具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此 处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需 要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结 构。

实施例一

图2为本发明实施例一提供的声表面滤波器平面示意图，本实施例可适用 于包括多个谐振器的声表面滤波器防止覆膜流体侵入的方案，本发明实施例提 供了一种声表面滤波器，该声表面滤波器包括芯片101和芯片上布设的谐振器 102-106，其中，还包括：金属阻挡条107，围设在芯片101的边缘处，用于在 覆膜工艺中阻隔覆膜流体侵入谐振器102-106。

如图2所示，本实施例具体以5阶梯形声表面滤波器作为声表面滤波器为 例进行说明，但本领域技术人员可知，并不限于梯形结构声表面滤波器。

声表面滤波器是在一块具有压电效应的材料基片上制作金属膜，然后经光 刻，在两端各形成一对叉指形电极组成。通常用作金属阻挡条的材料是一类具 有高熔点的金属，例如可以是纯铜，铜合金、钛、钨等，本发明实施例对金属 阻挡条的具体材料不进行限制。金属阻挡条具有很好的阻挡扩散作用，在芯片 上有很好的附着，在很薄并且高温下具有很好的稳定性，抗电迁徙，抗侵蚀和 抗氧化。通常用作覆膜流体的材料是膏状树脂，固体树脂、环氧树脂等，本发 明实施例对覆膜流体的具体材料不进行限制。例如，优选的是采用环氧树脂， 由于环氧树脂的绝缘性能高、结构强度大和密封性能好等许多独特的优点，已 在高低压电器、电机和电子元器件的绝缘及封装上得到广泛应用。

本发明实施例以5阶梯形声表面滤波器为例进行说明，如图2所示。其中， 声表面滤波器包括芯片101，谐振器102、谐振器103、谐振器104、谐振器105 和谐振器106，金属阻挡条107设置在芯片101的边缘，可以在覆膜工艺中阻 挡覆膜流体侵入上述谐振器。

本发明实施例的技术方案，通过在声表面滤波器芯片边缘处设置金属阻挡 条，可有效减缓覆膜流体侵入的速度，可在覆膜流体完全固化前减小侵入深度， 解决覆膜流体向芯片中心侵入的问题，提高声表面滤波器的耐湿热性能。

实施例二

图3是本发明实施例二所提供的声表面滤波器芯片设置金属阻挡条的示意 图。本实施例以上述实施例为基础进行细化。

金属阻挡条通过溅射工艺形成。溅射工艺是以一定能量的粒子(离子或中 性原子、分子)轰击固体表面，使固体近表面的原子或分子获得足够大的能量 而最终逸出固体表面的工艺。溅射只能在一定的真空状态下进行。溅射镀膜技 术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被轰击出的现象称为溅射。金属阻挡 条通过溅射工艺形成，相当于给内部电路增加一圈金属围栏，防止覆膜流体向 谐振器侵入。

可选的，金属阻挡条的外侧与芯片边缘之间的距离为10-20um。可选的， 金属阻挡条的厚度为谐振器中电路最大膜层膜厚的2-3倍。可选的，金属阻挡 条的宽度为10-30um。

其中，金属阻挡条为双侧设置，一侧为外侧，另一侧为内侧，距离谐振器 最近的一侧称为内侧，远离谐振器的一侧，即距离芯片边缘最近的一侧称为外 侧。金属阻挡条的外侧与芯片边缘之间的距离为10-20um。谐振器中电路最大 膜层膜厚可以根据最佳的电气性能来设置，本发明实施例对电路最大膜层的具 体厚度不进行限制。优选的，金属阻挡条的厚度为谐振器中电路最大膜层膜厚 的2-3倍，金属阻挡条的宽度为10-30um。

可选的，金属阻挡条的形状包括下述至少一种：矩形或不规则多边形。金 属阻挡条的外边缘为平滑直线型或设置有连续设置凸起；凸起的形状为三角形、 菱形或锯齿形。凸起与芯片中的谐振器边缘临近设置。金属阻挡条中与谐振器 边缘临近设置的位置，加厚设置。示例性的，参考图3，金属阻挡条107的形 状可以做成不规则边沿，例如可以是矩形，也可以是不规则多边形，本发明实 施例对金属阻挡条的形状不进行限制。金属阻挡条107的外边缘为平滑直线型 或设置有连续设置凸起，凸起的形状可以是三角形、菱形或锯齿形。金属阻挡 条107中与谐振器边缘临近的位置需要加厚处理。上述设置凸起以及加厚处理， 都是为了在覆膜过程中，对覆膜流体进行阻挡，可有效减缓覆膜流体侵入的速 度，可在覆膜流体完全固化前减小侵入深度，提高声表滤波器的性能。

可选的，声表面滤波器包括至少三个串联谐振器，至少两个并联谐振器。 其中，至少三个是指串联谐振器可以是三个或者三个以上，本发明实施例对串 联谐振器具体个数不进行限制。至少两个是指并联谐振器可以是两个或者两个 以上，本发明实施例对并联谐振器具体个数不进行限制。示例性的，参考图2， 谐振器102、谐振器103和谐振器104为串联谐振器，谐振器105和谐振器106 为并联谐振器。

本发明实施例通过设置金属阻挡条，相当于给声表面滤波器内部电路增加 一圈金属围栏，防止在覆膜工艺中，覆膜流体向谐振器中心侵入的问题，保证 声表面滤波器的性能不受影响。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员 会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进 行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽 然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以 上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例， 而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。