阅读说明：本技术 发光显示装置及制造其的方法 (Light emitting display device and method of manufacturing the same ) 是由 金德星 于 2019-06-25 设计创作，主要内容包括：本申请涉及发光显示装置及制造其的方法。发光显示装置包括：显示元件层,具有多个发光元件；第一子像素,包括多个发光元件之中的位于显示元件层的第一子像素区域中的第一发光元件；第二子像素,包括多个发光元件之中的位于显示元件层的第二子像素区域中的第二发光元件；第三子像素,包括多个发光元件之中的位于显示元件层的第三子像素区域中的第三发光元件；分隔壁,位于第一子像素、第二子像素和第三子像素之间并位于覆盖第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的绝缘层之上；第一颜色转换层,位于第一子像素区域中的绝缘层之上,并被分隔壁围绕；第一滤色器,位于第一颜色转换层之上。(The present application relates to a light emitting display device and a method of manufacturing the same. The light emitting display device includes: a display element layer having a plurality of light emitting elements; a first sub-pixel including a first light emitting element located in a first sub-pixel region of the display element layer among the plurality of light emitting elements; a second sub-pixel including a second light emitting element located in a second sub-pixel region of the display element layer among the plurality of light emitting elements; a third sub-pixel including a third light emitting element located in a third sub-pixel region of the display element layer among the plurality of light emitting elements; a partition wall between the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel and over an insulating layer covering the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element; a first color conversion layer over the insulating layer in the first sub-pixel region and surrounded by the partition wall; and a first color filter positioned over the first color conversion layer.)

发光显示装置及制造其的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年7月5日提交的第10-2018-0078393号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开的各种实施方式涉及发光显示装置及制造该发光显示装置的方法。

背景技术

显示装置可包括用于显示高质量图像的多个像素。像素可各自使用诸如发光二极管的发光元件作为光源。即使在恶劣的环境条件下，每个发光二极管也可维持相对令人满意的耐久性，并且在寿命和亮度方面具有优异性能。

发明内容

本公开的各种实施方式涉及能够提高光学效率并呈现鲜明色彩的发光显示装置以及制造发光显示装置的方法。

本公开的实施方式可提供一种发光显示装置，发光显示装置包括显示元件层、第一子像素、第二子像素、第三子像素、分隔壁、第一颜色转换层和第一滤色器，其中，显示元件层具有多个发光元件，第一子像素包括多个发光元件之中的位于显示元件层的第一子像素区域中的第一发光元件，第二子像素包括多个发光元件之中的位于显示元件层的第二子像素区域中的第二发光元件，第三子像素包括多个发光元件之中的位于显示元件层的第三子像素区域中的第三发光元件，分隔壁位于第一子像素、第二子像素和第三子像素之间并位于覆盖第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的绝缘层之上，第一颜色转换层位于第一子像素区域中的绝缘层之上，并被分隔壁围绕，第一滤色器位于第一颜色转换层之上。

在实施方式中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件配置成发射基本相同颜色的光。

在实施方式中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件配置成发射蓝光。

在实施方式中，第一颜色转换层可包括红色量子点，并且第一滤色器可包括红色滤色器。

在实施方式中，发光显示装置还可包括第二颜色转换层和第二滤色器，其中，第二颜色转换层位于第二子像素区域中的绝缘层之上并被分隔壁围绕，第二滤色器位于第二颜色转换层之上。

在实施方式中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件可配置成发射蓝光。第一颜色转换层可包括红色量子点，并且第二颜色转换层可包括绿色量子点。第一滤色器可包括红色滤色器，并且第二滤色器可包括绿色滤色器。

在实施方式中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件可配置成发射蓝光。第一颜色转换层和第二颜色转换层中的每个可包括红色量子点和绿色量子点的组合。第一滤色器可包括红色滤色器，并且第二滤色器可包括绿色滤色器。

在实施方式中，发光显示装置还可包括光散射层和第三滤色器，其中，光散射层位于第三子像素区域中的绝缘层之上并被分隔壁围绕，第三滤色器位于光散射层之上。

在实施方式中，发光显示装置还可包括第一覆盖层、第二覆盖层和第三覆盖层，其中，第一覆盖层位于第一颜色转换层与第一滤色器之间，第二覆盖层位于第二颜色转换层与第二滤色器之间，第三覆盖层位于光散射层与第三滤色器之间。

在实施方式中，发光显示装置还可包括位于第三子像素区域中的绝缘层之上的光散射层和第三滤色器中的至少一个。

在实施方式中，发光显示装置还可包括位于分隔壁的表面上的反射层。

在实施方式中，反射层可覆盖分隔壁的从显示元件层向上暴露的表面的全部。

在实施方式中，分隔壁可具有其宽度在远离显示元件层的方向上减小的梯形截面、半圆形截面或半椭圆形截面。

在实施方式中，分隔壁的高度可大于或等于第一颜色转换层的高度。

在实施方式中，发光显示装置还可包括衬底，该衬底具有其上相继地布置有显示元件层和分隔壁的一个表面。

在实施方式中，发光显示装置还可包括位于衬底与显示元件层之间的像素电路层。

在实施方式中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的每个可包括具有微米级尺寸或纳米级尺寸的棒式发光二极管。

本公开的实施方式可提供一种制作发光显示装置的方法，该方法可包括：制备包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域的衬底；通过在第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域中分别形成第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件并通过形成配置为覆盖第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的绝缘层来形成显示元件层；在第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域之间在绝缘层之上形成分隔壁；在显示元件层之上在第一子像素区域和第二子像素区域中分别形成第一颜色转换层和第二颜色转换层；以及在第一颜色转换层和第二颜色转换层之上分别形成第一滤色器和第二滤色器。

