具体实施方式

在下文中，详细描述本发明的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本发明不限于此，并且本发明由权利要求的范围限定。

在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、取代或未取代的C1至C30胺基、硝基、取代或未取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、C1至C10三氟烷基、氰基、或它们的组合替代。

在本发明的一个实施例中，“取代”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、或氰基替代。此外，在本发明的具体实施例中，“取代”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基、或氰基替代。此外，在本发明的具体实施例中，“取代”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C5烷基、C6至C18芳基、或氰基替代。此外，在本发明的具体实施例中，“取代”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、氰基、甲基、乙基、丙酰基、丁基、苯基、联苯基、三联苯基、或萘基替代。

在本说明书中，当没有另外提供定义时，“杂”是指在一个官能团中包含选自N、O、S、P和Si、以及剩余的碳的一至三个杂原子。

在本说明书中，“芳基”是指包括至少一个烃芳香族部分的基团，并且烃芳香族部分的所有元素具有形成共轭的p-轨道，例如苯基、萘基等，两个或更多个烃芳香族部分可以是通过σ键连接并且可以是例如联苯基、三联苯基、四联苯基等，并且两个或更多个烃芳香族部分直接或间接稠合以提供非芳香族稠环，例如芴基。

芳基可以包括单环、多环或稠环多环(即，共享相邻的碳原子对的环)官能团。

在本说明书中，“杂环基”是杂芳基的一般概念，并且可以包括在环状化合物(诸如，芳基、环烷基、其稠环或其组合)中代替碳(C)的选自N、O、S、P和Si的至少一个杂原子。当杂环基是稠环时，整个环或杂环基的每个环可以包括一个或多个杂原子。

例如，“杂芳基”是指包括选自N、O、S、P和Si的至少一个杂原子的芳基。两个或更多个杂芳基通过σ键直接连接，或者当杂芳基包括两个或多个环时，两个或多个环可以稠合。当杂芳基是稠合环时，每个环可以包括一个至三个杂原子。

更具体地，取代或未取代的C6至C30芳基可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的对三联苯基、取代或未取代的间三联苯基、取代或未取代的邻三联苯基、取代或未取代的窟基、取代或未取代的三亚苯基(triphenylene group)、取代或未取代的茈基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的呋喃基、或它们的组合，但不限于此。

更具体地，取代或未取代的C2至C30杂环基可以是取代或未取代的苯硫基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噁唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的噻二唑基、取代或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并苯硫基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的苯并噁嗪基、取代或未取代的苯并噻嗪基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基、或它们的组合，但不限于此。

在本说明书中，根据最高占据分子轨道(HOMO)能级，空穴特性是指当施加电场时给予电子以形成空穴，并且在阳极中形成的空穴可以容易地注入发光层并由于导电特性在发光层中传输的能力。

此外，根据最低未占据分子轨道(LUMO)能级，电子特性是指在施加电场时接受电子，并且在阴极中形成的电子可以容易地注入发光层并由于导电特性在发光层中传输的能力。

在下文中，描述了根据实施方式的用于有机光电设备的化合物。

根据实施方式的用于有机光电设备的化合物由化学式1和化学式2的结合表示。

在化学式1和化学式2中，

Ar是取代或未取代的C6至C12芳基，

L是单键或者取代或未取代的C6至C20亚芳基，

X¹和X²独立地是O或S，

化学式1的a₁ ^*至a₄ ^*独立地是连接碳(C)或CR^a，

化学式1的a₁ ^*至a₄ ^*中的相邻两个是各自连接至化学式2中的*，并且剩下的两个独立地是CR^a，并且

R^a和R¹至R⁷独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、或者取代或未取代的C6至C20芳基。

由化学式1和化学式2的结合表示的化合物包括三嗪核、以及取代或未取代的9-咔唑基、取代或未取代的稠合二苯并呋喃(或稠合二苯并噻吩)、以及取代或未取代的取代三嗪核的C6至C12芳基。

如上所描述，通过设计三嗪核被9-咔唑基、稠合二苯并呋喃(或稠合二苯并噻吩)和C6至C12芳基包围的结构，可以使电子传输区中负离子的干扰最小化并且可以解决设备劣化。

具体地，在N方向上引入取代三嗪核的咔唑基团以形成C-N键，从而导致π-键断裂，并且防止HOMO电子云的膨胀。这使得能够有效地定位，并且可以实现长寿命效果。

此外，在取代三嗪核的稠合二苯并呋喃基(或稠合二苯并噻吩基)的情况下，与通过σ连接的两个二苯并呋喃/二苯并噻吩相比，通过共振结构的电子/空穴传输能力更加改进。此外，在稠合二苯并呋喃/稠合二苯并噻吩与未稠合二苯并呋喃/二苯并噻吩相比的情况下，由于未共享电子对的增加分子间吸引增加，因此提高了改进沉积膜的效果。利用该效果，可以实现低驱动和高效率以及长寿命的设备特性。

