具体实施方式

下面通过具体实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的具体描述：

实施例1：一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置（参见附图1至附图3），包括存储箱1、安装在存储箱内的托盘2、安装在托盘底部的电热温控板3，托盘上密布若干用于装载固态前驱体源的储料槽4，存储箱内设置若干个上下间隔布置的托盘，上下相邻两托盘之间的间隙形成通气腔，最上方的托盘和存储箱顶部之间形成通气腔，托盘一侧设有通气槽9；上下相邻两托盘上的通气槽一个在托盘左侧，另一个在另一托盘的右侧，通气槽将所有通气腔连通在一起形成蛇形的通气流道。电热温控板上和通气槽对应设有连通槽10，连通槽和通气槽贯通。储料箱上设置载气进口5、混合蒸汽出口6，通气流道两端分别与载气进口、混合蒸汽出口连通。

托盘呈上端开口的盒状结构，托盘内设有若干横向挡板7和若干纵向挡板8，若干横向挡板和若干纵向挡板交叉形成若干储料槽。横向挡板长度方向沿着通气腔气流的流动方向布设，纵向挡板上边缘高于横向挡板上边缘和托盘上边缘。电热温控板内安装电热丝和温度传感器。

存储箱内设有进气腔11和挥发腔12，托盘安装在挥发腔内，通气流道一端通过进气腔与载气进口连通，通气流道另一端与混合蒸汽出口连通。托盘底部设有插槽，电热温控板与插槽适配插装在一起。

存储箱一侧设置开口，开口位置紧密连接端盖13，电热温控板集成在端盖上，托盘通过底部的插槽与电热温控板安装在一起。端盖通过螺栓与存储箱连接。

端盖采用EP级316L不锈钢，其内侧与电热温控板垂直相交，采用焊接的固定形式将端盖与电热温控板组合成一整体，各层电热温控板的间距应满足托盘的安装高度，并且满足托盘上纵向挡板与电热温控板间垂直轴向间留有一个可以满足气体通过的距离，组件暴露的所有表面均进行喷涂、电解、化学钝化等防护处理，杜绝对固态前驱体源产生污染；端盖外侧设置电源线、温度信号线的接线端口，并用接线封堵进行覆盖密封。端盖表面进行机械抛光至Ra＜0.25μm。

电热温控板上的连通槽和托盘上的通气槽对应且完全重合或部分重合，便于载气通过。存储箱内的进气腔与端盖相对布设，进气腔下部和挥发腔之间设置通气窗口14，通气窗口位置安装通气格栅，最下方托盘上的通气槽设置在托盘侧壁上，该托盘侧壁上的通气槽与通气窗口对应连通。其它托盘上的通气槽设置在托盘底面上。设置进气腔用于改变气体流动形态，降低气体在存储箱内部的流速，同时将进气腔与挥发腔通过下部的通气窗口连通，通气窗口面积略小于托盘侧壁上的长方形通气槽，促使气体由进气腔流入挥发腔时能够尽可能保持水平方向上的均匀分布。

载气进口、混合蒸汽出口设置在存储箱上部，载气进口、混合蒸汽出口上均连接有控制阀门15，控制阀门可以是手动阀门、气动阀门、电磁阀门，优选气动阀门。混合蒸汽出口连接的气相沉积系统物料输送管路在近反应腔室处设置有流量计，可以监控混合蒸汽流速，以实现定量控制满足制程需求的固态前驱体源输送量调整需求。

托盘优选采用EP级316L不锈钢制作，内外表面根据所承装固态前驱体源的化学性质进行喷涂、电解、化学钝化等防护处理，以保护承装物不被污染。

存储箱及其配套的连接管路均为EP级316L不锈钢材质，表面经过喷涂、电解、化学钝化等一种或者几种防护处理。

电热温控板内的电热丝及温度传感器外均包裹耐热、绝缘材料，电热丝均匀排布于电热温控板的各个位置。更优的采用将一定数量的外表绝缘性能良好的电加热棒嵌入具有良好导热性能的金属块内部，例如铝块，形成均匀供热模块；外部优选采用EP级316L不锈钢进行密封包裹，表面进行喷涂、电解、化学钝化等防护处理，从而形成电热温控板，杜绝对升华器所承装的固态前驱体源产生污染。

