本申请公开了一种光刻方法,包括：在晶圆上涂布光阻,该光阻为正性光阻；对光阻进行软烘烤；对光阻进行曝光后,进行冷却以释放在曝光过程中产生的气体；对光阻进行曝光后的烘烤；对光阻进行显影。本申请通过在光刻过程中,在对光阻进行曝光后进行冷却以释放曝光中产生的气体,避免留存在光阻中的气体在后续的烘烤过程中受热膨胀产生缺陷,从而能够在一定程度上降低了光刻过程中形成气泡的几率,降低了光刻图形的缺陷,提高了产品的可靠性和良率。

本申请实施例提供一种光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备,涉及半导体技术领域,光刻机的控制系统包括检测单元、加热单元以及控制单元。本申请实施例通过在光刻机内设置检测单元、加热单元以及控制单元,当控制单元判断出晶圆在光刻机内完成曝光工艺后的停留时间大于预设时长时,会控制加热单元对晶圆进行加热,及时地处理晶圆上光刻胶表面残留水滴,防止残留水滴在光刻胶上造成缺陷,提高晶圆的良率。

本发明提供一种作为预湿液使用时缺陷抑制性优异的药液。本发明还提供抗蚀剂图案的形成方法、半导体芯片的制造方法、药液收容体及药液的制造方法。本发明的药液含有环己酮及选自包括通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物及通式(3)所表示的化合物的组中的1种以上的第1化合物,所述药液中,环己酮的含量相对于药液总质量为98.000～99.999质量％,第1化合物合计含量相对于所述药液总质量为0.001～100质量ppm,所述药液可作为预湿液使用。