阅读说明：本技术 基板材料的蚀刻装置 (The Etaching device of baseplate material ) 是由 山崎祐二 于 2019-03-28 设计创作，主要内容包括：本发明提出一种基板材料的蚀刻装置,其中,第1,提高蚀刻因子、蚀刻率,第2,维持蚀刻均匀性,第3,与它们同时地确保运送稳定性。关于蚀刻装置(11),从喷雾喷嘴(4)将蚀刻液B喷射于运送的基板材料A而进行蚀刻,具有坝辊(10)、(12)、阻液棒(13)、联结夹具(14)。而且,通过设定喷雾喷嘴(4)与基板材料A间的上下间隔距离E,提高蚀刻因子、蚀刻率。而且,尽管进行此设定,但还是通过设定喷雾喷嘴(4)的左右节距间隔F、倾斜喷射角度α,通过配设上下坝辊(10)、(12)、阻液棒(13),维持蚀刻均匀性。而且,尽管配设坝辊(10)、(12),但还是通过配设联结夹具(14),从而确保基板材料A的运送稳定性。(The present invention proposes a kind of Etaching device of baseplate material, wherein the 1st, raising etching factor, rate of etch, and the 2nd, maintenance etch uniformity, the 3rd, simultaneously ensure to transport stability with them.About Etaching device (11), etching solution B is sprayed into the baseplate material A in transport from spray nozzle (4) and is etched, there are dam roller (10), (12), blocking solution stick (13), be coupled fixture (14).Moreover, improving etching factor, rate of etch by the spacing distance E up and down between setting spray nozzle (4) and baseplate material A.And, although carrying out this setting, but etch uniformity is maintained by the way that upper and lower dam roller (10), (12), blocking solution stick (13) are arranged by the left and right pitch interval F of setting spray nozzle (4), inclination spray angle α.Moreover, although dam roller (10), (12) are arranged, but it is coupled fixture (14) by being arranged, so that it is guaranteed that the transport stability of baseplate material A.)

基板材料的蚀刻装置

技术领域

本发明涉及基板材料的蚀刻装置。即，涉及在电子电路基板的制造工序中使用的基板材料的蚀刻装置。

背景技术

《技术背景》

关于在电子设备中使用的印刷布线基板、其它的电子电路基板，小型轻量化、极薄化、柔性化等的进展显著，所形成的电子电路的高密度化、微细化也显著。

这样的电子电路基板的代表性的制造工序如以下那样。首先，在由覆铜层叠板形成的基板材料上涂布或粘贴感光性抗蚀剂(抗蚀刻剂)。

然后，对准电路的负片进行曝光，利用显影工序将除了电路形成部分的抗蚀剂以外的抗蚀剂溶解去除。而后，利用蚀刻工序将露出了的除了电路形成部分的铜箔以外的铜箔熔解去除，然后利用剥离工序将电路形成部分的抗蚀剂溶解去除。

由此，利用在基板材料外表面上残留的电路形成部分的铜箔形成电子电路，制造电子电路基板。

《一般例的蚀刻装置1》

图6的(2)图示出，在这样的电子电路基板的制造工序中使用的蚀刻装置1的一般例。

在该蚀刻装置1中，通过由输送机(conveyer)2的轮子3运送，并且从喷雾喷嘴4将蚀刻液B喷射于工件即基板材料A的上下两面，从而进行蚀刻。

图中，5为腔室，6为液槽，7为喷雾泵，8为喷雾管(喷淋管)。C表示运送方向(前后方向)，D表示上下方向。

《以往例的蚀刻装置9》

那么，图3、图4、图5的(2)图示出蚀刻装置9的以往例。在该蚀刻装置9方面，也与上述的一般例的蚀刻装置1是同样，从在上下、左右、前后配置了多个的喷雾喷嘴4，通过喷雾区Z，将蚀刻液B喷射于由输送机2的轮子3进行水平运送的基板材料A的两面，从而进行蚀刻。

而且，依照上述的一般例，喷雾喷嘴4与基板材料A的上下间隔距离E为90mm以上，相互之间的左右节距间隔F为70mm以上，喷射压力设为上侧0.18MPa、下侧0.16MPa。下侧的喷雾喷嘴4没有倾斜，垂直于基板材料A地设置。

然而，在该蚀刻装置9中，与前述的一般例不同，在上侧，喷雾喷嘴4是，以相比于垂直而言斜向地倾斜了的喷射角度α，交替地朝向着左右方向G(参照图5的(2)图)。

另外，在上侧，平面辊(straight roll)制的坝辊(dam roll)10通过喷雾喷嘴4的喷雾区Z而前后成对地配置，并且接触于所运送的基板材料A上表面而配设着。

发明内容

发明想要解决的课题

然而，对于这样的以往例的蚀刻装置9，有人指出了下面的第1、第2、第3课题。

《第1：蚀刻因子、蚀刻率的提高》

第1，蚀刻因子提高、蚀刻率提高的要求变强。

即，如前所述，在电子电路基板以及其电子电路方面，高密度化、微细化的进展显著，人们强烈期望着蚀刻因子的更进一步的改善、蚀刻率的更大程度的改善。

对它们进一步进行详述。关于所形成的电子电路的图案，图7的(2)图中示出截面是矩形的理想例。(3)图中示出包含与矩形近似的截面的良好例子。与此相对，(4)图中示出截面呈现急倾斜的梯形状的差例子。图中，L是电路宽度(底部宽度)，T是顶面宽度(顶部宽度)，S是电路间空间，H是电路高度(深度)。

