具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，虽然本申请中公开内容按照示范性一个或几个实例来介绍，但应理解，可以就这些公开内容的各个方面也可以单独构成一个完整实施方式。

需要说明的是，本申请中对于术语的简要说明，仅是为了方便理解接下来描述的实施方式，而不是意图限定本申请的实施方式。除非另有说明，这些术语应当按照其普通和通常的含义理解。

本申请中说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似或同类的对象或实体，而不是必然意味着限定特定的顺序或先后次序，除非另外注明。应该理解这样使用的用语在适当情况下可以互换，例如能够根据本申请实施例图示或描述中给出那些以外的顺序实施。

此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖但不排它的包含，例如，包含了一系列组件的产品或设备不必限于清楚地列出的那些组件，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它组件。

本申请实施例所提供的射频前端器件，可以应用于移动终端、网络设备、智能手表以及物联网等产品中的电子器件或装置。

可选的，上述移动终端可以为各种形式的用户设备、接入终端、用户单元、用户站、移动站、移动台(mobile station，简称MS)、远方站、远程终端、移动设备、终端设备(terminal equipment)、无线通信设备、用户代理或用户装置。还可以是蜂窝电话、无绳电话、会话启动协议(Session Initiation Protocol，简称SIP)电话、无线本地环路(Wireless Local Loop，简称WLL)站、掌上电脑(Personal Digital Assistant，简称PDA)、具有无线通信功能的手持设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备、车载设备、可穿戴设备，未来5G网络中的终端设备或者未来演进的公用陆地移动通信网络(Public Land Mobile Network，简称PLMN)中的终端设备等，本申请实施例对此并不限定，只要该移动终端能够与网络设备无线通信即可。

上述网络设备即公用移动通信网络设备，是移动终端接入互联网的接口设备，也是无线电台站的一种形式，是指在一定的无线电覆盖区中，与移动终端之间进行信息传递的无线电收发信电台，包括基站(Base Station，简称BS)，也可称为基站设备，是一种部署在无线接入网(Radio Access Network，RAN)用以提供无线通信功能的装置。例如在2G网络中提供基站功能的设备包括基地无线收发站(Base Transceiver Station，简称BTS)，3G网络中提供基站功能的设备包括节点B(NodeB)，在4G网络中提供基站功能的设备包括演进的节点B(evolved NodeB，eNB)，在无线局域网络(Wireless Local Area Networks，简称WLAN)中，提供基站功能的设备为接入点(Access Point，简称AP)，5G NR中的提供基站功能的设备gNB,以及继续演进的节点B(ng-eNB),其中gNB和UE之间采用NR技术进行通信，ng-eNB和UE之间采用演进的通用陆地无线接入网络(Evolved Universal Terrestrial RadioAccess,简称E-UTRA)技术进行通信，gNB和ng-eNB均可连接到5G核心网。本申请实施例中的网络设备还包含在未来新的通信系统中提供基站功能的设备等。

目前，伴随着载波聚合、规模天线技术以及高阶正交幅度调制等5G核心技术的应用，射频接收模组和/或发射模组等射频前端器件的需求数量开始大幅度的增加，但是，由于已有的射频前端器件中滤波器元件的类型较为单一，因此其所能应用的使用场景有限，难以满足目前终端多样化的需求，为终端提供最优性能。

例如，射频接收模组内通常包含低频频段和中高频频段，在低频段可以使用SAW滤波器，但是在中、高频频段如果仍然使用SAW滤波器，则会降低射频接收模组的性能。

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种射频前端器件，该射频前端器件的基板上设置了至少两种不同类型的滤波器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

参照图1，图1为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的剖面结构示意图一，在本申请一种可行的实施方式中，上述射频前端器件100包括基板101与至少两种不同类型的滤波器，例如包括图1中所示的滤波器110a、滤波器110b，其中，滤波器110a与滤波器110b的类型不同。