在实施方式中，形成第一颜色转换层和第二颜色转换层可包括通过喷墨印刷方法向由分隔壁限定的第一子像素区域和第二子像素区域施加包括至少一种颜色的量子点的流体材料。

在实施方式中，该方法还可包括在第三子像素区域中在显示元件层之上形成光散射层和第三滤色器中的至少一个。

附图说明

图1A和图1B是分别示出根据本公开的实施方式的发光元件的立体图。

图2是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光显示面板的平面图。

图3A至图3C是各自示出根据本公开的实施方式的子像素的电路图。

图4至图6是各自示出根据本公开的实施方式的发光显示面板的结构的平面图。

图7至图9是各自示出根据本公开的实施方式的子像素的结构的剖视图。

图10至图16是各自示出根据本公开的实施方式的像素的结构的剖视图。

图17A至图17E是顺序地示出根据本公开的实施方式的制造发光显示装置的方法的剖视图。

具体实施方式

下文中，将参照附图对示例实施方式进行更详细地描述，其中，在全文中相同的附图标记表示相同的元件。然而，本发明可以以多种不同的形式实施，并且不应解释为仅限于本文中所示出的实施方式。相反地，提供这些实施方式作为示例，以使得本公开将是彻底且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的方面和特征。相应地，可不描述对于本领域普通技术人员为了完全理解本发明的方面和特征所不必需的过程、元件和技术。除非另外指出，否则所有附图和书面描述中相同的附图标记表示相同的元件，并因而将不重复其描述。附图中，为了清楚，元件、层和区域的相对尺寸可能被夸大。

应理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开。因此，在不背离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。

可在本文中出于描述的便利而使用诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“之下(under)”、“上方(above)”、“上(upper)”等的空间相对术语，以描述如附图中所示的一个元件或特征相对于另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。应理解的是，除了附图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用中或在操作中的不同取向。例如，如果将附图中的装置翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将取向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可包括上方和下方两种取向。装置可以以其它方式取向(例如，旋转90度或处于其它取向)并应相应地解释本文中所使用的空间相对描述语。

应理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”，“连接至”或“联接至”另一元件或层时，该元件或层可直接位于所述另一元件或层上，直接连接至或直接联接至所述另一元件或层，或者可存在一个或多个介于中间的元件或层。此外，还应理解的是，在元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可存在一个或多个介于中间的元件或层。

本文中所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而非旨在限制本发明。除非上下文另有明确说明，否则如本文中所使用的，单数形式“一(a)”和“一(an)”旨在也包括复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和“包括(including)”时，表示所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任一及所有组合。当诸如“……中的至少一个”的表述在元件列表之后时修饰整个元件列表而不修饰该列表的单个元件。

如本文中所使用的，术语“基本(substantially)”、“约(about)”和类似术语用作近似值的术语而非程度的术语，并且旨在为会由本领域普通技术人员识别的测量值或计算值的固有偏差留出余量。此外，当描述本发明的实施方式时，“可(may)”的使用表示“本发明的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，可认为术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。而且，术语“示例性(exemplary)”旨在表示示例或例示。

根据本文中描述的本发明实施方式的电子装置或电气装置和/或任何其它相关装置或部件可利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件与硬件的组合来实施。例如，这些装置的多种部件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分离的IC芯片上。此外，这些装置的多种部件可实施在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或形成在一个基底上。此外，这些装置的多种部件可以是在一个或多个计算装置中在一个或多个处理器上运行、执行计算机程序指令并与其它系统部件交互以执行本文中所描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，存储器可例如使用诸如随机存取存储器(RAM)的标准存储器装置在计算装置中实施。计算机程序指令也可例如存储在诸如CD-ROM、闪存驱动等的其它非暂时性计算机可读介质中。此外，本领域技术人员应认识到，在不背离本发明的示例性实施方式的精神与范围的情况下，各种计算装置的功能可被组合或集成至单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可跨一个或多个其它计算装置分布。

除非另外限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。还应理解的是，诸如在常用词典中定义的术语的术语应解释为具有与其在相关技术和/或本说明书的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的含义来解释，除非本文中明确地如此限定。

图1A和图1B是分别示出了根据本公开的实施方式的发光元件LD的立体图。虽然在图1A和图1B的每个中示出了具有圆柱形形状的棒式发光二极管作为发光元件LD的示例，但是根据本公开的发光元件LD的类型和/或形状不限于此，且可使用任何合适的形状。

参照图1A和图1B，根据本公开的实施方式的发光元件LD可包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和有源层12，其中，有源层12插置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。例如，发光元件LD可配置为堆叠体。在各种实施方式中，该堆叠体可通过连续堆叠第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13而形成。

在实施方式中，发光元件LD可具有在一个方向上延伸的棒的形式。例如，当将发光元件LD沿其延伸的方向限定为纵向方向时，发光元件LD可具有沿着纵向方向的第一端和第二端。

在实施方式中，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可位于发光元件LD的第一端上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可位于发光元件LD的第二端上。

在实施方式中，发光元件LD可制造成棒状形状。在各种实施方式中，术语“棒式”可包括在纵向方向上延伸(即，具有大于1的纵横比)的棒状形状或条状形状(诸如，圆柱形形状和棱柱形形状)，并且其截面形状不限于特定形状(例如，截面形状可包括圆形形状、椭圆形形状、多边形形状等)。例如，发光元件LD的长度L可以比其直径D(或其截面的宽度)大。

在实施方式中，发光元件LD可具有与微米级尺寸或纳米级尺寸对应的小尺寸(例如，长度L和/或直径D可以与微米级尺寸或纳米级尺寸对应)。然而，发光元件LD的尺寸不限于微米级或纳米级。例如，发光元件LD的尺寸可根据设计条件以多种方式进行改变。例如，设计条件不仅可以与发光显示装置相关，而且可以与使用发光元件LD的各种发光装置相关。

第一导电半导体层11可包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可包括一个n型半导体层。在各种实施方式中，n型半导体层可包括例如InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任一种半导体材料，并可掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂。然而，形成第一导电半导体层11的材料不限于此，并且第一导电半导体层11可以由多种其它材料形成。

有源层12可位于第一导电半导体层11上并具有单个量子阱结构或多个量子阱结构。在实施方式中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可形成在有源层12上和/或形成在有源层12下方。例如，包覆层可以是AlGaN层或InAlGaN层。在实施方式中，可使用诸如AlGaN或InAlGaN的材料来形成有源层12，并且可使用多种其它材料来形成有源层12。