而且，关于蚀刻装置9，以往，为了应对于推进高密度化、微细化的电路K，因而强烈地期望着实现精度更高的蚀刻，即，形成如图7的(3)图所示将截面精细加工为近似矩形的电路K图案。更加提高蚀刻因子(Etch Factor)的需求变强了。

另外，这样地提高蚀刻的速度、更大程度地提高蚀刻率(Etch Rate)的需求也强。

《第2：蚀刻均匀性的维持》

第2，蚀刻均匀性的维持成为了课题。

那么，通过使得蚀刻液B利用更强冲击的喷雾冲击力(从喷雾喷嘴4喷射的蚀刻液B撞击、喷射于基板材料A时的强度)，从而实现上述的蚀刻因子提高、蚀刻率提高。而且，通过使得喷雾喷嘴4与基板材料A间的上下间隔距离E更加变近，从而实现强冲击的喷雾冲击力。

即，在以往例的蚀刻装置9中，通过使得喷雾喷嘴4更加靠近于基板材料A，即，通过较短地设定在以往例、一般例中为90mm以上的上下间隔距离E，从而可实现强的喷雾冲击力以及蚀刻因子、蚀刻率提高。

但是使得上下间隔距离E变近时，则产生蚀刻均匀性(Uniformity)受害并且恶化这样的问题。

对这一问题进一步进行详述。关于喷射出的蚀刻液B，在正常的状态下，在基板材料A的上表面、下表面的外表面在左右方向G上流动，将基板材料A蚀刻，然后从左右两侧流下、排出，由此依次更新为新鲜的液体。

与此相对，使得喷雾喷嘴4接近并且使得喷雾冲击力更加强时，则变得容易在所形成的电路K的深度、宽度上产生偏差，变得容易损害蚀刻均匀性。

即，关于基板材料A的上表面、下表面的外表面，因以下情况而导致发生了蚀刻的过分不足、迟速，所述情况为：a.是否处于喷雾喷嘴4的正下方，因而在蚀刻液B的喷雾冲击力方面产生差异，b.阻碍蚀刻液B的流动、更新，c.蚀刻液B发生飞散或者在前后方向C上也流动，d.发生液体积存、滞留等等。

在以往的蚀刻装置9方面，也寻求了维持蚀刻均匀性的策略，即，在上侧设置坝辊10，使得上侧的喷雾喷嘴4进行倾斜等等、管制蚀刻液B在基板材料A上表面的流动的策略，但是作为针对强的喷雾冲击力的应对策略而言不充分。

例如，存在有如下的担忧：在强的喷雾冲击力的作用下，使得蚀刻液B从基板材料A弹回，在前后方向C飞散。另外，由于喷射出的蚀刻液B发生自然落下、自重落下，因而在蚀刻均匀性没有问题的基板材料A的下表面方面，也有可能在强的喷雾冲击力的情况下产生问题。

有人指出了，随着蚀刻因子、蚀刻率的提高，导致蚀刻均匀性受损害，成为了大的课题。

《第3：运送稳定性的确保》

第3，运送稳定性的确保成为了课题。

关于电子电路基板以及基板材料A，轻量化、极薄化、柔性化等的进展显著。而且，在蚀刻装置9中，基板材料A由输送机2的3组的上下的轮子夹持而运送。

与此相对，如上所述，作为维持基板材料A上表面的蚀刻均匀性的策略，设置了坝辊10，但是相应程度而替代地，对于上侧的轮子3的使用进行了控制，使其缺乏、删除。这是由于，设置了坝辊10来替代轮子3。

另外，作为维持基板材料A下表面的蚀刻均匀性的策略，也研究了，在主要部分上新设置坝辊来替代轮子3，但是相应程度而替代地，就会将下侧的轮子3的使用进行了控制，使其缺少、削减。

在这方面，产生无法稳定运送轻量化、极薄化显著的基板材料A的担忧，也被指出运送中的基板材料A的落下等危险。

因此，尽管提高了前述的蚀刻因子、蚀刻率，以及维持了蚀刻均匀性，但还是要求确保基板材料A的运送稳定性，成为了大的课题。

《关于本发明》

本发明的基板材料的蚀刻装置是，鉴于这样的实际情况，为了解决上述现有技术的课题而完成。

而且，本发明的目的在于提出一种基板材料的蚀刻装置，其中，第1，提高蚀刻因子、蚀刻率，第2，维持蚀刻均匀性，第3，与它们同时地确保运送稳定性。

用于解决课题的方案

《关于各技术方案》

如专利技术方案中记载，解决这样的课题的本发明的技术性机构如以下那样。

技术方案1如以下那样。

关于技术方案1的基板材料的蚀刻装置，其特征在于，在电子电路基板的制造工序中使用，通过从喷雾喷嘴将蚀刻液喷射于由输送机运送的基板材料两面，从而进行蚀刻。而且，具有上下的坝辊、上侧的阻液棒、下侧的联结夹具。

关于该输送机，由上下的轮子组将该基板材料进行夹持而运送。

关于该喷雾喷嘴，在所运送的该基板材料上在各喷雾区对置地设定位置，在上下、左右、前后配置多个，并且朝向左方向或右方向斜向地倾斜而配设着。

关于该坝辊，由平面辊构成，通过该喷雾区并且前后成对地配置，并且接触于所运送的该基板材料而配设，由此限制喷射出的该蚀刻液在该基板材料的上表面、下表面向前后流动的情况。