示例性的，上述至少两种不同类型的滤波器可以是以下滤波器中的至少两种：标准声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave，简称SAW)、温补型声表面波滤波器(Temperature Compensated-Surface Acoustic Wave，简称TC-SAW)及体声波滤波器(BulkAcoustic Wave，简称BAW)。其中，BAW滤波器可以是薄膜体声波滤波器(Film BulkAcoustic Resonator，简称FBAR)或者固体装配型体声波滤波器(Bulk Acoustic Wave-Solidly Mounted Resonator，BAW-SMR)。

例如，在射频接收发射模组中，可以根据发射端的功率、容量、温补等要求，在发射端使用TC-SAW滤波器或者BAW滤波器，而接收端由于不需要较高的性能要求，则可以使用标准SAW滤波器。

在一种可行的实施方式中，上述各种类型的滤波器均可以采用减薄型芯片级封装(Chip Scale Package，简称CSP)结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。可选的，该层状温补型封装结构可以包括衬底层、温度补偿层、压电薄膜层以及电极层；其中，温度补偿层位于上述衬底层与压电薄膜层之间，电极层设置于压电薄膜层的表面。

在一些实施例中，基板101包括对立的第一表面101a和第二表面101b，第一表面101a上设置有多个第一接触结构101c，第二表面101b上设置有多个第二接触结构101d，基板101内部设置有连接电路。

上述各种类型的滤波器均设置于第一表面101a上，且各个滤波器分别与其对应的第一接触结构101c电连接。

可选的，各种类型的滤波器可以采用倒装芯片(FC-Flip-Chip)装配技术安装于第一表面101a上。

其中，传统的装配技术一般是将滤波器的有源区面朝上，背对基板和贴后键合。本实施例中，采用倒装芯片装配技术，将滤波器的有源区面对基板101，通过滤波器上呈阵列排列的焊料凸点与第一表面101a上排列的第一接触结构101c，实现滤波器与基板101的互连。

可以理解的是，滤波器直接以倒扣方式安装到基板101，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第一接触结构101c与多个第二接触结构101d均与上述连接电路电连接，由此上述各个滤波器对应的第一接触结构利用上述连接电路即可与上述多个第二接触结构101d中各个滤波器对应的第二接触结构电连接。这样，第一表面101a上安装的各个滤波器的功能引脚可以通过第二表面101b上的第二接触结构引出，形成射频前端接收或发射模组的封装结构。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构101d可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，射频前端器件100还包括塑封保护结构120。其中，塑封保护结构120覆盖于第一表面101a，并包裹设置在第一表面101a上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构120可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

可以理解的是，本申请实施例中所提供的射频前端器件，可以设置多种不同类型的滤波器，由此该射频前端器件无论应用于何种应用场景，其所使用的滤波器类型均能够与实际应用场景相匹配。

例如，可以在射频接收模组中同时设置SAW滤波器与BAW滤波器，在实际使用过程中，将低频段信号导入SAW滤波器，将中、高频段信号导入BAW滤波器，分别进行滤波。

其中，SAW滤波器与BAW滤波器可以同时使用，也可以根据需要单独使用。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中描述的内容，参照图2，图2为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的剖面结构示意图二，在本申请一种可行的实施方式中，上述射频前端器件100包括基板101、至少两种不同类型的滤波器(如滤波器110a、滤波器110b)，以及至少一个频率选择开关210。

示例性的，上述至少两种不同类型的滤波器可以是以下滤波器中的至少两种：标准SAW滤波器、TC-SAW滤波器及BAW滤波器。其中，BAW滤波器可以是FBAR滤波器或者BAW-SMR滤波器。

例如，在射频接收发射模组中，可以根据发射端的功率、容量、温补等要求，在发射端使用TC-SAW滤波器或者BAW滤波器，而接收端由于不需要较高的性能要求，则可以使用标准SAW滤波器。

在一种可行的实施方式中，上述各种类型的滤波器均可以采用减薄型芯片级封装结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

