具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。

附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

由于半导体存储器工作频率的提高，信号之间可容错的范围变得非常小，如果不通过训练使信号满足相应的时延要求，半导体存储器无法正常工作。半导体存储器训练是半导体存储器初始化工作的一个必须环节，训练不完成则半导体存储器不能完成初始化，系统数据及代码不能加载到半导体存储器，故半导体存储器训练的快慢决定了系统启动的快慢。

图1示意性示出了根据本公开的一实施例的半导体存储器的训练方法的流程图。本公开实施例中，所述半导体存储器可以是任意一种半导体存储器，例如，DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存储器)，在下面的举例说明中，以LPDDR 4(Low Power DDR SDRAM，低功率DDR SDRAM)为例进行举例说明，但本公开并不限定于此，半导体存储器可以是任意一种存储器。

本公开实施例中，所述半导体存储器可以包括多根目标信号线，每根目标信号线在目标电压参考范围内可以具有多个参考电压。

本公开实施例中的目标信号线例如可以是半导体存储器的命令信号线(可以简写为CA信号线，其对应的是CA信号)、数据信号线(其对应的是数据信号)等中的任意一种或者多种。在下面的举例说明中，均以LPDDR 4的六根CA信号线(标记为CA0-CA5)作为该多根目标信号线为例进行举例说明，其它信号线的训练过程与此类似。

其中，命令或数据信号均有相应的电压参考范围(Range)，如JEDEC(JointElectron Device Engineering Council，联合电子设备工程委员会)标准中规定LPDDR4CA信号的电压参考分为两个Range：Range[0]范围为10.0％-30.0％的V_DD2，Range[1]范围为22.0％-42.0％的V_DD2，两个Range步长均为0.4％，两个电压参考范围有重合部分，如下表1所示，即两个Range的参考电压共81(一共102个减去21个重合的)个。

在下面的举例说明中，均以目标电压参考范围为上述Range[0]和Range[1]范围、且该多个参考电压为上述两个Range中的81个参考电压为例进行举例说明。但需要说明的是，不同的协议有不同的电压参考范围及步长，因此，本公开实施例并不限于上述举例说明。

表1

本公开实施例中，假设当前被测试的半导体存储器具有命令信号线6根，数据信号线8或者16根(不同的协议可能会有不同)。其中，在CA Training中需要获得各个参考电压下CA0-CA5共6根命令信号线的工作时延范围中的最小值(例如，该81个参考电压下该6根命令信号线的最小时延值)中的最大值(即期望时延值)，由于有电压参考范围及工作时延值两个变量，故称为二维。

相关技术中，在训练过程中，是先获得所有CA信号在每个参考电压下的最小时延值，然后在所有参考电压下，获得这些最小时延值中的最大值。

例如，针对上述6根CA信号线中的每个CA信号，需要依次测试81个参考电压下的时延情况，假设初始时延范围为0-1023，且假设当前被测试的一根CA信号线的工作时延范围实际上是[104,706]，其中104为左侧margin值，706为右侧margin值，则获取该一根CA信号线在一个参考电压下的工作时延范围的过程为：从0时延开始，每次加1时延来判断该一根CA信号线是否能正常工作，由于在测试时延706时发现该一根CA信号线仍然能够正常工作，而在测试时延707时发现该一根CA信号线不能够正常工作，因此该一根CA信号线一共需要右侧margin值+2＝708次判定，才能确定出该根CA信号线的右侧margin值为706。其中，“右侧margin值+2”个判定时间之和即为该一根CA信号线获取工作时延范围的测试耗时。

依据上述方式，分别计算出6根CA信号线在81个参考电压下各自的测试耗时，然后再将这6*81个测试耗时进行累计，即为这6根CA信号线的总测试时间。由此可以获知，相关技术中采用的训练方式，计算量非常大，从而会导致训练时间较长，进而影响系统启动速度。

本公开实施例对上述相关技术中的测试方式进行改进，主要包括两大步：第一步是改进获得每根目标信号线的工作时延范围的方法；第二步是改进获得所有参考电压下所有目标信号线的最小时延值中的最大值即期望时延值的方法。下面分别对其进行说明。

如图1所示，本公开实施例提供的半导体存储器的训练方法可以包括以下步骤。

在步骤S110中，从所述多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压。

例如，可以选取上述81个参考电压中的任意一个参考电压作为第一参考电压。当该第一参考电压不是上述81个参考电压中的最大参考电压和最小参考电压时，可以选择第一参考电压左侧相邻的另一个参考电压作为第二参考电压，或者选择第一参考电压右侧相邻的另一个参考电压作为第二参考电压。在下面的举例说明中，以选择上述81个参考电压中的中间参考电压(标记为midVref)作为第一参考电压，midVref-1个参考电压作为第二参考电压为例进行举例说明，但本公开并不限定于此。

在步骤S120中，根据每根目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值。

例如，在分别获得CA0-CA5中的每一根CA信号线在上述81个参考电压中的每一个参考电压下的工作时延范围，假设第i根CA信号在第j个参考电压下的工作时延范围记录为[leftVal_ij，rightVal_ij]，i的取值为0至5的整数，j的取值为0至80的整数，leftVal_ij为第i根CA信号在第j个参考电压下的左侧margin值(最小时延值)，rightVal_ij为第i根CA信号在第j个参考电压下的右侧margin值(最大时延值)，并假设这里选择了第k(k的取值为1至79中的任意一个整数)个参考电压(例如上述的midVref，此时k＝40)作为第一参考电压，则CA0-CA5在第一参考电压下的第一最小时延值minVal_k＝min(leftVal_0k,leftVal_1k,leftVal_2k,leftVal_3k,leftVal_4k,leftVal_5k)。

