具体实施方式

1.层叠陶瓷电容器

(第1实施方式)

作为本发明的第1实施方式涉及的层叠陶瓷电子部件的例子，对层叠陶瓷电容器进行说明。图1是示出本发明的第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的一个例子的外观立体图。图2是图1的线II-II处的剖视图。图3A是图2所示的a部分的部分放大剖视图，图3B是图2所示的b部分的部分放大剖视图。图4是图1的线IV-IV处的剖视图。图5是图2的线V-V处的剖视图。图6是图2的线VI-VI处的剖视图。

如图1至图4所示，层叠陶瓷电容器10包含长方体状的层叠体12。

层叠体12具有层叠的多个陶瓷层14和多个内部电极层16。进而，层叠体12具有在高度方向x上相对的第1主面12a以及第2主面12b、在与高度方向x正交的宽度方向y上相对的第1侧面12c以及第2侧面12d、和在与高度方向x以及宽度方向y正交的长度方向z上相对的第1端面12e以及第2端面12f。在该层叠体12中，优选在角部以及棱线部形成有圆角。另外，所谓角部，是指层叠体的相邻的三个面相交的部分，所谓棱线部，是指层叠体的相邻的两个面相交的部分。此外，也可以在第1主面12a以及第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d、和第1端面12e以及第2端面12f的一部分或全部形成有凹凸等。进而，层叠体12的长度方向z上的尺寸未必一定比宽度方向y上的尺寸长。

陶瓷层14的片数优选包含外层在内为15片以上且700片以下。

层叠体12在连结第1主面12a和第2主面12b的层叠方向上具有内部电极层16彼此对置的有效层部15a、位于最靠近第1主面12a的内部电极层16与第1主面12a之间的第1外层部15b、和位于最靠近第2主面12b的内部电极层16与第2主面12b之间的第2外层部15c。

第1外层部15b位于层叠体12的第1主面12a侧，是位于第1主面12a与最靠近第1主面12a的内部电极层16之间的多片陶瓷层14的集合体。

第2外层部15c位于层叠体12的第2主面12b侧，是位于第2主面12b与最靠近第2主面12b的内部电极层16之间的多片陶瓷层14的集合体。

被第1外层部15b和第2外层部15c夹着的区域是有效层部15a。

层叠体12的尺寸没有特别限定，但是优选长度方向z上的尺寸为0.2mm以上且10.0mm以下，宽度方向y上的尺寸为0.1mm以上且10.0mm以下，高度方向x上的尺寸为0.1mm以上且5.0mm以下。

陶瓷层14例如能够作为陶瓷材料而由电介质材料形成。作为这样的电介质材料，例如，能够使用包含BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、或CaZrO₃等成分的电介质陶瓷。在包含上述的电介质材料作为主成分的情况下，也可以根据所希望的层叠体12的特性而使用例如添加了Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等含量比主成分少的副成分的材料。

另外，在对层叠体12使用了压电体陶瓷的情况下，层叠陶瓷电子部件作为陶瓷压电元件而发挥功能。作为压电陶瓷材料的具体例子，例如，可列举PZT(锆钛酸铅)类陶瓷材料等。

此外，在对层叠体12使用了半导体陶瓷的情况下，层叠陶瓷电子部件作为热敏电阻元件而发挥功能。作为半导体陶瓷材料的具体例子，例如，可列举尖晶石类陶瓷材料等。

此外，在对层叠体12使用了磁性体陶瓷的情况下，层叠陶瓷电子部件作为电感器元件而发挥功能。此外，在作为电感器元件而发挥功能的情况下，内部电极层16成为线圈状的导体。作为磁性体陶瓷材料的具体例子，例如，可列举铁氧体陶瓷材料等。

烧成后的陶瓷层14的厚度优选为0.4μm以上且10.0μm以下。

在层叠体12中，如图5以及图6所示，作为多个内部电极层16，例如具有大致矩形的多个第1内部电极层16a以及多个第2内部电极层16b。多个第1内部电极层16a以及多个第2内部电极层16b埋设为沿着层叠体12的层叠方向等间隔地交替地配置。第1内部电极层16a以及第2内部电极层16b可以配置为相对于安装面平行，也可以配置为相对于安装面垂直。

第1内部电极层16a具有与第2内部电极层16b对置的第1对置电极部18a、和位于第1内部电极层16a的一端侧并从第1对置电极部18a到层叠体12的第1端面12e的第1引出电极部20a。关于第1引出电极部20a，其端部被引出到第1端面12e并露出。

第2内部电极层16b具有与第1内部电极层16a对置的第2对置电极部18b、和位于第2内部电极层16b的一端侧并从第2对置电极部18b到层叠体12的第2端面12f的第2引出电极部20b。关于第2引出电极部20b，其端部被引出到第2端面12f并露出。

第1内部电极层16a的第1对置电极部18a和第2内部电极层16b的第2对置电极部18b的形状没有特别限定，但是优选为矩形。不过，可以使拐角部形成有圆角，或者也可以使拐角部倾斜地(呈锥状)形成。