上述频率选择开关210可以采用Switch开关。

可以理解的是，通过上述基板101、至少两种不同类型的滤波器以及至少一个频率选择开关210，可以构成一个分集接收模组(DiFEM)，能够实现分集通路切换和选取信号的功能。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。可选的，该层状温补型封装结构可以包括衬底层、温度补偿层、压电薄膜层以及电极层；其中，温度补偿层位于上述衬底层与压电薄膜层之间，电极层设置于压电薄膜层的表面。

在一些实施例中，基板101包括对立的第一表面101a和第二表面101b，第一表面101a上设置有多个第一接触结构101c，第二表面101b上设置有多个第二接触结构101d，基板101内部设置有连接电路。

上述频率选择开关210与各种不同类型的滤波器均设置于第一表面101a上，各个频率选择开关210和各个滤波器分别与其对应的第一接触结构101c电连接。

可选的，上述各个频率选择开关210与各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面101a上。

以滤波器为例，传统的装配技术一般是将滤波器的有源区面朝上，背对基板和贴后键合。本实施例中，采用倒装芯片装配技术，将滤波器的有源区面对基板101，通过滤波器上呈阵列排列的焊料凸点与第一表面101a上排列的第一接触结构101c，实现滤波器与基板101的互连。

可以理解的是，上述频率选择开关与滤波器直接以倒扣方式安装到基板101，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第一接触结构101c与多个第二接触结构101d均与上述连接电路电连接，上述各个频率选择开关210通过上述连接电路可以与上述各种类型的滤波器实现连接。第一表面101a上安装的各个频率选择开关与滤波器的功能引脚即可通过第二表面101b上的第二接触结构引出，形成射频前端接收或发射模组的封装结构。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构101d可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，射频前端器件100还包括塑封保护结构120。其中，塑封保护结构120覆盖于第一表面101a，并包裹设置在第一表面101a上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构120可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

在一些实施例中，频率选择开关210包括至少两个选择端口，且各个选择端口分别其对应的第一接触结构101c电连接，各个选择端口对应的第一接触结构101c利用上述连接电路与上述各个滤波器对应的第一接触结构连接。

为了更好的理解本申请实施例，参照图3，图3为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的电路结构示意图一，在本申请一种可行的实施方式中，上述射频前端器件包括频率选择开关210与不同类型的滤波器110a、滤波器110b、滤波器110c。

频率选择开关210包括控制电路211以及选择端口k1、k2、k3，其中，选择端口k1与滤波器110a连接，选择端口k2与滤波器110b连接，选择端口k3与滤波器110c连接。

需要说明的是，上述频率选择开关210可以是单刀多掷开关，也可以是多多刀多掷开关，即射频前端器件100通过控制电路211，可以控制频率选择开关210的控制端P与任意一个或多个滤波器连接。

示例性的，当射频前端器件选择使用滤波器110a时，控制电路211可以控制频率选择开关210的控制端P与选择端口k1连接；当射频前端器件选择使用滤波器110c时，控制电路211可以控制频率选择开关210的控制端P与选择端口k3连接；当射频前端器件选择同时使用滤波器110a与滤波器110b时，控制电路211可以控制频率选择开关210的控制端P分别与选择端口k1与选择端口k2连接。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器以及至少一个频率选择开关，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中描述的内容，参照图4，图4为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的剖面结构示意图三，在本申请一种可行的实施方式中，上述射频前端器件100包括基板101、至少两种不同类型的滤波器(如滤波器110a、滤波器110b)、至少一个频率选择开关210以及至少一个功率放大器(PA)310。

示例性的，上述至少两种不同类型的滤波器可以是以下滤波器中的至少两种：标准SAW滤波器、TC-SAW滤波器及BAW滤波器。其中，BAW滤波器可以是FBAR滤波器或者BAW-SMR滤波器。

例如，在射频接收发射模组中，可以根据发射端的功率、容量、温补等要求，在发射端使用TC-SAW滤波器或者BAW滤波器，而接收端由于不需要较高的性能要求，则可以使用标准SAW滤波器。

在一种可行的实施方式中，上述各种类型的滤波器均可以采用减薄型芯片级封装结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

