阅读说明：本技术 镀膜方法及其防护层 (Coating method and protective layer thereof ) 是由 宗坚 于 2020-04-30 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种镀膜方法及其防护层,其中所述镀膜方法包括：A、形成至少一防沉积层于基材的至少一无需镀膜部件的表面；和B、通过镀膜设备对所述基材进行镀膜处理,其中所述防沉积层阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜。(The invention provides a film coating method and a protective layer thereof, wherein the film coating method comprises the following steps: A. forming at least one anti-deposition layer on the surface of at least one part of the base material without coating; and B, carrying out film coating treatment on the base material through film coating equipment, wherein the anti-deposition layer prevents film-forming chemical molecules in the film coating process from depositing on the surface of the anti-deposition layer to form a film.)

镀膜方法及其防护层

技术领域

本发明涉及镀膜领域，进一步涉及镀膜方法及其防护层。

背景技术

近年来，镀膜技术的快速发展，尤其是气相沉积技术日臻成熟，使利用表面镀膜技术提高电子产品的性能成为一种技术热点。表面镀膜技术可赋予电子产品，诸如高的抗摔次数，优异的防刮耐磨性、良好的散热性、防水性、耐水下通电性以及耐腐性等性能。等离子体化学气相沉积技术是目前常用的镀膜技术，在电场作用下产生等离子体，借助等离子体使含有膜层组成原子的气态物质发生化学反应，在产品表面沉积防护膜层。

由于化学气相沉积法中成膜原料为气相状态，气相涂层材料会在所有放置于其中可与成膜材料接触的元器件表面沉积成膜。为保证待镀膜产品如电路板等的电路连接端口的电连接性能，或该待镀膜产品表面存在无需镀膜的电子元件或电路连接端口、天线弹片、感应器、摄像模组、声学器件等无需镀膜部件的稳定性能，在镀膜工艺中，需对该无需镀膜部件进行遮蔽，以确保该无需镀膜部件的表面不会被镀上膜层或涂层。例如，天线弹片被镀膜后，形成薄膜的阻抗会改变天线的射频性能；光学器件被镀膜后，形成薄膜即使很透明也会改变光学器件的透射效果；声学器件被镀膜后，形成薄膜即使很薄也会影响声学器件振膜的振动而改变声学效果。然而，选择合适的遮蔽方式以满足所述基材的镀膜需求是镀膜技术的一个难点。

目前满足上述基材选择性镀膜常用的遮蔽方式是点胶和贴纸。在镀膜防护前，对该无需镀膜部件进行点胶或贴纸处理。在镀膜结束后，剥离遮蔽的树脂胶或撕下贴纸。这种遮蔽方式无疑会造成：(1)在去除遮蔽时，造成电子元件、天线弹片或电路接口的二次损伤，影响其性能；(2)遮蔽、去遮蔽这一过程往往是由人工进行的，无法实现自动化，这导致人工成本的上升和镀膜时间的延长，严重影响镀膜效率，而且可能会存在残胶等不良影响，影响镀膜工艺良品率。

或者，采用一种具有镀膜孔的镀膜夹具对该待镀膜产品的无需镀膜部件进行遮蔽，其中该待镀膜产品裸露于该镀膜孔的部位能够被镀上膜层，该无需镀膜部件被该镀膜夹具遮蔽而无法被镀上涂层，但是这类镀膜夹具的成本较高，而且需要定期清洗和维护，且一种镀膜夹具只能适用于一种类型或者大小的待镀膜产品，受该待镀膜产品自身的形状、大小或者其表面的电子元件或电路接口的排布的影响较大。

发明内容

本发明的一个优势在于提供一镀膜方法及其防护层，其用于对基材表面的无需镀膜部件进行遮蔽，以防止在镀膜过程中成膜化学分子在所述无需镀膜部件的表面沉积成膜，以满足镀膜需求。

本发明的另一个优势在于提供一镀膜方法及其防护层，其无需去遮蔽的过程，不会引入残胶或对所述基材造成损伤等，降低成本，提高镀膜良品率，缩短镀膜时间，即使去遮蔽，也可以通过清洗的方式快速高效的实现。