取决于稠合点，由化学式1和化学式2的结合表示的化合物可以例如由化学式1A至化学式1F表示。

在化学式1A至化学式1F中，Ar、L、X¹、X²以及R¹至R⁷的定义与上述相同，并且R^a1至R^a4的定义与上述Ra的定义相同。

在一种实施方式中，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1A表示，并且具体地，可以由化学式1A-1至化学式1A-4中的任意一个表示。

在另一实施方式中，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1B表示，并且具体地，可以由化学式1B-1至化学式1B-4中的任意一个表示。

在另一实施方式中，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1C表示，并且具体地，可以由化学式1C-1至化学式1C-4中的任意一个表示。

在另一实施方式中，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1D表示，并且具体地，可以由化学式1D-1至化学式1D-4中的任意一个表示。

在另一实施方式中，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1E表示，并且具体地，可以由化学式1E-1至化学式1E-4中的任意一个表示。

在另一实施方式中，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1F表示，并且具体地，可以由化学式1F-1至化学式1F-4中的任意一个表示。

在化学式1A-1至化学式1A-4、化学式1B-1至化学式1B-4、化学式1C-1至化学式1C-4、化学式1D-1至化学式1D-4、化学式1E-1至化学式1E-4、以及化学式1F-1至化学式1F-4中，Ar、L、X¹、X²、R¹至R⁷和R^a1至R^a4的定义与上述相同。

在具体实施方式中，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1A-1至化学式1A-4、化学式1B-1至化学式1B-4、化学式1C-2、化学式1C-3、化学式1C-4、化学式1D-1至化学式1D-4、化学式1E-1至化学式1E-4、以及化学式1F-1至化学式1F-4中的任一个表示。

在更具体实施方式中，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1B-1、化学式1B-3、化学式1B-4、化学式1C-3和化学式1F-3表示。

例如，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1B-3和化学式1B-4中的任一个表示。

作为具体实施例，化学式1和化学式2的结合可以由化学式1B-1或化学式1B-4表示。如上所描述，当稠合二苯并呋喃/稠合二苯并噻吩的取代位置是No.1或4位时，由于如上所描述包括稠合二苯并呋喃/稠合二苯并噻吩，电子/空穴传输能力得到改进，并且位阻在No.1或4位最大以降低分子结构的平坦性，从而可以保持结构接近球形。因而，可以在沉积期间在降低分子的沉积温度并且在基板上具有更高密度的同时形成沉积表面。

在一个实施方式中，化学式1中的X¹可以是O，并且化学式2中的X²可以是O或S；或者，化学式1中的X¹可以是S，并且化学式2中的X²可以是O或S。

例如，X¹和X²可以各自是“O”。

例如，X¹和X²可以各自是“S”。

例如，X¹可以是“O”，并且X²可以是“S”。

例如，Ar可以是取代或未取代的苯基或者取代或未取代的联苯基。

例如，Ar可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的对联苯基、或者取代或未取代的间联苯基。

例如，L可以是单键、或者取代或未取代的亚苯基。

例如，L可以是单键。

例如，R¹至R⁷可以独立地是氢、或者取代或未取代的苯基。

例如，R¹至R⁷各自可以是氢。

例如，R^a和R^a1至R^a4可以各自是氢。

例如，由化学式1和化学式2的结合表示的用于有机光电设备的化合物可以是选自组1的化合物中的一种，但不限于此。

[组1]

根据另一实施方式的用于有机光电设备的组合物包含用于有机光电设备的第一化合物和用于有机光电设备的第二化合物。

用于有机光电设备的第一化合物如上所描述，并且

用于有机光电设备的第二化合物可以由化学式3或化学式4和化学式5的结合表示。

[化学式3]

在化学式3中，

Y¹和Y²独立地是单键、或者取代或未取代的C6至C20亚芳基，

Z¹和Z²独立地是取代或未取代的C6至C20芳基、或者取代或未取代的C2至C30杂环基，并且

R⁸至R¹³独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C20芳基、取代或未取代的C2至C30杂环基、氰基、或它们的组合，

其中，在化学式4和化学式5中，

Z³和Z⁴独立地是取代或未取代的C6至C20芳基、或者取代或未取代的C2至C30杂环基，

化学式4的相邻的两个*连接至化学式5，

化学式4中的未连接至化学式5的*独立地是CR^b，

Y³和Y⁴独立地是单键、或者取代或未取代的C6至C20亚芳基，并且

R^b和R¹⁴至R¹⁷独立地是氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的胺基、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30杂环基。