第1内部电极层16a的第1引出电极部20a和第2内部电极层16b的第2引出电极部20b的形状没有特别限定，但是优选为矩形。不过，可以使拐角部形成有圆角，或者也可以使拐角部倾斜地(呈锥状)形成。

第1内部电极层16a的第1对置电极部18a的宽度和第1内部电极层16a的第1引出电极部20a的宽度可以形成为相同的宽度，也可以将某一方形成得窄。同样地，第2内部电极层16b的第2对置电极部18b的宽度和第2内部电极层16b的第2引出电极部20b的宽度可以形成为相同的宽度，也可以将某一方形成得窄。

层叠体12包含层叠体12的侧部(W缝隙)22a，该层叠体12的侧部(W缝隙)22a形成在第1对置电极部18a以及第2对置电极部18b的宽度方向y上的一端与第1侧面12c之间、和第1对置电极部18a以及第2对置电极部18b的宽度方向y上的另一端与第2侧面12d之间。进而，层叠体12包含层叠体12的端部(L缝隙)22b，该层叠体12的端部(L缝隙)22b形成在第1内部电极层16a的与第1引出电极部20a相反侧的端部与第2端面12f之间、以及第2内部电极层16b的与第2引出电极部20b相反侧的端部与第1端面12e之间。

内部电极层16例如含有Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金属、Ag-Pd合金等包含这些金属中的至少一种的合金等适当的导电材料。内部电极层16也可以进一步包含组成系统与陶瓷层14包含的陶瓷相同的电介质粒子。

内部电极层16的厚度优选为0.2μm以上且2.0μm以下。此外，内部电极层16的片数优选为15片以上且200片以下。

在层叠体12的第1端面12e侧以及第2端面12f侧配置外部电极24。外部电极24具有第1外部电极24a以及第2外部电极24b。

第1外部电极24a配置在层叠体12的第1端面12e的表面，并形成为从第1端面12e延伸而覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d各自的一部分。在该情况下，第1外部电极24a与第1内部电极层16a的第1引出电极部20a电连接。另外，第1外部电极24a也可以仅形成在层叠体12的第1端面12e。

第2外部电极24b配置在层叠体12的第2端面12f的表面，并形成为从第2端面12f延伸而覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d各自的一部分。在该情况下，第2外部电极24b与第2内部电极层16b的第2引出电极部20b电连接。另外，第2外部电极24b也可以仅形成在层叠体12的第2端面12f。

在层叠体12内，第1内部电极层16a的第1对置电极部18a和第2内部电极层16b的第2对置电极部18b隔着陶瓷层14对置，由此形成了静电电容。因此，在连接了第1内部电极层16a的第1外部电极24a与连接了第2内部电极层16b的第2外部电极24b之间，能够得到静电电容，显现出电容器的特性。

另外，也可以如图7A至图7C所示，设为如下的构造，即，作为内部电极层16，除了第1内部电极层16a以及第2内部电极层16b以外，还设置不引出到第1端面12e以及第2端面12f中的任一者的浮置内部电极层16c，通过浮置内部电极层16c将对置电极部18c分割为多个。例如是如图7A所示的两联构造、如图7B所示的三联构造、如图7C所示的四联构造，当然也可以是四联以上的构造。像这样，通过设为将对置电极部18c分割为多个的构造，从而成为如下的结构，即，在对置的第1内部电极层16a、第2内部电极层16b、第3内部电极层16c间形成多个电容器分量，且这些电容器分量串联地连接。因此，施加于各个电容器分量的电压变低，能够谋求层叠陶瓷电容器的高耐压化。

外部电极24包含配置在层叠体12的表面的基底电极层26和配置为覆盖基底电极层26的镀敷层28。

基底电极层26具有第1基底电极层26a以及第2基底电极层26b。

第1基底电极层26a配置在层叠体12的第1端面12e的表面，并形成为从第1端面12e延伸而覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d各自的一部分。

第2基底电极层26b配置在层叠体12的第2端面12f的表面，并形成为从第2端面12f延伸而覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d各自的一部分。

另外，第1基底电极层26a也可以仅配置在层叠体12的第1端面12e的表面，第2基底电极层26b也可以仅配置在层叠体12的第2端面12f的表面。

位于第1端面12e的第1基底电极层26a以及位于第2端面12f的第2基底电极层26b的层叠方向中央部处的各自的厚度优选为3μm以上且160μm以下。

此外，在第1主面12a以及第2主面12b和第1侧面12c以及第2侧面12d的表面设置基底电极层26的情况下，位于第1主面12a以及第2主面12b和第1侧面12c以及第2侧面12d的表面的第1基底电极层26a以及第2基底电极层26b的长度方向z上的中央部处的各自的厚度优选为3μm以上且40μm以下程度。