在步骤S130中，根据每根目标信号线在所述第二参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二参考电压下的第二最小时延值。

例如，假设第二参考电压为第k-1个参考电压，则CA0-CA5在第二参考电压下的第二最小时延值curVal_(k-1)＝min(leftVal_0(k-1),leftVal_1(k-1),leftVal_2(k-1),leftVal_3(k-1),leftVal_4(k-1),leftVal_5(k-1))。

再例如，若选择了第k+1个参考电压作为第二参考电压，则CA0-CA5在第二参考电压下的第二最小时延值curVal_(k+1)＝min(leftVal_0(k+1),leftVal_1(k+1),leftVal_2(k+1),leftVal_3(k+1),leftVal_4(k+1),leftVal_5(k+1))。

在步骤S140中，根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，所述期望时延值为所述多个参考电压下所述多根目标信号线的最小时延值中的最大值。

例如，期望时延值是指CA0-CA5在81个参考电压下的最小延时值中的最大延时值，即假设第j个参考电压下CA0-CA5的最小延时值为curVal_j＝min(leftVal_0j,leftVal_1j,leftVal_2j,leftVal_3j,leftVal_4j,leftVal_5j)，则期望时延值＝max(curVal₀，curVal₁，curVal₂，curVal₃，curVal₄，curVal₅，curVal₆，curVal₇，curVal₈，…，curVal₈₀)。注意，这里是指期望时延值的含义，而不是本公开实施例获得期望时延值的方式。

在步骤S150中，在所述目标区间内查找所述期望时延值，以确定所述期望时延值对应的参考电压作为所述半导体存储器的训练结果。

本公开实施方式提供的半导体存储器的训练方法，通过从每根目标信号线在目标电压参考范围内的多个参考电压中，选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压，并根据每根目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值，以及根据每根目标信号线在所述第二参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二参考电压下的第二最小时延值，从而可以根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，然后在所述目标区间内查找所述期望时延值，以确定所述期望时延值对应的参考电压作为所述半导体存储器的训练结果，即通过目标区间减小期望时延值搜寻范围，可以提高期望时延值的搜寻效率，进而可以提高半导体存储器的训练效率，降低训练所使用的时间，因此，能够加快系统启动的速度。

图2示意性示出了图1中的步骤S120在一示例性实施例中的处理流程图。本公开实施例中，所述多根目标信号线可以包括第一目标信号线。

例如，还是以上述CA0-CA5为例，假设第一目标信号线为CA0(并不限于此，可以是该多根目标信号线中的任意一根)，对CA0如何在第一参考电压下获得其工作时延范围进行举例说明，其他目标信号线在各个参考电压下获得工作时延范围的方法可以参照进行类似处理。

如图2所示，本公开实施例中，上述步骤S120可以进一步包括以下步骤。

在步骤S121中，获取所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的初始时延范围。

例如，假设CA0在midVref参考电压下的初始时延范围为0-1023，且还是假设CA0在midVref参考电压下的工作时延范围实际上是[104,706]。在需要说明的是，这里仅用于举例说明，实际上的初始时延范围和工作时延范围可以根据实际情况而定。

在步骤S122中，在所述初始时延范围内，按照第一步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第一待测试时延值。

本公开实施例中，将第一步长用N1表示，即相邻两个时延值的差值为N1，N1为大于1的正整数。例如，假设N1＝10(本公开并不限定于此，可以根据实际需要进行设置)，从初始时延范围第一侧(下面的举例说明中，均以第一侧为左侧为例进行举例说明)的“0”时延值开始，以第一步长10往初始时延范围第二侧(下面的举例说明中，均以第二侧为右侧为例进行举例说明)递增，则可以获得CA0在midVref参考电压下的多个第一待测试时延值，例如0,10,20,30,40,50,60,70,80,90,100,110,120，…，690,700,710，....1010,1020。

在步骤S123中，在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第一待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则根据第二步长在首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。

例如，首先从0时延值开始，在midVref参考电压下，测试CA0是否能够正常工作，若测试结果为不能正常工作(即非正常工作)，则继续测试CA0在10时延值下是否能够正常工作，若测试结果为非正常工作，则继续测试CA0在20时延值下是否能够正常工作，…，这样一直测试到100时延值时，CA0还是不能在midVref参考电压下正常工作，但是测试到110时延值时，CA0能在midVref参考电压下正常工作，即首次查找到相邻两个第一待测试时延值100和110下，CA0的测试结果不一致(即100时延值下的测试结果为正常工作，110时延值下的测试结果为非正常工作)，此时可以判定CA0在midVref参考电压下的工作时延范围的左侧margin值在100与110时延值之间，此时可以采用比第一步长N1小的第二步长M1在100与110时延值之间继续精确查找CA0在midVref参考电压下的工作时延范围的左侧margin值。

本公开实施例中，第二步长M1为大于或等于1的正整数，且N1>M1。其中，M1的取值越小，则最终测试获得的该第一目标信号线在该第一参考电压下的工作时延范围和实际工作时延范围越接近，即测试结果越准确。

