喷嘴单元、液处理装置以及液处理方法

本发明提供喷嘴单元、液处理装置以及液处理方法。使基板面内的温度分布的均匀性提高。本公开的一技术方案所涉及的喷嘴单元是一种对基板施加使用了溶液的液处理的液处理装置用的单元。该喷嘴单元包括气体喷嘴,该气体喷嘴具有：喷出流路,其供气体流通；以及喷出口,其将在喷出流路流动的气体朝向基板的表面喷出。喷出口形成为在沿着表面的第1方向上延伸。喷出流路的第1方向上的宽度随着靠近喷出口而变大,以使来自喷出口的气体呈放射状喷出。

2021-10-29

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一种电路板生产用带有烘烤机构的显影机

本发明公开了一种电路板生产用带有烘烤机构的显影机,涉及显影机技术领域。包括显影机本体,所述显影机本体上固定连接有出料板,所述出料板上设置有对物料进行收集的收集组件,所述收集组件上设置带动卡块移动的活动组件,所述收集组件上设置有防止物料堆积的卡位组件,所述显影机本体上固定连接有U型槽,所述U型槽的内部滑动安装有二号轴承,所述二号轴承的内壁上固定连接有转动轴,所述转动轴上固定连接有输送轮,所述转动轴与一号轴承的内壁固定。该电路板生产用带有烘烤机构的显影机,在显影机本体上设置有收集组件,通过收集组件可以对显影机本体生产出来的物料进行收集,防止物料直接排出来造成物料损坏。

2021-10-26

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基片处理装置和基片处理方法

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。本发明的一方面的基片处理装置包括：对基片实施规定的处理的处理单元；输送单元,其具有保持基片的保持部,通过使保持着基片的保持部位移来对处理单元进行基片的送入送出；和基片检查单元,其在处理单元的外部,获取表示保持部所保持的基片的表面状态的信息。根据本发明,能够兼顾处理结果的可靠性提高和生产率。

2021-10-22

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去除静电聚集的显影方法

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种去除静电聚集的显影方法。去除静电聚集的显影方法包括以下步骤：向曝光后的基片表面喷淋预润液,使得基片上的光刻胶层进行预润湿；使得预润湿后的基片以第一转速高速旋转,向以第一转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋显影液,使得显影液与基片感光区的光刻胶层发生反应；使得喷淋显影液后的基片以第二转速高速旋转,向以第二转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液,使得清洗液去除反应后的显影液,和残留在感光区中的光刻胶；使得清洗后的基片以第三转速低速旋转,向以第三转速低速旋转的基片上喷淋去离子水,使得去离子水带走基片表面形成的静电电荷；甩干基片表面的去离子水。

2021-10-22

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一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法

一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法,步骤如下：取一片硅片,硅片表面为二氧化硅氧化层,使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法,在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形；其次使用氢氟酸-硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀,得到微盘腔；最后将微盘腔表面光刻胶去除,并使用激光器对其进行热回流,完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸-硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀,提高了各向同性,使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备,在1550nm波段实现了10～(8)以上的品质因子,这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。

2021-10-22

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晶片去胶方法

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种能够去除表面碎晶屑的晶片去胶方法。该晶片去胶方法包括依次以下步骤：提供表面覆盖有光刻胶的晶片,所述光刻胶中嵌入有碎晶屑；使得所述晶片以第一转速旋转；向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液,使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层,去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑；向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液,使得所述稀释液溶解剩余光刻胶,去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。本申请提供的一种晶片去胶方法,可以解决相关技术中不能有效去除嵌入在光刻胶中碎晶屑的问题。

2021-10-15

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一种湿度可调的水凝胶多彩结构色制备方法

本发明涉及纳米结构色领域,针对现有的结构色制备方法操作复杂且不易调控的问题,提供一种湿度可调的水凝胶多彩结构色制备方法,包括以下步骤：a)在衬底上先沉积底层金属层,再均匀旋涂聚乙烯醇溶液,形成中间层聚乙烯醇水凝胶层；b)对步骤a)的产物进行电子束曝光,水洗,被辐照的区域不被水溶解,形成纳米结构；c)在步骤b)得到的纳米结构上再沉积上层金属层,得到由所述底层金属层、中间层、上层金属层组成的水凝胶纳米结构,在湿度装置的调控下产生不同的颜色响应。本发明利用电子束曝光形成高精度水凝胶纳米结构,水凝胶在曝光后对湿度变化仍保持快速的吸水膨胀响应,从而通过调控湿度产生不同的颜色响应,达到动态颜色调节。

2021-10-15

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喷嘴装置及基板处理装置

本发明提供了一种喷嘴装置。所述喷嘴装置包括：喷嘴主体,包括喷嘴头,所述喷嘴头具有用于将处理液喷射到基板上的排出口；喷嘴移动单元,用于使所述喷嘴主体相对于基板移动；旋转部件,用于使所述喷嘴主体或所述喷嘴头旋转以使处理液在旋转的同时喷射到基板上；以及控制单元,用于控制所述喷嘴移动单元和所述旋转部件的操作。

2021-10-12

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一种便于拆卸的防止反溅液体污染晶圆的装置

本发明公开了一种便于拆卸的防止反溅液体污染晶圆的装置,所述防止反溅液体污染晶圆的装置包括：废液收集整流杯；废液收集整流杯支撑件,所述废液收集整流杯支撑件用于支撑所述废液收集整流杯；至少一个升降主动件,所述升降主动件设于所述废液收集整流杯的任意一侧,所述升降主动件用于控制所述废液收集整流杯升降运动；至少一个平动主动件,所述平动主动件与所述升降主动件滑动连接,所述平动主动件用于控制所述废液收集整流杯水平运动；其中,所述升降主动件连接所述废液收集整流杯支撑件,或所述平动主动件连接所述废液收集整流杯支撑件。本发明有效解决更换废液收集整流杯时,更换空间较小,操作不方便的问题。

2021-10-01

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半导体设备及半导体结构的制备方法

本发明涉及一种半导体设备及半导体结构的制备方法,半导体设备包括：对晶圆进行处理的工艺腔室；进气装置,用于向工艺腔室内通入气体；气体分配盘,位于晶圆上方,且位于气体的流动路径上；至少部分气体穿过气体分配盘流向晶圆的表面。上述半导体设备,气体分配盘能够使得气体在晶圆表面的流速均匀,使得晶圆表面的温度均匀,减小晶圆表面中心区域和边缘区域的温度差,从而使得光刻形成的图形结构的线宽均匀。

2021-10-01

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