用于有机光电设备的具有快速且稳定的空穴传输特性的材料的第二化合物可以与用于有机光电设备的具有快速且稳定的电子传输特性的第一化合物一起用于发光层中以提供电荷平衡，因此它可以具有相对于分子量的高玻璃化转变温度以提供低驱动和长寿命特性。

取决于具体的连接点，化学式3可以由例如化学式3-1至化学式3-10中的任一个表示。

在化学式3-1至化学式3-10中，Y¹、Y²、Z¹、Z²以及R⁸至R¹³的定义与上述相同。

例如，用于有机光电设备的第二化合物可以由化学式3-8表示。

在本发明的实施方式中，化学式3的Z¹和Z²可以独立地是取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的芴基、或者取代或未取代的吡啶基，Y¹和Y²可以独立地是单键、取代或未取代的亚苯基、或者取代或未取代的亚联苯基，并且R⁸至R¹³可以独立地是氢、氘、或者取代或未取代的C6至C12芳基。

化学式3的“取代”是指至少一个氢被氘、C1至C4烷基、C6至C18芳基、或C2至C30杂芳基替代。

例如，化学式3中的*-Y¹-Z¹和*-Y²-Z²可以是组第I的取代基中的一个。

[组I]

在组I中，*是连接点。

在本发明的实施方式中，*-Y¹-Z¹和*-Y²-Z²可以是组I的G-1至G-4中的任一个。

例如，取决于具体的稠合点，化学式4和化学式5的结合可以由化学

式4A至化学式4E中的任一个表示。

在化学式4A至化学式4E中，Z³和Z⁴、Y³和Y⁴以及R¹⁴至R¹⁶如上所描述，

R^b1至R^b4与如上对R¹⁴至R¹⁷所定义的相同。

例如，用于有机光电设备的第二化合物可以由化学式4C或化学式4E表示。

在实施方式中，化学式4和化学式5的Z³和Z⁴可以独立地是取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基，并且

R^b1至R^b4和R¹⁴至R¹⁷可以独立地是氢、氘、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基。

在本发明的具体实施方式中，化学式4和化学式5中的Z³和Z⁴可以独立地是取代或未取代的苯基、或者取代或未取代的联苯基。

在示例性实施方式中，R^b1至R^b4和R¹⁴至R¹⁷可以独立地是氢、氘、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基。

例如，R^b1至R^b4和R¹⁴至R¹⁷可以独立地是氢、氘、氰基、或者取代或未取代的苯基，并且

在具体实施方式中，R^b1至R^b4可以各自是氢，并且R¹⁴至R¹⁷可以独立地是氢或苯基。

例如，由化学式3表示的化合物可以是选自组2的化合物中的一个，但不限于此。

[组2]

用于有机光电设备的第一化合物和用于有机光电设备的第二化合物可以以组合物的形式应用。

例如，上述用于有机光电设备的化合物或用于有机光电设备的组合物可以是主体。

用于有机光电设备的第一化合物和用于有机光电设备的第二化合物可以以1:99至99:1的重量比被包括。在范围内，可以使用用于有机光电设备的第一化合物的电子传输能力和用于有机光电设备的第二化合物的空穴传输能力调节期望的重量比，以实现双极特性，从而改善效率和寿命。在范围内，它们可以例如以约10:90至90:10、约20:80至80:20、例如约20:80至约70:30、约20:80至约60:40、或约20:80至约50:50的重量比被包括。例如，它们可以以20:80至40:60的重量比，并且对于具体实施例，30:70的重量比被包括。

在根据本发明的实施方式的组合物中，用于有机光电设备的第一化合物是上述化学式1B-1、化学式1B-3、化学式1B-4、化学式1C-3和化学式1F-3中的一个，并且用于有机光电设备的第二化合物可以由化学式3-8表示。

在化学式1B-1、化学式1B-3、化学式1B-4、化学式1C-3、以及化学式1F-3中，X¹和X²可以独立地是O或S，Ar可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的对联苯基、或者取代或未取代的间联苯基，L可以是单键，并且R¹至R⁷和R^a1至R^a4可以各自是氢。

在化学式3-8中，R⁸至R¹³可以各自是氢，并且

*-Y¹-Z¹和*-Y²-Z²可以是组II的一个取代基。

上述用于有机光电设备的化合物或用于有机光电设备的组合物还可以包含掺杂剂。掺杂剂可以是例如磷光掺杂剂，例如红色、绿色或蓝色磷光掺杂剂，并且可以是例如红色或绿色磷光掺杂剂。

掺杂剂是少量混合以引起光发射的材料，并且通常可以是诸如金属络合物的材料，其通过多重激发成三重态或更多态来发射光。掺杂剂可以是例如无机、有机或有机/无机化合物，并且可以使用其一种或多种类型。