图3示意性示出了图1中的步骤S120在一示例性实施例中的处理流程图。如图3所示，本公开实施例中，上述步骤S120可以进一步包括以下步骤。

在步骤S124中，在所述第一参考电压下，向所述半导体存储器写入数据。

还是以CA0在midVref参考电压下如何测试其是否能够正常工作的过程进行举例说明，在midVref参考电压下，向当前被测试的半导体存储器写入预设的一些数据。

在步骤S125中，在所述第一参考电压下，在所述第一待测试时延值后，从所述半导体存储器读取数据。

然后，首先以第一待测试时延值为0为例，在midVref参考电压下，在0时延值后，再从该半导体存储器中读取出上述写入的预设的一些数据(这些预设的数据可以是任意预先已知其取值的数据，具体取值和生成方式本公开对此不做限定)。

在步骤S126中，若所述写入数据与所述读取数据一致，则判定在所述第一参考电压下的所述第一待测试时延值下，所述第一目标信号线的测试结果为正常工作。

若在midVref参考电压下，经过0时延值后读取的数据与上述写入的预设的一些数据是相同的，则说明在midVref参考电压下，CA0在0时延值下是能够正常工作的。

在步骤S127中，若所述写入数据与所述读取数据不一致，则判定在所述第一参考电压下的所述第一待测试时延值下，所述第一目标信号线的测试结果为非正常工作。

反之，若在midVref参考电压下，经过0时延值后读取的数据与上述写入的预设的一些数据是不相同的，则说明在midVref参考电压下，CA0在0时延值下是不能够正常工作的。

然后，可以继续以第一待测试时延值为10进行测试，在midVref参考电压下，向当前被测试的半导体存储器写入预设的一些数据，在10时延值后，再从该半导体存储器中读取出上述写入的预设的一些数据。若在midVref参考电压下，经过10时延值后读取的数据与上述写入的预设的一些数据是相同的，则说明在midVref参考电压下，CA0在10时延值下是能够正常工作的。反之，若在midVref参考电压下，经过10时延值后读取的数据与上述写入的预设的一些数据是不相同的，则说明在midVref参考电压下，CA0在10时延值下是不能够正常工作的。以此类推，可以获得CA0在0,10,20,30,40,50,60,70,80,90,100,110这些第一待测试时延值下是否能够正常工作的测试结果。

图4示意性示出了图2中的步骤S123在一示例性实施例中的处理流程图。如图4所示，本公开实施例中，上述步骤S123可以进一步包括以下步骤。

在步骤S1231中，从首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第一侧的第一待测试时延值开始，按照所述第二步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第二待测试时延值。

例如，假设M1＝2(但本公开并不限定于此，M1比N1小的正整数都可以)。从首次查找到的相邻两个第一待测试时延值100和110中的位于左侧的第一待测试时延值100开始，按照第二步长2依次递增可以获得CA0在midVref参考电压下的第二待测试时延值102,104,106,108。

在步骤S1232中，在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第二待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第二待测试时延值中的位于第二侧的第二待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。

类似的，可以在midVref参考电压下，向当前被测试的半导体存储器写入预设的一些数据。在midVref参考电压下，在102时延值后，再从该半导体存储器中读取出上述写入的预设的一些数据。若在midVref参考电压下，经过102时延值后读取的数据与上述写入的预设的一些数据是相同的，则说明在midVref参考电压下，CA0在102时延值下是能够正常工作的。反之，若在midVref参考电压下，经过102时延值后读取的数据与上述写入的预设的一些数据是不相同的，则说明在midVref参考电压下，CA0在102时延值下是不能够正常工作的。这里，由于CA0在midVref参考电压下的实际工作时延范围的左侧margin值为104，所以在102时延值下的测试结果为非正常工作。然后，继续测试CA0在midVref参考电压下，在104时延值下是否能够正常工作，这里的测试结果为能够正常工作，即首次查找到相邻两个第二待测试时延值102和104下CA0在测试结果不一致，此时，可以将位于右侧的第二待测试时延值104作为CA0在midVref参考电压下的最小时延值，即测试获得的左侧margin值。

需要说明的是，在测试获得第一目标信号线在第一参考电压下的最小时延值的过程中，并不一定需要依次测试所有的第一待测试时延值和所有的第二待测试时延值，例如上述举例中第一待测试时延值只需测试部分即0,10,20,30,40,50,60,70,80,90,100,110，第二待测试时延值也只需测试部分即102和104。

图5示意性示出了图2中的步骤S123在一示例性实施例中的处理流程图。如图5所示，本公开实施例中，上述步骤S123可以进一步包括以下步骤。

在步骤S1233中，从首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第二侧的第一待测试时延值开始，按照所述第二步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第二待测试时延值。

在步骤S1234中，在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第二待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第二待测试时延值中的位于第一侧的第二待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。

例如，从首次查找到的相邻两个第一待测试时延值100和110中的位于右侧的第一待测试时延值110开始，按照第二步长2依次递减可以获得CA0在midVref参考电压下的第二待测试时延值108,106,104,102。然后，首先测试在midVref参考电压下，CA0在108时延值下是否能够正常工作，这里假设测试结果为能够正常工作，继续测试CA0在106时延值下是否能够正常工作，这里假设测试结果还是为能够正常工作，则继续测试CA0在104时延值下是否能够正常工作，这里假设测试结果仍然为能够正常工作，继续测试CA0在102时延值下是否能够正常工作，这里假设测试结果为非正常工作，即首次查找到相邻两个第二待测试时延值104和102下CA0的测试结果不一致，此时，可以将位于左侧的第二待测试时延值104作为CA0在midVref参考电压下的最小时延值，即测试获得的左侧margin值。由此可以看出，不管是按照第二步长M1从左侧开始递增，还是从右侧开始递减，测试获得的结果是一致的，不会影响结果的准确性。