本发明的另一个优势在于提供一镀膜方法及其防护层，其中所述防护层包括至少一防沉积层，其中所述防沉积层由可阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜的材料制成，在镀膜结束后，所述防沉积层无需从所述基材的表面去除。

本发明的另一个优势在于提供一镀膜方法及其防护层，其中在一些实施例中，所述防沉积层不影响所述无需镀膜部件的电连接性能。

本发明的另一个优势在于提供一镀膜方法及其防护层，其不受该待镀膜产品自身形状、大小或者其表面的无需镀膜部件的排布的限制，适用性较广。

本发明的另一个优势在于提供一镀膜方法及其防护层，其无需清洗或维护，以节省人工成本。

本发明的另一个优势在于提供一镀膜方法及其防护层，其方法简单，有利于实现自动化，成本低。

依本发明的一个方面，本发明进一步提供一镀膜方法，包括：

A、形成至少一防沉积层于基材的至少一无需镀膜部件的表面；和

B、通过镀膜设备对所述基材进行镀膜处理，其中所述防沉积层阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜。

在一些实施例中，其中，所述步骤A在所述步骤B之前。

在一些实施例中，其中，所述步骤A中，包括：涂覆所述防沉积层于所述无需镀膜部件的表面。

在一些实施例中，其中所述无需镀膜部件为电路接口元件，其中所述防沉积层允许所述电路接口元件与其他电路接口之间导电连接。

在一些实施例中，其中所述步骤B中，包括：B1、将所述基材放置于所述镀膜设备的镀膜腔；B2、对所述镀膜腔进行负压产生操作；以及B3、以化学气相沉积的方式在所述基材的表面制备膜层，其中，所述防沉积层的表面未沉积形成所述膜层。

在一些实施例中，其中经所述步骤B处理后的所述基材的表面具有所述膜层和所述防沉积层，其中所述膜层与所述防沉积层相邻。

在一些实施例中，其中，所述防沉积层的材料包括角鲨烯。

依本发明的另一方面，进一步提供了一镀膜方法，包括：

a、将基材放置于镀膜设备的镀膜腔，其中所述基材的至少一无需镀膜部件的表面具有至少一防沉积层；

b、对所述镀膜腔进行负压产生操作；以及

c、以化学气相沉积的方式在所述基材的表面制备膜层，其中所述防沉积层阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜，其中，所述防沉积层的表面未沉积形成所述膜层。

依本发明的另一方面，进一步提供了一在基材表面制备的防护层，包括：

至少一防沉积层，其中所述防沉积层由可阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜的材料制成；和

至少一膜层，其中所述膜层通过镀膜设备在该基材表面制备而成，其中所述膜层与所述防沉积层相邻。

在一些实施例中，其中该基材为电路板，其中该无需镀膜部件为所述电路板上的选自：电路接口元件、天线弹片、感应器、摄像模组以及声学器件中的一种或组合。

依本发明的另一方面，进一步提供了一电路板，其中所述电路板包括一主板和设置于所述主板的至少一无需镀膜部件，所述电路板进一步包括一防护层，其中所述防护层包括至少一防沉积层和至少一膜层，其中所述防沉积层形成于所述无需镀膜部件的表面，其中所述膜层形成于所述主板的表面。

在一些实施例中，其中在制备所述膜层之前，所述防沉积层被涂覆于所述无需镀膜部件的表面。

通过对随后的描述和附图的理解，本发明进一步的目的和优势将得以充分体现。

本发明的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明，附图和权利要求得以充分体现。

附图说明

图1是根据本发明的一个优选实施例的一镀膜方法的方法流程图。

图2是根据本发明的上述优选实施例的所述镀膜方法的一具体示例的制备膜层的方法流程图。

图3是根据本发明的上述优选实施例的所述镀膜方法在基材表面形成防沉积层和膜层的示意图。

图4是根据本发明的上述优选实施例的一种变形实施方式的所述镀膜方法的方法流程图。

图5是根据本发明的上述优选实施例的在基材表面制备的一防护层的框图示意图。

图6是根据本发明的上述优选实施例的电路板的平面示意图。

具体实施方式

以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。

本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本发明的限制。

可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

示例性镀膜方法

如图1所示为本发明的镀膜方法的方法流程图，如图1所示，所述镀膜方法包括：

S10、形成至少一防沉积层10于基材800的至少一无需镀膜部件810的表面，；和

S20、通过镀膜设备对所述基材800进行镀膜处理，其中所述防沉积层10阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜。