掺杂剂的实施例可以是磷光掺杂剂，并且磷光掺杂剂的实施例可以是包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可以是例如由化学式Z表示的化合物，但不限于此。

[化学式Z]

L¹MX³

在化学式Z中，M是金属，以及L¹和X³是相同或不同的并且是与M形成配位化合物的配体。

M可以是例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合，并且L¹和X³可以是例如二齿配体。

上述用于有机光电设备的组合物或用于有机光电设备的组合物可以由干膜形成方法(诸如，化学气相沉积)形成。

在下文中，描述包含应用上述用于有机光电设备的化合物或用于有机光电设备的组合物的有机光电设备。

在没有特别限制的情况下，有机光电设备可以是将电能转化成光能并且反之亦然的任何设备，并且可以是例如有机光电子设备、有机发光二极管、有机太阳能电池、以及有机感光鼓。

在本文中，参考附图描述作为有机光电设备的一个实施例的有机发光二极管。

图1和图2是示出根据实施方式的有机发光二极管的截面图。

参考图1，根据实施方式的有机发光二极管100包括彼此面对的阳极120和阴极110、以及在阳极120与阴极110之间的有机层105。

阳极120可以由具有大的功函数以帮助空穴注入的导体制成，并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。例如，阳极120可以是：诸如镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等的金属或其合金；金属氧化物，诸如，氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；金属和氧化物的组合，诸如，ZnO和Al或SnO₂和Sb；导电聚合物，诸如，聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩)(PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。

阴极110可以由具有小的功函数以帮助电子注入的导体制成，并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。例如，阴极110可以是：诸如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝银、锡、铅、铯、钡等的金属或其合金；多层结构材料，诸如，LiF/Al、LiO₂/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF₂/Ca，但不限于此。

有机层105包括含有上述化合物或组合物的发光层130。

发光层130可以包含上述用于化合物或组合物。

参考图2，除了发光层130之外，有机发光二极管200还包括空穴辅助层140。空穴辅助层140进一步增加空穴注入和/或空穴迁移率并且阻挡阳极120与发光层130之间的电子。空穴辅助层140可以是例如空穴传输层、空穴注入层和/或电子阻挡层，并且可以包括至少一层。

空穴辅助层140可以包括例如组K的化合物中的至少一个。

具体地，空穴辅助层140可以包括阳极120与发光层130之间的空穴传输层和发光层130与空穴传输层之间的空穴传输辅助层，并且组K的化合物中的至少一个可以包括在空穴传输辅助层中。

[组K]

在空穴传输辅助层中，除了化合物之外，可以使用US 5061569A、JP 1993-009471A、WO 1995-009147A1、JP 1995-126615A、JP 1998-095972A等中公开的已知化合物以及与其类似的化合物。

在一个实施方式中，在图1或图2中，有机发光二极管还可以包括电子传输层、电子注入层或空穴注入层作为有机层105。

有机发光二极管100和200可以通过在基板上形成阳极或阴极、使用干膜形成方法(诸如，真空沉积法(蒸发)、溅射、等离子体电镀和离子电镀)形成有机层、并且在其上形成阴极或阳极来制造。

有机发光二极管可以应用于有机发光显示设备。

在下文中，参考实施例，更详细地说明了实施方式。然而，这些实施例是示例性的，并且本发明的范围不限于此。

在下文中，只要没有具体评论或通过已知方法合成，在实施例和合成例中使用的原材料和反应物购自Sigma-Aldrich Co.Ltd.、TCI Inc.、Tokyo chemical industry或P&Htech。

(用于有机光电设备的化合物的制备)

合成例1：中间体I-1的合成

通过参考专利KR1943030的合成方法来合成中间体I-1。

HRMS(70eV，EI+)：C24H21BO4的m/z计算值：384.1533，确定值：384。

元素分析：C，75％；H，6％。

合成例2：中间体I-2的合成

在氮气环境下，将购自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd的9H-咔唑(100g，598mmol)和2-(联苯基-4-基)-4,6-二氯-1,3,5-三嗪(271g，897mmol)溶解在1L的四氢呋喃(THF)中，并且在0℃下向其中缓慢加入叔丁醇钠(63.2g，658mmol)并且然后搅拌。12小时后，将水添加至反应溶液，并且将混合物过滤。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得中间体I-2(249g，96％)。

