阅读说明：本技术 具有可重新配置的每单元位数的存储系统 () 是由 A·哈基菲罗兹 P·卡拉瓦德 X·郭 A·S·马德拉斯瓦拉 B·M·帕桑克 于 2020-02-28 设计创作，主要内容包括：一种存储器设备被设计为将数据存储在多级别存储单元(MLC存储单元)中。该存储器设备包括控制器,该控制器根据第一MLC密度或第二MLC密度将数据动态地写入存储单元。第二密度不如第一密度密集。例如,当存在足够的写入带宽从而以第一密度对存储单元进行编程时,控制器可以确定使用第一密度。当写入吞吐量增加时,控制器可以使用相同的程序过程和电压以第二密度而不是第一密度对相同的MLC存储单元进行编程。()