在实施方式中，当将具有预定电压或比预定电压高的电压的电场施加至发光元件LD的相对端时，发光元件LD通过有源层12中的电子-空穴对的耦合而发光。由于可基于前述原理来控制发光元件LD的发光，因此发光元件LD可以用作多种发光装置以及像素的光源。

在实施方式中，第二导电半导体层13可位于有源层12上，并包括与第一导电半导体层11的半导体层类型不同的半导体层类型。例如，第二导电半导体层13可包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可包括具有InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任一种半导体材料的p型半导体层，并且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂。然而，形成第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13可由多种其它合适的材料形成。

在实施方式中，发光元件LD不仅可包括第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13，还可包括另外的其它部件。例如，发光元件LD还可包括位于第一导电半导体层11、有源层12和/或第二导电半导体层13上和/或下方的至少一个荧光层、至少一个有源层、至少一个半导体层和/或至少一个电极层。

例如，如图1A中所示，发光元件LD还可包括位于第二导电半导体层13的一端(例如，上表面)上的至少一个电极层(例如，第一电极层)15。此外，在实施方式中，如图1B中所示，发光元件LD还可包括位于第一导电半导体层11的一端(例如，下表面)上的至少一个其它电极层(例如，第二电极层)16。电极层15和电极层16中的每个可以是欧姆接触电极，但其不限于此。此外，电极层15和电极层16中的每个可包括金属或金属氧化物。例如，铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、ITO及其氧化物或合金可单独使用或彼此组合使用。然而，本公开不限于此。在实施方式中，电极层15和电极层16可以是基本透明或半透明。因此，从发光元件LD产生的光可以在穿过电极层15和电极层16之后发射至外部。

在本公开的实施方式中，发光元件LD还可包括绝缘膜14。在实施方式中，绝缘膜14可形成为包围至少有源层12的外周(例如，圆周)表面。另外，绝缘膜14还可包围第一导电半导体层11和第二导电半导体层13的至少部分。

虽然图1A中所示的发光元件LD包括不完全围绕圆柱形本体的侧表面的绝缘膜14(例如，其一部分被去除)，但应该理解的是，将一部分去除是为了清楚地示出发光元件LD的堆叠结构，并且绝缘膜14可包围第一导电半导体层11、有源层12和/或第二导电半导体层13的外周(例如，圆周)表面(例如，圆柱形本体的侧表面)的全部。例如，如图1A中所示，绝缘膜14可以仅允许位于第二导电半导体层13的一端上的电极层15暴露于外部，并且可包围第一导电半导体层11、有源层12和/或第二导电半导体层13的侧表面的全部。这里，绝缘膜14可以至少允许发光元件LD的相对端暴露于外部。例如，绝缘膜14不仅可以允许位于第二导电半导体层13的一端上的电极层15暴露于外部，还可允许第一导电半导体层11的一端(例如，下表面)暴露于外部。

在实施方式中，如图1B中所示，在电极层15和电极层16位于发光元件LD的相应的相对端上的情况下，绝缘膜14可以允许电极层15和电极层16中的每个的至少一部分暴露于外部。可选地，在实施方式中，可以省略绝缘膜14。

在实施方式中，绝缘膜14可包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可包括选自由SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃和TiO₂构成的群组中的至少一种绝缘材料，但其不限于此。换言之，形成绝缘膜14的材料不限于特定材料，而是可以由公知的各种合适的绝缘材料形成绝缘膜14。

在发光元件LD上包括绝缘膜14的实施方式中，可防止发光元件LD的有源层12与第一像素电极和/或第二像素电极(未示出)等短路。因此，可以确保发光元件LD的电稳定性。

此外，形成在发光元件LD的表面上的绝缘膜14可减少发光元件LD的表面上的缺陷的出现(例如，可以减少或最少化缺陷的出现)，由此可提高发光元件LD的寿命和效率。另外，形成在每个发光元件LD上的绝缘膜14可以防止相邻的发光元件LD发生不期望的短路。例如，当多个发光元件LD彼此相邻时，可以通过绝缘膜14防止发光元件LD发生不期望的短路。

在本公开的实施方式中，可执行表面处理工艺来制造发光元件LD。例如，可以对发光元件LD进行表面处理(例如，通过涂布工艺)，以使得当多个发光元件LD与流体溶液混合并随后被提供至每个子像素区域时，发光元件LD可以在溶液中均匀地分散而非不均匀地聚集。

上述发光元件LD可以用作不同类型的发光装置(包括发光显示装置)中的光源。例如，至少一个发光元件LD可位于发光显示面板的每个像素区域中，从而形成每个像素的发射单元。此外，根据本公开的发光元件LD的应用领域不限于显示装置。例如，发光元件LD也可用于需要光源的其它类型的发光装置(诸如，照明装置)中。

图2是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光显示面板100的平面图。图2示出了根据该实施方式的发光显示面板100的结构，其中，所示出的发光显示面板100的结构主要关注显示区域DA。在一些实施方式中，虽然未示出，但是在发光显示面板100中可包括至少一个驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器)和/或多条线。

参照图2，发光显示面板100可包括衬底SUB以及位于衬底SUB上的多个像素PXL。详细地，发光显示面板100可包括显示区域DA和非显示区域NDA，其中，显示区域DA用于显示图像，非显示区域NDA形成在除了显示区域DA之外的区域(例如，预定区域)处。像素PXL可位于显示区域DA中。

在实施方式中，显示区域DA可位于发光显示面板100的中央部分中，并且非显示区域NDA可以以围绕显示区域DA(例如，位于显示区域DA周围)这样的方式位于发光显示面板100的周边部分中。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，且它们的位置可以改变。

衬底SUB可以是刚性衬底或柔性衬底，并且其材料或性质不受特别限制。例如，衬底SUB可以是由玻璃或强化玻璃制成的刚性衬底，或者可以是通过由塑料或金属制成的薄膜而形成的柔性衬底。此外，衬底SUB可以是透明衬底，但其不限于此。例如，衬底SUB可以是半透明衬底、不透明衬底或反射衬底。