作为基底电极层26的烧附层包含金属成分和陶瓷成分。作为烧附层的金属成分，例如，包含从Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等中选择的至少一者。烧附层的金属成分优选Ni。烧附层的陶瓷成分可以使用与陶瓷层14相同种类的陶瓷材料，也可以使用不同种类的陶瓷材料。陶瓷成分例如包含从BaTiO₃、CaTiO₃、(Ba、Ca)TiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等中选择的至少一者。烧附层也可以是多个层。烧附层是将包含陶瓷成分以及金属成分的导电性膏涂敷于层叠体12并进行烧附而成的，是对烧成前的具有内部电极层16以及陶瓷层14的层叠芯片和涂敷于层叠芯片的导电性膏同时进行烧成而成的。另外，在作为基底电极层26的烧附层，也可以进一步包含玻璃成分。作为烧附层的玻璃成分，包含从B、Si、Ba、Mg、Al、Li等中选择的至少一者。

另外，由于将本实施方式涉及的层叠陶瓷电子部件设为层叠陶瓷电容器10，因此如上所述，基底电极层26在本实施方式中设为包含金属成分以及基于电介质材料的陶瓷成分，但是并不限于该方式。也就是说，在如上所述地层叠陶瓷电子部件为压电体陶瓷、半导体陶瓷、磁性体陶瓷的情况下，包含于基底电极层26的陶瓷成分的具体的成分不同，这是不言而喻的。

即，在对层叠体12使用了压电体陶瓷的情况下，作为压电陶瓷材料，该压电陶瓷材料是包含于基底电极层26的陶瓷材料，例如，可列举PZT(锆钛酸铅)类陶瓷材料等。

此外，在对层叠体12使用了半导体陶瓷的情况下，作为半导体陶瓷材料，该半导体陶瓷材料是包含于基底电极层26的陶瓷材料，例如，可列举尖晶石类陶瓷材料等。

此外，在对层叠体12使用了磁性体陶瓷的情况下，作为磁性体陶瓷材料，该磁性体陶瓷材料是包含于基底电极层26的陶瓷材料，例如，可列举铁氧体陶瓷材料等。

镀敷层28包含第1镀敷层28a和第2镀敷层28b。

第1镀敷层28a配置为覆盖第1基底电极层26a。

第2镀敷层28b配置为覆盖第2基底电极层26b。

镀敷层28也可以由多个层形成。

优选的是，镀敷层28包含覆盖基底电极层26的下层镀敷层30、配置为覆盖下层镀敷层30的中层镀敷层32、和配置为覆盖中层镀敷层32的上层镀敷层34。

镀敷层28中的中层镀敷层32以及上层镀敷层34例如包含从Ni、Sn、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等中选择的至少一者。

下层镀敷层30具有第1下层镀敷层30a以及第2下层镀敷层30b。下层镀敷层30位于基底电极层上。

第1下层镀敷层30a配置为覆盖第1基底电极层26a。具体地，第1下层镀敷层30a优选配置在第1基底电极层26a的表面的第1端面12e侧，并设置为还到达第1基底电极层26a的表面的第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d侧。另外，第1下层镀敷层30a也可以仅配置在配置于第1端面12e的第1基底电极层26a的表面。

第2下层镀敷层30b配置为覆盖第2基底电极层26b。具体地，第2下层镀敷层30b优选配置在第2基底电极层26b的表面的第2端面12f侧，并设置为还到达第2基底电极层26b的表面的第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d侧。另外，第2下层镀敷层30b也可以仅配置在配置于第2端面12f的第2基底电极层26b的表面。

在本实施方式中，包含于下层镀敷层30的金属优选为Cu。因此，下层镀敷层30优选形成为Cu镀敷层。下层镀敷层30形成为Cu镀敷层，并设置为覆盖基底电极层26的表面，由此具有抑制镀敷液的浸入的效果。

中层镀敷层32具有第1中层镀敷层32a以及第2中层镀敷层32b。

第1中层镀敷层32a配置为覆盖第1下层镀敷层30a。具体地，第1中层镀敷层32a优选配置在第1下层镀敷层30a的表面的第1端面12e侧，并设置为还到达第1下层镀敷层30a的表面的第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d侧。另外，第1中层镀敷层32a也可以仅配置在配置于第1端面12e的第1下层镀敷层30a的表面。

第2中层镀敷层32b配置为覆盖第2下层镀敷层30b。具体地，第2中层镀敷层32b优选配置在第2下层镀敷层30b的表面的第2端面12f侧，并设置为还到达第2下层镀敷层30b的表面的第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d侧。另外，第2中层镀敷层32b也可以仅配置在配置于第2端面12f的第2下层镀敷层30b的表面。

在本实施方式中，中层镀敷层32形成为Ni镀敷层。中层镀敷层32形成为Ni镀敷层，并设置为覆盖下层镀敷层30的表面，由此能够防止基底电极层26被将层叠陶瓷电容器10安装到安装基板时的焊料侵蚀。

上层镀敷层34具有第1上层镀敷层34a以及第2上层镀敷层34b。

第1上层镀敷层34a配置为覆盖第1中层镀敷层32a。具体地，第1上层镀敷层34a优选配置在第1中层镀敷层32a的表面的第1端面12e侧，并设置为还到达第1中层镀敷层32a的表面的第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d侧。另外，第1上层镀敷层34a也可以仅配置在配置于第1端面12e的第1中层镀敷层32a的表面。

