阅读说明：本技术 层形成方法和装置 (Layer forming method and apparatus ) 是由 J.弗鲁伊特 于 2020-04-14 设计创作，主要内容包括：提供了在衬底上沉积包含钼的层的方法和装置,做法是在反应室中向衬底供给包含二氯二氧化钼(VI)的前体及包含硼和氢的第一反应物以反应和形成钼层。包含硼和氢的第一反应物可为乙硼烷。(Methods and apparatus are provided for depositing a layer comprising molybdenum on a substrate by supplying a precursor comprising molybdenum (VI) dichloride dioxide and a first reactant comprising boron and hydrogen to the substrate in a reaction chamber to react and form a molybdenum layer. The first reactant comprising boron and hydrogen may be diborane.)

层形成方法和装置

技术领域

本公开总的涉及在衬底上形成层的方法和装置。更特别地，本公开涉及一种用于在反应室中在衬底上沉积包含钼的层的方法和装置。

沉积方法可包括在反应室中向衬底供给包含二氯二氧化钼的前体和第一反应物以让一部分前体与第一反应物反应形成钼层。衬底上的层可以用于制造半导体装置。

背景技术

在原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)中，使衬底经受前体和第一反应物，所述前体和第一反应物适合于在衬底上反应成为所需的层。层可以沉积于在衬底上制造特征部件期间产生的间隙中以填充间隙。

在ALD中，衬底暴露于前体的脉冲并且前体的单层可化学吸附于衬底的表面上。表面位点可被整个前体或前体的片段占据。反应可以是化学上自限性的，因为前体可能不吸附已经吸附于衬底表面上的那部分前体或不与已经吸附于衬底表面上的那部分前体反应。然后例如通过提供惰性气体吹扫过量的前体和/或用泵从反应室去除过量的前体。随后，将衬底暴露于第一反应物的脉冲，其与吸附的整个第一前体或第一前体的片段化学反应直至反应完成并且表面被单层反应产物所覆盖。

已发现可能需要改善钼层沉积工艺的质量。

发明内容

提供本概述是为了以简化的形式引入一系列概念。下文在本公开的实例实施例的详细描述中更详细地描述这些概念。本概述不打算标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不打算用于限制所要求保护的主题的范围。

可能需要在衬底上形成沉积的钼层的改进方法。因此，在一个实施例中，可提供一种在反应室中在衬底上沉积包含钼的层的方法。所述方法可包括在反应室中向衬底供给包含二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)的前体。所述方法可包括在反应室中向衬底供给第一反应物以让一部分前体与第一反应物反应形成钼层。第一反应物可包含硼和氢。

通过使第一反应物包含硼和氢，第一反应物与包含二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)的前体的反应性可得到改善。因此可改善钼层的沉积。可改善总层的质量和/或可改善沉积工艺的速度。

在一些其它实施例中，提供用于半导体加工的方法。方法包括将金属层沉积至衬底的间隙中，进而填充间隙。

根据又一个实施例，提供了一种在衬底上沉积包含钼的层的沉积装置，其包括：

反应室，所述反应室设置有衬底保持器以保持衬底；

加热系统，所述加热系统构造和布置为控制所述衬底的温度；

分配系统，所述分配系统包括在所述反应室中提供前体和至少第一反应物的阀；和，

顺序控制器，所述顺序控制器可操作地连接到所述阀并且编程为使得能够用所述前体和所述第一反应物在所述反应室中在所述衬底上沉积钼，其中所述分配系统设置有前体递送设备和第一反应物递送系统，所述前体递送设备用来递送二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)蒸气，所述第一反应物递送系统构造和布置为递送包含硼和氢的第一反应物的蒸气。

附图说明

虽然本说明书以具体地指出并明确地要求保护被视为本发明实施例的内容的权利要求书结束，但在结合附图阅读时，可以根据本公开的实施例的某些实例的描述更容易地确定本公开的实施例的优势，在附图中：

图1a和1b示出了流程图，示意了根据一个实施例的沉积层的方法。

具体实施方式

尽管下文公开了某些实施例和实例，但所属领域的技术人员将理解，本发明延伸超出了本发明具体公开的实施例和/或用涂及其显而易见的修改和等效物。因此，希望本发明所公开的范围不应受下文所描述特定公开实施例的限制。

