阅读说明：本技术 化学品递送系统及操作所述化学品递送系统的方法 (Chemical delivery system and method of operating the same ) 是由 大卫·詹姆斯·埃尔德里奇 大卫·彼得斯 小罗伯特·赖特 布赖恩·C·亨德里克斯 斯科特·L· 于 2018-12-07 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种化学品递送系统。所述化学品递送系统包含散装容器、运行/再填充腔室、第一导管及第二导管。所述散装容器存储前体。所述运行/再填充腔室包含多个间隔开的管,所述多个间隔开的管具有多个表面,所述多个表面用于以蒸汽形式接收所述前体并以固体形式存储所述前体。所述第一导管将所述散装容器连接到所述运行/再填充腔室,用于以蒸汽形式将所述前体从所述散装容器输送到所述运行/再填充腔室。所述第二导管将所述运行/再填充腔室连接到沉积腔室,用于以蒸汽形式将所述前体从所述运行/再填充腔室输送到所述沉积腔室。(The present invention relates to a chemical delivery system. The chemical delivery system includes a bulk container, a run/refill chamber, a first conduit, and a second conduit. The bulk container stores the precursor. The run/refill chamber contains a plurality of spaced tubes having a plurality of surfaces for receiving the precursor in vapor form and storing the precursor in solid form. The first conduit connects the bulk container to the run/refill chamber for transporting the precursor in vapor form from the bulk container to the run/refill chamber. The second conduit connects the run/refill chamber to a deposition chamber for transporting the precursor in vapor form from the run/refill chamber to the deposition chamber.)

化学品递送系统及操作所述化学品递送系统的方法

技术领域

本发明大体上涉及一种化学品递送系统，特别是一种用于化学气相沉积工艺的化学品递送系统。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是用于在衬底上沉积材料薄膜的化学工艺。通常，举例来说，在半导体工业中，将膜沉积在硅晶片上。在所述工艺期间，将晶片暴露于一或多种前体，所述一或多种前体反应或分解并因此在沉积腔室中沉积在晶片上。更特定的CVD子类是原子层沉积(ALD)。在ALD中，通常使用两种前体并以交替方式沉积在晶片上。所述前体决不会同时都存在于沉积腔室中。用于CVD工艺的前体可以气体、液体或固体形式被存储。在升华且随后将前体蒸汽输送到衬底方面，使用固体前体尤其有挑战性。在设计CVD系统时的其它更一般的关注包含希望最小化系统的停机时间及在施加前体的处理工具附近可用的有限空间。因此，希望提供一种解决这些挑战的化学品递送系统。具体来说，希望提供一种化学品递送系统，其在CVD工艺中高效地、有效地且一致地递送固体前体，同时最小化CVD系统的停机时间及在处理工具附近占据的空间量。

发明内容

本发明大体上涉及一种操作用于在CVD工艺期间递送前体的化学品递送系统的方法。所述系统包括至少一个散装容器、至少一个运行/再填充腔室及至少一个沉积腔室。在一些实施例中，所述方法包括第一导管及第二导管。所述散装容器经配置以存储前体，优选地以固体形式。可交替地使用所述运行/再填充腔室。在一个实施例中，所述运行/再填充腔室包含多个间隔开的管，所述多个间隔开的管具有多个表面，所述多个表面经配置以以蒸汽形式接收所述前体并以固体形式存储所述前体。所述第一导管将所述散装容器连接到所述运行/再填充腔室，用于以蒸汽形式将所述前体从所述散装容器输送到所述运行/再填充腔室。所述第二导管用于以蒸汽形式将所述前体从所述运行/再填充容器输送到沉积腔室。

所述散装容器经配置以以固体形式存储所述前体。所述散装容器具有高表面积，并且优选地是在秤上以监测在操作期间剩余的前体的量。所述散装容器优选地位于子制造区域中，在所述子制造区域中便于更换所述容器。

所述化学品递送系统经配置以加热所述散装容器以使所述前体升华，因此将所述前体转化成蒸汽形式。所述化学品递送系统还经配置以加热所述第一导管以将所述前体维持为蒸汽形式。

在一个实施例中，所述运行/再填充腔室位于通常被称为“制造部(fab)”的制造地板区域上，并且所述散装容器位于所述制造部外部。举例来说，所述散装容器可位于子制造区域中。