需要说明的是，本公开实施例并不限于上述利用两个步长的方式来测试获得各个目标信号线在各个参考电压下的工作时延范围的左侧margin值，例如，还可以设置3个或者以上的步长来查找，这3个或者以上的步长以逐次减小的，即可以首先利用这3个或者以上的步长中的最大的第一步长查找到左侧margin值所在的较大区间，然后利用比第一步长小的第二步长在这个较大区间内再确定左侧margin值所在的较小区间，然后再利用比第二步长更小的其它步长在该较小区间内继续进行精确查找。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：在所述第一参考电压下，若再次查找到相邻两个第一待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则根据第三步长在再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值；其中所述第一步长大于所述第三步长。

本公开实施例中，第三步长M2<第一步长N1，M2为大于或等于1的正整数。其中，第三步长M2可以与第二步长M2相等，也可以不相等，在下面的举例说明中，以M2＝M1＝2为例进行举例说明，但本公开并不限定于此。

例如，从上述的第一待测试时延值110继续测试，可以测试CA0在第一参考电压midVref下，第一待测试时延值120,130，…，一直到700下均能够正常工作，直到第一待测试时延值710下CA0不能正常工作，即再次查找到相邻两个第一待测试时延值700和710的测试结果不一致，说明CA0在第一参考电压下的工作时延范围的右侧margin值即最大时延值在700和710之间，此时可以以第三步长M2继续在700和710之间查找右侧margin值。

在示例性实施例中，根据第三步长在再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值，可以包括：从再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第一侧的第一待测试时延值开始，按照所述第三步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第三待测试时延值；在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第三待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第三待测试时延值中的位于第一侧的第三待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值。

例如，以第三步长M2继续在700和710之间查找右侧margin值。可以从700开始，按照M2＝2依次递增获得各个第三待测试时延值702、704、706和708。然后再测试CA0在第一参考电压下，在702、704和706时延值下的测试结果均为正常工作，在708时延值下的测试结果为非正常工作，即首次查找到相邻两个第三待测试时延值706和708的测试结果不一致，此时，可以将位于左侧的第三待测试时延值706作为CA0在第一参考电压下的最大时延值，由此获得CA0在第一参考电压下的工作时延范围为[104,706]。

在示例性实施例中，根据第三步长在再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值，可以包括：从再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第二侧的第一待测试时延值开始，按照所述第三步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第三待测试时延值；在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第三待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第三待测试时延值中的位于第二侧的第三待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值。

例如，以第三步长M2继续在700和710之间查找右侧margin值。可以从710开始，按照M2＝2依次递减获得各个第三待测试时延值708、706、704和702。然后再测试CA0在第一参考电压下，在708时延值下的测试结果为非正常工作，在706时延值下的测试结果为正常工作，即首次查找到相邻两个第三待测试时延值708和706的测试结果不一致，此时，可以将位于右侧的第三待测试时延值706作为CA0在第一参考电压下的最大时延值，由此也可以获得CA0在第一参考电压下的工作时延范围为[104,706]。

由此可以获得，同样测试CA0在第一参考电压下的工作时延范围[104,706]，相关技术中需要进行706+2＝708次判定(因为从0开始，并且需要判定到707，即0-707)，改用本公开实施例提供的方法后，仅需要测试[0-110]时延范围中的第一待测试时延值12次，[102-108]时延范围中的第二待测试时延值4次，[120-710]时延范围中的第一待测试时延值60次，[702-708]时延范围中的第三待测试时延值4次，总共12+4+60+4＝80次，相对于相关技术中的方案较大的减少了测试次数，节省了计算资源，可以加快测试速度，节约了测试时间，提升了测试效率。

需要说明的是，在测试获得第一目标信号线在第一参考电压下的最大时延值的过程中，并不一定需要依次测试所有的第一待测试时延值和所有的第二待测试时延值。类似地，本公开实施例并不限于上述利用两个步长的方式来测试获得各个目标信号线在各个参考电压下的工作时延范围的右侧margin值。其次，还可以从初始时延范围的右侧例如1023开始按照第一步长依次递减获得各个第一待测试时延值，本公开对此不做限定。

在其他实施例中，也可以首先获得第一目标信号线在第一参考电压下的每个第一待测试时延值下的测试结果，例如假设在初始时延范围内一共有0，N1，2N1，3N1，…，100N1个第一待测试时延值，其中0到9N1的测试结果为非正常工作，10N1到80N1的测试结果为正常工作，81N1到100N1的测试结果为非正常工作，则可以判定左侧margin值在9N1至10N1之间，右侧margin值在80N1和81N1之间，然后分别利用M1步长在9N1至10N1之间精确查找左侧margin值，利用M2步长在80N1和81N1之间精确查找右侧margin值。

本公开实施例还提供了改进所有参考电压下获得所有目标信号线的最小时延值中的最大值即期望时延值的方法。通过上述实施例的方法即可获得每根目标信号线在各个参考电压下的最小时延值，由于半导体存储器例如半导体存储器的工作性质决定了，在各个参考电压下，所有目标信号线的最小时延值中的最小值一般为正态分布形式、随着参考电压的增高而增高或者随着参考电压的增高而减小三种方式，但预先无法获知是这三种方式中的哪一种，因为每个半导体存储器的情况可能不相同，需要通过本公开实施例提供的方法来测试。