在本实施例中，所述步骤S10在所述步骤S20之前。换句话说，在通过镀膜设备对所述基材800进行镀膜处理之前，需在所述基材800的所述无需镀膜部件810的表面形成所述防沉积层10，以使所述无需镀膜部件810被所述防沉积层10遮蔽。所述防沉积层10由可阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜的材料制成。然后，在镀膜过程中，所述防沉积层10能够阻止成膜化学分子在其表面沉积成膜，而所述基材800表面的未形成所述防沉积层10的部位能够由成膜化学分子沉积以形成膜层。所述防沉积层10的材料可以是萜类物质，例如具体的可以是角鲨烯(2,6,10,15,19,23-六甲基-2,6,10,14,18,22-廿四碳六烯)。

进一步地，所述步骤S10中，通过涂覆所述防沉积层10于所述无需镀膜部件的表面。或者说，所述防沉积层10通过自身的黏着性附着于所述无需镀膜部件810的表面，以保持固定而不易脱离或脱落等。在镀膜工艺中，可采用自动化设备涂覆所述防沉积层10于所述无需镀膜部件810的表面，以提高精准度，降低人工成本，节省镀膜时间。

在本实施例的一具体示例中，所述基材800为电路板，如PCB板，其中所述基材800的所述无需镀膜部件810可以为所述电路板表面的电路接口元件如转接器、电路端口、USB接口等，或者所述无需镀膜部件810为所述电路板表面的需要遮蔽的元件或部位如天线弹片、感应器、摄像模组、声学器件(可根据需求而定)等。优选地，所述防沉积层10不会影响所述基材800的所述无需镀膜部件810(如所述电路接口元件)的电连接性能。更优选地，所述防沉积层10具有导电性。或者，所述防沉积层10为非绝缘材料。可以理解的是，所述基材800可以为其他类型的待镀膜产品，如手机、电子设备、键盘或其部件等，在此不受限制。可选地，所述防沉积层10可以不具备导电性，其中所述防沉积层10的厚度能够被预设，其中所述防沉积层10可被电击穿导电，也就是说，所述电路接口元件在电连接其他电路接口时可通过电击穿所述防沉积层10以完成导电。换句话说，所述防沉积层10允许所述电路接口元件与其他电路接口之间导电连接。

由于所述防沉积层10可直接涂覆形成于所述基材800的所述无需镀膜部件810的表面，从而不受所述基材800自身形状、大小或者其表面的所述无需镀膜部件810的排布的限制，适用性较广。换句话说，所述防沉积层10可以根据需求涂覆成形为与所述无需镀膜部件如电路接口元件的形状大小相匹配的层状结构。或者说，在形成所述防沉积层10之前，用于形成所述防沉积层10的原材料为无定型的粘稠状材料，在涂覆于所述无需镀膜部件810的表面之后，所述原材料固化成型为所述防沉积层10。

进一步地，所述防沉积层10具有预设的厚度，以满足不同的镀膜需求。

值得一提的是，当所述防沉积层10被涂覆于所述电路接口元件时，所述防沉积层10无需从所述基材800的所述电路接口元件的表面去除。也就是说，本申请的所述镀膜方法并不需要去遮蔽的过程。换句话说，在所述步骤S20中，经所述镀膜设备镀膜处理后的所述基材800无需进行去除所述防沉积层10的步骤，即完成镀膜。相较于传统的采用胶水或胶带进行遮蔽的镀膜方法，本申请的所述镀膜方法无需去除所述无需镀膜部件810表面的所述防沉积层10，而且所述防沉积层10也不会影响所述无需镀膜部件810的电连接性能，因此，本申请的镀膜方法不会引入残胶或对所述基材造成损伤等，降低成本，提高镀膜良品率，缩短镀膜时间，有利于实现自动化。而且，相对于采用镀膜夹具的镀膜方法，本申请的所述镀膜方法也无需后期清洗或维护等。