在一个说明性实施例中，所述多个间隔开的管中的每一者具有圆形或矩形横截面。在其它实施例中，所述多个间隔开的管中的每一者具有星形横截面。优选地，所述多个间隔开的管中的每一者填充有泡沫。在一些实施例中，所述多个间隔开的管由腔室环绕，所述腔室经配置以接收传热流体。

所述运行/再填充腔室可经配置以保持足以用于单个沉积循环的量的所述前体。替代地，所述运行/再填充腔室可经配置以保持足以用于多个沉积循环的量的所述前体。

提供前述发明内容是为了促进理解本发明特有的一些创新特征，并且不希望作为全部描述。通过将整个说明书、权利要求书、附图及摘要作为整体来获得对本发明的全面了解。

附图说明

考虑到结合附图的各种说明性实施例的以下描述，可更完整地理解本发明，附图中：

图1是根据本发明构造的第一CVD系统的示意图；

图2是根据本发明构造的第二CVD系统的示意图；

图3是根据本发明构造的第三CVD系统的示意图；

图4是根据本发明构造的第一运行/再填充腔室的侧横截面；

图5是根据本发明构造的第二运行/再填充腔室的侧横截面；

图6是第一运行/再填充腔室的顶部横截面；

图7是根据本发明构造的第三运行/再填充腔室的顶部横截面；及

图8是根据本发明构造的第四运行/再填充腔室的顶部横截面。

尽管本发明容许各种修改及替代形式，但是其细节已经通过实例在附图中被展示并且将被详细描述。然而，应理解，不希望将本发明的方面限制于所描述的特定说明性实施例。相反，希望涵盖在本发明的精神及范围内的所有修改、等效物及替代物。

具体实施方式

如在本说明书及所附权利要求书中所使用，单数形式“一”及“所述”包括复数指示物，除非内容另有明确指示。如在本说明书及所附权利要求书中所使用，术语“或”通常以包含“及/或”的含义采用，除非内容另有明确指示。

应参考附图阅读以下详细描述，附图中，不同附图中的类似元件编号相同。详细描述及不一定按比例绘制的附图描绘说明性实施例，并且不希望限制本发明的范围。所描绘的说明性实施例仅希望为示范性的。除非明确地相反说明，否则任何说明性实施例的选定特征可并入额外实施例中。

首先参考图1，展示根据本发明构造的CVD系统100。系统100的一个部分位于子制造区域101中，子制造区域101在下文中被称为子制造部，而另一部分位于制造区域或地板102中，制造区域或地板102被展示为由虚线包围，在下文中被称为制造部。这些部分通过加热蒸汽供应管线(或第一导管)105连接。散装柜110优选地位于子制造部中，但是可位于更偏远的位置。散装柜110容纳第一散装容器115及第二散装容器116。优选地，散装容器115及116以及其内部支撑结构由电抛光的316L不锈钢制成。316L不锈钢优选地涂覆有针对每一特定化学物更具抗性的材料(例如镍、氧化铝等等)的薄膜。替代地，可采用金属合金材料。铬镍铁合金、哈司特镍合金C276、C22、合金20等等是此类合金的实例。此外，可采用不同材料。举例来说，散装容器可由316L不锈钢制成，且内部支撑结构可由更具抗性的合金制成或涂覆有更具抗性的合金。