本文中呈现的图解不打算作为任何特定材料、结构或装置的实际视图，而仅仅是用以描述本公开的实施例的理想化图示。

如本文所用，术语“衬底”可指可使用的或上面可形成装置、电路或膜的任何一种或多种下层材料。

如本文所用，术语“循环沉积”可指依次引入一种或多种前体(反应物)到反应室中以在基材上方沉积膜并包括沉积技术如原子层沉积和循环化学气相沉积。

如本文所用，术语“循环化学气相沉积”可指其中衬底被依次暴露于一种或多种挥发性前体的任何工艺，所述挥发性前体在衬底上反应和/或分解以产生所希望的沉积。

如本文所用，术语“原子层沉积(ALD)”可指其中在处理室中进行沉积循环、优选地多个连续沉积循环的气相沉积工艺。通常，在每个循环期间，将前体化学吸附到沉积表面(例如，衬底表面或先前沉积的下垫表面，如来自前一ALD循环的材料)，形成不易与额外的前体反应的单层或亚单层(即，自限性反应)。此后，必要时，可以随后将反应物(例如另一种前体或反应气体)引入到处理室中以用于将用化学方法吸附的前体转换成沉积表面上的所需材料。通常，此反应物能够与前体进一步反应。此外，在每个循环期间，还可以利用吹扫步骤以在转换用化学方法吸附的前体之后从处理室移除过量前体和/或从处理室移除过量反应物和/或反应副产物。此外，当使用前体组合物、反应性气体和吹扫(例如惰性载体)气体的交替脉冲进行时，如本文所使用的术语“原子层沉积”还意图包括由相关术语如“化学气相原子层沉积”、“原子层外延”(ALE)、分子束外延(MBE)、气体源MBE或有机金属MBE和化学束外延所指定的工艺。

如本文所用，术语“层”可指通过本文所公开的方法形成的任何连续或非连续结构和材料。举例来说，“层”可包括2D材料、纳米层合物、纳米棒、纳米管或纳米颗粒或甚至部分或完整分子层或者部分或完整原子层或者原子和/或分子的簇。“层”可包含具有针孔的材料或层，但仍然是至少部分连续的。

半导体器件中可能需要钼层作为导电层。因此可使用在反应室中在衬底上沉积包含钼的层的方法。所述方法可包括在反应室中向衬底供给包含二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)的前体。前体可包含卤氧化钼，不为四氯氧化钼(MoOCl₄)。前体可包含氯氧化钼，不为四氯氧化钼(MoOCl₄)。前体可具有Mo-O和Mo-Cl键，不为四氯氧化钼(MoOCl₄)。前体可包含具有与键合到钼的氯原子相同数量的氧的卤氧化钼。前体可包含具有两个氧和两个键合到钼的氯原子的卤氧化钼。

所述方法可还包括在反应室中向衬底供给包含硼和氢的第一反应物以让一部分前体与第一反应物反应而在衬底上形成钼层。包含硼和氢的第一反应物可选自式B_nH_(n+x)的硼烷，其中n为1至10的整数，x为偶数。

包含硼和氢的第一反应物可例如选自式B_nH_(n+4)的巢型硼烷。

包含硼和氢的第一反应物可例如选自式B_nH_(n+6)的蛛网式硼烷。

包含硼和氢的第一反应物可例如选自式B_nH_(n+8)的敞网式硼烷。

包含硼和氢的第一反应物可例如选自式B_nH_m的联式硼烷。在上述实例中，n为1至10的整数，m为1至10的不同于n的整数。

包含硼和氢的第一反应物可为乙硼烷(B₂H₆)。乙硼烷可具有有着四个端氢原子和两个桥连氢原子的结构。硼与端氢原子之间的键是常规的共价键。硼原子与桥连氢原子之间的键合可不同，因为两个电子已被用于与端氢原子的键合中，每个硼原子具有一个剩余的价电子来实现另外的键合。桥连氢原子各自提供一个电子，因此乙硼烷中的硼原子可由四个电子保持在一起。B-H桥键的长度可比B-H端键长。这些键的长度的这种差异可反映其强度的差异。乙硼烷的B-H桥键可能相对较弱。