将衬底SUB上的一区域限定为形成像素PXL的显示区域DA，并且将衬底SUB的其它区域限定为非显示区域NDA。例如，衬底SUB可包括显示区域DA和非显示区域NDA，其中，显示区域DA包括其中形成有相应的像素PXL的多个像素区域，非显示区域NDA位于显示区域DA周围。联接至像素PXL的各种线和/或内部电路单元(或电路)可以位于非显示区域NDA中。

像素PXL中的每个可包括至少一个发光元件LD(例如，图1中所示的至少一个棒式发光二极管)，至少一个发光元件LD通过相应的扫描信号和相应的数据信号进行驱动。例如，每个像素PXL可包括多个棒式发光二极管，棒式发光二极管中的每个具有与微米级尺寸或纳米级尺寸对应的小尺寸，并且棒式发光二极管彼此并联联接。多个棒式发光二极管可形成每个像素PXL的光源。

此外，像素PXL中的每个可包括多个子像素。例如，每个像素PXL可包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。在实施方式中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可发射不同颜色的光。例如，第一子像素SPX1可以是用于发射红光的红色子像素，第二子像素SPX2可以是用于发射绿光的绿色子像素，且第三子像素SPX3可以是用于发射蓝光的蓝色子像素。然而，形成每个像素PXL的子像素的颜色、类型和/或数量不受特别限制。例如，可以以多种方式改变从每个子像素发射的光的颜色。虽然在图2中示出了像素PXL以条纹形状布置在显示区域DA中的实施方式，但本公开不限于此。例如，显示区域DA可具有各种公知的合适的像素排列形状中的一种或多种。

在实施方式中，每个像素PXL(或每个子像素)可以由有源像素形成。然而，能够应用于本公开的像素PXL的类型、结构和/或驱动方案不受特别限制。例如，每个像素PXL可以由发光显示装置的具有各种公知的合适的有源结构或无源结构的像素形成。

图3A至图3C是各自示出根据本公开的实施方式的子像素SPX的电路图，以例如示出图2中所示的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的任一个。

详细地，图3A至图3C示出了可以设置在有源发光显示装置中的子像素的不同实施方式。例如，图3A至图3C中所示的每个子像素SPX可以是设置在图2的发光显示面板100中的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的任一个。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的结构可以彼此基本相同或相似。因此，在图3A至图3C中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3将统称为“子像素SPX”，其中，子像素SPX是指第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的一个。

参照图3A，根据本公开的实施方式的子像素SPX可包括发射单元EMU和像素电路PXC，其中，发射单元EMU配置成产生具有与数据信号对应的亮度的光，像素电路PXC配置成驱动发射单元EMU。

在实施方式中，发射单元EMU可包括在第一电源VDD与第二电源VSS之间彼此并联联接的多个发光元件LD。这里，第一电源VDD和第二电源VSS可具有不同的电位，以使发光元件LD能够发光。例如，第一电源VDD可设置为高电位电源，且第二电源VSS可设置为低电位电源。这里，第一电源VDD与第二电源VSS之间的电位差可在子像素SPX的发光周期期间设置成发光元件LD的阈值电压或更大。

虽然在图3A中示出了形成发射单元EMU的发光元件LD在第一电源VDD与第二电源VSS之间在相同方向上(例如，在正向方向上)彼此并联联接的实施方式，然而，本公开不限于所描绘的配置。例如，在实施方式中，发光元件LD中的一些可以在第一电源VDD与第二电源VSS之间在正向方向上彼此联接，并且其它发光元件LD可在第一电源VDD与第二电源VSS之间在反向方向上彼此联接。可选地，在实施方式中，至少一个子像素SPX可以仅包括单个发光元件LD。

在实施方式中，形成每个发射单元EMU的发光元件LD的第一端可经由第一电极共同联接至相应的像素电路PXC，并可经由像素电路PXC联接至第一电源VDD。发光元件LD的第二端可经由第二电极共同联接至第二电源VSS。在下文中，每个发射单元EMU中的第一电极和第二电极将分别称为“第一像素电极”和“第二像素电极”。

每个发射单元EMU可发射具有与经由相应的像素电路PXC提供至其的驱动电流对应的亮度的光。由此，可以在显示区域DA上显示图像。

像素电路PXC可联接至相应的子像素SPX的扫描线(例如，第i扫描线Si)和数据线(例如，第j数据线Dj)。例如，如果子像素SPX位于显示区域DA的第i行和第j列上，则子像素SPX的像素电路PXC可联接至显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。像素电路PXC可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。

第一晶体管(驱动晶体管；T1)的第一电极联接至第一电源VDD，并且其第二电极经由第一像素电极(即，相应的发射单元EMU的第一电极)联接至发光元件LD。这里，第一电极和第二电极可以为不同的电极。例如，如果第一电极为源电极，则第二电极可以为漏电极。第一晶体管T1的栅电极联接至第一节点N1。第一晶体管T1可响应于第一节点N1的电压来控制要提供至发射单元EMU的驱动电流。

第二晶体管(开关晶体管；T2)的第一电极联接至第j数据线Dj，并且其第二电极联接至第一节点N1。第二晶体管T2的栅电极联接至第i扫描线Si。

当从第i扫描线Si提供栅极导通电压(例如，低电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第一节点N1电连接至第j数据线Dj。在每个帧周期期间，相应帧的数据信号被提供至第j数据线Dj。数据信号经由第二晶体管T2传输至第一节点N1。由此，与数据信号对应的电压被充电至存储电容器Cst。

存储电容器Cst的一个电极联接至第一电源VDD，并且存储电容器Cst的另一电极联接至第一节点N1。存储电容器Cst可以充有与在每个帧周期期间提供至第一节点N1的数据信号对应的电压，并且维持所充有的电压直至提供后续帧的数据信号。

虽然已在图3A中将包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)示出为由P型晶体管形成，但本公开不限于此。换言之，如本领域技术人员将理解的，可以将第一晶体管T1和第二晶体管T2中的任一个改变成N型晶体管，但是电路配置和所施加的电压也相应地改变。