上述频率选择开关210可以采用Switch开关。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。可选的，该层状温补型封装结构可以包括衬底层、温度补偿层、压电薄膜层以及电极层；其中，温度补偿层位于上述衬底层与压电薄膜层之间，电极层设置于压电薄膜层的表面。

在一些实施例中，基板101包括对立的第一表面101a和第二表面101b，第一表面101a上设置有多个第一接触结构101c，第二表面101b上设置有多个第二接触结构101d，基板101内部设置有连接电路。

上述频率选择开关210、功率放大器310以及各种不同类型的滤波器均设置于第一表面101a上，各个频率选择开关210、功率放大器310以及各个滤波器分别与其对应的第一接触结构101c电连接。

可选的，上述各个频率选择开关210、功率放大器310以及各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面101a上。

以滤波器为例，传统的装配技术一般是将滤波器的有源区面朝上，背对基板和贴后键合。本实施例中，采用倒装芯片装配技术，将滤波器的有源区面对基板101，通过滤波器上呈阵列排列的焊料凸点与第一表面101a上排列的第一接触结构101c，实现滤波器与基板101的互连。

可以理解的是，上述频率选择开关210、功率放大器310以及滤波器直接以倒扣方式安装到基板101，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第一接触结构101c与多个第二接触结构101d均与上述连接电路电连接，上述各个频率选择开关210功率放大器310通过上述连接电路可以与上述各种类型的滤波器实现连接。第一表面101a上安装的各个频率选择开关210、功率放大器310以及滤波器的功能引脚均可通过第二表面101b上的第二接触结构引出，形成射频前端发射模组(PAMiD)的封装结构。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构101d可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，射频前端器件100还包括塑封保护结构120。其中，塑封保护结构120覆盖于第一表面101a，并包裹设置在第一表面101a上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构120可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

在一些实施例中，频率选择开关210包括至少两个选择端口，且各个选择端口分别其对应的第一接触结构101c电连接，各个选择端口对应的第一接触结构101c利用上述连接电路与上述各个滤波器对应的第一接触结构连接。

功率放大器310对应的第一接触结构利用上述连接电路与各个滤波器对应的第一接触结构连接。

为了更好的理解本申请实施例，参照图5，图5为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的电路结构示意图二，在本申请一种可行的实施方式中，上述射频前端器件包括频率选择开关210a、210b，不同类型的滤波器110a、滤波器110b、滤波器110c，以及3个功率放大器310。

其中，频率选择开关210a包括控制电路211以及选择端口k1、k2、k3，其中，选择端口k1与滤波器110a连接，选择端口k2与滤波器110b连接，选择端口k3与滤波器110c连接。

滤波器110a、滤波器110b、滤波器110c分别连接一个功率放大器310。

频率选择开关210b包括控制电路212以及选择端口q1、q2、q3，其中，选择端口q1、q2、q3分别与一个不同的功率放大器310连接。

射频前端器件100通过控制电路211，可以控制频率选择开关210a的控制端Pa与任意一个滤波器连接，以及通过控制电路212，可以控制频率选择开关210b的控制端Pb与任意一个功率放大器310连接。

示例性的，当射频前端器件选择使用滤波器110a时，控制电路211可以控制频率选择开关210a的控制端Pa与选择端口k1连接，控制电路212可以控制频率选择开关210b的控制端Pb与选择端口q1连接；当射频前端器件选择使用滤波器110c时，控制电路211可以控制频率选择开关210a的控制端Pa与选择端口k3连接，控制电路212可以控制频率选择开关210b的控制端Pb与选择端口q3连接。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器、至少一个频率选择开关以及至少一个功率放大器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中描述的内容，参照图6，图6为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的剖面结构示意图四，在本申请一种可行的实施方式中，上述射频前端器件100包括基板101、至少两种不同类型的滤波器(如滤波器110a、滤波器110b)、至少一个频率选择开关210以及至少一个低噪声放大器410。