第2上层镀敷层34b配置为覆盖第2中层镀敷层32b。具体地，第2上层镀敷层34b优选配置在第2中层镀敷层32b的表面的第2端面12f侧，并设置为还到达第2中层镀敷层32b的表面的第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d侧。另外，第2上层镀敷层34b也可以仅配置在配置于第2端面12f的第2中层镀敷层32b的表面。

在本实施方式中，上层镀敷层34形成为Sn镀敷层。上层镀敷层34形成为Sn镀敷层，并设置为覆盖中层镀敷层32的表面，由此能够使将层叠陶瓷电容器10安装到安装基板时的焊料的润湿性提高，能够容易地安装层叠陶瓷电容器10。

下层镀敷层30、中层镀敷层32以及上层镀敷层34的各层的每一层的厚度优选为2μm以上且15μm以下。更具体地，下层镀敷层30的平均厚度优选为5μm以上且8μm以下，中层镀敷层32的平均厚度优选为2μm以上且4μm以下，上层镀敷层34的平均厚度优选为2μm以上且4μm以下。

另外，虽然在本实施方式涉及的外部电极24中，作为镀敷层28，由下层镀敷层30、中层镀敷层32以及上层镀敷层34这三层形成，但是也可以由下层镀敷层30和中层镀敷层32这两层或者下层镀敷层30和上层镀敷层34这两层形成。

在此，在图1所示的层叠陶瓷电容器10中，如图3A以及图3B所示，下层镀敷层30的金属扩散到基底电极层26中，并从基底电极层26的表面到达至层叠体12和基底电极层26的界面42。下层镀敷层30的金属优选为Cu。

即，如图3A所示，第1下层镀敷层30a的金属存在于第1基底电极层26a中包含的金属成分38彼此接触的界面42a、第1基底电极层26a中包含的金属成分38和第1基底电极层26a中包含的陶瓷成分(共同材料)40接触的界面42b、以及第1基底电极层26a中包含的金属成分38和层叠体12的界面42c。

同样地，如图3B所示，第2下层镀敷层30b的金属存在于第2基底电极层26b中包含的金属成分38彼此接触的界面42a、第2基底电极层26b中包含的金属成分38和第2基底电极层26b中包含的陶瓷成分(共同材料)40接触的界面42b、以及第2基底电极层26b中包含的金属成分38和层叠体12的界面42c。

由此，下层镀敷层30的金属填埋了上述各个界面42的间隙，因此能够抑制水分从外部向层叠体12的浸入。因此，能够使对层叠陶瓷电容器10的耐湿可靠性提高。

将包含层叠体12、第1外部电极24a以及第2外部电极24b的层叠陶瓷电容器10的长度方向z上的尺寸设为L尺寸，将包含层叠体12、第1外部电极24a以及第2外部电极24b的层叠陶瓷电容器10的高度方向x上的尺寸设为T尺寸，将包含层叠体12、第1外部电极24a以及第2外部电极24b的层叠陶瓷电容器10的宽度方向y上的尺寸设为W尺寸。

关于层叠陶瓷电容器10的尺寸，优选长度方向z上的L尺寸为0.20mm以上且10.0mm以下，宽度方向y上的W尺寸为0.10mm以上且10.0mm以下，高度方向x上的T尺寸为0.10mm以上且5.0mm以下。

在图1所示的层叠陶瓷电容器10中，下层镀敷层30的金属存在于基底电极层26中包含的金属成分38彼此接触的界面42a、基底电极层26中包含的金属成分38和基底电极层26中包含的陶瓷成分(共同材料)40接触的界面42b、以及基底电极层26中包含的金属成分38和层叠体12的界面42c。由此，下层镀敷层30的金属填埋了上述各个界面42的间隙，因此能够抑制水分从外部向层叠体12的浸入。因此，能够使对层叠陶瓷电容器10的耐湿可靠性提高。

(第2实施方式)

作为本发明的第2实施方式涉及的层叠陶瓷电子部件的例子，对层叠陶瓷电容器进行说明。该第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器是三端子型层叠陶瓷电容器。

作为本发明的第2实施方式涉及的层叠陶瓷电子部件的例子，对层叠陶瓷电容器(三端子型层叠陶瓷电容器)进行说明。图8是示出本发明的第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器(三端子型层叠陶瓷电容器)的一个例子的外观立体图。图9是示出本发明的第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器(三端子型层叠陶瓷电容器)的一个例子的俯视图。图10是示出本发明的第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器(三端子型层叠陶瓷电容器)的一个例子的侧视图。图11是图8的线XI-XI处的剖视图。图12A是图11所示的c部分的部分放大剖视图，图12B是图11所示的d部分的部分放大剖视图。图13A是图8的线XIII-XIII处的剖视图，图13B是图13A所示的e部分的部分放大剖视图，图13C是图13A所示的f部分的部分放大剖视图。图14是图11的线XIV-XIV处的剖视图。图15是图11的线XV-XV处的剖视图。图16示出图14所示的第1内部电极层的变形例。

