本发明提供一种光学镀膜半导体晶圆嫁接方法及光学镀膜半导体,该方法通过将光刻胶涂布在半导体晶圆基板表面并在半导体晶圆基板的表面划分为透光区和遮光区,让然后采用光刻工艺在所述透光区刻画图案再进行光学薄膜的沉积,将高折射率或低折射率材料的光学薄膜膜层交错堆叠在所述透光区表面,使得所述透光区和所述遮光区交界处膜层厚度梯度变化,最后去除所述光刻胶即可。该方法获得的光学镀膜半导体在竖直方向上,IRC层的远离基板的边缘与涂胶背胶面的边缘不重叠,在保证其正常的电性能的前提下附加光学性能,附加的光学性能使产品精度大大提高,具有很高的推广价值。

本发明公开了一种组合物、及其剥离液和在其在剥离光刻胶或光刻胶残余物中的应用和剥离方法,组合物包含水溶性非质子极性有机溶剂、有机胺化合物、缓蚀剂、二醇醚化合物和润湿剂；缓蚀剂含有式I所示化合物中的至少一种和式II所示化合物中的至少一种；R-(1)、R-(2)独立地选自有机供电子基团、H中的任一种；R-(1)与R-(2)不同时为H；R-(3)、R-(4)独立地选自有机吸电子基团、H中的任一种；R-(3)与R-(4)不同时为H；有机供电子基团选自苯基、羟基、氨基、甲氧基或C-(1-5)烷基；所述有机吸电子基团选自乙酰基、乙酰胺基、氰基、C-(1-3)羧基、C-(1-3)羧酸酯基或硝基。剥离液在有效去除光刻胶的基础上,对金属电极特别是Cu有很好的保护效果,能够抑制其氧化和腐蚀。

本发明公开了一种光阻剥离液,光阻剥离液的主要组成为醇胺类化合物、醇醚类化合物、有机溶剂和齐聚物添加剂；齐聚物添加剂为选自聚乙二醇以及亲水基团封端的聚乙二醇、聚乙二醇醚、聚丙二醇、聚丙二醇醚中的一种或两种以上的组合,亲水基团为氨基或羧基。本发明光阻剥离液中的齐聚物添加剂分子呈链状,分子链中均匀分布有亲水基团,齐聚物添加剂参与修饰光阻短分子链,改善剥离液的水洗性能,降低基板残留,减少甚至杜绝鼓包、短路等缺陷,提高液晶面板良率。本发明还公开了一种基于上述光阻剥离液的剥离工艺。

本发明涉及半导体芯片生产技术领域,公开了一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法,步骤为：将晶圆清洗、干燥后,先使用氧气等离子体去胶机在带下电极等离子体轰击的条件下去胶,然后使用有机溶剂清洗,并先后在酮类和醇类溶液中浸泡,再在氧气等离子体去胶机内,在不带带下电极轰击的条件下去胶,最后得到清洁的VCSEL芯片。本发明能够高效的将VCSEL芯片经过ICP刻蚀后的光刻胶去除干净,避免光刻胶残留对后续氧化工艺产生影响。

本发明公开了一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺,属于清洗剂技术领域。其本发明提供的柔性面板用光刻胶清洗剂包括以下重量百分比的组分：1.5-9.5％季铵氢氧化物、0.5-16.5％水、4.5-21.5％异丙二醇单苄基醚、0.5-5.5％缓蚀剂,余量为有机溶剂。且本发明利用了4-羟基丁酸、二乙烯三胺、苄氯、肉桂醛和γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷逐步反应生成缓蚀剂,并在季铵氢氧化物光刻胶清洗剂中引入了该缓蚀剂,因该缓蚀剂中的硅氧烷链和曼妮希碱、苯环、咪唑啉的结构特性,使得其极易在铜箔或铝箔表面形成致密的保护膜,避免了季铵氢氧化物对铜箔或铝箔的腐蚀,且对光刻胶高效清洗。

本申请提供一种去除蚀刻残留物的清洗液,包括：氧化剂、水、有机溶剂、氟化物、无机酸和金属缓蚀剂。本发明的去除蚀刻残留物的清洗液的清洗能力强,能够有效地高选择性地去除3D-NAND结构中的TiN和TiSi硬掩模,并且对金属钨(W)和非金属材料(如SiON、SiN和SiO-(2)等)有较小的腐蚀速率,从而达到选择性保护的效果,且操作窗口较大,尤其在25～60℃时,能够有效的保证TiN/W和TiSi/W蚀刻速率比大于10,适用于批量旋转清洗方式,在半导体晶片清洗领域具有良好的应用前景。

本发明公开了一种用于感光干膜的环保型脱模剂,其原料及其具体重量分数如下：有机碱4-32wt%、有机溶剂5-22wt%、抑制剂3-12wt%、缓蚀剂0.1-4 wt%、去离子水30-87.9wt%。本发明在处理印刷线路板时具有以下特征：干膜脱落快速完全,无残点现象；脱膜剂不会腐蚀线路板上的镀Sn/Pb的保护层；干膜脱落后形成的颗粒粒径分布小且分布范围窄,不会堵塞喷嘴和管道,可操作性强；绿色环保,无毒无腐蚀性、安全可靠、不易燃。

本发明提供一种PCB用正胶剥离液,含有小分子有机胺、有机溶剂、缓蚀剂和表面活性剂、有机胺低聚物,该有机胺低聚物是分子量1000—8000的聚2-(二甲氨基)乙基丙烯酸酯,聚甲基丙烯酸二甲氨基乙酯,或者它们的混合物,或者2-(二甲氨基)乙基丙烯酸酯和甲基丙烯酸二甲氨基乙酯的共聚物,以质量百分比计,所述小分子有机胺的含量为1—10%,有机胺低聚物的含量为1—20%,缓蚀剂的含量为0.1—5%,表面活性剂的含量为0.1—2%,余量为溶剂,可有效解决有机胺的挥发问题。

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种能够去除表面碎晶屑的晶片去胶方法。该晶片去胶方法包括依次以下步骤：提供表面覆盖有光刻胶的晶片,所述光刻胶中嵌入有碎晶屑；使得所述晶片以第一转速旋转；向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液,使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层,去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑；向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液,使得所述稀释液溶解剩余光刻胶,去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。本申请提供的一种晶片去胶方法,可以解决相关技术中不能有效去除嵌入在光刻胶中碎晶屑的问题。

本发明提供了一种含有加速剂的无机体系退膜液,包括无机碱和加速剂,所述加速剂由第一组分、第二组份和第三组分组成；所述第一组份为水合离子半径小于等于0.35nm的离子源,所述离子源的浓度为10-400ppm；所述第二组分为疏水基团分子量占总分子量达50%以上的非离子型表面活性剂,所述非离子型表面活性剂的浓度为5-200ppm；所述第三组分为二甲亚砜、环醚化合物中的一种或几种,所述第三组份的浓度为20-800ppm；所述环醚化合物的含碳数为4-12。在无机碱与离子源、非离子型表面活性剂、二甲亚砜和/或环醚化合物的协同作用下,退膜液的退膜速度提升20%以上。体系中所添加的加速剂为非氮类加速剂,污水中总氮低,无氮臭味。