阅读说明：本技术 一种设置有SiO2钝化层的RF滤波器 (Is provided with SiO2RF filter of passivation layer ) 是由 伍平 沙小强 米佳 谭发增 赵雪梅 于 2020-06-01 设计创作，主要内容包括：本发明涉及声表面波技术领域,特别涉及一种设置有SiO<Sub>2</Sub>钝化层的RF滤波器,RF滤波器的钝化层为25-80nm的SiO<Sub>2</Sub>,对涂覆SiO<Sub>2</Sub>的RF滤波器进行调频,具体的,1.5GHZ的RF滤波器涂覆40nm的SiO<Sub>2</Sub>；本发明在没有改变指条结构、且不增加电阻损耗的情况下,提高了波的导向、增加了反射,并且在增加在通带插损的带宽、同时提高均匀性。(The invention relates to the technical field of surface acoustic waves, in particular to a surface acoustic wave device provided with SiO 2 An RF filter with a passivation layer of 25-80nm SiO 2 To coat SiO 2 The RF filter of (1.5 GHZ) is coated with 40nm SiO 2 (ii) a The invention improves the wave guide and the reflection without changing the finger structure and increasing the resistance loss, and improves the bandwidth of insertion loss in the pass band and the uniformity at the same time.)

一种设置有SiO2钝化层的RF滤波器

技术领域

本发明涉及声表面波技术领域，特别涉及一种设置有SiO₂钝化层的射频 (RF)滤波器。

背景技术

在声表面波技术中，划割和封装工艺可能损伤金属指条。通常会在声表面波器件的表面镀上很薄的一层SiO₂作为保护层。

5nm保护膜在芯片上成膜不均、质量较差，部分区域有毛刺尖峰、部分区域保护膜缺失，不同位置的表面粗糙度相差很大，可能对保护质量产生不利影响；12nm保护膜的结果与5nm类似，但有所改进；15nm保护膜的成膜开始趋于致密、平整，但表面粗糙度依然相差较大；20nm保护膜的结果进一步改善； 25nm保护膜的结果最好，不同位置的表面粗糙度均较小，说明25nm保护膜在芯片上成膜致密、均匀，质量好，可以给芯片提供较好保护。

保护膜SiO2与金属电极Al之间界面无明显元素扩散现象。键合点典型形貌可见表面平坦，无腐蚀、多余物等异常形貌，键合点表面相熔质量良好。

发明内容

为了在不改变指条的几何结构，并且不增加电阻损耗的情况下，能够增加波在表面的传导方向、增加反射、降低体声波的损耗，并且获得更低的粘性性降低传播损耗、更好的均匀性保证频率的一致性，本发明提出一种设置有SiO₂钝化层的RF滤波器，RF滤波器的钝化层为25-80nm的SiO₂。

进一步的，对涂覆SiO₂的RF滤波器进行调频。

进一步的，对1.5GHZ的RF滤波器涂覆40nm的SiO₂。

本发明在没有改变指条结构、且不增加电阻损耗的情况下，提高了波的导向、增加了反射，并且在增加在通带插损的带宽、同时提高均匀性。

附图说明

图1为本发明中带宽与涂覆的SIO2厚度关系示意图；

图2为本发明中频率与涂覆的SIO2厚度关系示意图；

图3为本发明不同SIO2厚度滤波器测试曲线；

图4为本发明不同SIO2厚度滤波器通带测试曲线；

图5为本发明标准偏差与涂覆的SIO2厚度关系示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

制作的样品在42LT(钽酸锂)上制作25-80nm的SIO2，谐振器和RF滤波器，覆盖频率700Mhz到2Ghz。涂覆的SIO2的厚度在20nm到80nm之间，使用的是标准的半导体钝化层工艺的方法。

本实施例中采用的谐振器包括150个IDT指条和每边50个反射栅，并制作了占空比η＝0.7，pitch分别是2.0、1.66、1.33和1.0um，频率覆盖1G到2G的样品。金属厚度200nm，与对1G 5％和对2G 10％相对厚度波动一致。

在42LT(钽酸锂)上涂覆SIO2厚度40nm和79nm和没有涂覆SIO2的2G 样品的比较测试图形。如图1，带宽与涂覆的SIO2厚度成正比，图2表明降低的频率与厚度成一定比例的。过渡带宽与膜厚线性增加。实际器件的最小的水平就是过渡带内的损耗。

通过进一步比较分析，模型获得的结果和测量的实际器件的导纳的结果，涂覆了均匀的膜表面有质量负载，膜层厚度比表面波的波长小得多，涂覆的谐振器的导纳的实部与分析模型的一致。

在42LT上用SIO2不同的厚度。列出了测试的电性能参数S21的结果。测试结果表明涂40nm，-3DB降低了大约2MHZ，插损在通带中间大约增加了 0.2dB。如果涂25nm，IL在通带中间大约增加了0.1dB，带宽降低1MHZ。

研究了在42LT涂覆SIO2的均匀性，涂覆前后测量28个点同步谐振器的中心频率，中心频率的偏差如图5，其中圆圈代表涂覆前，方块代表涂覆后。涂覆之前，标准偏差大约是300ppm。涂覆之后，偏差增强，以膜层厚度线性增加。

实施例2

在实施例1的基础上进行调频操作。在水晶片上涂覆35nm的SIO2后，用调频技术，提高芯片频率分布的集中度。根据调频前后的频率分布，统计单片晶圆上1690个小芯片，调频前F±1.5MHZ,调频后F±0.4MHZ，标准差由调频前 0.61改善为调频后的0.14。

实施例3

本实施例在42LT频率800Mhz的RF滤波器制作35nm的钝化层，调频后， 35nmSiO₂在800M附近频率要移动4.7M左右，0.14M/nm。芯片合格率从38％提高到98％。

实施例4

在42LT频率850MhzRF滤波器制作35nm的钝化层，调频后，35nmSiO₂在800M附近频率要移动5M左右，0.14M/nm。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“外”、“前部”、“中央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋转”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。