如图8至图13C所示，层叠陶瓷电容器110例如包含长方体状的层叠体12。

层叠体12具有层叠的多个陶瓷层14和多个内部电极层116。进而，层叠体12具有在高度方向x上相对的第1主面12a以及第2主面12b、在与高度方向x正交的宽度方向y上相对的第1侧面12c以及第2侧面12d、和在与高度方向x以及宽度方向y正交的长度方向z上相对的第1端面12e以及第2端面12f。在该层叠体12中，在角部以及棱线部形成有圆角。另外，所谓角部，是指层叠体的相邻的三个面相交的部分，所谓棱线部，是指层叠体的相邻的两个面相交的部分。此外，也可以在第1主面12a以及第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d、和第1端面12e以及第2端面12f的一部分或全部形成有凹凸等。进而，层叠体12的长度方向z上的尺寸未必一定比宽度方向y上的尺寸长。

层叠体12在连结第1主面12a和第2主面12b的层叠方向上具有内部电极层116彼此对置的有效层部15a、位于最靠近第1主面12a的内部电极层116与第1主面12a之间的第1外层部15b、和位于最靠近第2主面12b的内部电极层116与第2主面12b之间的第2外层部15c。

第1外层部15b位于层叠体12的第1主面12a侧，是位于第1主面12a与最靠近第1主面12a的内部电极层116之间的多片陶瓷层14的集合体。

第2外层部15c位于层叠体12的第2主面12b侧，是位于第2主面12b与最靠近第2主面12b的内部电极层116之间的多片陶瓷层14的集合体。

被第1外层部15b和第2外层部15c夹着的区域是有效层部15a。

陶瓷层14的材料与层叠陶瓷电容器10相同，因此省略其说明。

此外，烧成后的陶瓷层14的层叠方向上的平均厚度也与层叠陶瓷电容器10相同，因此省略其说明。

在层叠体12中，作为多个内部电极层116，具有多个第1内部电极层116a以及多个第2内部电极层116b。多个第1内部电极层116a以及多个第2内部电极层116b埋设为沿着层叠体12的层叠方向等间隔地交替地配置。

如图14所示，第1内部电极层116a具备与第2内部电极层116b对置的第1对置电极部118a、从第1对置电极部118a引出到层叠体12的第1端面12e的一方的第1引出电极部120a1以及从第1对置电极部118a引出到层叠体12的第2端面12f的另一方的第1引出电极部120a2。具体地，一方的第1引出电极部120a1在层叠体12的第1端面12e露出，另一方的第1引出电极部120a2在层叠体12的第2端面12f露出。因此，第1内部电极层116a不在层叠体12的第1侧面12c以及第2侧面12d露出。

如图15所示，第2内部电极层116b是大致十字形状，具备与第1内部电极层116a对置的第2对置电极部118b、从第2对置电极部118b引出到层叠体12的第1侧面12c的一方的第2引出电极部120b1以及从第2对置电极部118b引出到层叠体12的第2侧面12d的另一方的第2引出电极部120b2。具体地，一方的第2引出电极部120b1在层叠体12的第1侧面12c露出，另一方的第2引出电极部120b2在层叠体12的第2侧面12d露出。因此，第2内部电极层116b不在层叠体12的第1端面12e以及第2端面12f露出。

另外，虽然第2内部电极层116b中的第2对置电极部118b的四个角部未形成倒角，但是也可以设为形成了倒角的形状。由此，能够抑制与第1内部电极层116a的第1对置电极部118a的角重叠，能够抑制电场集中。其结果是，能够抑制由于电场集中而可能产生的陶瓷电容器的绝缘击穿。

此外，层叠体12包含形成在第1内部电极层116a的第1对置电极部118a的宽度方向y上的一端与第1侧面12c之间以及第1对置电极部118a的宽度方向y上的另一端与第2侧面12d之间的层叠体12的侧部(以下，也称为“W缝隙”。)22a、和形成在第2内部电极层116b的第2对置电极部118b的宽度方向y上的一端与第1侧面12c之间以及第1对置电极部118a的宽度方向y上的另一端与第2侧面12d之间的层叠体12的侧部22a。进而，层叠体12包含形成在第2内部电极层116b的长度方向z上的一端与第1端面12e之间以及第2内部电极层116b的长度方向z上的另一端与第2端面12f之间的层叠体12的端部(以下，也称为“L缝隙”。)22b。

另外，如图16所示，第1内部电极层116a也可以形成为引出到第1端面12e侧的第1内部电极层116a的一方的第1引出电极部120a1的宽度随着朝向第1端面12e侧而宽度变窄，还可以形成为引出到第2端面12f的第1内部电极层116a的另一方的第1引出电极部120a2的宽度随着朝向第2端面12f侧而宽度变窄(锥形状)。宽度变窄的位置优选为如下位置，即，可确保第1内部电极层116a的第1对置电极部118a和第2内部电极层116b的第2对置电极部118b对置的面的面积与使宽度变窄之前的面积相同。

在层叠体12的第1端面12e侧以及第2端面12f侧和第1侧面12c侧以及第2侧面12d侧，配置外部电极24。外部电极24具有第1外部电极24a、第2外部电极24b、第3外部电极24c以及第4外部电极24d。