示例性的，上述至少两种不同类型的滤波器可以是以下滤波器中的至少两种：标准SAW滤波器、TC-SAW滤波器及BAW滤波器。其中，BAW滤波器可以是FBAR滤波器或者BAW-SMR滤波器。

例如，可以根据发射端的功率、容量、温补等要求，在发射端使用TC-SAW滤波器或者BAW滤波器，而接收端由于不需要较高的性能要求，则可以使用标准SAW滤波器。

在一种可行的实施方式中，上述各种类型的滤波器均可以采用减薄型芯片级封装结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

上述频率选择开关210可以采用Switch开关。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。可选的，该层状温补型封装结构可以包括衬底层、温度补偿层、压电薄膜层以及电极层；其中，温度补偿层位于上述衬底层与压电薄膜层之间，电极层设置于压电薄膜层的表面。

在一些实施例中，基板101包括对立的第一表面101a和第二表面101b，第一表面101a上设置有多个第一接触结构101c，第二表面101b上设置有多个第二接触结构101d，基板101内部设置有连接电路。

上述频率选择开关210、低噪声放大器410以及各种不同类型的滤波器均设置于第一表面101a上，各个频率选择开关210、低噪声放大器410以及各个滤波器分别与其对应的第一接触结构101c电连接。

可选的，上述各个频率选择开关210、低噪声放大器410以及各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面101a上。

可以理解的是，上述频率选择开关210、低噪声放大器410以及滤波器直接以倒扣方式安装到基板101，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第一接触结构101c与多个第二接触结构101d均与上述连接电路电连接，上述各个频率选择开关210通过上述连接电路可以与上述各种类型的滤波器实现连接。第一表面101a上安装的各个频率选择开关210、低噪声放大器410以及滤波器的功能引脚均可通过第二表面101b上的第二接触结构引出，形成射频前端接收模组(LFEM)的封装结构。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构101d可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，射频前端器件100还包括塑封保护结构120。其中，塑封保护结构120覆盖于第一表面101a，并包裹设置在第一表面101a上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构120可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

在一些实施例中，频率选择开关210包括至少两个选择端口，且各个选择端口分别其对应的第一接触结构101c电连接，各个选择端口对应的第一接触结构101c利用上述连接电路与上述各个滤波器对应的第一接触结构连接。

其中，上述各个滤波器可以分别与一个低噪声放大器410连接。

射频前端器件100可以控制频率选择开关210的控制端与任意一个滤波器连接，以及选择与任意一个低噪声放大器410连接。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器、至少一个频率选择开关以及至少一个功率放大器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中描述的内容，参照图7，图7为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的剖面结构示意图五，在本申请一种可行的实施方式中，上述射频前端器件100包括基板101、至少两种不同类型的滤波器(如滤波器110a、滤波器110b)、至少一个频率选择开关210、至少一个功率放大器310以及至少一个低噪声放大器410。

示例性的，上述至少两种不同类型的滤波器可以是以下滤波器中的至少两种：标准SAW滤波器、TC-SAW滤波器及BAW滤波器。其中，BAW滤波器可以是FBAR滤波器或者BAW-SMR滤波器。

例如，在射频接收发射模组中，可以根据发射端的功率、容量、温补等要求，在发射端使用TC-SAW滤波器或者BAW滤波器，而接收端由于不需要较高的性能要求，则可以使用标准SAW滤波器。

在一种可行的实施方式中，上述各种类型的滤波器均可以采用减薄型芯片级封装结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

上述频率选择开关210可以采用Switch开关。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。可选的，该层状温补型封装结构可以包括衬底层、温度补偿层、压电薄膜层以及电极层；其中，温度补偿层位于上述衬底层与压电薄膜层之间，电极层设置于压电薄膜层的表面。

在一些实施例中，基板101包括对立的第一表面101a和第二表面101b，第一表面101a上设置有多个第一接触结构101c，第二表面101b上设置有多个第二接触结构101d，基板101内部设置有连接电路。

上述频率选择开关210、功率放大器310、低噪声放大器410以及各种不同类型的滤波器均设置于第一表面101a上，各个频率选择开关210、功率放大器310、低噪声放大器410以及各个滤波器分别与其对应的第一接触结构101c电连接。