进一步地，所述镀膜方法还包括：S30、去除所述基材800表面的所述防沉积层10。也就是说，在镀膜结束后，可通过清洗设备或人工去除所述基材800的所述无需镀膜部件810的表面的所述防沉积层10，即对所述基材800表面进行去遮蔽处理，以去除所述基材800的所述无需镀膜部件810表面的所述防沉积层10。由于所述防沉积层10不同于传统的胶水或胶带等，因此，所述清洗设备或人工清洗能够更加高效快捷地去除所述防沉积10，且不会存在残胶或损坏电子元件等。换句话说，当所述防沉积层10被涂覆于所述基材800表面的天线弹片、感应器、摄像模组、声学器件等部件时，在镀膜结束后，可通过去除所述防沉积层10，以保证天线弹片、感应器、摄像模组、声学器件的性能。

优选地，如图2所示，所述步骤S20中，包括：

S21、将所述基材800放置于所述镀膜设备的镀膜腔；

S22、对所述镀膜腔进行负压产生操作；以及

S23、以化学气相沉积的方式在所述基材800的表面制备膜层20，其中，所述防沉积层10的表面未沉积形成所述膜层20。

需要指出的是，在所述步骤S21中，所述基材800为经所述步骤S10处理后的所述基材800。换句话说，在所述基材800的所述无需镀膜部件810的表面形成所述防沉积层10之后，所述基材800被放置于所述镀膜腔内，以制备所述膜层20。

可以理解的是，所述镀膜设备如真空镀膜设备，其中所述镀膜设备提供真空度较高的所述镀膜腔，即所述镀膜腔并非绝对真空，举例地所述镀膜腔的真空度大致为0.1至20Pa，其中所述基材800放入所述镀膜腔中完成镀膜。可选地，所述镀膜设备的镀膜种类可以为真空离子蒸发、磁控溅射、MBE分子束外延、PLD激光溅射沉积、物理气相沉积或者等离子体化学气相沉积等，其工作原理在此不做赘述。可选地，所述膜层20包括被镀于所述基材800的未形成所述防沉积膜10的表面的膜、薄膜或者纳米膜层等。可选地，所述膜层20可以被实施为有机硅纳米防护膜层、有机硅硬质纳米防护膜层、复合结构高绝缘硬质纳米防护膜层、具有调制结构的高绝缘纳米防护膜层、等离子体聚合膜层、梯度递增结构防液膜层、梯度递减结构防液膜层、交联度可控的膜层、防水耐电击穿膜层、低粘附耐腐蚀膜层、具有多层结构的防液膜层、聚氨酯纳米膜层、丙烯酰胺纳米膜层、防静电防液纳米膜层、环氧纳米膜层、高透明低色差纳米膜层、高粘附性耐老化纳米膜层、含硅共聚物纳米膜层或者聚酰亚胺纳米膜层等。相应地，所述镀膜设备可以被实施为在所述基材800的未形成所述防沉积膜10的表面镀上述任意一种或多种的膜或者膜层等，以改善所述基材800表面性质，在此不受限制。

在所述步骤S22中，通过抽真空对所述镀膜腔进行负压产生操作，例如通过真空泵等对所述镀膜腔进行抽真空。

在所述步骤S23中，通过向所述镀膜腔内通入待制备膜层所需的反应原料或者辅助原料，利用射频和/或高压脉冲电源产生等离子体激活化学气相沉积反应，在所述镀膜腔内形成气相状态的成膜化学分子，然后气相状态的成膜化学分子在预设的镀膜时间内沉积于所述基材800的未形成所述防沉积膜10的表面，以形成所述膜层20。由于所述防沉积层10阻止了所述成膜化学分子在其表面沉积成膜，所以所述防沉积层10的表面并未沉积形成所述膜层20。进一步地，经所述步骤S20处理后的所述基材800的表面具有所述膜层20和所述防沉积层10，在所述基材800的表面，所述防沉积层10与所述膜层20相邻，但不层叠。

