具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。

如图1-图6所示，一种高抑制度电路结构，包括带阻电路10和带通电路20，带阻电路10和带通电路20均由声波滤波器和匹配单元组成，带阻电路10包括第一输入端11、第一输出端12、第一串联谐振器13组、第一并联谐振器14组以及分别设置在靠近第一输入端11、第一输出端12的第一匹配电感16、第二匹配电感17，带通电路20包括第二输入端21、第二输出端22、第二串联谐振器23组、第二并联谐振器15组以及分别设置在靠近第二输入端21、第二输出端22的第三匹配电感28、第四匹配电感29，第一输出端12与第二输入端21连接，第二匹配电感17与第三匹配电感28融合为独立匹配电感31，第一输入端11和第二输出端22分别作为整体电路的输入端和输出端。

带阻电路10也可以是高通电路或低通电路，带阻电路10和带通电路20中，串联谐振器组合并联谐振器组的结构根据具体的通信需求设置即可，此处为本领域技术人员公知的技术常识，不做赘述。

带阻电路10和带通电路20实现在传输通带内的低损耗传输，其抑制阻带则分为靠近传输通带和远离传输通带的两段阻带，带阻电路10实现靠近传输通带的阻带的次要抑制和远离传输通带的阻带的部分抑制，带通电路20实现靠近传输通带的阻带的主要抑制和远离传输通带的阻带的部分抑制，两个电路级联后，在传输通带内叠加为低损耗传输，而阻带则叠加为整个阻带上的高抑制度。

相较于现有技术中常用的在基板上增加电容、电感的方式，本发明直接通过声波滤波器构建的电路结构更容易实现高抑制度，给出了一种可行的实施方案，基于本申请的技术方案可以进一步进行拓展研发，为通信领域拓宽了发展的路，有利于通信领域的发展。

作为优选的方案，声波滤波器为声表面波滤波器或体声波滤波器或薄膜腔声波滤波器，即上述的电路结构中可以应用多种滤波器实现，基于电路结构本身的作用，可以进行自由选择。

作为优选的方案，独立匹配电感31的电感值等于第二匹配电感17和第三匹配电感28通过串联或并联后的等效值。

作为优选的方案，电路结构应用于滤波器制作时，独立匹配电感31设置在基板上。

上述高抑制度电路结构由带阻电路10和带通电路20级联构成，其中第二匹配电感17和第三匹配电感28位于连接点处，根据二者本身与当前电路的连接方式，比如这两个匹配电感是串联电感，那么独立匹配电感31的电感值则是这两个匹配电感以串联的方式连接后的等效值，在具体制作时，将之设置在基板上，比如说这两个电感是并联电感，电感值为2nH，那么独立匹配电感31的电感值为1nH，这时我们可以直接在基板上绕一个1nH的电感，而第一匹配电感16和第四匹配电感29则可以采用贴片线圈等方式实现。

作为优选的方案，第一串联谐振器13组包括第一串联谐振器13，第一并联谐振器14组包括第一并联谐振器14、第二并联谐振器15，第一串联谐振器13设置在第一并联谐振器14和第二并联谐振器15之间，第一匹配电感16设置在第一输入端11和第一并联谐振器14之间。

作为优选的方案，第二串联谐振器23组包括第二串联谐振器23、第三串联谐振器24、第四串联谐振器25，第二并联谐振器15组包括第三并联谐振器26、第四并联谐振器27，第四匹配电感29设置在第四串联谐振器25和第二输出端22之间。

作为优选的方案，所述独立匹配电感31设置在第二并联谐振器15和第二串联谐振器23之间。

以band8的发射滤波器为例，带阻电路10包括第一输入端11、第一输出端12、第一串联谐振器13、第一并联谐振器14、第二并联谐振器15以及分别设置在靠近第一输入端11、第一输出端12的第一匹配电感16、第二匹配电感17，带通电路20包括第二输入端21、第二输出端22、第二串联谐振器23、第三串联谐振器24、第四串联谐振器25、第三并联谐振器26、第四并联谐振器27以及分别设在靠近第二输入端21第二输出端22的第三匹配电感28和第四匹配电感29，当带通带路和带阻电路10级联后，由第二匹配电感17和第三匹配电感28融合形成的独立匹配电感31设置在第二并联谐振器15和第二串联谐振器23之间，其中带阻电路10和带通电路20的谐振器参数如下表所示：

带阻电路10实现传输通带814MHz-915MHz的低损耗传输，抑制阻带925MHz-960MHz则分为靠近传输通带的近端阻带925MHz-935MHz和远离传输通带的远端阻带935MHz-960MHz，带阻电路10实现近端阻带的次要抑制和远端阻带则的部分抑制。

带通电路20实现传输通带814MHz-915MHz的低损耗传输，抑制阻带925MHz-960MHz则分为靠近传输通带的近端阻带925MHz-935MHz和远离传输通带的远端阻带935MHz-960MHz，带通电路20实现近端阻带的主要抑制和远端阻带则的部分抑制。

将带阻电路10和带通电路20级联后，二者在传输通带814MHz-915MHz的低损耗传输叠加为整体电路在传输通带814MHz-915MHz的低损耗传输，二者在近端阻带925MHz-935MHz的抑制度叠加为整体电路在近端阻带925MHz-935MHz的高抑制度；二者在远端阻带935MHz-960MHz的抑制度叠加为整体电路在远端阻带935MHz-960MHz的高抑制度，也即实际上实现了阻带的高抑制度。

图6中曲线1为带阻电路10的S参数传输曲线，曲线2为带通电路20的S参数传输曲线，曲线3为上述二者级联后整体电路的S参数传输曲线。

本发明还提供一种高隔离度双工器，双工器包含上述的电路结构。

本发明还提供一种高隔离度多工器，多工器包含上述的电路结构。

将本发明的高抑制度电路结构应用于双工器以及多工器中，以其高抑制度使得双工器、多工器具有较高的隔离度。

以上的实施例仅是对本发明的优选方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形、变型、修改、替换，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。