在下面的举例说明中，将所有参考电压例如上述81个参考电压从小到大排序。

在示例性实施例中，根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，可以包括：若所述第二参考电压位于所述第一参考电压的第一侧，且所述第一最小时延值大于所述第二最小时延值，则所述目标区间处于所述第一参考电压和所述多个参考电压中的最大参考电压之间。

例如，这里以第二参考电压为第k-1个参考电压为例进行举例说明，若第一最小时延值minVal_k大于第二最小时延值curVal_(k-1)，说明此时期望时延值在升序排列后的81个参考电压的右侧，则此时可以确定期望时延值所在目标区间为第一参考电压即第k个参考电压和这81个参考电压中的最大参考电压即第81个参考电压之间。

下面结合图8的正态分布形式对上述方法进行举例说明。图8中X轴为参考电压，Y轴为所有目标信号线在各个参考电压下的最小时延值中的最小值。

图8中，0-20参考电压范围margin均为0，55参考电压下margin为最大值即实际的期望时延值。

在参考电压范围内任意取一个参考电压作为第一参考电压，这里假设取第31个参考电压即参考电压30(参考电压0代表第一个参考电压)，即k＝30，可以获得这个第一参考电压下所有目标信号线的最小时延值中的最小值即第一最小时延值minVal₃₀。

再获取k-1＝29参考电压下所有目标信号线的最小时延值中的最小值即第二最小时延值curVal₂₉，发现curVal₂₉小于minVal₃₀，说明期望时延值在参考电压30的右侧。

图6示意性示出了图1中的步骤S150在一示例性实施例中的处理流程图。如图6所示，本公开实施例中，上述步骤S150可以进一步包括以下步骤。

在步骤S151中，从所述第一参考电压开始，在所述目标区间内按照第四步长选取第一待测试参考电压。

本公开实施例中，第四步长假设为N2，N2为大于1的正整数。在下面的举例说明中，以N2＝8为例进行举例说明，但本公开并不限定于此。这里的各个第一待测试参考电压仍然属于上述81个参考电压。

还是以图8为例，从参考电压30开始，按照第四步长N2开始依次递增选取第一待测试参考电压38，46，54，62，70，78，86。

在步骤S152中，根据每根目标信号线在所述第一待测试参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一待测试参考电压下的测定时延值。

例如，获得CA0-CA5在第一待测试参考电压下的最小时延值，然后将CA0-CA5在第一待测试参考电压下的最小时延值中的最小值作为所述多根目标信号线在所述第一待测试参考电压下的测定时延值。

还是以图8为例，获得CA0-CA5各自在第一待测试参考电压38下的六个最小时延值，然后将这六个最小时延值中的最小值作为CA0-CA5在第一待测试参考电压38下的测定时延值。类似的方式，可以获得CA0-CA5在第一待测试参考电压46下的测定时延值。

在步骤S153中，若首次查找到所述第一待测试参考电压中存在相邻的第一目标待测试参考电压和第二目标待测试电压，在所述第一目标待测试电压下所述多根目标信号线的测定时延值大于在所述第二目标待测试电压下所述多根目标信号线的测定时延值，则根据第五步长在所述第一目标待测试电压和所述第二目标待测试电压之间查找所述期望时延值。

本公开实施例中，可以用M3来表示第五步长，M3为大于或等于1的正整数，且M3<N2。在下面的举例说明中，假设M3＝2。

还是以图8为例，CA0-CA5在第一待测试参考电压38下的测定时延值小于CA0-CA5在第一待测试参考电压46下的测定时延值，则说明期望时延值在第一待测试参考电压46的右侧，需要继续查找。继续获得CA0-CA5在第一待测试参考电压54下的测定时延值，经过比较发现，CA0-CA5在第一待测试参考电压46下的测定时延值小于CA0-CA5在第一待测试参考电压54下的测定时延值，则说明期望时延值在第一待测试参考电压54的右侧，需要继续查找。继续获得CA0-CA5在第一待测试参考电压62下的测定时延值，经过比较发现，CA0-CA5在第一待测试参考电压54下的测定时延值大于CA0-CA5在第一待测试参考电压62下的测定时延值，则说明期望时延值相邻两个第一待测试参考电压54和62之间，此时，第一待测试参考电压54即为第一目标待测试电压，62即为第二目标待测试电压。

然后，利用第五步长M3在第一目标待测试电压54和第二目标待测试电压62之间查找所述期望时延值。

图7示意性示出了图6中的步骤S153在一示例性实施例中的处理流程图。如图7所示，本公开实施例中，上述步骤S153可以进一步包括以下步骤。

在步骤S1531中，从所述第一目标待测试电压开始，按照所述第五步长选取第二待测试参考电压。

例如，第一目标待测试电压54开始，按照第五步长M3＝2依次递增可以获得第二待测试参考电压54，56,58，60和62。

在步骤S1532中，根据每根目标信号线在所述第二待测试电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二待测试参考电压下的测定时延值。

例如，根据CA0-CA5在第二待测试参考电压56下的六个最小时延值，将这六个最小时延值中的最小值作为CA0-CA5在第二待测试参考电压56下的测定时延值。

在步骤S1533中，若首次查找到所述第二待测试参考电压中存在相邻的两个第二待测试电压，所述相邻的两个第二待测试参考电压中位于第一侧的第二待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值大于位于第二侧的第二待测试电压下的所述多根目标信号线的测定时延值，则将位于第一侧的第二待测试参考电压下的所述多根目标信号的测定时延值作为所述期望时延值。