举例地，所述镀膜设备在镀膜过程中的各参数如下：进气量：He：10-200sccm，全氟辛基乙基丙烯酸酯：10-300sccm；镀膜前所述镀膜腔的真空度：小于10Pa；镀膜时所述镀膜腔的真空度：0.1～20Pa；使用射频和/或脉冲电源进行产生电压，输出电压：10～300V，占空比：5～100％，频率：20～360KHz；镀膜时间：0.1～5hrs，在此仅作举例，并不对本发明作为限制。

进一步地，如图3所示，所述无需镀膜部件810包括第一部件811和第二部件812，其中所述第一部件811与所述第二部件812的位置不重叠，其中所述步骤S10中，包括：

S11、形成第一防沉积层11于所述基材800的所述第一部件811的表面；和

S12、形成第二防沉积层12于所述基材800的所述第二部件812的表面。

优选地，所述第一防沉积层11与所述第二防沉积层12的厚度相等。所述第一防沉积层11与所述第二防沉积层12均由可阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜的材料制成。

可以理解的是，所述第一部件811和所述第二部件812可以为所述基材800的表面的位于不同位置的电路接口元件或需遮蔽的部件等。

可选地，所述第一防沉积层11与所述第二防沉积层12的厚度也可以不相等，以分别适应于所述第一部件811与所述第二部件812的镀膜需求。

在本优选实施例的一种变形实施例中，如图4所示，所述镀膜方法包括：

a、将基材800放置于镀膜设备的镀膜腔，其中所述基材800的至少一无需镀膜部件810的表面具有至少一防沉积层10，其中所述防沉积层10由可阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜的材料制成；

b、对所述镀膜腔进行负压产生操作；以及

c、以化学气相沉积的方式在所述基材800的表面制备所述膜层20，其中，所述防沉积层10的表面未沉积形成所述膜层20。

进一步地，所述无需镀膜部件810包括第一部件811和第二部件812，其中所述防沉积层10包括第一防沉积层11和第二防沉积层12，其中所述第一防沉积层11形成于所述第一部件811的表面，其中所述第二防沉积层12形成于所述第二部件812的表面。更进一步地，所述第一防沉积层11与所述第二防沉积层12的厚度相等。

所述镀膜方法进一步包括：去除所述防沉积层10。也就是说，在所述步骤c制备所述膜层20结束后，可采用清洗设备或人工去除所述防沉积层10，以保证所述无需镀膜部件如电路接口元件、天线弹片、感应器、摄像模组或声学器件的性能。

可选地，所述镀膜设备如真空镀膜设备，其中所述镀膜设备提供真空度较高的所述镀膜腔，即所述镀膜腔并非绝对真空，举例地所述镀膜腔的真空度大致为0.1至20Pa，其中所述基材800放入所述镀膜腔中完成镀膜。可选地，所述镀膜设备的镀膜种类可以为真空离子蒸发、磁控溅射、MBE分子束外延、PLD激光溅射沉积、物理气相沉积或者等离子体化学气相沉积等，其工作原理在此不做赘述。

示例性防护层

如图5所示为本申请的优选实施例的在基材800表面制备的防护层100的平面示意图。如图5所示，所述防护层100包括：至少一防沉积层10和至少一膜层20，其中所述防沉积层10由可阻止镀膜工艺中的成膜化学分子在其表面沉积成膜的材料制成，其中所述膜层20通过镀膜设备在所述基材800表面制备而成，其中所述膜层20与所述防沉积层10相邻。