关于该阻液棒，限制该蚀刻液越过该坝辊而向前后流出的情况。

关于该联结夹具，在左右、前后配设多个，由此将所运送的该基板材料的下表面进行抵接保持。

技术方案2如以下那样。

在技术方案2的基板材料的蚀刻装置方面，其特征在于，在本技术方案1中，将该喷雾喷嘴与该基板材料之间的上下间隔距离设定为30mm以上～80mm以下，由此使得该蚀刻液以强冲击的喷雾冲击力喷射于该基板材料。

技术方案3如以下那样。

在技术方案3的基板材料的蚀刻装置方面，其特征在于，在本技术方案2中，关于该喷雾喷嘴，喷射压力为0.1MPa以上～0.3MPa以下，相互之间的左右节距间隔为30mm以上～60mm以下，倾斜喷射角度设定为10度以上～30度以下。

技术方案4如以下那样。

在技术方案4的基板材料的蚀刻装置方面，其特征在于，在本技术方案3中，关于该联结夹具，呈现大致纵板状，跨设在该坝辊与其前后的该轮子的轴之间，在前后方向上呈现大致直线状的上端边缘是从下侧接触于在该坝辊附近进行运送的该基板材料的下表面。

技术方案5如以下那样。

在技术方案5的基板材料的蚀刻装置方面，其特征在于，在本技术方案4中，通过设定该喷雾喷嘴与该基板材料间的上述上下间隔距离，从而提高蚀刻因子以及蚀刻率。

尽管这样地设定上述上下间隔距离，但还是通过设定该喷雾喷嘴的上述左右节距间隔、上述倾斜喷射角度、以及通过配设该坝辊、该阻液棒，从而维持蚀刻均匀性。

尽管这样地配设上下的该坝辊，但还是通过配设该联结夹具，从而确保该基板材料的运送稳定性。

技术方案6如以下那样。

在技术方案6的基板材料的蚀刻装置方面，其特征在于，在本技术方案5中，该坝辊被驱动并且在上下对置配设着，由此将该基板材料进行夹持而运送，从而进一步确保该基板材料的运送稳定性。

《关于作用等》

本发明包含这样的机构，因而成为如以下那样。

(1)在蚀刻装置方面，从喷雾喷嘴将蚀刻液喷射于由输送机运送的基板材料的两面，从而进行蚀刻。

(2)而且在本发明中，喷雾喷嘴与基板材料间的上下间隔距离设定为30mm～80mm。

(3)由于使得两者这样地接近着，因而蚀刻液以强的喷雾冲击力喷射于基板材料，提高蚀刻因子、蚀刻率。

(4)喷雾喷嘴的喷射压力为0.1Mpa～0.3Mpa，在不提高其能力的状态下，实现这样的强的喷雾冲击力。

(5)然而，本发明组合采用：上下的坝辊、阻液棒、喷雾喷嘴的密集的左右节距间隔30mm～60mm、以及喷雾喷嘴的10度～30度的倾斜喷射角度等。

(6)因此，尽管蚀刻液以强的喷雾冲击力喷射，但还是会防止：朝向前后的飞散、流出、冲击差异、液体积存、滞留等的发生。关于蚀刻液，如期望的那样在左右流动从而将基板材料蚀刻，然后从两侧流下、排出、更新。

由此，避免蚀刻的过分不足、迟速，没有偏差地形成电路，维持蚀刻均匀性。

(7)然而，在本发明中，设置了很多的坝辊，相应程度而替代地，将输送机的轮子的使用进行了控制，使其缺乏、削减。

(8)因此在本发明中，联结夹具从下侧将在坝辊附近进行运送的基板材料进行保持而支持。

另外，上下的坝辊通过夹持所运送的基板材料，从而支持运送。由此，尽管减少轮子数，但还是确保运送稳定性。

(9)关于本发明的蚀刻装置，如以上那样，尽管提高了蚀刻因子、蚀刻率，但还是维持蚀刻均匀性。而且，尽管维持了蚀刻均匀性，但还是确保运送稳定性。

(10)因此，本发明的基板材料的蚀刻装置发挥下面的效果。

发明的效果

《第1效果》

第1，提高蚀刻因子、蚀刻率。

关于本发明的蚀刻装置，较近地设定着喷雾喷嘴与基板材料间的上下间隔距离，蚀刻液以强冲击的喷雾冲击力，喷射于基板材料。

因此，提高蚀刻因子并且也提高蚀刻率，可确实且迅速地应对于推进高密度化、微细化的电路基板。

《第2效果》

第2，维持蚀刻均匀性。

关于本发明的蚀刻装置，在下侧也配设坝辊，在上侧配设阻液棒，关于上下喷雾喷嘴，密集地设定左右节距间隔，并且倾斜配设着。

由此，避免蚀刻的过分不足、迟速，没有偏差地形成电路。如上所述，为了提高蚀刻因子、蚀刻率，因而使喷雾喷嘴接近于基板材料，尽管提高了喷雾冲击力，但还是维持蚀刻均匀性。