HRMS(70eV，EI+)：C27H17ClN4的m/z计算值：432.1142，确定值：432。

元素分析：C，75％；H，4％。

合成例3：化合物1的合成

在氮气环境下，将中间体I-2(10g，23.1mmol)溶解在0.1L的甲苯中，并且向其中添加中间体I-1(8.88g，23.1mmol)和四(三苯基膦)钯(0.27g，0.23mmol)，并且然后搅拌。随后，向其中添加在水中饱和的碳酸钾(7.98g，57.8mmol)，并且然后在100℃下加热并回流2天。当反应完成时，向反应溶液中添加水，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，用无水硫酸镁处理除去水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得化合物1(7.56g，50％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4O2的m/z计算值：654.2056，确定值：654。

元素分析：C，83％；H，5％。

合成例4：中间体I-3的合成

通过参考专利KR1943030的合成方法来合成中间体I-3。

HRMS(70eV，EI+)：C24H21BO4的m/z计算值：384.1533，确定值：384。

元素分析：C，75％；H，6％。

合成例5：化合物3的合成

除了使用中间体I-2(10g，23.1mmol)和中间体I-3(8.88g，23.1mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得化合物3(13.0g，86％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4O2的m/z计算值：654.2056，确定值：654。

元素分析：C，83％；H，4％。

合成例6：中间体I-4的合成

通过参考专利KR1943030的合成方法来合成中间体I-4。

HRMS(70eV，EI+)：C24H21BO4的m/z计算值：384.1533，确定值：384。

元素分析：C，75％；H，6％。

合成例7：化合物4的合成

除了使用中间体I-2(10g，23.1mmol)和中间体I-4(8.88g，23.1mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得化合物4(9.68g，64％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4O2的m/z计算值：654.2056，确定值：654。

元素分析：C，83％；H，4％。

合成例8：中间体I-5的合成

在氮气环境下，将购自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd的二苯并噻吩-4-硼酸(29.8g，438mmol)溶解于1.0L的四氢呋喃(THF)中，并且向其中添加氢氧化钠(35.0g，876mmol)，并且然后在0℃下搅拌。30分钟后，在30分钟内向其中缓慢加入134g的30％过氧化氢水溶液。当反应完成时，将0.87L的浓度为1N的盐酸添加至反应溶液中，并且将混合物用乙酸乙酯(EA)萃取，用无水硫酸镁处理以去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得中间体I-5(82.4g，94％)。

HRMS(70eV，EI+)：C12H8OS的m/z计算值：200.0296，确定值：200。

元素分析：C，72％；H，4％。

合成例9：中间体I-6的合成

在氮气环境下，将中间体I-5(80g，399mmol)溶解在0.8L的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中，并且在室温下向其中缓慢添加N-溴琥珀酰亚胺(71.7g，399mmol)，并且然后搅拌10小时。当反应完成时，在0℃下用在水中饱和的硫代硫酸钠中和生成物。随后，将获得的产物用二氯甲烷(DCM)萃取，用无水硫酸镁处理以去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得中间体I-6(104g，93％)。

HRMS(70eV，EI+)：C12H7BrOS的m/z计算值：277.9401，确定值：278。

元素分析：C，52％；H，3％。

合成例10：中间体I-7的合成

除了使用中间体I-6(100g，358mmol)和购自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd的2-氯-6-氟苯基硼酸(75.0g，430mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得中间体I-7(40.0g，34％)。

HRMS(70eV，EI+)：C18H10ClFOS的m/z计算值：328.0125，确定值：328。

元素分析：C，66％；H，3％。

合成例11：中间体I-8的合成

在氮气环境下，将中间体I-7(38g，116mmol)溶解在0.4L的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中，并且向其中添加碳酸钾(22.7g，231mmol)，并且然后加热并回流3小时。当反应完成时，通过蒸馏去除溶剂后，向反应溶液中加入水，并且用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，用无水硫酸镁处理以去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得中间体I-8(14.7g，41％)。

HRMS(70eV，EI+)：C18H9ClOS的m/z计算值：308.0063，确定值：308。

元素分析：C，70％；H，3％。

合成例12：中间体I-9的合成

在氮气环境下，将中间体I-8(14g，45.3mmol)和双(频哪醇合)二硼(13.8g，54.4mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.41g，0.45mmol)溶解在0.1L的二甲苯中，向其中添加三环己基膦(0.51g，1.81mmol)和乙酸钾(13.3g，136mmol)，并且然后加热回流8小时。反应完成后，向反应溶液中添加水，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，用无水硫酸镁处理去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得中间体I-9(8.89g，49％)。

HRMS(70eV，EI+)：C24H21BO3S的m/z计算值：400.1304，确定值：400。

元素分析：C，72％；H，5％。

合成例13：化合物5的合成

除了使用中间体I-2(9g，20.8mmol)和中间体I-9(8.32g，20.8mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得化合物5(7.67g，55％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4OS的m/z计算值：670.1827，确定值：670。