例如，如图3B中所示，第一晶体管T1和第二晶体管T2二者均可由N型晶体管形成。除了一些电路元件的连接位置已经根据晶体管类型的改变而改变的事实外，图3B中所示的子像素SPX的配置和操作与图3A的子像素SPX的配置和操作基本类似。因此，将省略对图3B的子像素SPX的详细描述。

像素电路PXC的结构不限于图3A和图3B中所示的实施方式。换言之，像素电路PXC可以由可具有各种合适结构的公知的像素电路形成和/或通过各种合适的驱动方案操作。例如，像素电路PXC可以以与图3C中所示的实施方式的方式相同的方式进行配置。

参照图3C，像素电路PXC不仅可以联接至相应水平线的扫描线(例如，第i扫描线Si)，还可以联接至至少一条其它扫描线(或控制线)。例如，位于显示区域DA的第i行上的子像素SPX的像素电路PXC还可联接至第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。在实施方式中，像素电路PXC不仅可联接至第一电源VDD和第二电源VSS，还可联接至其它电源。例如，像素电路PXC也可联接至初始化电源Vint。在实施方式中，像素电路PXC可包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst。

第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5联接至第一电源VDD，并且第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6联接至发光元件LD。第一晶体管T1的栅电极可联接至第一节点N1。第一晶体管T1可响应于第一节点N1的电压来控制要提供至发射单元EMU的驱动电流。

第二晶体管T2联接在第j数据线Dj与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的栅电极联接至相应的第i扫描线Si。当从第i扫描线Si提供栅极导通电压的扫描信号时，第二晶体管T2可导通以将第j数据线Dj电连接至第一晶体管T1的第一电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从第j数据线Dj提供的数据信号可被传输至第一晶体管T1。

第三晶体管T3联接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极联接至相应的第i扫描线Si。当从第i扫描线Si提供栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3可导通以将第一晶体管T1的第二电极电连接至第一节点N1。因此，如果第三晶体管T3导通，则第一晶体管T1可以以二极管的形式连接。

第四晶体管T4可以联接在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极联接至例如第i-1扫描线Si-1。当栅极导通电压的扫描信号被提供至第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4可导通，以使得初始化电源Vint的电压可传输至第一节点N1。这里，初始化电源Vint的电压可以是数据信号的最小电压或比数据信号的最小电压小的电压。

第五晶体管T5联接在第一电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极联接至相应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第五晶体管T5可以在栅极截止电压(例如，高电压)的发射控制信号被提供至第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其它情况下导通。

第六晶体管T6联接在第一晶体管T1与发光元件LD之间。第六晶体管T6的栅电极联接至相应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在栅极截止电压的发射控制信号被提供至第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其它情况下导通。

第七晶体管T7联接在发射单元EMU(例如，联接至发光元件LD的第一端的第一像素电极)与初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极联接至后续级的扫描线中的任一条，例如，联接至第i+1扫描线Si+1。当栅极导通电压的扫描信号被提供至第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7可导通，以使得初始化电源Vint的电压可提供至第一像素电极。

存储电容器Cst联接在第一电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可存储既与在每个帧周期期间被施加至第一节点N1的数据信号对应又与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。

虽然在图3C中包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7)已经示出为由P型晶体管形成，但本公开不限于此。例如，如本领域技术人员将理解的，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可改变成N型晶体管，但是电路配置和施加的电压也相应地改变。

此外，可应用于本公开的子像素SPX的结构不限于图3A至图3C中所示的实施方式，并且每个子像素SPX可具有各种其它合适的结构。例如，包括在每个子像素SPX中的像素电路PXC可以由可具有各种合适结构的公知的像素电路形成和/或通过各种合适的驱动方案操作。在本公开的实施方式中，每个子像素SPX可配置在无源发光显示装置中。在这种情况下，可省略像素电路PXC，并且发射单元EMU的第一像素电极和第二像素电极中的每个可直接联接至扫描线(例如，第i扫描线Si)、数据线(例如，第j数据线Dj)、电力线和/或控制线。

图4至图6是各自示出根据本公开的实施方式的发光显示面板(图2的发光显示面板100)的结构的平面图，以例如示出图2至图3C中所示的像素PXL的任一个像素区域PXA。图4至图6示出了每个像素PXL的基于像素PXL的显示元件层的结构；例如，将省略像素电路PXC的布局的图示。此外，在图4至图6中，简单地示出了像素PXL的结构。例如，每个电极被示出为仅具有单层结构，然而，本公开不限于所描绘的结构。例如，图4至图6中所示的电极中的至少一个可具有多层结构。在一些实施方式中，虽然未示出，但每个像素区域PXA可具有至少一个导电层和/或至少一个绝缘层。

参照图4至图6，每个像素区域PXA可包括多个子像素区域SPA，多个子像素区域SPA分别与形成相应像素PXL的多个子像素SPX对应。例如，每个像素区域PXA可包括第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3，其中，在第一子像素区域SPA1中形成第一子像素SPX1，在第二子像素区域SPA2中形成第二子像素SPX2，在第三子像素区域SPA3中形成第三子像素SPX3。

每个子像素区域SPA可包括第一像素电极ELT1、第二像素电极ELT2以及在第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间联接的多个发光元件LD。然而，本公开不限于所描绘的实施方式。例如，在本公开的实施方式中，至少一个子像素区域SPA可仅包括单个发光元件LD。

在实施方式中，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可彼此间隔开并定位成使得第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2的至少一部分彼此面对。例如，在每个子像素区域SPA中，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可以在第一方向DR1上延伸并且在彼此间隔开(例如，彼此间隔开预定距离)的位置处在第二方向DR2上彼此平行。然而，本公开不限于这种定位。例如，如本领域技术人员将理解的，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2的形状和/或相互布置关系可以以各种合适的方式改变。

在实施方式中，第一像素电极ELT1可经由第一接触孔CH1联接至相应的子像素SPX的像素电路，例如，联接至图3A至图3C中任一个中所示出的像素电路PXC。在实施方式中，每个像素电路PXC可以位于相应的子像素区域SPA中的发光元件LD下方。例如，每个像素电路PXC可形成在发光元件LD下方的像素电路层上。