可选的，上述各个频率选择开关210、功率放大器310、低噪声放大器410以及各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面101a上。

以滤波器为例，传统的装配技术一般是将滤波器的有源区面朝上，背对基板和贴后键合。本实施例中，采用倒装芯片装配技术，将滤波器的有源区面对基板101，通过滤波器上呈阵列排列的焊料凸点与第一表面101a上排列的第一接触结构101c，实现滤波器与基板101的互连。

可以理解的是，频率选择开关、功率放大器、低噪声放大器410以及滤波器直接以倒扣方式安装到基板101，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第一接触结构101c与多个第二接触结构101d均与上述连接电路电连接，上述各个频率选择开关210通过上述连接电路可以与上述各种类型的滤波器实现连接。第一表面101a上安装的各个频率选择开关、功率放大器、低噪声放大器以及滤波器的功能引脚可通过第二表面101b上的第二接触结构引出，形成射频前端接收发射模组(LPAMiD)的封装结构。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构101d可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，射频前端器件100还包括塑封保护结构120。其中，塑封保护结构120覆盖于第一表面101a，并包裹设置在第一表面101a上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构120可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

在一些实施例中，频率选择开关210包括至少两个选择端口，且各个选择端口分别其对应的第一接触结构101c电连接，各个选择端口对应的第一接触结构101c利用上述连接电路与上述各个滤波器对应的第一接触结构连接。

功率放大器310对应的第一接触结构利用上述连接电路与各个滤波器对应的第一接触结构连接。

为了更好的理解本申请实施例，参照图8，图8为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的电路结构示意图三，在本申请一种可行的实施方式中，上述射频前端器件100包括频率选择开关210、功率放大器(PA)310、低噪声放大器(LNA)410以及双工器。

其中，双工器由至少两种不同类型的接收端滤波器和至少两种不同类型的发射端滤波器组成，实现收发共用同一天线。

射频前端器件100根据实际使用需求，可以通过频率选择开关210从上述至少两种不同类型的接收端滤波器或至少两种不同类型的发射端滤波器中选择其中一个或多个滤波器进行使用。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中所描述的内容，本申请实施例中还提供一种射频前端器件的器封装方法，参照图9，图9为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的器封装方法的流程示意图一。在一种可行的实施方式中，上述射频前端器件的器封装方法包括：

S901、获取基板，该基板包括对立的第一表面和第二表面，且该基板内部设置有连接电路。

S902、在第一表面上设置多个第一接触结构，在第二表面上设置多个第二接触结构。

S903、在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器。

其中，各个滤波器分别与上述多个第一接触结构中各个滤波器对应的第一接触结构电连接，上述多个第一接触结构与多个第二接触结构均与上述连接电路电连接，上述多个第二接触结构用于连接与射频前端器件关联的器件。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器包括以下滤波器中的至少两种：标准声表面波滤波器、温补型声表面波滤波器及体声波滤波器。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器均采用减薄型芯片级封装CSP结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。

可选的，各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面上。

可以理解的是，滤波器直接以倒扣方式安装到基板，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一种可行的实施方式中，在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器之后，还包括：

在上述第一表面上设置塑封保护结构，该塑封保护结构包裹设置在第一表面上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

可以理解的是，本申请实施例中所提供的射频前端器件，设置有多种不同类型的滤波器，由此该射频前端器件无论应用于何种应用场景，其所使用的滤波器类型均能够与实际应用场景相匹配。

例如，可以在射频接收模组中同时设置SAW滤波器与BAW滤波器，在实际使用过程中，将低频段信号导入SAW滤波器，将中、高频段信号导入BAW滤波器，分别进行滤波。

本申请中所提供的射频前端器件的封装方法，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中所描述的内容，本申请实施例中还提供一种射频前端器件的器封装方法，参照图10，图10为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的器封装方法的流程示意图二。在一种可行的实施方式中，上述射频前端器件的器封装方法包括：