用乙硼烷(B₂H₆)还原二氯二氧化钼(MoO₂Cl₂)可能具有以下反应路径：MoO₂Cl₂+1/2B₂H₆->Mo(s)+BOCl+HCl+H₂O。对于该反应来说，为了将乙硼烷切成两半，断裂乙硼烷的B-H桥键可能是必要的。与MoO₂Cl₂+3H₂->Mo(s)+2HCl+2H₂O的反应路径相比，可涉及较少的分子，这些分子也可具有较弱的氢键，这将有利于MoO₂Cl₂与B₂H₆的反应。用乙硼烷(B₂H₆)还原四氯氧化钼(MoOCl₄)将遵循MoOCl₄+1/2B₂H₆->Mo(s)+BOCl+3HCl，这可能引起反应室中较高的蚀刻剂HCl浓度，其可能导致不希望的蚀刻和/或降低沉积速率。

乙硼烷可以是高反应性和多用途的反应物。乙硼烷已被用于半导体工业中，例如作为掺杂剂。因此，乙硼烷可容易地用在工业中作为二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)的反应物以沉积钼。

可在其上沉积钼的表面可包含一种沉积材料。或者，所述表面可包含不同种类的沉积材料。所述表面可例如包含氧化铝和/或氮化钛。当例如需要钼导电层时，可能难以在这些不同的材料上沉积钼。常被称为种子层或成核层的第一层可能更难以沉积。因此可优选在反应室中向衬底提供二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)；并在反应室中向衬底供给包含硼和氢的第一反应物以让一部分前体与第一反应物反应而在衬底上形成钼种子层。

在集成电路器件的特征的制造过程中产生的间隙可被填充以例如由钼制成的金属层。间隙可能具有高纵横比，因为其深度比其宽度大得多。间隙可以在具有基本上水平顶表面的已制造的层中竖直延伸。沿竖直方向并用金属填充的间隙可例如用于动态随机存取存储器(DRAM)类型的存储器集成电路的字线中。沿竖直方向并用金属填充的间隙还可例如用于逻辑集成电路中。举例来说，金属填充的间隙可用作p-型金属氧化物半导体(PMOS)或互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路或源极/漏极沟槽接触中的栅极填料。

间隙还可以沿水平方向布置于已制造的层中。再次，间隙可具有高纵横比，因为现在沿水平方向的其深度比其宽度大得多。沿水平方向并用金属填充的间隙可例如用于3DNAND类型的存储器集成电路的字线中。间隙还可以沿竖直和水平方向的组合布置。

间隙的表面可包括一种类型的沉积材料。或者，间隙的表面可包括不同类类型的沉积材料。间隙的表面可例如包含氧化铝和/或氮化钛。当例如在间隙中需要钼导电层时，可能难以在间隙中的这些不同的材料上沉积钼。可能希望望钼层可覆盖间隙的整个表面并填充整个间隙。此外，可能希望钼层可覆盖包包括不同种类材料的间隙的整个表面。

为了填充整个间隙，可在间隙中沉积钼种子层并可在钼种子层上沉积钼本体层。种子层可由依次重复预处理原子层沉积(ALD)循环而形成。因此可优选在反应室中向衬底提供二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)；并在反应室中向衬底供给包含硼和氢的第一反应物以让一部分前体与第一反应物反应而在衬底上的间隙中形成钼种子层。

或者，种子层可通过化学气相沉积(CVD)工艺形成。CVD工艺可以是脉冲式的，其中在向衬底连续地供给第一反应物的同时以脉冲向衬底上供给第一前体。

本体层可通过依次重复本体ALD循环而沉积于种子层上。可通过在反应室中向衬底供给包含二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)的前体和包含氢的第二反应物，可在钼种子层的顶部上提供本体钼层，其中一部分所述前体与第二反应物反应形成本体钼层。第二反应物可包含氢气(H₂)。第二反应物可不包含硼。氢气可能是相对便宜且常见的反应物。