在实施方式中，第一像素电极ELT1可联接至第一连接电极CNL1。例如，第一像素电极ELT1可一体地联接至第一连接电极CNL1(或者与第一连接电极CNL1一体地形成)。例如，第一像素电极ELT1可以由从第一连接电极CNL1分叉的至少一个分支形成。然而，本公开不限于第一像素电极ELT1和第一连接电极CNL1一体地联接。例如，在实施方式中，第一像素电极ELT1和第一连接电极CNL1可彼此分离地形成并经由例如至少一个接触孔或通孔彼此电联接。

在实施方式中，第一像素电极ELT1和第一连接电极CNL1可以在相应的子像素区域SPA中在不同方向上延伸。例如，当第一像素电极ELT1在第一方向DR1上延伸时，第一连接电极CNL1可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。

在实施方式中，第二像素电极ELT2可联接至第二电源VSS。例如，第二像素电极ELT2可经由第二连接电极CNL2、第二接触孔CH2和电力线PL联接至第二电源VSS。在实施方式中，用于提供第二电源VSS的电力线PL的一部分可位于发光元件LD下方的像素电路层上，但其不限于此。

在实施方式中，第二像素电极ELT2和第二连接电极CNL2可以在相应的子像素区域SPA中在不同方向上延伸。例如，当第二像素电极ELT2在第一方向DR1上延伸时，第二连接电极CNL2可以在第二方向DR2上延伸。

在实施方式中，第二像素电极ELT2和第二连接电极CNL2可以彼此一体地联接(或彼此一体地形成)。例如，第二像素电极ELT2可以由从第二连接电极CNL2分叉的至少一个分支形成。然而，本公开不限于第二像素电极ELT2和第二连接电极CNL2一体地联接。例如，在实施方式中，第二像素电极ELT2和第二连接电极CNL2可以彼此分离地形成并经由例如至少一个接触孔或通孔彼此电联接。

在实施方式中，至少一个发光元件LD(例如，多个发光元件LD)可位于每个子像素SPX的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。例如，至少一个第一发光元件LD1可位于第一子像素SPX1的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。至少一个第二发光元件LD2可位于第二子像素SPX2的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。至少一个第三发光元件LD3可位于第三子像素SPX3的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。例如，在每个子像素区域SPA中，多个发光元件LD可以在第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2彼此面对的区域(例如，相应的子像素SPX的发射区域)中彼此并联联接。

虽然在图4至图6中已将所有发光元件LD示出为在第二方向DR2上(例如，在水平方向上)布置，但发光元件LD的布置方向不限于此。例如，发光元件LD中的至少一个可以沿着对角线方向布置。

在实施方式中，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可发射相同颜色的光或者可发射不同颜色的光。例如，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的全部均可由发射蓝光的蓝色发光二极管形成。

发光元件LD电联接在相应的子像素SPX的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。例如，每个发光元件LD的一端(下文中，称为“第一端”)可电联接至相应的子像素SPX的第一像素电极ELT1，并且发光元件LD的另一端(下文中，称为“第二端”)可电联接至相应的子像素SPX的第二像素电极ELT2。

在实施方式中，发光元件LD的第一端可经由至少一个接触电极(例如，第一接触电极CNE1)电联接至相应的第一像素电极ELT1，而非直接位于第一像素电极ELT1上。然而，本公开不限于此。例如，发光元件LD的第一端可以与相应的第一像素电极ELT1直接接触并电联接至第一像素电极ELT1。

类似地，发光元件LD的第二端可经由至少一个接触电极(例如，第二接触电极CNE2)电联接至相应的第二像素电极ELT2，而不是直接位于第二像素电极ELT2上。然而，本公开不限于此。例如，发光元件LD的第二端可以与相应的第二像素电极ELT2直接接触并且电联接至第二像素电极ELT2。

在实施方式中，发光元件LD中的每个可以由发光二极管形成，该发光二极管由具有无机晶体结构并且具有超小尺寸(例如，与微米级尺寸或纳米级尺寸对应)的材料制成。例如，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的每个可以由如图1中所示的具有与微米级尺寸或纳米级尺寸对应的尺寸的超小棒式发光二极管形成。

在实施方式中，发光元件LD可以以分散的形式(例如，在预定的溶液中)制备，且然后通过喷墨印刷方案等提供至每个子像素SPX的发射区域。例如，发光元件LD可以与挥发性溶剂混合并提供至每个发射区域。这里，如果经由第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2向每个子像素SPX提供电压(例如，预定电压)，则在第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间形成电场，由此使发光元件LD在第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间自对准。在发光元件LD已对准之后，可以通过挥发方案或其它方案除去溶剂。以这种方式，发光元件LD可以可靠地布置在第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。此外，由于第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2分别形成在发光元件LD的第一端和第二端上，因而发光元件LD可以可靠地联接在第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。

在实施方式中，每个第一接触电极CNE1可以形成为既覆盖发光元件LD的第一端又覆盖相应的第一像素电极ELT1的至少一部分，由此使发光元件LD的第一端可以物理地联接至和/或电联接至第一像素电极ELT1。类似地，每个第二接触电极CNE2可以形成为既覆盖发光元件LD的第二端又覆盖相应的第二像素电极ELT2的至少一部分，由此使发光元件LD的第二端可以物理地联接至和/或电联接至第二像素电极ELT2。

每个子像素区域SPA中的发光元件LD可以聚集，从而形成相应的子像素SPX的光源。例如，如果驱动电流在每个帧周期期间流过至少一个子像素SPX，则在子像素SPX的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间在正向方向上联接的发光元件LD可发射具有与驱动电流对应的亮度的光。

在实施方式中，每个子像素SPX中的发光元件LD可以被分隔壁PW包围。例如，至少在平面图中，每个子像素区域SPA的发射区域中的至少一个发光元件LD可以在相应的子像素区域SPA中被分隔壁PW包围(或被分隔壁PW围绕)。

例如，如图4和图5中所示，第一子像素区域SPA1的发射区域中的至少一个第一发光元件LD1可以在第一子像素区域SPA1中被第一分隔壁PW1包围(或被第一分隔壁PW1围绕)。类似地，第二子像素区域SPA2的发射区域中的至少一个第二发光元件LD2可以在第二子像素区域SPA2中被第二分隔壁PW2包围(或被第二分隔壁PW2围绕)。第三子像素区域SPA3的发射区域中的至少一个第三发光元件LD3可以在第三子像素区域SPA3中被第三分隔壁PW3包围(或被第三分隔壁PW3围绕)。