在层叠体12的第1端面12e配置第1外部电极24a。第1外部电极24a配置为从层叠体12的第1端面12e延伸而覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d的一部分。此外，第1外部电极24a与在层叠体12的第1端面12e露出的第1内部电极层116a的一方的第1引出电极部120a1电连接。

在层叠体12的第2端面12f配置第2外部电极24b。第2外部电极24b配置为从层叠体12的第2端面12f延伸而覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d的一部分。此外，第2外部电极24b与在层叠体12的第2端面12f露出的第1内部电极层116a的另一方的第1引出电极部120a2电连接。

在层叠体12的第1侧面12c配置第3外部电极24c。第3外部电极24c配置为从第1侧面12c延伸而覆盖第1主面12a以及第2主面12b的一部分。第3外部电极24c与在层叠体12的第1侧面12c露出的第2内部电极层116b的一方的第2引出电极部120b1电连接。

在层叠体12的第2侧面12d配置第4外部电极24d。第4外部电极24d配置为从第2侧面12d延伸而覆盖第1主面12a以及第2主面12b的一部分。第4外部电极24d与在层叠体12的第2侧面12d露出的第2内部电极层116b的另一方的第2引出电极部120b2电连接。

在层叠体12内，第1内部电极层116a的第1对置电极部118a和第2内部电极层116b的第2对置电极部118b隔着陶瓷层14而对置，由此形成了静电电容。因此，在连接了第1内部电极层116a的第1外部电极24a以及第2外部电极24b与连接了第2内部电极层116b的第3外部电极24c以及第4外部电极24d之间，能够得到静电电容，显现出电容器的特性。

外部电极24包含配置在层叠体12的表面的基底电极层26和配置为覆盖基底电极层26的镀敷层28。

基底电极层26具有第1基底电极层26a、第2基底电极层26b、第3基底电极层26c以及第4基底电极层26d。

第1基底电极层26a配置在层叠体12的第1端面12e的表面，并形成为从第1端面12e延伸而覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d各自的一部分。

第2基底电极层26b配置在层叠体12的第2端面12f的表面，并形成为从第2端面12f延伸而覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c以及第2侧面12d各自的一部分。

另外，第1基底电极层26a也可以仅配置在层叠体12的第1端面12e的表面，第2基底电极层26b也可以仅配置在层叠体12的第2端面12f的表面。

第3基底电极层26c配置在层叠体12的第1侧面12c的表面，并形成为从第1侧面12c延伸而覆盖第1主面12a以及第2主面12b各自的一部分。

第4基底电极层26d配置在层叠体12的第2侧面12d的表面，并形成为从第2侧面12d延伸而覆盖第1主面12a以及第2主面12b各自的一部分。

另外，第3基底电极层26c也可以仅配置在层叠体12的第1侧面12c的表面，第4基底电极层26d也可以仅配置在层叠体12的第2侧面12d的表面。

镀敷层28包含第1镀敷层28a、第2镀敷层28b、第3镀敷层28c以及第4镀敷层28d。

第1镀敷层28a配置为覆盖第1基底电极层26a。

第2镀敷层28b配置为覆盖第2基底电极层26b。

第3镀敷层28c配置为覆盖第3基底电极层26c。

第4镀敷层28d配置为覆盖第4基底电极层26d。

镀敷层28也可以由多个层形成。

优选的是，镀敷层28包含覆盖基底电极层26的下层镀敷层30、配置为覆盖下层镀敷层30的中层镀敷层32、和配置为覆盖中层镀敷层32的上层镀敷层34。

更详细地，第1镀敷层28a包含覆盖第1基底电极层26a的第1下层镀敷层30a、配置为覆盖第1下层镀敷层30a的第1中层镀敷层32a、和配置为覆盖第1中层镀敷层32a的第1上层镀敷层34a。

第2镀敷层28b包含覆盖第2基底电极层26b的第2下层镀敷层30b、配置为覆盖第2下层镀敷层30b的第2中层镀敷层32b、和配置为覆盖第2中层镀敷层32b的第2上层镀敷层34b。

第3镀敷层28c包含覆盖第3基底电极层26c的第3下层镀敷层30c、配置为覆盖第3下层镀敷层30c的第3中层镀敷层32c、和配置为覆盖第3中层镀敷层32c的第3上层镀敷层34c。

第4镀敷层28d包含覆盖第4基底电极层26d的第4下层镀敷层30d、配置为覆盖第4下层镀敷层30d的第4中层镀敷层32d、和配置为覆盖第4中层镀敷层32d的第4上层镀敷层34d。

另外，层叠陶瓷电容器110中的镀敷层28的材料、构造等与层叠陶瓷电容器10相同，因此省略其说明。

在此，在图8所示的层叠陶瓷电容器110中，如图12A至图13C所示，下层镀敷层30的金属扩散到基底电极层26中，并从基底电极层26的表面到达层叠体12与基底电极层26的界面42。另外，下层镀敷层30的金属优选为Cu。

即，如图12A所示，第1下层镀敷层30a的金属存在于第1基底电极层26a中包含的金属成分38彼此接触的界面42a、第1基底电极层26a中包含的金属成分38和第1基底电极层26a中包含的陶瓷成分(共同材料)40接触的界面42b、以及第1基底电极层26a中包含的金属成分38和层叠体12的界面42c。