元素分析：C，81％；H，4％。

合成例14：中间体I-10的合成

除了购自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd的3-甲氧基苯甲硫醚(100g，648mmol)之外，根据与合成例9相同的方法获得中间体I-10(133g，88％)。

HRMS(70eV，EI+)：C8H9BrOS的m/z计算值：231.9557，确定值：232。

元素分析：C，41％；H，4％。

合成例15：中间体I-11的合成

在氮气环境下，将中间体I-10(130g，558mmol)溶解于1.3L的四氢呋喃(THF)中，然后冷却至-78℃。随后，将溶解于己烷中的2.5Mn-BuLi(335mL，837mmol)在内10分钟以逐滴方式缓慢添加至其中。然后，在室温下搅拌获得的混合物3小时。当反应完成时，向其中添加1NHCl(837mL，837mmol)以中和反应溶液。将获得的混合物用乙酸乙酯(EA)萃取并且用无水硫酸镁处理以去除水分，并且将残余物用己烷和二氯甲烷(DCM)洗涤以去除杂质并且获得中间体I-11(99.5g，90％)。

HRMS(70eV，EI+)：C8H11BO3S的m/z计算值：198.0522，确定值：198。

元素分析：C，49％；H，6％。

合成例16：中间体I-12的合成

除了使用购自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.的3-溴二苯并噻吩(105g，400mmol)和中间体I-11(95g，480mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得中间体I-12(40.0g，34％)。

HRMS(70eV，EI+)：C20H16OS2的m/z计算值：336.0643，确定值：336。

元素分析：C，71％；H，5％。

合成例17：中间体I-13的合成

在氮气环境下，将中间体I-12(35g，104mmol)溶解在0.2L甲醇和0.2L蒸馏水中，并且向其中添加高碘酸钠(33.4g，156mmol)，并且然后在室温下搅拌15小时。当反应完成时，用二氯甲烷(DCM)萃取生成物，用无水硫酸镁处理以去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得中间体I-13(33.0g，90％)。

HRMS(70eV，EI+)：C20H16O2S2的m/z计算值：352.0592，确定值：352。

元素分析：C，68％；H，5％。

合成例18：中间体I-14的合成

在氮气环境下，将中间体I-13(32g，90.8mmol)溶解在0.3L的二氯乙烷(DCE)中，并且在0℃下向其中缓慢添加三氟甲磺酸酐(51.2g，182mmol)，并且然后在室温下搅拌30分钟。在通过薄层色谱法确认中间体I-13全部消失之后，向其中添加0.06L的吡啶，并且然后在室温下搅拌3小时。反应完成后，向反应溶液中添加水，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，用无水硫酸镁处理去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将残余物进行分离并且通过快速柱色谱法进行纯化以获得中间体I-14(8.73g，30％)。

HRMS(70eV，EI+)：C19H12OS2的m/z计算值：320.0330，确定值：320。

元素分析：C，71％；H，4％。

合成例19：中间体I-15的合成

在氮气环境下，向其中添加中间体I-14(8g，25.0mmol)和吡啶盐酸盐(14.4g，125mmol)，并且然后在180℃下加热和回流3小时。反应完成后，向反应溶液中添加水，用二氯甲烷(EA)萃取混合物，用无水硫酸镁处理去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得中间体I-15(6.20g，81％)。

HRMS(70eV，EI+)：C18H10OS2的m/z计算值：306.0173，确定值：306。

元素分析：C，71％；H，3％。

合成例20：中间体I-16的合成

在氮气环境下，将中间体I-15(6g，19.6mmol)溶解于0.01L的二氯甲烷(DCM)中，并且然后冷却至0℃。然后，向其中加入三氟甲磺酸酐(6.63g，23.5mmol)，并且然后搅拌。3小时后，将反应溶液冷却至0℃，向其中缓慢添加水持续30分钟，并且将混合物用二氯甲烷(DCM)萃取，用无水硫酸镁处理以去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得中间体I-16(8.42g，98％)。

HRMS(70eV，EI+)：C19H9F3O3S3的m/z计算值：437.9666，确定值：438。

元素分析：C，52％；H，2％。

合成例21：中间体I-17的合成

除了中间体I-16之外，根据与钯催化的芳基卤化物或三氟甲磺酸酯与二烷氧基硼烷的硼烷基化的合成方法相同的方法获得中间体I-17(3.19g，42％)：一种新型且简单的合成芳基硼酸盐的路线(A Novel and Facile Synthetic Route to Arylboronates)，如《有机化学杂志》65(1)，164-168；200。

HRMS(70eV，EI+)：C24H21BO2S2的m/z计算值：416.1076，确定值：416。

元素分析：C，69％；H，5％。

合成例22：化合物9的合成

除了使用中间体I-2(3.12g，7.21mmol)和中间体I-17(3g，7.21mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得化合物9(3.96g，80％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4S2的m/z计算值：686.1599，确定值：686。