前体120以固体形式存储在散装容器115内，并且前体121以固体形式存储在散装容器116内。尽管使用不同的参考数字，但是前体120及121通常是相同材料。举例来说，在使用中，使用散装容器115直到前体120耗尽。然后，使用散装容器116，同时更换或再填充散装容器115。在前体121耗尽之后，使用散装容器115，同时更换或再填充散装容器116。因此，所述工艺的此部分没有停机时间。第一秤单元125及第二秤单元126经配置以对散装容器115及116称重，以提供关于散装容器115内剩余的前体120的量及散装容器116内剩余的前体121的量的信息。连接管线127及128允许前体蒸汽离开散装容器115及116。散装容器115及116还可采用额外监测特征来监测多个温度区、真空水平、到第一导管105的质量通量率、内部/外部过滤、内部/外部提纯、杂质水平等等。可编程逻辑控制器130控制歧管135以调节前体120及121从散装容器115及116到制造部的输送。具体来说，前体120及121在散装容器115及116中被加热以引起升华，并且所得蒸汽经由蒸汽供应管线105输送到制造部102，任选地使用由载气供应设备140供应的载气。优选地，前体的温度范围为80到250摄氏度。供应管线105优选地也被加热为处于或高于散装容器115或116中的前体的温度，并且经监测以测量前体递送速率。前体120及121通常不同时通过蒸汽供应管线105输送。代替地，前体120及121优选地以交替方式输送，如上文所论述。由吹扫气体供应设备145供应的吹扫气体用于吹扫前体120及121通过的导管(例如，蒸汽供应管线105)。优选地通过自动化循环进行吹扫，以随着潜在的化学材料通过未单独标记的连接器离开散装容器115及116而从管线105移除所述化学材料。通过管线147将废弃物从歧管135移除到真空处置单元148。还可加热管线147以限制废弃物产物的冷凝。作为替代递送方法，可利用适当的歧管装置将散装容器115及116串联或并联地使用。歧管装置将仍然允许单个容器向运行/再填充腔室提供蒸汽，同时更换另一散装容器。串联或串联递送的选项将允许更完全地消耗前体，同时不影响可用于运行/再填充腔室的蒸汽的量。此替代方案将减少散装容器中残余前体的量并且将改进所有权的成本。

处理系统150位于制造部102中。处理系统150包含多个运行/再填充腔室155到157，其从蒸汽供应管线105接收前体120及121。特定来说，前体120及121作为蒸汽进入运行/再填充腔室155到157，且接着通过冷却运行/再填充腔室155到157作为固体沉积在运行/再填充腔室155到157内。出于本发明的目的，术语“沉积”及其变体是指化学气相沉积(CVD)工艺，借此将前体气体化学转化为固体膜，而不是将物体放在特定位置的更一般的动作。前体120及121以固体形式存储在运行/再填充腔室155到157内。当需要时，通过加热对应运行/再填充腔室155到157，使前体120、121在运行/再填充腔室155到157中的一者内升华。运行再填充腔室155到157优选地在到腔室的运行模式与冷凝固体的再填充模式之间被快速加热及冷却。加热及冷却优选地使用包含电阻加热、热油再循环及辐射加热的若干技术中的一者来实现。冷却可通过冷水、乙二醇、传热流体、帕尔贴(Peltier)冷却装置、焦尔-汤普森(Joule-Thompson)冷却等等来完成。然后将前体120、121输送到沉积腔室160，沉积腔室160优选地紧靠运行/再填充腔室155到157并包含压力表161。替代地，前体120、121被输送到第二运行/再填充腔室155到157。导管165将腔室155到157连接到真空。在第一种情况下，前体120及121中选择的一者用于在位于沉积腔室160内的衬底(未展示)上沉积膜。额外共反应物及惰性气体通常是CVD或ALD工艺的部分。这些未展示，但是使用包含质量流量控制器(MFC)及压力控制器(PC)的常规硬件来递送。在原子层沉积(ALD)工艺中，共反应物气体的递送在时间上与前体蒸汽的递送分离。任选的载气供应设备170可用于在处理系统150内输送前体120及121，而可编程逻辑控制器175控制处理系统150。更具体来说，控制器175通过控制线176及177连接到仪表161及控制阀197，并且能够通过打开阀197测量及控制腔室160中的压力，打开阀197会导致真空198。由吹扫气体供应设备180供应的吹扫气体用于吹扫运行/再填充腔室155到157。

在一个实施例中，运行/再填充腔室155到157中的每一者经定大小以保持足以用于一个沉积循环而不是两个沉积循环的量的前体120或121。在其它实施例中，运行/再填充腔室155到157中的每一者经定大小以保持足以用于多个沉积循环的量的前体120或121。出于本发明的目的，术语“沉积循环”是指用于将单层前体沉积在衬底上的步骤。尽管运行/再填充腔室155到157是用不同的参考数字标记，但是运行/再填充腔室155到157可彼此相同。