《第3效果》

第3，与它们同时地确保运送稳定性。

关于本发明的蚀刻装置，配设有联结夹具，将基板材料从下侧进行保持而支持运送。另外，上下的坝辊将基板材料进行夹持而支持运送。

因此，为了维持蚀刻均匀性，因而如上所述在上下方向上配设坝辊，尽管相应程度地将轮子的使用进行了控制，但还是使得运送稳定性不变化并且得到确保。

这样地，本发明所发挥的效果，例如，将此种现有技术中存在的课题全都解决等，显著地增强。

附图说明

图1：用于说明本发明的基板材料的蚀刻装置的

具体实施方式

，是主要部分的侧面说明图。

图2：用于说明该具体实施方式，(1)图是主要部分的平面说明图，(2)图是主要部分的底面说明图。

图3：用于说明以往例，是主要部分的侧面说明图。

图4：用于说明以往例，(1)图是主要部分的平面说明图，(2)图是主要部分的底面说明图。

图5：(1)图用于说明该具体实施方式，是主要部分的正面说明图。(2)图用于说明以往例，是主要部分的正面说明图。

图6：(1)图用于说明该具体实施方式，是联结夹具的侧视图。(2)图是蚀刻装置的一般例的侧视图。

图7：用于说明电子电路基板。而且(1)图是平面说明图。(2)图、(3)图、(4)图是电路的放大了的截面说明图，(2)图示出理想例，(3)图示出良好的例子，(4)图示出差的例子。

图8：用于说明电子电路基板，是电路的截面照片。而且(1)图供于说明该具体实施方式，(2)图供于说明以往例。

图9：用于说明该具体实施方式，是蚀刻率的曲线图。

具体实施方式

以下，参照附图而详细说明本发明。

《本发明内容》

首先，本发明内容如以下那样。

关于本发明的基板材料A的蚀刻装置11，在电子电路基板J的制造工序中使用，从喷雾喷嘴4将蚀刻液B喷射于由输送机2运送的基板材料A的两面而进行蚀刻。而且具有上下的坝辊10、12、上侧的阻液棒13、下侧的联结夹具14。

而且，首先，通过设定喷雾喷嘴4与基板材料A间的上下间隔距离E，从而提高蚀刻因子、蚀刻率。

而且，尽管这样地设定上下间隔距离E，但还是通过设定喷雾喷嘴4的左右节距间隔F、倾斜喷射角度α，以及通过配设上下坝辊10、12、阻液棒13，从而维持蚀刻均匀性。

而且，尽管这样地配设上下的坝辊10、12，但还是通过配设联结夹具14，从而确保基板材料A的运送稳定性。

这样地，本发明尽管提高了蚀刻率、蚀刻因子，但还是维持蚀刻均匀性。而且，尽管维持了蚀刻均匀性，但还是确保运送稳定性。

本发明内容如以上那样。以下，对这样的本发明的基板材料A的蚀刻装置11进一步进行详述。

《关于电子电路基板J》

本发明的蚀刻装置11是，在电子电路基板J的制造工序中使用。因此首先，预先参照图7对电子电路基板J一般地进行说明。

关于印刷布线基板等电子电路基板J，小型轻量化、极薄化、柔性化等的进展显著，形成的电子电路K的高密度化、微细化也是显著的。

而且，关于其制造工序中使用的基板材料A，包含通过在绝缘基材贴上铜箔而得到的覆铜层叠板。而且，500mm×400mm尺寸、600mm×500mm尺寸、层厚0.06mm×1.6mm左右的基板材料是代表性的。

关于所形成的电子电路K，电路宽度(底部宽度)L为5μm～40μm左右、电路间空间S为5μm～40μm左右、电路高度(深度)H为12μm～35μm左右的电子电路变多了。

关于电子电路基板J，包含在内外形成电子电路K的两面基板，划分为硬质的刚性型号与薄膜状的柔性型号，但是进一步也出现了多层型号、其它各种型号的电子电路基板。关于本发明，除了从前以来的印刷布线基板以外，也广泛地适用于这样的各种型号的电子电路K。

关于这样的电子电路基板J的制造方法，已知减成法(subtractive method)(参照前述的背景技术栏)、半加成法(semiadditive method)、其它各种制造方法，本发明适用于这样的各制造方法。例如，也使用于半蚀刻(half etching)、软蚀刻(soft etching)、快速蚀刻(quick etching)等中。

电子电路基板J如以上那样。

《蚀刻装置11》

以下，说明本发明的蚀刻装置11。首先，参照图1、图2、图5的(1)图等，对蚀刻装置11进行一般的说明。

关于蚀刻装置11，在上述的电子电路基板J的制造工序中使用通过从上下的喷雾喷嘴4将蚀刻液B喷射于由输送机2进行水平运送的基板材料A的上下两面，从而进行蚀刻处理。

蚀刻液B包含氯化铜，氯化铁、其它的腐蚀液，将基板材料A中露出了的铜箔部分熔解去除。关于蚀刻处理后的蚀刻液B，如图6的(2)图中也表示的那样，朝向腔室5的液槽6流下、回收、贮留，然后经由喷雾泵7、过滤器、喷雾管8等，朝向喷雾喷嘴4进行循环供给而再次使用。

输送机2由3组的上下的轮子夹持基板材料A，在运送方向(前后方向)C运送。关于轮子3，包含例如直径32mm的被驱动的环轮，在前后、左右、上下配设着多个。

很多的轮子3在上下对应地设定位置，但是在下侧喷雾区Z上仅仅配设于上侧，在上侧喷雾区Z下仅仅配设于下侧。各轮子3分别安装于轮轴15。

各轮轴15在运送方向C以等节距间隔排列着。自不用说，在配设坝辊10、12的部位，是没有排列的。坝辊10、12配设部位遏制了轮轴15的排列以及轮子3的配设。即，这是因为配设了坝辊10、12来替代轮轴15、轮子3。