或者，本体钼层可通过CVD工艺沉积在钼种子层上。CVD工艺可以是脉冲式的，其中在向衬底连续地供给第二反应物的同时以脉冲向衬底上供给第二前体。

图1a和1b示出了流程图，示意了根据一个实施例的沉积钼层的方法。

钼层可沉积为种子层。钼层可沉积在间隙中。钼本体层可沉积在种子层上。

用于钼种子层的第一ALD循环1可在图1a中示出。用于钼本体层的第二ALD循环2可在图1b中示出。

可在步骤3中在反应室中提供具有间隙的衬底。可在步骤5中向衬底供给包含二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)的第一前体，持续第一供给时段T1(参见图1a)。随后，可在步骤7中停止第一前体向衬底的额外供给，例如通过从反应室吹扫一部分第一前体持续第一去除时段R1。

此外，第一循环可包括向衬底供给9第一反应物，持续第二供给时段T2。第一反应物可包含硼和氢。第一反应物可在一个分子中包含硼和氢原子，子，例如它可以是乙硼烷(B₂H₆)。可向第一反应物的气体流添加氢气。一部部分第一前体与第一反应物可反应而在衬底上形成钼种子层的至少一部分。在在开始种子层的沉积之前可能需要若干(约50)个循环。可在步骤10中停止第一反应物向衬底的额外供给，例如通过从反应室吹扫一部分第一反应物持续续第二去除时段R1。

任选地，在沉积种子层之前，可使用第一反应物来清洁衬底。乙硼烷反应物在清洁衬底表面时可能具有很高的反应性和效率。

第一前体和第一反应物可经选择以在间隙的表面上具有恰当成核。可将第一ALD循环1重复N次以沉积钼种子层，其中N在100至1000之间、优选地200至800之间、更优选地300至600之间选择。种子层的厚度可在1至20nm之间，优选地2至10nm之间，更优选地3至7nm之间。

在将第一ALD循环1重复N次后，可在本体ALD循环2中于步骤11中向衬底供给包含二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)的第一前体，持续第三供给时段T3(参见图1b)。这可与图1a的第一ALD循环1在相同的反应室中或在不同的反应室中进行。

当第一循环的温度要求可能不同时，在与第一ALD循环不同的反应室中进行本体ALD循环可能是有利的。可能因此需要衬底转移。

随后，可停止第一前体向衬底的额外供给并从反应室取出衬底。这可通过以下完成：在步骤13中从反应室向反应室的排气泵吹扫一部分第一前体，持续第三去除时段R3。

另外，循环可包括持续第四供应时段T4向衬底供应15第二反应物。一部分第一前体与第二反应物可反应而在衬底上形成本体钼层的至少一部分。可在步骤17中停止第二反应物向衬底的额外供给，例如通过从反应室吹扫一部分第二反应物持续第四去除时段R4。

第一前体和第二反应物可选择为具有适当的电子性质。例如，具有低的电阻率。钼膜的电阻率可小于3000μΩ-cm，或小于1000μΩ-cm，或小于500μΩ-cm，或小于200μΩ-cm，或小于100μΩ-cm，或小于50μΩ-cm，或小于25μΩ-cm，或小于15μΩ-cm或甚至小于10μΩ-cm。

可将本体层的第二ALD循环2重复M次，其中M在200至2000之间、优选地400至1200之间、更优选地600至1000之间选择。本体钼层的厚度可在1至100nm之间，优选地5至50nm之间，更优选地10至30nm之间。

种子钼层的第一ALD循环期间的工艺温度可在300至800℃之间，优选地400至700℃之间，更优选地500至650℃之间。第一前体在其中气化的容器可被保持在20至150℃之间，优选地30至120℃之间，更优选地40至110℃之间。

本体钼层的第二ALD循环期间的工艺温度可在300至800℃之间，优选地400至700℃之间，更优选地500至650℃之间。第一前体在其中气化的容器可被保持在20至150℃之间，优选地30至120℃之间，更优选地40至110℃之间。

向反应室中供给第一前体可花费在0.1至10秒之间、优选地0.5至5秒之间、更优选地0.8至2秒之间选择的持续时间T1、T3。举例来说，T1可以是1秒且T3可以是1.3秒。第一或第二前体流至反应室中的流量可以在50与1000sccm、优选100与500sccm、且更优选200与400sccm之间选择。反应室中的压力可以在0.1与100托、优选1与50托、且更优选4与20托之间选择。

经持续时间T2、T4向反应室中供应第一和/或第二反应物可耗时0.5与50秒、优选1与10秒、且更优选2与8秒之间。第一或第二反应物流至反应室中的流量可在50与50000sccm、优选100与20000sccm、且更优选500与10000sccm之间。