出于本发明的目的，术语“运行/再填充”意指“运行及/或再填充”。当腔室(例如，腔室155)处于其较低温度设定时，所述腔室正被再填充，并且蒸汽正经由蒸汽供应管线105进入并冷凝在高表面积内部上。然后，当腔室处于其较高温度设定时，所述腔室正运行，并且在循环的再填充部分期间已经冷凝的固体被蒸发，并且蒸汽经由管线(未标记)被递送到沉积腔室。换句话说，术语“运行/再填充腔室”指示所述腔室充当运行腔室及再填充腔室两者。运行/再填充腔室可结合过滤、提纯、压力/真空监测及递送速率或固体膜感测。运行/再填充腔室优选地经设计以针对每一晶片而循环，或者运行/再填充腔室的一个“再填充”经设计以在再次进行“再填充”之前针对两个或多于两个晶片提供蒸汽。

现在参考图2，展示根据本发明构造的CVD系统200。除CVD系统200对每沉积腔室具有一个运行/再填充腔室之外，CVD系统200通常以与CVD系统100相同的方式起作用。具体来说，处理系统250包含多个运行/再填充腔室255到257，其从蒸汽供应管线105接收前体120及121。前体120及121作为蒸汽进入运行/再填充腔室255到257，且接着通过冷却运行/再填充腔室255到257作为固体沉积在运行/再填充腔室255到257内。当需要时，通过加热运行/再填充腔室255到257中的一者，使前体120或121在所述运行/再填充腔室255到257内升华。然后将前体120或121输送到多个沉积腔室260到262中的对应一者。前体120或121用于在位于对应沉积腔室260到262内的衬底(未展示)上沉积膜。任选的载气供应设备270可用于在处理系统250内输送前体120及121，而控制器275控制处理系统250。更具体来说，控制器275通过控制线276连接到仪表263到265。控制器275也通过线277连接到控制阀295到297，并且能够通过打开阀295到297测量及控制腔室260到262中的压力，打开阀295到297会导致真空298。由吹扫气体供应设备280供应的吹扫气体用于吹扫运行/再填充腔室255到257。

图3展示根据本发明构造的CVD系统300。除CVD系统300包括多个处理系统350到352之外，CVD系统300通常以与CVD系统100及200相同的方式起作用。每一处理系统350到352包含运行/再填充腔室355到357，其从蒸汽供应管线105接收前体120及121。前体120及121作为蒸汽进入运行/再填充腔室355到357，且接着通过冷却运行/再填充腔室355到357作为固体沉积在运行/再填充腔室355到357内。当需要时，通过加热运行/再填充腔室355到357中的一者，使前体120或121在所述运行/再填充腔室355到357内升华。然后将前体120或121输送到对应沉积腔室360到362。前体120或121用于在位于所述沉积腔室360到362内的衬底(未展示)上沉积膜。任选的载气供应设备370到372可用于在处理系统350到352内输送前体120及121，而控制器375到377控制处理系统350到352。更具体来说，控制器375到377通过控制线连接到仪表363到365，其中线378到383被标记。控制器375到377还连接到控制阀395到397，并且能够通过打开阀395到397测量及控制腔室360到362中的压力，打开阀395到397会导致在398到400处的真空。由吹扫气体供应设备380到382供应的吹扫气体用于吹扫运行/再填充腔室355到357。

转到图4，提供根据本发明构造的运行/再填充腔室400的横截面。运行/再填充腔室400包含歧管405及406。前体(未展示)作为蒸汽通过入口410进入运行/再填充腔室400，入口410连接到歧管405。入口410也将连接到蒸汽供应管线，例如蒸汽供应管线105(未展示)。前体作为蒸汽通过出口411离开运行/再填充腔室400，出口411连接到歧管406。出口411还将经由第二导管(例如，如图1中所展示)连接到沉积腔室，例如沉积腔室160。吹扫气体及载气可通过歧管405进入运行/再填充腔室400，但是入口不可见。运行/再填充腔室400还包含其中存储前体的多个管420到425。具体来说，前体作为蒸汽通过入口410及歧管405，并作为固体冷凝在管420到425内。为了实现此相变，使用传热流体430冷却管420到425，传热流体430位于环绕管420到425的腔室435中。传热流体430可为液体或气体。腔室435至少部分地由运行/再填充腔室400的侧壁440及441界定。传热流体430通过入口445进入腔室435并通过出口446离开腔室435。当需要使前体升华时，使用另一传热流体(未展示)加热管420到425，所述另一传热流体通过入口450进入腔室435并通过出口451离开腔室435。例如氮气(N₂)或清洁干燥空气(CDA)的置换气体可用于分离传热流体的两个温度。置换气体通过入口415进入腔室435并通过出口416离开腔室435。优选地，管420到425填充有泡沫455，泡沫455与所使用的前体化学兼容。举例来说，泡沫455可为镍泡沫、铝泡沫或石墨泡沫。泡沫455还具有高表面积及高传热速率，这有助于前体的沉积及升华。

