理装置用的单元。该喷嘴单元包括气体喷嘴,该气体喷嘴具有：喷出流路,其供气体流通；以及喷出口,其将在喷出流路流动的气体朝向基板的表面喷出。喷出口形成为在沿着表面的第1方向上延伸。喷出流路的第1方向上的宽度随着靠近喷出口而变大,以使来自喷出口的气体呈放射状喷出。

本发明为用于在半导体制造工艺中形成蚀刻图案的方法,其在蚀刻工艺前,将通常在晶片上形成光刻胶膜/反射防止膜/SiON膜/有机硬掩膜的4层的以往方法,改变为只形成由光刻胶膜/多功能有机无机掩膜构成的2个层而体现相同的蚀刻图案的创新性方法,与以往的方法相比,绝对简化工艺,巨大地改善生产时间和费用,不再需要现有方法中使用的昂贵的涂覆及沉积装备,因而表现出能够减小SiON沉积时所需的昂贵前体或对于有机硬掩膜的费用及沉积时所需相关装备的投资或维护费用的卓越效果。

本发明提供一种平坦度控制方法及装置、涂膜的形成方法及装置。本发明的平坦度控制方法,用于晶圆的平坦度控制,其包含以下步骤：准备具有包含多个区段的固持面,且该多个区段各自具备干式粘接性纤维构造物的固持构件的步骤；使晶圆吸附于该固持构件的该固持面,而使该晶圆固持于该固持构件的步骤；测量该晶圆的平坦度,而取得该晶圆的平坦度的信息的步骤；及基于该平坦度的信息,而在该固持构件的该固持面的该多个区段的一部分中,释放该干式粘接性纤维构造物对该晶圆所进行的吸附的步骤。

本发明公开一种半导体板件沟槽刻蚀方法,涉及半导体加工技术领域,包括步骤一：将光刻胶覆盖在非刻蚀区域的表面,得到加工板件；步骤二：将加工板件安装至刻蚀装置中的板件卡盘,并将其下降至刻蚀槽中进行刻蚀加工；步骤三：刻蚀加工后得到刻蚀板件,将其移动至清洗槽中,进行清洁加工；步骤四：清洗加工完成后,得到成品板件,再将成品板件的表面进行清洁,并晾干。本发明通过刻蚀工艺对半导体板件的沟槽进行加工,可以提高板件沟槽的加工质量,并且本案在板件的非刻蚀区域采用粘合剂与光刻胶进行连接,从而可以光刻胶与板件的粘合质量,通过在板件不同的区域分界线设置较细的光刻胶线体,可以提高沟槽刻蚀的精细度。