一种光刻用膜形成材料,其包含具有下式(1)所示的聚苯并咪唑结构的树脂。Y、Z分别为单键、包含硫族原子的2价的连接基团、源于选自芳香族化合物等的化合物的2价的连接基团,R～(1)独立地为氢原子或选自由特定的烷基等、卤素原子、硝基、氨基、氰基、羧酸基、巯基及羟基组成的组中的取代基T,所述烷基等任选具有醚键、酮键、酯键或氨基甲酸酯键,R～(2)为取代基T,m为0～3的整数,n为1～10000的整数。

提供下述保护膜形成用组合物、使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板、和半导体装置的制造方法,上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度,进一步对高低差基板也被覆性良好,埋入后的膜厚差小,能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,包含：末端具有分子内包含至少1组彼此相邻的2个羟基的结构的聚合物、和有机溶剂。上述分子内包含彼此相邻的2个羟基的结构可以为1,2-乙二醇结构(A)。

提供一种组合物,是用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、蚀刻速率高的抗蚀剂下层膜的组合物,其对高低差基板的埋入性和平坦化性优异。包含(A)下述式(I)所示的交联性化合物、和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。[在式(I)中,m为1～30的整数,T为单键、饱和烃基、芳香族基、或不饱和环状烃基,G～(1)、G～(2)、G～(3)、G～(4)、G～(5)和G～(6)各自独立地为(i)或(ii),n各自独立地为1～8的整数,n个R各自独立地为氢原子、脂肪族烃基、或脂环式烃基,A各自独立地为可以被亚烷基中断的芳基,Z～(1)、Z～(2)、Z～(3)、Z～(4)、Z～(5)、Z～(6)各自独立地表示烷基、芳基、羟基、环氧基或氢原子。]

本发明提供一种即使使用LED光源,也能够对放射线敏感性组合物赋予高的透射性、抑制气泡的产生的放射线敏感性组合物的处理方法。本发明的放射线敏感性组合物的处理方法的特征在于,放射线敏感性组合物具有：作为具有酸基的自由基聚合性化合物(a)、具有环氧基的自由基聚合性化合物(b)、以及其他自由基聚合性化合物(c)的共聚物的可溶于碱水溶液的树脂(A)和放射线敏感性产酸化合物(B),其中,所述方法包含下述工序(α)：从LED元件对放射线敏感性组合物照射主峰值波长在375nm以上且395nm以下的范围内的紫外线,提高放射线敏感性组合物的透射率。

本发明涉及匀胶显影机领域,具体是涉及一种新型匀胶显影机,包括：箱体,调控装置,吸气风机,具有吸气软管,送气风机,具有送气软管,气体加热加湿装置,所述调控装置具有多个温湿调控组件,箱体上设有多个温湿调控组件,每个温湿调控组件均包括：升降机构和温湿调控机构,该温湿调控机构包括外筒和气体输送机构以及辅助调控机构,辅助调控机构上设有温湿感应机构,本发明通过吸气风机和送气风机与调控装置的配合,实现了每个点的热气和湿气输出和输入,通过温湿感应机构,实现了对每个点温湿度的感应,保证了每个点能够在调控后保持温湿度一致,保证了每个点均能循环输入和输出气体的同时还实现了各个点对温湿度的把控保持一致。

本发明涉及匀胶显影机技术领域,具体是涉及一种用于匀胶显影机热处理模块的冷却装置,包括匀胶显影机机箱,每个竖向柜的内部均设有热处理单元模块；水冷却机构,其数量与热处理单元模块的数量相同且一一对应的设置在每个热处理单元模块的底部,水冷却机构包括水冷板底板；通风机构,其数量与热处理单元模块的数量相同且一一对应的设置在每个热处理单元模块的上方,每个通风机构均包括进风通道和排风通道；恒温器；总进风管道；鼓风机；总出风管道,该设备能够高效且持续的将加热处理单元模块进行冷却,并且能够自动的将加热处理单元模块产生的多余热量抽走,提高冷却效率。