同样地，如图12B所示，第2下层镀敷层30b的金属存在于第2基底电极层26b中包含的金属成分38彼此接触的界面42a、第2基底电极层26b中包含的金属成分38和第2基底电极层26b中包含的陶瓷成分(共同材料)40接触的界面42b、以及第2基底电极层26b中包含的金属成分38和层叠体12的界面42c。

此外，如图13B所示，第3下层镀敷层30c的金属存在于第3基底电极层26c中包含的金属成分38彼此接触的界面42a、第3基底电极层26c中包含的金属成分38和第3基底电极层26c中的陶瓷成分(共同材料)40接触的界面42b、以及第3基底电极层26c中包含的金属成分38和层叠体12的界面42c。

同样地，如图13C所示，第4下层镀敷层30d的金属存在于第4基底电极层26d中包含的金属成分38彼此接触的界面42a、第4基底电极层26d中包含的金属成分38和第4基底电极层26d中包含的陶瓷成分(共同材料)40接触的界面42b、以及第4基底电极层26d中包含的金属成分38和层叠体12的界面42c。

由此，下层镀敷层30的金属填埋了上述各个界面42的间隙，因此能够抑制水分从外部向层叠体12的浸入。因此，能够使对层叠陶瓷电容器110的耐湿可靠性提高。

在该层叠陶瓷电容器110中，达到与上述的层叠陶瓷电容器10同样的效果。

2.层叠陶瓷电容器的制造方法

接着，作为层叠陶瓷电子部件的例子，对层叠陶瓷电容器的制造方法进行说明。在此，对第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的制造方法进行说明。

首先，例如通过丝网印刷法等将包含陶瓷粉末的陶瓷膏涂敷为片状并使其干燥，由此制作陶瓷生片。

接着，准备内部电极形成用的导电性膏，在陶瓷生片上例如通过丝网印刷法、凹版印刷等将内部电极形成用的导电膏涂敷为给定的图案，从而准备形成了内部电极形成用导电图案的陶瓷生片，并且准备未形成内部电极形成用导电图案的陶瓷生片。

另外，在陶瓷膏、内部电极形成用的导电性膏中，例如也可以包含公知的有机粘合剂、溶剂。此外，内部电极形成用的导电性膏例如是在金属粉末中添加了有机粘合剂以及有机溶剂的导电性膏。

接下来，层叠给定片数的未形成内部电极形成用导电图案的外层用的陶瓷生片，并在其上依次层叠形成了内部电极形成用导电图案的陶瓷生片，进而，层叠给定片数的未形成内部电极形成用导电图案的陶瓷生片，由此制作母层叠体。此时，层叠多片印刷有内部电极形成用导电图案的陶瓷生片，使得内部电极形成用导电图案的引出部相互不同，从而制作层叠片。

通过等静压压制等方法使该层叠片在层叠方向上压接，从而制作层叠块。

然后，将层叠块切断为给定的形状尺寸，切出未加工的层叠体芯片。此时，也可以通过滚筒研磨等在层叠体芯片的角部以及棱线部形成圆角。

接着，形成基底电极层26。首先，在未加工的层叠体芯片的两端面，通过浸渍、丝网印刷等方法涂敷包含金属成分和陶瓷成分、溶剂、分散剂等的外部电极用的导电性膏。作为金属成分，例如包含从Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等中选择的至少一者。此外，陶瓷成分可以使用与陶瓷层14相同种类的陶瓷材料，也可以使用不同种类的陶瓷材料。作为陶瓷材料，例如包含从BaTiO₃、(Ba、Ca)TiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等中选择的至少一者。另外，在外部电极用的导电性膏中，也可以进一步包含玻璃成分。作为玻璃成分，包含从B、Si、Ba、Mg、Al、Li等中选择的至少一者。

在此，例如在将作为金属成分的Ni设为100mol时，陶瓷材料的含量能够调整为相对于基底电极层26的整体的体积使陶瓷材料为5％以上且50％以下。

接下来，将未加工的层叠体芯片和涂敷在未加工的层叠体芯片的外部电极用的导电性膏同时进行烧附，形成作为基底电极层而形成了烧附层的层叠体。虽然此时的烧成温度还取决于陶瓷材料、内部电极的材料，但是优选为900℃以上且1400℃以下。

然后，在基底电极层的表面形成镀敷层28。在图1所示的层叠陶瓷电容器中，关于镀敷层，作为下层镀敷层而形成Cu镀敷层，作为中层镀敷层而形成Ni镀敷层，作为上层镀敷层而形成Sn镀敷层。

在此，在形成镀敷层28的工序中，在形成了作为下层镀敷层30的Cu镀敷层之后，实施热处理。关于该热处理的条件，在450℃以上且650℃以下，在氧浓度为几ppm至几百ppm的环境中实施几分钟至几十分钟的热处理。通过施加该热处理，从而能够得到如下结构，即，Cu镀敷层的金属存在于基底电极层中包含的金属成分彼此的界面42a、基底电极层中包含的金属成分和基底电极层中包含的陶瓷成分(共同材料)接触的界面42b、以及基底电极层中包含的金属成分和层叠体的界面42c。