而且，例如15个轮子3分别以等节距间隔配设在左右方向(宽度方向)G的各轮轴15，但是配设在下侧的喷雾区Z附近的轮子3成为更少数个。

即，在下侧，为了防止所运送的基板材料A的落下，因而相比于上侧而言，在喷雾区Z更接近地配设轮轴15以及轮子3，但是为了避免成为蚀刻液B的喷射的阻碍，因而减少轮子3的数值并且成为少的个数。

各轮轴15架设在腔室5内左右地设置了的支架框(未图示)间。予以说明的是，在运送方向(前后方向)C观察后的情况下，位于前后的各轮子3以一部分叠置(overlap)的位置关系配设着。

蚀刻装置11的一般说明如以上那样。

《关于喷雾喷嘴4》

首先，参照图1、图2、图5的(1)图等对本发明的蚀刻装置11的喷雾喷嘴4进行说明。

关于喷雾喷嘴4，在所运送的基板材料A上在各喷雾区Z对置地设定位置，在上下、左右、前后配置多个，并且朝向左方向或右方向斜向地倾斜而配设着。

而且，将喷雾喷嘴4与基板材料A之间的上下间隔距离E设定为30mm以上～80mm以下，由此使得蚀刻液B以强冲击的喷雾冲击力喷射于基板材料A。

另外，喷射压力设定为0.1MPa以上～0.3MPa以下，相互之间的左右节距间隔F设定为30mm以上～60mm以下，倾斜喷射角度α设定为10度以上～30度以下。

对这样的喷雾喷嘴4进一步进行详述。关于喷雾喷嘴4，在上下方向D、左右方向G、前后方向C配设着多个。图示例的喷雾喷嘴4包含长喷嘴。

而且，首先，在运送方向(前后方向)C观察的情况下，位于前后的喷雾喷嘴4相互之间是，按照不对应地设定位置的方式，按照不形成列的方式，构成在左右方向(宽度方向)G上少许偏离了的位置关系。即，前后的喷雾喷嘴4之间是，按照在运送方向(前后方向)C上不排成各1列的方式，在左右方向G上偏离地配设着。

由此，关于基板材料A受到所喷射出的蚀刻液B的喷雾冲击力的部位，按照不在相同轨迹上叠置的方式配置。

而且，喷雾喷嘴4包含下面的各设定。

首先，关于上下的喷雾喷嘴4与通过线路(pass line)中的基板材料A的在上下方向D上的上下间隔距离E，分别设定为较近地接近。由此，蚀刻液B以强冲击的喷雾冲击力喷射于基板材料A(参照图1、图5的(1)图)。

上下间隔距离E设定为30mm～80mm。不足30mm的情况下，喷雾喷嘴4变得过于接近于基板材料A，蚀刻液B施加于基板材料A的喷雾冲击力差异、冲击差异、强弱差异显著化，蚀刻液B在基板材料A上的弹回、飞散也扩大。

与此相对，超过80mm时则过远，整体上成为冲击不足、喷雾冲击力不足、蚀刻不足。

接着，分别将上下的喷雾喷嘴4的喷射压力设定为0.1MPa～0.3MPa。

不足0.1MPa的情况下过弱，蚀刻液B朝向基板材料A的冲击变得不足，喷雾冲击力变得不足，蚀刻变得不足。与此相对，超过0.3MPa时则过强，冲击差异、喷雾冲击力差异、强弱差异显著化，蚀刻液B在基板材料A上的弹回、飞散扩大。

因此例如，上侧的喷雾喷嘴4的喷射压力设定为0.18MPa，下侧的喷雾喷嘴4的喷射压力设定为0.16MPa。

关于上下的喷雾喷嘴4，在分别朝向运送方向C依次成列设置而得到的各列中，左右方向G的左右节距间隔F设定为30mm～60mm。

不足30mm的情况下，喷雾喷嘴4的配设变得困难化。与此相对，超过60mm时则相互之间隔过于宽广，根据与喷雾喷嘴4的远近差，蚀刻液B的冲击差异、喷雾冲击力差异、强弱差异显著化。

关于上下的喷雾喷嘴4，分别朝向左右方向G交替地、斜向地倾斜配设(参照图2、图5的(1)图)。

即，关于朝向运送方向C而成列设置了的各喷雾喷嘴4，在其各列中的每个列中，依次、交替地朝向左右方向G的右方向或左方向。而且，关于朝向于右方向的列与朝向于左方向的列，设置了相同数量的列。

通过倾斜配设这样的喷雾喷嘴4，从而促进喷射于基板材料A的蚀刻液B朝向左右方向G的流动。由此，谋求促进蚀刻液B的更新，消除液体积存，消除滞留。

因此倾斜喷射角度α设定为10度～30度。在不足10度的情况下，无法促进蚀刻液B的流动，与此相对，超过30度时，则蚀刻液B的冲击差异、喷雾冲击力差异、强弱差异显著化。

喷雾喷嘴4如以上那样。

《关于坝辊10、12》

下面，参照图1、图2对本发明的蚀刻装置11的坝辊10、12进行说明。

关于上下的坝辊10、12，包含平面辊，通过喷雾区Z而前后成对地配置，并且接触于所运送的基板材料A而配设着。由此，限制喷射出的蚀刻液B在基板材料A的上表面及下表面向前后流动的情况。

另外，坝辊10、12受驱动，并且在上下对置配设着，由此将基板材料A进行夹持而运送。

对这样的上下的坝辊10、12进一步进行详述。在该蚀刻装置11中，关于以输送机2的前后轮子3间作为中心而形成的各喷雾区Z、即、蚀刻液B的各喷射空间，在其前后分别成对地配设着坝辊10、12。