一种电热式固态前驱体源存储升华方法，利用用于半导体加工的固态前驱体源升华装置进行操作，包括以下步骤：a、在托盘上的储料槽中装入固态前驱体源，并将电热温控板安装到托盘底部；b、将托盘和电热温控板一起装入存储箱内，封闭存储箱；c、将载气进口和混合蒸汽出口连接到气相沉积系统的管路中，载气进口通入载气；d、电热温控板通电加热，电热温控板对储料槽内的固态前驱体源进行加热，使通气腔内产生稳定浓度的固态前驱体源蒸汽，通过载气将固态前驱体源蒸汽带入气相沉积系统中。经气相沉积后形成符合半导体制造要求的各类薄膜层。

这种电热式固态前驱体源存储升华方法可应用与一种或者几种固态前驱体源的气相沉积领域，固态前驱体源包括具有通过气相沉积或者离子注入方法获取一种或者几种目标元素的单质、化合物、混合物的一种或者几种，且不限于此。

以PDMAT（五（二甲胺基）钽），将一定量的PDMAT在惰性气环境下均匀的填充至各托盘的各个储料槽内，将各托盘组装固定在各层电热温控板上，将端盖、电热温控板、托盘、固态前驱体源组合件送入存储箱的挥发腔内，使用螺栓将端盖与存储箱紧密封；当需要提供PDMAT到气相沉积系统反应腔室时，载气进口接入气相沉积系统载气管路，混合蒸汽出口接入气相沉积系统物料输送管路，将电源线、温度信号线连接外设配套的温度控制器，通入目标流速的载气，控制器设定目标温度后并开启加热，在PDMAT被快速加热至目标温度并精准控温后在承装PDMAT各个储料槽内源源不断的产生PDMAT蒸汽，这些蒸汽与载气进行充分混合后形成稳定浓度的混合蒸汽，在压力差的作用下将混合蒸汽从混合蒸汽出口流出并通过气相沉积系统物料输送管路送入目标反应腔室完成目标元素的获取。

实施例2：一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置（参见附图4、附图5），其结构与实施例1相似，主要不同点在于本实施例中纵向挡板上部设有调节板16，调节板可转动设置，存储箱内安装推拉杆17，调节板均与推拉杆连接，推拉杆移动带动调节板转动，调节板一侧和储料槽一一对应安装有若干根拨杆18，拨杆下端置于储料槽内，存储箱外安装活塞缸19，活塞缸伸缩杆上安装磁性块20，存储箱内安装能和磁性块相互吸引的滑块21，滑动可在储存箱内滑动，推拉杆与滑块连接。调节板下端铰接在纵向挡板上端，调节板上和推拉杆对应设有安装槽，安装槽呈长条形，推拉杆活动穿过安装槽，推拉杆上安装槽两侧均连接定位块，调节板置于两定位块之间。每个托盘上的纵向挡板上均连接调节板，每个托盘对应设置一根推拉杆，上下两推拉杆之间通过连杆连接，连杆穿过通气槽。所有推拉杆通过连杆连接在一起呈蛇形结构。其它结构与实施例1相同。

通过调节板的转动调整调节板上端与托盘之间的间距，对调节板阻挡气流的有效面积进行调整，进而调整气流的流速。当调节板处于竖直位置时，调节板上端与托盘之间的间距最小。当气流的流速太快时，活塞缸伸缩杆移动带动磁性块移动，滑块随磁性块一起移动，与滑块连接的推拉杆跟着移动并带动调节板转动，减小调节板上端与托盘之间的间距，增加对气流的阻挡面积，降低气流的流速，为载气与固态前驱体源延长接触时长创造有利条件。当气流的流速太慢时，活塞缸伸缩杆反向移动，带动调节板反向转动，增大调节板上端与托盘之间的间距，加快气流的流速。调节板转动的同时，与调节板连接的拨杆对储料槽内的固态前驱体源进行拨动，避免固态前驱体源板结，增加固态前驱体源的挥发效率，提高固态前驱体源的利用率。

以上所述的实施例只是本发明较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。