元素分析：C，79％；H，4％。

合成例23：中间体I-18的合成

除了使用购自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd的9H-咔唑(100g，598mmol)和2-(联苯基-3-基)-4,6-二氯-1,3,5-三嗪(271g，897mmol)之外，根据与合成例2相同的方法获得中间体I-18(238g，92％)。

HRMS(70eV，EI+)：C27H17ClN4的m/z计算值：432.1142，确定值：432。

元素分析：C，75％；H，4％。

合成例24：化合物17的合成

除了使用中间体I-18(10g，23.1mmol)和中间体I-11(8.88g，23.1mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得化合物17(13.0g，86％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4O2的m/z计算值：654.2056，确定值：654。

元素分析：C，83％；H，4％。

合成例25：中间体I-19的合成

除了使用中间体I-1(30g，78.1mmol)和2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(26.5g，117mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得化合物I-19(26.6g，76％)。

HRMS(70eV，EI+)：C27H14ClN3O2的m/z计算值：447.0775，确定值：447。

元素分析：C，72％；H，3％。

合成例26：中间体I-20的合成

除了使用1-溴-9H-咔唑(30g，122mmol)和苯基硼酸(16.3g，134mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得中间体I-20(23.7g，80％)。

HRMS(70eV，EI+)：C18H13N的m/z计算值：243.1048，确定值：243。

元素分析：C，89％；H，5％。

合成例27：化合物49的合成

在氮气环境下，将中间体I-20(10g，41.1mmol)以及中间体I-19(22.1g，49.3mmol)、三(二亚苯基丙酮)二钯(0)(1.13g，1.23mmol)溶解在0.1L的二甲苯中，向其中依次添加三叔丁基膦(1.0g，4.93mmol)和叔丁醇钠(4.74g，49.3mmol)，并且然后在130℃加热和回流16小时。反应完成后，向反应溶液中添加水，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，用无水硫酸镁处理去除水分，过滤，并且在减压下浓缩。将获得的残余物通过快速柱色谱法进行分离并且纯化以获得化合物49(16.4g，61％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4O2的m/z计算值：654.2056，确定值：654。

元素分析：C，83％；H，4％。

合成例28：化合物193的合成

除了使用购自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.的3-(9H-咔唑-9-基)苯基硼酸(10g，34.8mmol)和中间体I-19(18.7g，41.8mmol)之外，根据与合成例27相同的方法获得化合物193(21.6g，95％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4O2的m/z计算值：654.2056，确定值：654。

元素分析：C，83％；H，4％。

合成例29：中间体I-20的合成

通过参考专利KR2019-0110775的合成方法来合成中间体I-20。

HRMS(70eV，EI+)：C24H21BO4的m/z计算值：384.1533，确定值：384。

元素分析：C，75％；H，6％。

合成例30：化合物273的合成

除了使用中间体I-2(10g，23.1mmol)和中间体I-20(8.88g，23.1mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得化合物273(15.1g，97％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4O2的m/z计算值：654.2056，确定值：654。

元素分析：C，83％；H，4％。

合成例31：中间体I-21的合成

通过参考专利KR2019-0110775的合成方法来合成中间体I-21。

HRMS(70eV，EI+)：C24H21BO4的m/z计算值：384.1533，确定值：384。

元素分析：C，75％；H，6％。

合成例32：化合物275的合成

除了使用中间体I-2(10g，23.1mmol)和中间体I-21(8.88g，23.1mmol)之外，根据与合成例3相同的方法获得化合物275(14.4g，95％)。