对应于上侧的各喷雾喷嘴4的列，分别配设着前后成对的坝辊10，对应于下侧的喷雾喷嘴4的列，分别配设着前后成对的坝辊12。

该上下的坝辊10、12例如由直径16mm的平面辊制成。而且使得轴朝向于左右方向G而配设，赋予驱动，接触基板材料A而旋转。

而且，该多个坝辊10、12阻止从喷雾喷嘴4喷射的蚀刻液B沿着基板材料A的上表面、下表面在前后方向C流动的情况。即，按照使得蚀刻液B仅仅在左右方向G流动的方式进行管制，由此谋求着促进蚀刻液B的更新，消除液体积存，消除滞留。

另外，上下的坝辊10、12分别配设于在上下对置的位置，由此，将由输送机2运送的基板材料A进行夹持而运送。关于利用输送机2的轮子3而进行的基板材料A的运送，受到这样的坝辊10、12的辅助性支持，会更稳定地运送。

坝辊10、12如以上那样。

《关于阻液棒13》

下面，参照图1、图2的(1)图对本发明的蚀刻装置11的阻液棒13进行说明。为了管制蚀刻液B越过上侧的坝辊10而向前后流出的情况，因而在上侧配设着多个阻液棒13。

即，阻液棒13是，在左右的支架框(未图示)间、在左右方向G上进行固定架设，由此相对于各坝辊10而言，存在微少的间隔，并且设置在较高的位置。

因此，各阻液棒13限制如下的情况：蚀刻液B以强冲击的喷雾冲击力喷射于基板材料A，从而弹回、飞散、溢出，由此越过各坝辊10而在前后方向D流出。仅利用坝辊10从而在更高位置管制溢出了的蚀刻液B。

关于阻液棒13，按照蚀刻液B在左右方向G流动的方式进行管制。即，增补基于坝辊10而得到的前述的效果，即，促进更新，消除液体积存，消除滞留。

阻液棒13如以上那样。

《关于联结夹具14》

下面，参照图1、图2的(2)图、图6的(1)图等，对本发明的蚀刻装置11的联结夹具14进行说明。

在下侧的左右、前后配设多个联结夹具14，由此将所运送的基板材料A的下表面进行抵接保持。

即，联结夹具14呈现大致纵板状，跨设在下侧的坝辊12与其前后的轮轴15之间，在前后方向C呈现大致直线状的上端边缘是，从下侧接触于在该坝辊12附近进行运送的基板材料A的下表面。

对这样的联结夹具14进一步进行详述。图示例的联结夹具14呈现纵板状，并且具备有3个卡止孔16。而且，中央的卡止孔16嵌入卡止于在坝辊12外周形成的沟槽，前后的卡止孔16外嵌卡止于坝辊12前后的轮轴15。

由此，联结夹具14跨设在下侧的各坝辊12与其前后的轮轴15之间。而且，上端边缘在前后方向C呈现了大致直线状，从下侧将在上侧运送通过的基板材料A下表面进行抵接保持。

关于这样的联结夹具14，分别针对于下侧的各坝辊12，在左右方向G上以等节距配设着。由此，通过从下侧进行抵接保持，从而支持基板材料A的运送。

予以说明的是，关于联结夹具14，除了图示例以外也可考虑各种构成的联结夹具。例如也可以是如下的构成：包含2个卡止孔16，一个卡止孔16嵌入卡止于坝辊12的沟槽，另一个卡止孔16外嵌卡止于轮轴15。

《作用等》

本发明的基板材料A的蚀刻装置11如以上说明了的那样构成着。因此成为如以下那样。

(1)蚀刻装置11在电子电路基板J的制造工序中使用。而且，针对于由输送机2的3组轮子运送的工件、即、基板材料A的上下两面，从在上下、左右、前后配设了多个的喷雾喷嘴4将蚀刻液B进行喷射，从而将基板材料A的上下两面进行蚀刻(参照图1等)。

(2)那么，关于电子电路基板J以及电子电路K，高密度化、微细化的进展显著，由此，蚀刻因子提高、蚀刻率提高的要求愈发变强了。

为了应对于这样的需求，在该蚀刻装置11中，使用长喷嘴作为喷雾喷嘴4，并且将喷雾喷嘴4与通过线路(pass line)中的基板材料A之间的上下间隔距离E设定为30mm～80mm(参照图1、图5的(1)图)。与此相对，在以往例的蚀刻装置9方面通常为90mm以上(参照图3、图5的(2)图)。

(3)这样地，使得喷雾喷嘴4与基板材料A间较近地接近着，因而蚀刻液B以强冲击的喷雾冲击力喷射于基板材料A，由此将铜箔熔解去除。

因此，关于实施精度高的蚀刻、将截面精细加工为近似矩形而得到的电路K，形成图案(参照图7的(3)图)，提高蚀刻因子。进一步也缩短蚀刻所需要的时间，提高蚀刻速度以及蚀刻率。

(4)而且，这是在不提高喷雾喷嘴4的喷射压力、喷雾泵7(参照图6的(2)图)的能力的状态下实现。喷雾喷嘴4的喷射压力(喷雾压力)如以往那样为0.1MPa～0.3MPa左右。