如上所述，制造图1所示的层叠陶瓷电容器10。

3.实验例

接着，为了确认上述的本发明涉及的层叠陶瓷电容器的效果，制造层叠陶瓷电容器并进行了耐湿可靠性试验。

(1)实施例中的试样的规格

首先，按照上述的层叠陶瓷电容器的制造方法，制作了以下那样的规格的实施例涉及的层叠陶瓷电容器。

(实施例)

·层叠陶瓷电容器的构造：二端子(参照图1)

·层叠陶瓷电容器的尺寸L×W×T(包含设计值)：1.0mm×0.5mm×0.5mm

·电介质层的材料：BaTiO₃

·电容：22μF

·额定电压：4V

·内部电极的构造

金属成分：Ni

·外部电极的构造

基底电极层

金属成分：Ni

基底电极层中的陶瓷成分(共同材料)的材料：BaTiO₃

基底电极层中的陶瓷成分(共同材料)的材料的含量：10％

镀敷层：Cu镀敷层、Ni镀敷层以及Sn镀敷层的三层构造

Cu镀敷层的厚度：6μm

Ni镀敷层的厚度：4μm

Sn镀敷层的厚度：4μm

(2)比较例中的试样的规格

接下来，制作了如下规格的比较例涉及的层叠陶瓷电容器。

(比较例)

比较例涉及的层叠陶瓷电容器与实施例涉及的层叠陶瓷电容器相比较，Cu镀敷层(下层镀敷层)的金属不存在于基底电极层中包含的金属成分彼此接触的界面、基底电极层中包含的金属成分和基底电极层中包含的陶瓷成分(共同材料)接触的界面、以及基底电极层中包含的金属成分和层叠体的界面，除此以外，与实施例的层叠陶瓷电容器相同。即，在形成Cu镀敷层之后，未实施热处理。以下，示出详情规格。

·层叠陶瓷电容器的构造：二端子

·层叠陶瓷电容器的尺寸L×W×T(包含设计值)：1.0mm×0.5mm×0.5mm

·电介质层的材料：BaTiO₃

·电容：22μF

·额定电压：4V

·内部电极的构造

金属成分：Ni

·外部电极的构造

基底电极层

金属成分：Ni

基底电极层中的陶瓷成分(共同材料)的材料：BaTiO₃

基底电极层中的陶瓷成分(共同材料)的材料的含量：10％

镀敷层：Cu镀敷层、Ni镀敷层以及Sn镀敷层的三层构造

Cu镀敷层的厚度：6μm

Ni镀敷层的厚度：4μm

Sn镀敷层的厚度：4μm

(3)耐湿可靠性试验的方法

使用共晶焊料将实施例涉及的试样和比较例涉及的试样各10个安装到玻璃环氧基板。接下来，测定了各试样的绝缘电阻值。接着，将玻璃环氧基板放入到高温高湿槽内，在125℃、相对湿度为95％RH的环境下对各试样施加了72小时的3.2V的电压。接下来，测定了耐湿可靠性试验后的各试样的绝缘电阻值。

然后，对各试样对比耐湿可靠性试验前和试验后的绝缘电阻值，并将绝缘电阻值下降了1位以上的试样作为不良而进行了计数。

评价结果示于表1。

[表1]

(4)实验结果

根据表1，在实施例涉及的各试样的层叠陶瓷电容器中，Cu镀敷层(下层镀敷层)的金属存在于基底电极层中包含的金属成分彼此接触的界面、基底电极层中包含的金属成分和基底电极层中包含的陶瓷成分(共同材料)接触的界面、以及基底电极层中包含的金属成分和层叠体的界面，因此填埋了各界面的间隙，能够抑制水分从外部的浸入，因此耐湿可靠性试验的结果，在10个中均未得到成为不良的试样。

另一方面，在比较例涉及的各试样的层叠陶瓷电容器中，Cu镀敷层(下层镀敷层)的金属不存在于基底电极层中包含的金属成分彼此接触的界面、基底电极层中包含的金属成分和基底电极层中包含的陶瓷成分(共同材料)接触的界面、以及基底电极层中包含的金属成分和层叠体的界面，在该界面中具有间隙，因此不能抑制水分从外部的浸入，耐湿可靠性试验的结果，在10个中得到了8个成为不良的试样。

根据以上，Cu镀敷层(下层镀敷层)的金属存在于基底电极层中包含的金属成分彼此接触的界面、基底电极层中包含的金属成分和基底电极层中包含的陶瓷成分(共同材料)接触的界面、以及基底电极层中包含的金属成分和层叠体的界面，由此能够填埋各界面的间隙，因此能够抑制水分从外部的浸入，其结果是，明确了能够提高层叠陶瓷电容器的耐湿可靠性。

对本发明的实施方式进行了说明，但是应认为，此次公开的实施方式在所有的方面均为例示，而不是限制性的。本发明的范围由权利要求书示出，意图包含与权利要求书等同的含义以及范围内的所有的变更。