对于第二反应物，也可考虑硅烷。硅烷的通式为Si_xH_2(x+2)，其中x为整数1、2、3、4……。硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)或丙硅烷(Si₃H₈)可为具有氢原子的第二反应物的合适实例。

从反应室吹扫第一前体、第一反应物和第二反应物中的至少一种的一部分所持续的持续时间R1、R2、R3或R4可在0.5至50秒、优选地1至10秒、更优选地2至8秒之间选择。

可在向衬底供给第一前体之后；在向衬底供给第一反应物之后；和在向反应室供给第二反应物之后使用吹扫来从反应室去除第一前体、第一反应物和第二反应物中的至少一种的一部分，持续时间为R1、R2、R3或R4。吹扫可通过泵送和/或通过提供吹扫气体来实现。吹扫气体可为惰性气体如氮气。

方法可用于单晶片或批量晶片ALD设备中。

方法可包括在反应室中提供衬底并且反应室中的第一ALD循环可包括：在反应室中向衬底供给第一前体；从反应室吹扫一部分第一前体；在反应室中向衬底供给第一反应物；和从反应室吹扫一部分第一反应物。

此外，方法可包括在反应室中提供衬底并且反应室中的本体ALD循环可包括：在反应室中向衬底供给第二前体；从反应室吹扫一部分第二前体；在反应室中向衬底供给第二反应物；和从反应室吹扫一部分第二反应物。

专门设计用于进行ALD工艺的示例性单晶片反应器可以商品名 和自ASM International NV(荷兰阿尔梅勒市)商购获得。方法也可在批量晶片反应器，例如立式炉中进行。举例来说，沉积方法也可在购自ASM International N.V.的A400^TM或A412^TM立式炉中进行。炉可具有处理室，所述处理室可容纳超过100个直径为200或300mm的半导体衬底或晶片的负载。

晶片反应器可具有可控制反应器的控制器和存储器。存储器可经程序编程以在控制器上执行时根据本公开的实施例在反应室中供给前体和反应物。

可使用本公开的方法填充钼的间隙可具有高的纵横比，因为竖直和/或水平的深度比宽度大得多。例如，间隙的纵横比(间隙深度/间隙宽度)可大于约2、大于约5、大于约10、大于约20、大于约50、大于约75或在一些情况下甚至大于约100或大于约150或大于约200。纵横比可小于1000。

可注意到，可能难以对于间隙测定纵横比，但在此情形下，纵横比可经表面增强比置换，其可为晶片或晶片的一部分中的间隙的总表面积相对于晶片或晶片的一部分的平面表面的比。间隙的表面增强比(表面间隙/表面晶片)可大于约2、大于约5、大于约10、大于约20、大于约50、大于约75或在一些情况下甚至大于约100、或大于约150、或大于约200。表面增强比可小于1000。

间隙的表面可包含不同种类的沉积材料。表面可例如包含Al₂O₃或TiN。

通过依次用第一前体和第一反应物重复第一ALD循环来沉积种子层，可在间隙的表面上沉积保形钼金属层。此外，通过依次用第一前体和第二反应物重复第二ALD循环，可在种子层上沉积保形钼本体层。

所用方法的细节示于图1和1b及相关描述中。在一些实施例中，包括Mo的沉积膜的阶梯覆盖可大于约50％、大于约80％、大于约90％、大于约95％、大于约98％、大于约99％。

方法可在原子层沉积设备中进行。例如，在衬底上沉积包含钼的层的沉积装置可包括：

反应室，所述反应室设置有衬底保持器以保持衬底；

加热系统，所述加热系统构造和布置为控制所述衬底的温度；

分配系统，所述分配系统包括在所述反应室中提供前体和至少第一反应物的阀；和，

顺序控制器，所述顺序控制器可操作地连接到所述阀并编程为使得能够用前体和第一反应物在反应室中在衬底上沉积钼。

分配系统可设置有前体递送设备和第一反应物递送系统，前体递送设备构造和布置为递送二氯二氧化钼(VI)(MoO₂Cl₂)蒸气，第一反应物递送系统构造和布置为递送包含硼和氢的第一反应物的蒸气，例如乙硼烷。