例如，若CA0-CA5在第二待测试参考电压54下的测定时延值小于CA0-CA5在第二待测试参考电压56下的测定时延值，则说明期望时延值在第二待测试参考电压56的右侧，需要继续查找。继续获得CA0-CA5在第二待测试参考电压58下的测定时延值，若经过比较发现，CA0-CA5在第二待测试参考电压56下的测定时延值大于CA0-CA5在第二待测试参考电压58下的测定时延值，则可以将第二待测试参考电压56下的CA0-CA5的测定时延值作为所述期望时延值。

可以理解的是，利用上述第四步长和第五步长查找到的期望时延值可能与实际的期望时延值之间有误差，但这是在均衡了测试时间和测试效果情况下，得到接近实际期望时延值的期望时延值。

在示例性实施例中，根据第五步长在所述第一目标待测试电压和所述第二目标待测试电压之间查找所述期望时延值，还可以包括：若所述相邻的两个第二待测试参考电压中位于第一侧的第二待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值等于位于第二侧的第二待测试电压下的所述多根目标信号线的测定时延值，则将位于第二侧的第二待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值；或者将所述相邻的两个第二待测试参考电压的平均参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值。

还是以图8为例，CA0-CA5在第二待测试参考电压56下的测定时延值等于CA0-CA5在第二待测试参考电压54下的测定时延值，则可以将第二待测试参考电压56下的CA0-CA5的测定时延值作为期望时延值。或者也可以求取第二待测试参考电压54和56的平均参考电压55，将平均参考电压55下的CA0-CA5的测定时延值作为期望时延值。

在示例性实施例中，在所述目标区间内查找所述期望时延值，还可以包括：若所述最大参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值是所有第一待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值中的最大值，则将所述最大参考电压下所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值。

例如，对于随着参考电压的增高而增高的形式，可以利用上述第四步长和第五步长，找到81个参考电压中的最大参考电压对应的测定时延值即为期望时延值。

在示例性实施例中，根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，可以包括：若所述第二参考电压位于所述第一参考电压的第一侧，且所述第一最小时延值小于所述第二最小时延值，则所述目标区间处于所述第二参考电压和所述多个参考电压中的最小参考电压之间。

例如，这里以第一参考电压为k＝62，第二参考电压为k-1＝61参考电压为例进行举例说明，从图8可以看出，此时第一最小时延值minVal_k小于第二最小时延值curVal_(k-1)，说明此时期望时延值在升序排列后的81个参考电压的左侧，则此时可以确定期望时延值所在目标区间为第二参考电压即参考电压61和这81个参考电压中的最小参考电压即参考电压0之间。

图9示意性示出了图1中的步骤S150在一示例性实施例中的处理流程图。如图9所示，本公开实施例中，上述步骤S150可以进一步包括以下步骤。

在步骤S154中，从所述第二参考电压开始，在所述目标区间内按照第六步长获得第三待测试参考电压。

本公开实施例中，第六步长用N3表示，N3为大于1的正整数。第六步长可以与第四步长相等，也可以不相等。在下面的举例说明中，以N3＝8为例。

例如，从参考电压61开始，按照第六步长依次递减可以获得第三待测试参考电压61和53。

在步骤S155中，根据每根目标信号线在所述第三待测试参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第三待测试参考电压下的测定时延值。

例如，获得CA0-CA5在第三待测试参考电压61下的六个最小时延值，将这六个最小时延值中的最小值作为CA0-CA5在第三待测试参考电压61下的测定时延值。类似的，获得CA0-CA5在第三待测试参考电压53下的测定时延值。

在步骤S156中，若首次查找到所述第三待测试参考电压中存在相邻的第三目标待测试参考电压和第四目标待测试电压，在所述第三目标待测试电压下所述多根目标信号线的测定时延值小于所述第四目标待测试电压下所述多根目标信号线的测定时延值，则根据第七步长在所述第三目标待测试电压和所述第四目标待测试电压之间查找所述期望时延值。

本公开实施例中，第七步长用M4表示，M4为大于或等于1的正整数，且M4<N3。在下面的举例说明中，以M4＝2进行举例说明。

例如，在图8中，CA0-CA5在第三待测试参考电压61下的测定时延值小于CA0-CA5在第三待测试参考电压53下的测定时延值，则第三目标待测试参考电压为第三待测试参考电压61，第四目标待测试电压为第三待测试参考电压53。说明期望时延值在第三目标待测试参考电压61和第四目标待测试电压53之间。根据第七步长继续在第三目标待测试参考电压61和第四目标待测试电压53之间进行期望时延值的精确查找。

图10示意性示出了图9中的步骤S156在一示例性实施例中的处理流程图。如图10所示，本公开实施例中，上述步骤S156可以进一步包括以下步骤。

在步骤S1561中，从所述第三目标待测试电压开始，按照所述第七步长选取第四待测试参考电压。

例如，从第三目标待测试参考电压61开始，按照第七步长依次递减获得第四待测试参考电压61,59，57,55和53。

在步骤S1562中，根据每根目标信号线在所述第四待测试参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第四待测试参考电压下的测定时延值。