S1001、获取基板，该基板包括对立的第一表面和第二表面，且该基板内部设置有连接电路。

S1002、在第一表面上设置多个第一接触结构，在第二表面上设置多个第二接触结构。

S1003、在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器以及至少一个选择开关。

其中，各个滤波器分别与上述多个第一接触结构中各个滤波器对应的第一接触结构电连接，上述多个第一接触结构与多个第二接触结构均与上述连接电路电连接，上述多个第二接触结构用于连接与射频前端器件关联的器件。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器包括以下滤波器中的至少两种：标准声表面波滤波器、温补型声表面波滤波器及体声波滤波器。上述选择开关可以采用Switch开关。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器均采用减薄型芯片级封装CSP结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。

可选的，上述选择开关与各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面上。

可以理解的是，上述选择开关与滤波器直接以倒扣方式安装到基板，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，上述选择开关包括至少两个选择端口，且各个选择端口分别其对应的第一接触结构电连接，各个选择端口对应的第一接触结构利用上述连接电路与上述各个滤波器对应的第一接触结构连接。

在一种可行的实施方式中，在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器之后，还包括：

在上述第一表面上设置塑封保护结构，该塑封保护结构包裹设置在第一表面上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

可以理解的是，本申请实施例中所提供的射频前端器件，设置有多种不同类型的滤波器，由此该射频前端器件无论应用于何种应用场景，其所使用的滤波器类型均能够与实际应用场景相匹配。

例如，可以在射频接收模组中同时设置SAW滤波器与BAW滤波器，在实际使用过程中，将低频段信号导入SAW滤波器，将中、高频段信号导入BAW滤波器，分别进行滤波。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器以及至少一个选择开关，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中所描述的内容，本申请实施例中还提供一种射频前端器件的器封装方法，参照图11，图11为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的器封装方法的流程示意图三。在一种可行的实施方式中，上述射频前端器件的器封装方法包括：

S1101、获取基板，该基板包括对立的第一表面和第二表面，且该基板内部设置有连接电路。

S1102、在第一表面上设置多个第一接触结构，在第二表面上设置多个第二接触结构。

S1103、在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器、至少一个选择开关以及至少一个功率放大器。

其中，各个滤波器分别与上述多个第一接触结构中各个滤波器对应的第一接触结构电连接，上述多个第一接触结构与多个第二接触结构均与上述连接电路电连接，上述多个第二接触结构用于连接与射频前端器件关联的器件。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器包括以下滤波器中的至少两种：标准声表面波滤波器、温补型声表面波滤波器及体声波滤波器。上述选择开关可以采用Switch开关。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器均采用减薄型芯片级封装CSP结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。

可选的，上述选择开关、功率放大器及各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面上。

可以理解的是，上述选择开关、功率放大器及滤波器直接以倒扣方式安装到基板，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，上述选择开关包括至少两个选择端口，且各个选择端口分别其对应的第一接触结构电连接，各个选择端口对应的第一接触结构利用上述连接电路与上述各个滤波器对应的第一接触结构连接。

上述各个功率放大器对应的第一接触结构利用上述连接电路与各个滤波器对应的第一接触结构连接。

在一种可行的实施方式中，在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器之后，还包括：

在上述第一表面上设置塑封保护结构，该塑封保护结构包裹设置在第一表面上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器、至少一个选择开关以及至少一个功率放大器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中所描述的内容，本申请实施例中还提供一种射频前端器件的器封装方法，参照图12，图12为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的器封装方法的流程示意图四。在一种可行的实施方式中，上述射频前端器件的器封装方法包括：

S1201、获取基板，该基板包括对立的第一表面和第二表面，且该基板内部设置有连接电路。

S1202、在第一表面上设置多个第一接触结构，在第二表面上设置多个第二接触结构。

S1203、在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器、至少一个选择开关以及至少一个低噪声放大器。