(5)另外，基于这样近的上下间隔距离E，使得蚀刻液B以强的喷雾冲击力喷射于基板材料A，但是维持蚀刻均匀性。

对它们进行详述时，则首先，在该蚀刻装置11中，采用了下面的各结构。

不但在上侧而且在下侧，都配设有坝辊10、12(参照图1、图2)。与此相对，在以往例的蚀刻装置9中，仅在上侧配设(参照图3、图4)。

在上侧配设有阻液棒13(参照图1、图2的(1)图)。

上下的喷雾喷嘴4的左右节距间隔F密集地设定为30mm～60mm(参照图2)。与此相对，在以往例的蚀刻装置9中，设为70mm以上(参照图4)。

上下的喷雾喷嘴4是，以设定为10度～30度的倾斜喷射角度α，进行了倾斜配设(参照图5的(1)图)。与此相对，在以往例的蚀刻装置9中，仅仅在上侧倾斜配设(参照图5的(2)图)。

(6)关于此蚀刻装置11，通过组合采用这样的坝辊10、12、阻液棒13、喷雾喷嘴4的左右节距间隔F、以及喷射角度α，从而维持蚀刻均匀性。

即，尽管蚀刻液B以强的喷雾冲击力进行喷射，但在基板材料A的上表面、下表面，还是不会在前后飞散、流动、流出，也消除冲击差异，也不发生液体积存、滞留。如期望那样，使得蚀刻液B在左右方向G流动，蚀刻了基板材料A，然后从左右两侧流下、排出，依次更新为新鲜的液体。

尽管增强了冲击力，但还是防止蚀刻的过分不足、迟速的发生，在深度、宽度上没有偏差地形成电路K。这样地，蚀刻均匀性不会降低，与以往没有变化，继续地维持。

(7)然而，基板材料A由输送机2的3组轮子进行夹持而运送。与此相对，在本发明中，上下均设置了很多的坝辊10、12来替代轮子3。

即，关于输送机2，相应程度地、削减并且控制了轮子3的使用，很多的轮子3是在设置了坝辊10、12的部位，部分性地缺少了(将图1、图2的(2)图与以往例的图3、图4的(2)图进行比较对照)。

因此，这样下去，在基板材料A的稳定运送方面产生了不安。基板材料A的轻量化、极薄化、柔性化显著，特别是下侧的轮子3的缺少、削减的增加，使得基板材料A的夹持、保持能力变弱并且不足，例如，发生运送中的基板材料A落下的危险等等。

(8)那么，因此，在该蚀刻装置11中，在下侧的左右、前后配设着多个联结夹具14，从下侧将由输送机2在坝辊10、12附近进行运送的基板材料A进行抵接保持(参照图1、图2的(2)图、图6的(1)图等)。

联结夹具14发挥支持输送机2的轮子3对基板材料A的运送的功能。

除此之外，虽然是辅助性的，但是上下的各坝辊10、12也将基板材料A进行夹持而运送。关于坝辊10、12，如前所述，发挥支持蚀刻均匀性的功能，并且也这样地发挥支持输送机2对基板材料A的运送的功能。

在该蚀刻装置11中，利用这样的联结夹具14与坝辊10、12，尽管轮子3减少，但还是增强基板材料A的保持、夹持能力，也没有基板材料A落下的危险等，运送稳定性不变化并且得到确保。

(9)如以上那样，本发明的蚀刻装置11通过设定上下间隔距离E，从而提高蚀刻因子、蚀刻率。

而且，尽管进行这样的设定，但还是通过设定左右节距间隔F、倾斜喷射角度α、通过配设上下坝辊10、12、阻液棒13等等，从而维持蚀刻均匀性。

而且，尽管减少轮子3数量，但还是利用联结夹具14、上下坝辊10、12，从而不会降低运送稳定性，如以往那样确保。

本发明的作用等如以上那样。

实施例

以下，说明本发明的实施例。

《实施例1》

首先，说明实施例1(蚀刻因子)。

图8是电子电路基板J中央部处的电子电路K的纵截面照片，(1)图涉及本发明的实施例，(2)图涉及以往例。

即，在电子电路基板J的制造工序(减成法)方面，关于图8的(1)图，使用本发明的实施例的蚀刻装置11进行了蚀刻测试，结果示出所制造出的电子电路基板J的电子电路K。

与此相对，关于图8的(2)图，使用以往例的蚀刻装置9进行了蚀刻测试，结果示出所制造出的电子电路基板J的电子电路K。

测试对象的电子电路基板J、电子电路K的规格如下面那样(也参照图7)。

基板：两面覆铜层叠板

基板尺寸：W510mm×L410mm

铜箔厚H：上表面侧18μm、底面侧18μm

DF厚(感光性抗蚀剂厚)：15μm

基材厚(绝缘基材的层厚)：150μm

L/S(底部宽度(电路宽度)/电路间空间)：30μm/30μm

间距(L/S的间距)：60μm

予以说明的是，关于L/S，观察修正值40/20。即，使用宽度40μm且空间20μm的感光性抗蚀剂。

蚀刻处理条件如以下那样。

喷雾压力：0.18MPa

蚀刻液：氯化铜(47℃)

运送速度：1.99m/min(实施例)

1.54m/min(以往例)

关于测试的结果，将本发明的实施例与以往例进行比较时，则关于利用实施例进行了图案形成的图8的(1)图的电路K，相比于图8的(2)图的以往例的电路K而言，与蚀刻因子相关，截面成为了更近似于矩形的理想形状(参照图7的(3)图)。

即，分别对于所制造出的两者的电子电路基板J，在XY方向上在相等间隔的基板面内150个测定点，对电子电路K进行了截面观察。于是，本发明的实施例相比于以往例而言，蚀刻因子提高了约1.1倍。即，蚀刻因子的平均值数据在实施例中为约6.1，在以往例中为约5.5。