在实施方式中，如图4中所示，每个分隔壁PW可具有能够仅包围相应的子像素区域SPA的发射区域的相对小的***，并可单独位于相应的子像素区域SPA中。可选地，如图5中所示，每个分隔壁PW可以在相应的子像素区域SPA中具有相对扩大的***，并可单独位于相应的子像素区域SPA中。

换言之，在一些实施方式中，第一分隔壁PW1、第二分隔壁PW2和第三分隔壁PW3可以由彼此分离地形成的各自独立的图案构成。然而，本公开不限于分离地形成的图案。例如，如图6中所示，第一分隔壁PW1、第二分隔壁PW2和第三分隔壁PW3可一体化到彼此一体地联接的一个分隔壁PW中。例如，分隔壁PW可具有网格形状以暴露每个子像素区域SPA的发射区域，并且可以以一体的形式形成在图2的整个显示区域DA中。换言之，分隔壁PW可以是一体的或分离的分隔壁。

虽然图4至图6示出了分隔壁PW具有矩形形状或矩形网格形状的示例，但是分隔壁PW的形状不限于此。例如，在本公开的实施方式中，分隔壁PW可具有不仅与矩形形状对应还与多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或其组合对应的各种合适的***形状。换言之，例如，分隔壁PW的形状、尺寸和/或布置结构可以根据实施方式以各种合适的方式改变。

在实施方式中，分隔壁PW可包括至少一个有机层和/或至少一个无机层，其中，至少一个有机层由基于光刻胶的有机材料形成，至少一个无机层由诸如SiN_x或SiO_x的无机材料形成。例如，分隔壁PW可具有由单个有机层或单个无机层形成的单层结构。可选地，在实施方式中，分隔壁PW可具有包括一个或多个有机层和一个或多个无机层的多层结构，从而可以容易调整分隔壁PW的高度。

在实施方式中，可以在分隔壁PW的表面上另外设置反射层等。在这种情况下，可有效地使用从发光元件LD发射的光，从而可提高子像素SPX的光学效率。

在本公开的实施方式中，光转换图案LCP可以可选地定位在每个子像素区域SPA的被分隔壁PW包围的发射区域中。例如，第一光转换图案LCP1可定位在第一子像素区域SPA1的第一发光元件LD1的至少一部分之上，第二光转换图案LCP2可定位在第二子像素区域SPA2的第二发光元件LD2的至少一部分之上，并且第三光转换图案LCP3可定位在第三子像素区域SPA3的第三发光元件LD3的至少一部分之上。每个光转换图案LCP可包括颜色转换层、光散射层和滤色器中的至少一个，并且将稍后本文中对其进行详细描述。

图7至图9是各自示出了根据本公开的实施方式的子像素SPX的结构的剖视图。例如，图7至图9是根据不同实施方式的沿着图6的线I-I'截取的剖视图。在实施方式中，上文描述的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的截面结构可以彼此基本相同或相似。例如，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可具有不同的光转换图案LCP，并且其除此之外的配置可以彼此基本相同或相似。出于描述的目的，将参照示出了第一子像素SPX1的与图6的线I-I'对应的截面的图7至图9来对每个子像素SPX的结构进行全面描述。

参照图7至图9以及图1至图6，在衬底SUB上的每个像素区域PXA中相继地形成像素电路层PCL、显示元件层DPL和光转换图案层LCPL。在实施方式中，像素电路层PCL、显示元件层DPL和光转换图案层LCPL可形成在发光显示面板100的整个显示区域DA中。

像素电路层PCL可包括形成子像素SPX的像素电路PXC的电路元件。显示元件层DPL可包括子像素SPX的发光元件LD。光转换图案层LCPL可包括子像素SPX的光转换图案LCP。

例如，在衬底SUB的第一子像素区域SPA1中，像素电路层PCL、显示元件层DPL和第一光转换图案LCP1可以从衬底SUB的一个表面相继地形成，其中，像素电路层PCL包括形成第一子像素SPX1的像素电路PXC的电路元件，显示元件层DPL包括至少一个发光元件LD(例如，包括在第一子像素SPX1中的多个第一发光元件LD1)，第一光转换图案LCP1位于包括第一发光元件LD1的显示元件层DPL上。

类似地，在衬底SUB的第二子像素区域SPA2中，像素电路层PCL、显示元件层DPL和第二光转换图案LCP2可以从衬底SUB的一个表面相继地形成，其中，像素电路层PCL包括形成第二子像素SPX2的像素电路PXC的电路元件，显示元件层DPL包括第二子像素SPX2中所包括的多个第二发光元件LD2，第二光转换图案LCP2位于包括第二发光元件LD2的显示元件层DPL上。此外，在衬底SUB的第三子像素区域SPA3中，像素电路层PCL、显示元件层DPL和第三光转换图案LCP3可以从衬底SUB的一个表面相继地形成，其中，像素电路层PCL包括形成第三子像素SPX3的像素电路PXC的电路元件，显示元件层DPL包括第三子像素SPX3中所包括的多个第三发光元件LD3，第三光转换图案LCP3位于包括第三发光元件LD3的显示元件层DPL上。

以这种方式，将像素电路层PCL、显示元件层DPL和光转换图案层LCPL相继地层叠在显示区域DA中的衬底SUB上。例如，像素电路层PCL可形成在衬底SUB的一个表面上。显示元件层DPL可形成在衬底SUB的已在其上形成像素电路层PCL的一个表面上。光转换图案层LCPL可形成在衬底SUB的已在其上形成显示元件层DPL的一个表面上。

在实施方式中，像素电路层PCL可包括位于显示区域DA中的多个电路元件。例如，像素电路层PCL可包括形成在子像素区域SPA中的每个中以形成相应子像素SPX的像素电路PXC的多个电路元件。例如，像素电路层PCL可包括位于子像素区域SPA中的每个中的至少一个晶体管T和存储电容器Cst。