进一步地，所述基材800具有至少一无需镀膜部件810，其中所述防沉积层10形成于所述无需镀膜部件810的表面。优选地，所述防沉积层10被涂覆于所述基材800的所述无需镀膜部件810的表面。

所述基材800如电路板，所述无需镀膜部件810如所述电路板上的电路接口元件等，其中所述防沉积层10覆盖于所述电路接口元件的表面，为保证所述无需镀膜部件810的电连接性能，所述防沉积层10具有导电性，或所述防沉积层10为非绝缘材料。

优选地，其中通过镀膜设备在该基材表面制备所述膜层的方法包括：将所述基材800放置于所述镀膜设备的镀膜腔；对所述镀膜腔进行负压产生操作；以及以化学气相沉积的方式在所述基材800的表面制备所述膜层20，其中，所述防沉积层10的表面未沉积形成所述膜层20。

在一具体示例中，所述膜层选自：有机硅纳米防护膜层、有机硅硬质纳米防护膜层、复合结构高绝缘硬质纳米防护膜层、具有调制结构的高绝缘纳米防护膜层、等离子体聚合膜层、梯度递增结构防液膜层、梯度递减结构防液膜层、交联度可控的膜层、防水耐电击穿膜层、低粘附耐腐蚀膜层、具有多层结构的防液膜层、聚氨酯纳米膜层、丙烯酰胺纳米膜层、防静电防液纳米膜层、环氧纳米膜层、高透明低色差纳米膜层、高粘附性耐老化纳米膜层、含硅共聚物纳米膜层以及聚酰亚胺纳米膜层中的其中一种或者多种组合。

更进一步地，所述防沉积层10包括第一防沉积层11和第二防沉积层12，其中所述无需镀膜部件810包括第一部件811和第二部件812，其中所述第一防沉积层11形成于所述第一部件811的表面，其中所述第二防沉积层12形成于所述第二部件812的表面。优选地，所述第一防沉积层11的厚度与所述第二防沉积层12的厚度相等。

示例性电路板

如图6所示为本申请的优选实施例的一电路板的结构示意图，如图6所示，所述电路板包括：一主板820和设置于所述主板820的至少一无需镀膜部件810，所述电路板进一步包括一防护层100，其中所述防护层100包括至少一防沉积层10和至少一膜层20，其中所述防沉积层10形成于所述无需镀膜部件810的表面，其中所述膜层20形成于所述主板820的表面。

在一具体示例中，其中，所述膜层20通过镀膜设备制备而成，其中通过该镀膜设备制备所述膜层20的方法包括：B1、将所述电路板放置于所述镀膜设备的镀膜腔；B2、对所述镀膜腔进行负压产生操作；以及B3、以化学气相沉积的方式在所述电路板的表面制备所述膜层20，其中，所述防沉积层10的表面未沉积形成所述膜层20。

在一具体示例中，其中在制备所述膜层之前，所述防沉积层被涂覆于所述无需镀膜部件的表面。

在一具体示例中，其中所述防沉积层10包括第一防沉积层11和第二防沉积层12，其中所述无需镀膜部件包括第一部件811和第二部件812，其中所述第一防沉积层11形成于所述第一部件811的表面，其中所述第二防沉积层12形成于所述第二部件812的表面。

在一具体示例中，其中所述膜层20选自：有机硅纳米防护膜层、有机硅硬质纳米防护膜层、复合结构高绝缘硬质纳米防护膜层、具有调制结构的高绝缘纳米防护膜层、等离子体聚合膜层、梯度递增结构防液膜层、梯度递减结构防液膜层、交联度可控的膜层、防水耐电击穿膜层、低粘附耐腐蚀膜层、具有多层结构的防液膜层、聚氨酯纳米膜层、丙烯酰胺纳米膜层、防静电防液纳米膜层、环氧纳米膜层、高透明低色差纳米膜层、高粘附性耐老化纳米膜层、含硅共聚物纳米膜层以及聚酰亚胺纳米膜层中的其中一种或者多种组合。

在一具体示例中，其中所述无需镀膜部件810为所述电路板上的电路接口元件。

本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。