这样地，关于本发明的作用效果即蚀刻因子提高，根据实施例的蚀刻装置11的测试数据也得到了印证。印证了，通过采用使得喷雾喷嘴4相对于基板材料A的上下间隔距离E变近了的设定，从而精度更高地实现铜箔的熔解去除即蚀刻，使得蚀刻因子提高。

实施例1如以上那样。

《实施例2》

接着，说明实施例2(蚀刻率)。

图9是蚀刻率的曲线图。在该实施例2中，在电子电路基板J的制造工序(减成法)方面，使用本发明的实施例的蚀刻装置11以及以往例的蚀刻装置9，分别对蚀刻率实施了蚀刻测试。

而且，对于所形成的电子电路K的底部宽度(电路宽度)L(参照图7)，每隔5秒进行了计量。即，在45秒～75秒的蚀刻时间中，每隔5秒，分别计量了所形成的电路K的底部宽度L。

关于测试对象的电子电路基板J、电子电路K的规格、蚀刻处理条件，依照在实施例1方面在前面叙述了的内容，但是仅仅下面的几点是不同的。

DF厚(感光性抗蚀剂厚)：20μm

L/S(底部宽度(电路宽度)/电路间空间)：25μm/25μm(没有修正)

间距(L/S的间距)：50μm

关于测试的结果，在获得期望的底部宽度25μm方面，在本发明的实施例中为约53.5秒，与此相对，在以往例中为约62.5秒。在实施例中在53.5秒左右完成了，相对于此，在以往例中需要62.5秒左右(并且，图9中底部宽度40μm是蚀刻当初的状态，底部宽度15μm是蚀刻过多的状态)。

这样地，关于本发明的作用效果即蚀刻率提高、例如蚀刻率在数据上提高约1.2倍等，根据实施例的蚀刻装置11的测试数据也得到了印证。

印证了，通过采用使得喷雾喷嘴4相对于基板材料A的上下间隔距离E变近了的设定，从而缩短熔解去除铜箔所需要的时间，提高蚀刻速度以及蚀刻率。

实施例2如以上那样。

《实施例3》

接着，说明实施例3(蚀刻均匀性)。

在此实施例3中，使用本发明的实施例的蚀刻装置11以及以往例的蚀刻装置9，实施半蚀刻，由此对于蚀刻均匀性实施了测试。

即，对于不存在电路K的CCL基板中的层厚70μm的铜箔，将目标值设为35μm而进行半蚀刻，从而进行蚀刻测试，由此，在X、Y方向上在相等间隔的基板面内100个测定点，测定出残铜厚。

测试对象的规格如以下那样。

基板：两面覆铜层叠板、CCL基板

基板尺寸：W510mm×L410mm

铜箔厚：70μm

予以说明的是，处理条件的蚀刻时间、喷雾压力记载于表中，蚀刻液使用氯化铜(47℃)。

关于这样的测试的结果，获得了下面的表1及表2的数据。而且在数据上，90％以上的蚀刻均匀性(Uniformity)不变化并且得到了确保。

即，如表1及表2所示那样，根据本发明的蚀刻装置11，在上下表面均获得了与以往例的蚀刻装置9为同等、或者其以上的蚀刻均匀性的数据。

表1

蚀刻均匀性等(上表面)

表2

蚀刻均匀性等(下表面)

表中的蚀刻均匀性(Uniformity)的算出如以下那样。首先，基于所测定得到的残铜厚(μm)，→获得平均残铜厚(μm)。→而后通过从70(μm)减去该平均残铜厚(μm)，→从而算出平均蚀刻量(μm)(表中记载)。

→然后，从1减去3×标准偏差(μm)(表中记载)/该平均蚀刻量(μm)的值。→由此，算出蚀刻均匀性(％)。

于是，如表1、表2中所示，本发明的蚀刻均匀性成为上表面95.0％、下表面93.7％，成为了与以往例的上表面91.2％、下表面94.0％相同水平的数据。

并且，如表1、表2中所示那样，在标准偏差(μm)的值、R即Range(残铜厚的Max-残铜厚的Min)方面，本发明的实施例这一方也分别成为相比于以往例而言稍低的值，并且是优异的，从这方面也确认出蚀刻均匀性的维持。另外，在蚀刻率方面，本发明相比于以往例而言也成为短时间，也获得了优异的数据。

这样地，关于本发明的作用效果即蚀刻均匀性的维持，根据实施例的蚀刻装置11的测试数据也得到了印证。

印证了，通过组合采用坝辊10、12、阻液棒13、喷雾喷嘴4的左右节距间隔F、喷射角度α等，从而尽管使得喷雾喷嘴4的上下间隔距离E变近，但还是确保蚀刻均匀性。

实施例3如以上那样。

附图标记说明

A 基板材料，

B 蚀刻液，

C 运送方向(前后方向)，

D 上下方向，

E 上下间隔距离，

F 左右节距间隔，

G 左右方向(宽度方向)，

H 电路高度(深度)，

J 电子电路基板，

K (电子)电路，

L 电路宽度(底部宽度)，

S 电路间空间，

T 顶面宽度(顶部宽度)，

Z 喷雾区，

α 倾斜喷射角度，

1 蚀刻装置(一般例)，

2 输送机，

3 轮子，

4 喷雾喷嘴，

5 腔室，

6 液槽，

7 喷雾泵，

8 喷雾管，

9 蚀刻装置(以往例)，

10 坝辊，

11 蚀刻装置(本发明)，

12 坝辊，

13 阻液棒，

14 联结夹具，

15 轮轴，

16 卡止孔。