例如，获得CA0-CA5在第四待测试参考电压59下的六个最小时延值，将这六个最小时延值中的最小值作为CA0-CA5在第四待测试参考电压59下的测定时延值。

在步骤S1563中，若首次查找到所述第四待测试参考电压中存在相邻的两个第四待测试参考电压，所述相邻的两个第四待测试参考电压中位于第一侧的第四待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值小于位于第二侧的第四待测试电压下的所述多根目标信号线的测定时延值，则将位于第二侧的第四待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值。

例如，若CA0-CA5在第四待测试参考电压59下的测定时延值大于CA0-CA5在第四待测试参考电压61下的测定时延值，则说明期望时延值在第四待测试参考电压59的左侧，需要继续查找。继续获得CA0-CA5在第四待测试参考电压57下的测定时延值，若经过比较发现，CA0-CA5在第四待测试参考电压57下的测定时延值小于CA0-CA5在第四待测试参考电压59下的测定时延值，则说明期望时延值在第四待测试参考电压57的左侧，需要继续查找。继续获得CA0-CA5在第四待测试参考电压55下的测定时延值，若经过比较发现，CA0-CA5在第四待测试参考电压55下的测定时延值大于CA0-CA5在第四待测试参考电压57下的测定时延值，则说明期望时延值在第四待测试参考电压55的左侧，需要继续查找。继续获得CA0-CA5在第四待测试参考电压53下的测定时延值，若经过比较发现，CA0-CA5在第四待测试参考电压53下的测定时延值小于CA0-CA5在第四待测试参考电压55下的测定时延值，则可以将第四待测试参考电压55下的CA0-CA5的测定时延值作为所述期望时延值。

在示例性实施例中，在所述目标区间内查找所述期望时延值，还可以包括：若最后一个第三待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值是所有第三待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值中的最大值，则将所述最小参考电压下所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值。

例如，对于随着参考电压的增高而减小的形式，可以利用上述第六步长和第七步长，找到81个参考电压中的最小参考电压对应的测定时延值即为期望时延值。

本公开实施例中提供的方法，通过先判断期望时延值对应的参考电压是指左侧还是右侧，然后再利用大步长(例如第四步长或者第六步长)来缩小搜索范围，再利用小步长(例如第五步长或第七步长)来精确查找，由此可以加快检索到期望时延值的速度，减小训练时间，提高训练效果，同时保证训练结果的准确性。

以下介绍本公开的装置实施例，可以用于执行本公开上述的数据资源处理方法。对于本公开装置实施例中未披露的细节，请参照本公开上述的数据资源处理方法的实施例。

图11示意性示出了根据本公开的一个实施例的半导体存储器的训练装置的框图。本公开实施例中，所述半导体存储器可以包括多根目标信号线，每根目标信号线在目标电压参考范围内具有多个参考电压。

参照图11所示，根据本公开的一个实施例的半导体存储器的训练装置1100可以包括：参考电压选取单元1110、第一时延获得单元1120、第二时延获得单元1130、目标区间确定单元1140以及期望时延查找单元1150。

其中，参考电压选取单元1110可以用于从所述多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压。第一时延获得单元1120可以用于根据每根目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值。第二时延获得单元1130可以用于根据每根目标信号线在所述第二参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二参考电压下的第二最小时延值。目标区间确定单元1140可以用于根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，所述期望时延值为所述多个参考电压下所述多根目标信号线的最小时延值中的最大时延值。期望时延查找单元1150可以用于在所述目标区间内查找所述期望时延值，以确定所述期望时延值对应的参考电压作为所述半导体存储器的训练结果。

在示例性实施例中，所述多根目标信号线包括第一目标信号线。其中，第一时延获得单元1120可以包括：初始时延范围获取单元，可以用于获取所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的初始时延范围；第一待测试时延获得单元，可以用于在所述初始时延范围内，按照第一步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第一待测试时延值；利用第二步长查找单元，可以用于在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第一待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则根据第二步长在首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。其中所述第一步长大于所述第二步长。

在示例性实施例中，第一时延获得单元1120还可以包括：数据写入单元，可以用于在所述第一参考电压下，向所述半导体存储器写入数据；数据读取单元，可以用于在所述第一参考电压下，在所述第一待测试时延值后，从所述半导体存储器读取数据；测试正常单元，可以用于若所述写入数据与所述读取数据一致，则判定在所述第一参考电压下的所述第一待测试时延值下，所述第一目标信号线的测试结果为正常工作；测试异常单元，可以用于若所述写入数据与所述读取数据不一致，则判定在所述第一参考电压下的所述第一待测试时延值下，所述第一目标信号线的测试结果为非正常工作。

在示例性实施例中，所述利用第二步长查找单元可以包括：第一侧第二待测试时延值获得单元，可以用于从首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第一侧的第一待测试时延值开始，按照所述第二步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第二待测试时延值；第一最小时延值确定单元，可以用于在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第二待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第二待测试时延值中的位于第二侧的第二待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。

在示例性实施例中，所述利用第二步长查找单元可以包括：第二侧第二待测试时延值获得单元，可以用于从首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第二侧的第一待测试时延值开始，按照所述第二步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第二待测试时延值；第二最小时延值确定单元，可以用于在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第二待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第二待测试时延值中的位于第一侧的第二待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。

在示例性实施例中，半导体存储器的训练装置1100还可以包括：利用第三步长查找单元，可以用于在所述第一参考电压下，若再次查找到相邻两个第一待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则根据第三步长在再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值。其中所述第一步长大于所述第三步长。