其中，各个滤波器分别与上述多个第一接触结构中各个滤波器对应的第一接触结构电连接，上述多个第一接触结构与多个第二接触结构均与上述连接电路电连接，上述多个第二接触结构用于连接与射频前端器件关联的器件。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器包括以下滤波器中的至少两种：标准声表面波滤波器、温补型声表面波滤波器及体声波滤波器。上述选择开关可以采用Switch开关。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器均采用减薄型芯片级封装CSP结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。

可选的，上述选择开关、低噪声放大器及各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面上。

可以理解的是，上述选择开关、低噪声放大器及滤波器直接以倒扣方式安装到基板，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，上述选择开关包括至少两个选择端口，且各个选择端口分别其对应的第一接触结构电连接，各个选择端口对应的第一接触结构利用上述连接电路与上述各个滤波器对应的第一接触结构连接。

上述各个低噪声放大器对应的第一接触结构利用上述连接电路与各个滤波器对应的第一接触结构连接。

在一种可行的实施方式中，在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器之后，还包括：

在上述第一表面上设置塑封保护结构，该塑封保护结构包裹设置在第一表面上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器、至少一个选择开关以及至少一个低噪声放大器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

基于上述实施例中所描述的内容，本申请实施例中还提供一种射频前端器件的器封装方法，参照图13，图13为本申请实施例中提供的一种射频前端器件的器封装方法的流程示意图五。在一种可行的实施方式中，上述射频前端器件的器封装方法包括：

S1301、获取基板，该基板包括对立的第一表面和第二表面，且该基板内部设置有连接电路。

S1302、在第一表面上设置多个第一接触结构，在第二表面上设置多个第二接触结构。

S1303、在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器、至少一个选择开关、、至少一个功率放大器以及至少一个低噪声放大器。

其中，各个滤波器分别与上述多个第一接触结构中各个滤波器对应的第一接触结构电连接，上述多个第一接触结构与多个第二接触结构均与上述连接电路电连接，上述多个第二接触结构用于连接与射频前端器件关联的器件。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器包括以下滤波器中的至少两种：标准声表面波滤波器、温补型声表面波滤波器及体声波滤波器。上述选择开关可以采用Switch开关。

在一种可行的实施方式中，上述至少两种不同类型的滤波器均采用减薄型芯片级封装CSP结构。通过减薄型芯片级封装结构，既可以有效减小射频前端器件的尺寸大小，还可以提升射频前端器件的性能。

在一些实施例中，若射频前端器件采用温补型声表面波滤波器，则该温补型声表面波滤波器可以采用层状温补型封装结构。

可选的，上述选择开关、功率放大器、低噪声放大器及各种类型的滤波器可以采用倒装芯片装配技术安装于第一表面上。

可以理解的是，上述选择开关、功率放大器、低噪声放大器及滤波器直接以倒扣方式安装到基板，可以减小安装面积，进而有助于减小射频前端器件的尺寸大小。另外，由于布线较短，还能够提升射频前端器件的电气性能。

在一些实施例中，上述多个第二接触结构可以用于连接与上述射频前端器件关联的器件，如用于连接天线等。

在一些实施例中，上述连接电路中还包括埋置电阻或电感等。

在一些实施例中，上述选择开关包括至少两个选择端口，且各个选择端口分别其对应的第一接触结构电连接，各个选择端口对应的第一接触结构利用上述连接电路与上述各个滤波器对应的第一接触结构连接。

上述各个低噪声放大器对应的第一接触结构利用上述连接电路与各个滤波器对应的第一接触结构连接。

上述各个功率放大器对应的第一接触结构利用上述连接电路与各个滤波器对应的第一接触结构连接。

在一种可行的实施方式中，在第一表面上安装至少两种不同类型的滤波器之后，还包括：

在上述第一表面上设置塑封保护结构，该塑封保护结构包裹设置在第一表面上的各个元器件。

可选的，塑封保护结构可以采用环氧树脂，有机聚合物，有机胶等塑封材料。

本申请实施例提供的射频前端器件，其基板上设置有至少两种不同类型的滤波器、至少一个选择开关、至少一个功率放大器以及至少一个低噪声放大器，使得射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。

以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。