虽然运行/再填充腔室400被描述为使用传热流体来加热及冷却，但是根据本发明构造的运行/再填充腔室可通过其它途径来加热及冷却。举例来说，可使用电阻加热元件及帕尔贴装置。此外，可代替泡沫455而使用增加表面积的其它介质，例如珠子或拉西环。

现在参考图5，提供根据本发明构造的运行/再填充腔室500的横截面。运行/再填充腔室500包含歧管505及506。前体(未展示)通过入口510进入运行/再填充腔室500，入口510连接到歧管505。入口510也将连接到蒸汽供应管线，例如蒸汽供应管线105(未展示)。前体通过出口511离开运行/再填充腔室500，出口511连接到歧管506。出口511还将经由导管(未展示)连接到沉积腔室，例如沉积腔室160。吹扫气体及载气可通过歧管505进入运行/再填充腔室500，但是入口不可见。运行/再填充腔室500还包含其中存储前体的多个管520到525。具体来说，前体作为蒸汽通过入口510及歧管505，并作为固体沉积在管520到525内。优选地，管520到525填充有泡沫555，泡沫555与所使用的前体化学兼容。举例来说，泡沫555可为镍泡沫、铝泡沫或石墨泡沫。泡沫555还具有高表面积及高传热速率，这有助于前体的沉积及升华。

运行/再填充腔室500通常以与运行/再填充腔室400相同的方式起作用，不同之处只是沿着管520到525的长度提供温差或梯度以防止前体过度累积在最接近入口510的管520到525的端部。特定来说，这是通过以下方式来实现：用绝缘体560环绕管520到525的中央部分，同时通过在两个不同温度下使用传热流体530而在管520到525的入口端部与出口端部之间建立温度差。具体来说，在循环的再填充或冷凝部分期间，管520到525朝向入口510的端部相比于管520到525朝向出口511的端部维持在更高的温度。绝缘体560位于第一腔室535中，第一腔室535至少部分地由运行/再填充腔室500的侧壁540及541界定。传热流体530位于第二腔室536及第三腔室537中，第二腔室536环绕最接近入口510的管520到525的端部，第三腔室537环绕最接近出口511的管520到525的端部。腔室536及537也至少部分地由侧壁540及541界定。传热流体530通过入口545进入第二腔室536并通过出口546离开第二腔室536。类似地，传热流体530通过入口565进入第三腔室537并通过出口566离开第三腔室537。当需要使前体升华时，使用另一传热流体(未展示)加热管520到525，所述另一传热流体通过入口550进入第二腔室536并通过出口551离开第二腔室536。此另一传热流体也通过入口570进入第三腔室537并通过出口571离开第三腔室537。

优选地，传送到第二腔室536的传热流体的部分与传送到第三腔室537的传热流体部分的温度不同。举例来说，这可通过对传热流体的一个部分提供额外加热或冷却来实现。替代地，不是将相同的传热流体传送到第二腔室536及第三腔室537两者，而是可将不同的传热流体传送到第二腔室536及第三腔室537。在任一情况下，结果是独立温度控制，这允许沿着管520到525的长度进行更均匀的冷凝及升华。举例来说，在沉积期间，第二腔室536中的传热流体相比于第三腔室537中的传热流体可相对更冷。在升华期间，第二腔室536中的传热流体相比于第三腔室537中的传热流体可相对更热。

转到图6，提供运行/再填充腔室400的另一横截面。此视图突出了管420到425及腔室435的形状。具体来说，管420到425中的每一者具有圆形横截面。然而，在根据本发明构造的运行/再填充腔室中可使用其它布置。举例来说，图7展示包含各自具有星形横截面的多个管720到725的运行/再填充腔室700。使用星形横截面而不是圆形横截面会为冷凝及升华以及传热提供更多的表面积。为完整起见，图7中还标记了传热流体730、腔室735以及侧壁740及741。