在示例性实施例中，所述利用第三步长查找单元可以包括：第一侧第三待测试时延值获得单元，可以用于从再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第一侧的第一待测试时延值开始，按照所述第三步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第三待测试时延值；第一最大时延值确定单元，可以用于在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第三待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第三待测试时延值中的位于第一侧的第三待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值。

在示例性实施例中，所述利用第三步长查找单元可以包括：第二侧第三待测试时延值获得单元，可以用于从再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第二侧的第一待测试时延值开始，按照所述第三步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第三待测试时延值；第二最大时延值确定单元，可以用于在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第三待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第三待测试时延值中的位于第二侧的第三待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值。

在示例性实施例中，目标区间确定单元1140可以包括：第一目标区间确定单元，可以用于若所述第二参考电压位于所述第一参考电压的第一侧，且所述第一最小时延值大于所述第二最小时延值，则所述目标区间处于所述第一参考电压和所述多个参考电压中的最大参考电压之间。

在示例性实施例中，期望时延查找单元1150可以包括：第一待测试参考电压选取单元，可以用于从所述第一参考电压开始，在所述目标区间内按照第四步长选取第一待测试参考电压；第一测定时延值获得单元，可以用于根据每根目标信号线在所述第一待测试参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一待测试参考电压下的测定时延值；利用第五步长查找单元，可以用于若首次查找到所述第一待测试参考电压中存在相邻的第一目标待测试参考电压和第二目标待测试电压，在所述第一目标待测试电压下所述多根目标信号线的测定时延值大于在所述第二目标待测试电压下所述多根目标信号线的测定时延值，则根据第五步长在所述第一目标待测试电压和所述第二目标待测试电压之间查找所述期望时延值。其中所述第五步长小于所述第四步长。

在示例性实施例中，所述利用第五步长查找单元可以包括：第二待测试参考电压选取单元，可以用于从所述第一目标待测试电压开始，按照所述第五步长选取第二待测试参考电压；第二测定时延值获得单元，可以用于根据每根目标信号线在所述第二待测试电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二待测试参考电压下的测定时延值；第一期望时延值确定单元，可以用于若首次查找到所述第二待测试参考电压中存在相邻的两个第二待测试电压，所述相邻的两个第二待测试参考电压中位于第一侧的第二待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值大于位于第二侧的第二待测试电压下的所述多根目标信号线的测定时延值，则将位于第一侧的第二待测试参考电压下的所述多根目标信号的测定时延值作为所述期望时延值。

在示例性实施例中，所述利用第五步长查找单元还可以包括：第二期望时延值确定单元，可以用于若所述相邻的两个第二待测试参考电压中位于第一侧的第二待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值等于位于第二侧的第二待测试电压下的所述多根目标信号线的测定时延值，则将位于第二侧的第二待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值；或者将所述相邻的两个第二待测试参考电压的平均参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值。

在示例性实施例中，期望时延查找单元1150还可以包括：第三期望时延值确定单元，可以用于若所述最大参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值是所有第一待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值中的最大值，则将所述最大参考电压下所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值。

在示例性实施例中，目标区间确定单元1140可以包括：第二目标区间确定单元，可以用于若所述第二参考电压位于所述第一参考电压的第一侧，且所述第一最小时延值小于所述第二最小时延值，则所述目标区间处于所述第二参考电压和所述多个参考电压中的最小参考电压之间。

在示例性实施例中，期望时延查找单元1150可以包括：第三待测试参考电压获得单元，可以用于从所述第二参考电压开始，在所述目标区间内按照第六步长获得第三待测试参考电压；第三测定时延值获得单元，可以用于根据每根目标信号线在所述第三待测试参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第三待测试参考电压下的测定时延值；利用第七步长查找单元，可以用于若首次查找到所述第三待测试参考电压中存在相邻的第三目标待测试参考电压和第四目标待测试电压，在所述第三目标待测试电压下所述多根目标信号线的测定时延值小于所述第四目标待测试电压下所述多根目标信号线的测定时延值，则根据第七步长在所述第三目标待测试电压和所述第四目标待测试电压之间查找所述期望时延值。其中所述第七步长小于所述第六步长。

在示例性实施例中，所述利用第七步长查找单元可以包括：第四待测试参考电压单元，可以用于从所述第三目标待测试电压开始，按照所述第七步长选取第四待测试参考电压；第四测定时延值获得单元，可以用于根据每根目标信号线在所述第四待测试参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第四待测试参考电压下的测定时延值；第四期望时延值确定单元，可以用于若首次查找到所述第四待测试参考电压中存在相邻的两个第四待测试参考电压，所述相邻的两个第四待测试参考电压中位于第一侧的第四待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值小于位于第二侧的第四待测试电压下的所述多根目标信号线的测定时延值，则将位于第二侧的第四待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值。

在示例性实施例中，期望时延查找单元1150还可以包括：第五期望时延值确定单元，可以用于若最后一个第三待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值是所有第三待测试参考电压下的所述多根目标信号线的测定时延值中的最大值，则将所述最小参考电压下所述多根目标信号线的测定时延值作为所述期望时延值。

应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多单元的特征和功能可以在一个单元中具体化。反之，上文描述的一个单元的特征和功能可以进一步划分为由多个单元来具体化。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、触控终端、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。

进一步地，本公开实施方式还提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序；当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现上述任一实施例中所述的方法。

进一步地，本公开实施方式还提供了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述任一实施例中所述的方法。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。