HRMS(70eV，EI+)：C45H26N4O2的m/z计算值：654.2056，确定值：654。

元素分析：C，83％；H，4％。

合成例33：化合物HT2的合成

通过参考专利EP 3034581的合成方法来合成化合物HT2。

HRMS(70eV，EI+)：C42H28N2的m/z计算值：560.2252，确定值：560。

元素分析：C，90％；H，5％。

合成例34：化合物HT5的合成

通过参考专利KR10-2019-0000597的合成方法来合成化合物HT5。

HRMS(70eV，EI+)：C48H32N2的m/z计算值：636.2565，确定值：636。

元素分析：C，91％；H，5％。

合成例35：化合物HT6的合成

通过参考专利EP2947071的合成方法来合成化合物HT5。

HRMS(70eV，EI+)：C48H32N2的m/z计算值：636.2565，确定值：636。

元素分析：C，91％；H，5％。

合成例36：化合物HT41的合成

通过参考专利KR2031300的合成方法来合成化合物HT41。

HRMS(70eV，EI+)：C42H28N2的m/z计算值：560.2252，确定值：560。

元素分析：C，90％；H，5％。

合成例37：化合物HT47的合成

通过参考专利WO2018-095391的合成方法来合成化合物HT47。

HRMS(70eV，EI+)：C48H32N2的m/z计算值：636.2565，确定值：636。

元素分析：C，91％；H，5％。

合成例38：化合物主体1的合成

通过参考专利KR1943030的合成方法合成化合物主体1。

HRMS(70eV，EI+)：C33H19N3O2的m/z计算值：489.1477，确定值：489。

元素分析：C，81％；H，4％。

合成例39：化合物主体2的合成

通过参考专利KR1943030的合成方法合成化合物主体2。

HRMS(70eV，EI+)：C33H19N3O2的m/z计算值：489.1477，确定值：489。

元素分析：C，81％；H，4％。

合成例40：化合物主体3的合成

通过参考专利KR1943030的合成方法合成化合物主体3。

HRMS(70eV，EI+)：C39H21N3O3的m/z计算值：579.1583，确定值：579。

元素分析：C，81％；H，4％。

合成例41：化合物主体4的合成

通过参考专利KR1943030的合成方法合成化合物主体4。

HRMS(70eV，EI+)：C39H21N3O3的m/z计算值：579.1583，确定值：579。

元素分析：C，81％；H，4％。

合成例42：化合物主体5的合成

通过参考专利KR2011-0013445的合成方法合成化合物主体5。

HRMS(70eV，EI+)：C52H31N3O2的m/z计算值：729.2416，确定值：729。

元素分析：C，86％；H，4％。

有机发光二极管的制造

实施例1

将涂覆有ITO(铟锡氧化物)的玻璃基板用蒸馏水和超声波洗涤。在用蒸馏水洗涤之后，用溶剂(诸如，异丙醇、丙酮、甲醇等)超声洗涤玻璃基板并干燥，并且然后移至等离子体清洁器，用氧等离子体清洁10分钟，并且移至真空沉积器。将这样获得的ITO透明电极用作阳极，将掺杂有1％NDP-9(从Novaled可获得的)的化合物A真空沉积在ITO基板上以形成厚的空穴传输层，并且将化合物B沉积在空穴传输层上以形成厚的空穴传输辅助层。在空穴传输层上，通过使用合成例3的化合物1和化合物HT2作为主体并且掺杂10wt％的PhGD作为掺杂剂来形成厚的发光层。在本文中，以3:7的比例使用化合物1和化合物HT2。随后，在发光层上沉积化合物C以形成厚的电子传输辅助层，并且以1:1的比率同时真空沉积化合物D和Liq以形成厚的电子传输层。将LiQ和Al依次真空沉积在电子传输层上以形成阴极，从而制造有机发光二极管。

ITO/化合物A(1％NDP-9掺杂的，)/化合物B/EML[化合物1：化合物HT2(3:7)和PhGD 10wt％)]/化合物C/化合物D：LiQ/LiQ/Al

化合物A：N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺

化合物B：N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-4-基)-9,9-螺二(芴)-2-胺

化合物C：2-(3-(3-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)苯基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪

化合物D：8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹诺酮

[PhGD]

实施例2至16和比较例1至5

除了代替化合物1和化合物HT2，将组成改变为表1中所示的组成之外，以与实施例1中相同的方法来制造二极管。

评估

评估根据实施例1至16和比较例1至5的有机发光二极管的驱动电压、发光效率和寿命特性。

具体测量方法如下，并且结果示于表1中。

(1)取决于电压变化的电流密度变化的测量

在使用电流-电压计(Keithley 2400)将电压从0V增加到10V的同时，对所获得的有机发光二极管关于在单元设备中流动的电流值进行测量，并且将测量的电流值除以面积以提供结果。

(2)取决于电压变化的亮度变化的测量

将有机发光二极管的电压从0V增加到10V时，用亮度计(Minolta Cs-1000A)对亮度进行测量。

(3)发光效率的测量

通过使用项目(1)和(2)的亮度和电流密度以及电压，计算在相同电流密度(10mA/cm²)下的电流效率(cd/A)。

(4)寿命的测量

通过测量电流效率(cd/A)降低到97％的时间，同时将亮度(cd/m²)维持在24000cd/m²来获得结果。

(表1)

参考表1，与根据比较例1至5的有机发光二极管相比，根据实施例1至16的有机发光二极管的驱动电压、发光效率和寿命特性显著改善。

虽然已经结合目前认为是实际的示例性实施方式描述了本发明，但是应当理解的是，本发明并不限于所公开的实施方式，相反，旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

符号说明

100、200：有机发光二极管

105：有机层

110：阴极

120：阳极

130：发光层

140：空穴辅助层。