图8展示根据本发明构造的用于运行/再填充腔室的另一管布置。特定来说，运行/再填充腔室800包含管820到824，其具有矩形横截面。管820到824中的每一者相对薄以提供更多的表面积。与其它实施例一样，管820到824使用传热流体830控制其温度，传热流体830位于至少部分地由侧壁840及841界定的腔室835中。

虽然已经描述某些示范性管布置，但应认识到，存在多种不同方式来增加运行/再填充腔室的管内的可用表面积。举例来说，管可包括翅片。

除上文所提供的详细描述之外，还可使用以下一般实例理解本发明的运行/再填充腔室的操作。在运行/再填充腔室处于温度T1的情况下，将蒸汽/载气混合物从加热蒸汽供应管线递送到运行/再填充腔室入口中。随着混合气体流过运行/再填充腔室的管，固体前体冷凝到管的内表面上。此内表面可为管本身或泡沫填料表面。将载气通过运行/再填充腔室出口拉到真空。此步骤经定时以在运行/再填充腔室的内部上提供所需负载的固体前体。任选地，可关闭入口流，同时将残余载气泵送到真空。接下来，将运行/再填充腔室加热到温度T2。载气流入运行/再填充腔室的入口，固体前体升华，且蒸汽被载送到沉积腔室。在循环结束时，使运行/再填充腔室的出口与沉积腔室隔离，并且将运行/再填充腔室冷却到温度T1。根据需要重复所述循环。针对每一晶片沉积，针对ALD沉积的每一脉冲或者针对特定制造情况良好工作的任何时段，可重复此类型的操作循环。

在另一实例中，在温度T1下将运行/再填充腔室抽空。接下来，从加热蒸汽供应管线递送蒸汽，且使固体前体冷凝在运行/再填充腔室中。此步骤经定时以在运行/再填充腔室的内部上提供所需负载的固体前体。接下来，关闭到运行/再填充腔室的供应，并将腔室加热到温度T2。载气流入运行/再填充腔室的入口，固体前体升华，且蒸汽被载送到沉积腔室。在循环结束时，使运行/再填充腔室的出口与沉积腔室隔离，并且将腔室冷却到温度T1。根据需要重复所述循环。

可使用以下一般实例理解本发明的运行/再填充腔室的温度控制。在运行/再填充腔室的起始状态处于温度T2的情况下，在温度T2下的传热流体流入T2供应，并且离开T2返回而到达将传热流体保持在温度T2的储存器。当需要将温度快速改变到温度T1时，关闭T2供应，并且置换气体将在温度T2下的传热流体推到T2返回。当移除了在温度T2下的大部分或足够的传热流体时，也关闭T2返回，开启T1供应，并且允许置换气体自由地流回。当腔室填充有在温度T1下的传热流体时，关闭置换气体返回，并且T1返回允许在温度T1下的传热流体返回到将传热流体保持在温度T1的储存器。在温度T1下的传热流体继续流过运行/再填充腔室，用于操作循环的沉积部分。当运行/再填充腔室的温度需要再次升高到温度T2时，执行类似序列。关闭T1供应，并且置换气体将在温度T1下的传热流体推到T1返回。当移除了在温度T1下的大部分或足够的传热流体时，也关闭T1返回，开启T2供应，并且允许置换气体自由地流回。当腔室填充有在温度T2下的传热流体时，关闭置换气体返回，并且T2返回允许在温度T2下的传热流体返回到将传热流体保持在温度T2的储存器。在温度T2下的传热流体继续流过运行/再填充腔室，用于操作循环的升华部分。

已经如此描述本发明的若干说明性实施例，所属领域的技术人员将容易了解，可在所附权利要求书的范围内制造及使用其它实施例。在先前描述中已经阐述本文件所涵盖的本发明的众多优点。具体来说，本发明提供一种化学品递送系统，其在CVD工艺中高效地、有效地且一致地递送固体前体，同时最小化CVD系统的停机时间及在处理工具附近占据的空间量。然而，应理解，在许多方面，本发明仅是说明性的。在不超出本发明的范围的情况下，可对细节进行改变，特别是在形状、大小及部件布置方面。举例来说，散装容器可含有低蒸汽压力液体或在散装容器中熔化的固体，以优化散装容器的蒸汽递送或再填充。当然，本发明的范围是以表达所附权利要求书的语言来定义的。