第一反应物可以是乙硼烷并可在反应室中供给持续5秒的持续时间T2、T4，流量为50至50000sccm之间，例如495sccm。在供给第一前体之后；在供给第一前体之后和在供给第一反应物之后；可使用氮气吹扫气体持续5秒的持续时间R1、R2、R3或R4。

在预处理和本体ALD循环期间，工艺温度可例如为约550℃且压力可为约10托。第一前体可在其中气化的容器可为约70℃。

方法还可用于空间原子层沉积设备中。在空间ALD中，前体和反应物在不同物理区段中连续供应且衬底在区段之间移动。可提供至少两个区段，可在衬底存在下在其中进行半反应。如果衬底存在于此类半反应区段中，那么可从第一或第二前体形成单层。接着，将衬底移动至第二半反应区，其中通过第一或第二反应物完成ALD循环以形成一个ALD单层。或者，衬底位置可经固定且气体供应可移动，或两者的某种组合。为获得较厚膜，可重复此工序。

根据空间ALD装置的一个实施例，方法包括：

将衬底置于包括多个区段的反应室中，每个区段通过气帘与相邻区区段分隔开；

在反应室的第一区段中向衬底供给第一前体，例如，二氯二氧化钼(VI)；

使衬底表面相对于反应室(例如，侧向地)移动穿过气帘到达反应室的第二区段；

在反应室的第二区段中向衬底供给包含硼和氢的第一反应物(例如，乙硼烷)以形成钼种子层；

使衬底表面相对于反应室(例如，侧向地)移动穿过气帘；和

重复供给第一前体和反应物，包括使衬底表面相对于反应室(例如，侧向地)移动以形成钼种子层。

为了形成本体层，方法可进一步包括：

将衬底置于包括多个区段的反应室中，每个区段通过气帘与相邻区段分隔开；

在反应室的第一区段中向衬底供给第一前体，例如，二氯二氧化钼(VI)；

使衬底表面相对于反应室(例如，侧向地)移动穿过气帘到达反应室的第二区段；

在反应室的第二区段中向衬底供应第二反应物，例如氢气(H₂)，以形成钼本体层；

使衬底表面相对于反应室(例如，侧向地)移动穿过气帘；和，

重复供给第一前体和第二反应物，包括使衬底表面相对于反应室(例如，侧向地)移动以形成钼本体层。

第一反应物可包含氢和硼，例如为乙硼烷。第二反应物可以是氢气(H₂)。

在另外的实施例中，种子钼层或本体钼层可包含小于约40原子％、小于约30原子％、小于约20原子％、小于约10原子％、小于约5原子％、或甚至小于约2原子％的氧。在进一步的实施例中，种子层或本体层可包含小于约30原子％、小于约20原子％、小于约10原子％、或小于约5原子％、或小于约2原子％、或甚至小于约1原子％的氢。

在一些实施例中，种子钼层或本体钼层可包含小于约10原子％、或小于约5原子％、小于约1原子％、或甚至小于约0.5原子％的卤素或氯。在还进一步的实施例中，种子钼层或本体钼层可包含小于约10原子％、或小于约5原子％、或小于约2原子％、或小于约1原子％、或甚至小于约0.5原子％的碳。在本文概述的实施例中，元素的原子百分比(at.％)浓度可使用卢瑟福背散射(Rutherford backscattering；RBS)测定。

在本公开的一些实施例中，形成半导体装置结构，如半导体装置结构可包括形成包括钼膜的栅电极结构，所述栅电极结构的有效功函数大于大约4.9eV、或大于大约5.0eV、或大于大约5.1eV、或大于大约5.2eV、或大于大约5.3eV、或甚至大于大约5.4eV。在一些实施例中，包含厚度小于大约100埃、或小于大约50埃、或小于大约40埃、或甚至小于大约30埃的钼层的电极结构可能显示出上文给出的有效功函数值。

所属领域的技术人员应了解，可在不脱离本发明的范围的情况下对上文所述的方法和结构作出各种省略、添加和修改。预期可进行实施例的具体特征和方面的各种组合或子组合且仍落入描述的范围内。所公开实施例的各种特征和方面可依序地彼此组合或取代。如由所附权利要求书所限定，所有此类修改和变化均意图属于本发明的范围内。