虽然为了便于描述，图7至图9仅示出了经由相应的第一像素电极ELT1联接至每个子像素SPX的发光元件LD的单个晶体管T(例如，图3A和图3B的第一晶体管T1或图3C的第六晶体管T6)，但是形成每个像素电路PXC的晶体管T(例如，图3A至图3C的第一晶体管T1至第七晶体管T7)的截面结构可以彼此基本相同或类似。此外，在本公开中，每个晶体管T的结构不限于图7至图9中所示的实施方式的结构。例如，每个晶体管T可具有多种公知的截面结构。此外，在本公开的实施方式中，形成每个像素电路PXC的多个晶体管T中的一些(例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的一些)可具有不同类型和/或结构，但如本领域技术人员将理解的那样，电路配置和施加的电压相应地变化。

另外，像素电路层PCL可包括多个绝缘层。例如，像素电路层PCL可以可选地包括相继地堆叠在衬底SUB的一个表面上的第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4。在实施方式中，第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4可以连续地堆叠在衬底SUB与显示元件层DPL之间。像素电路层PCL还可包括位于衬底SUB与电路元件之间的至少一个缓冲层BFL。

在实施方式中，缓冲层BFL可防止杂质扩散至每个电路元件中。缓冲层BFL可以由单层形成，或者可以由多层形成(例如，具有两层或更多层)。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，各个层可以由相同材料或不同材料形成。在实施方式中，可以省略缓冲层BFL。

在实施方式中，每个晶体管T可包括半导体层SCL、栅电极GE、第一电极ET1和第二电极ET2。虽然图7至图9示出了每个晶体管T包括与半导体层SCL分开形成的第一电极ET1和第二电极ET2的实施方式，但本公开不限于此。例如，在实施方式中，作为至少一个晶体管T分离地位于每个子像素区域SPA中的结构，至少一个晶体管T可具有包括与相应的半导体层SCL一体地形成的第一电极ET1和/或第二电极ET2的结构。

半导体层SCL可位于缓冲层BFL上。例如，半导体层SCL可位于第一绝缘层INS1与其上已形成缓冲层BFL的衬底SUB之间。半导体层SCL可包括第一区、第二区和沟道区，其中，第一区与第一电极ET1接触，第二区与第二电极ET2接触，并且沟道区位于第一区与第二区之间。在实施方式中，第一区和第二区中的一个可以是源区，而另一个可以是漏区。

在实施方式中，半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或其它合适材料形成的半导体图案。半导体层SCL的沟道区可以是本征半导体，其为未被掺杂的半导体图案。半导体层SCL的第一和第二区中的每个可以是掺杂有杂质(例如，预定杂质)的半导体图案。

栅电极GE可位于半导体层SCL上，并且第一绝缘层INS1插置在栅电极GE与半导体层SCL之间。例如，栅电极GE可位于第一绝缘层INS1与第二绝缘层INS2之间，并且与半导体层SCL的至少一部分重叠。

第一电极ET1和第二电极ET2可位于半导体层SCL上，并且至少一个绝缘层(例如，多个绝缘层)插置在半导体层SCL与第一电极ET1和第二电极ET2之间。例如，第一电极ET1和第二电极ET2可位于第三绝缘层INS3与第四绝缘层INS4之间。第一电极ET1和第二电极ET2可电联接至半导体层SCL。例如，第一电极ET1和第二电极ET2可分别经由穿过第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3的相应接触孔与半导体层SCL的第一区和第二区接触。

在实施方式中，第一电极ET1和第二电极ET2中的任一个可经由穿过第四绝缘层INS4的至少一个接触孔(例如，第一接触孔CH1)电联接至位于第四绝缘层INS4上的第一像素电极ELT1。然而，这种结构可根据每个晶体管T的连接位置等而通过晶体管T进行改变。

在实施方式中，存储电容器Cst可包括在彼此间隔开的位置处位于不同层上的第一电容器电极CSE1和第二电容器电极CSE2。例如，第一电容器电极CSE1可位于第二绝缘层INS2与第三绝缘层INS3之间。第二电容器电极CSE2可位于形成晶体管T的至少一个导电层上，例如，位于与半导体层SCL、栅电极GE以及第一电极ET1和第二电极ET2中的至少一个所位于的层相同的层上。例如，第二电容器电极CSE2可以与晶体管T的栅电极GE一起位于第一绝缘层INS1与第二绝缘层INS2之间。

虽然为了描述，第一电容器电极CSE1和第二电容器电极CSE2中的每个已在图7至图9中被示出为具有单层结构，但本公开不限于此。例如，第一电容器电极CSE1和第二电容器电极CSE2中的至少一个可具有多层结构。换言之，例如，第一电容器电极CSE1和第二电容器电极CSE2中的每个的堆叠结构、位置和/或形状可以以各种合适的方式改变。

在实施方式中，显示元件层DPL可以在每个子像素区域SPA中在像素电路层PCL之上包括多个发光元件LD。例如，显示元件层DPL可包括位于每个第一子像素区域SPA1中的第一发光元件LD1、位于每个第二子像素区域SPA2中的第二发光元件LD2以及位于每个第三子像素区域SPA3中的第三发光元件LD3。此外，显示元件层DPL还可包括位于发光元件LD周围的至少一个绝缘层和/或绝缘图案。

例如，显示元件层DPL可在每个子像素区域SPA中包括第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2、发光元件LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2，其中，发光元件LD位于彼此对应的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2分别位于发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2上。此外，显示元件层DPL还可包括例如至少一个导电层和/或至少一个绝缘层(或绝缘图案)。例如，显示元件层DPL还可包括第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2、第一绝缘图案INP1、第二绝缘图案INP2和第三绝缘图案INP3以及第五绝缘层INS5中的至少一个。

在实施方式中，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2可以可选地定位于像素电路层PCL的第四绝缘层INS4上。例如，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2可以在第四绝缘层INS4上位于彼此间隔开预定距离的位置处。

在实施方式中，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中的每个可包括具有无机材料或有机材料的绝缘材料。此外，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中的每个可具有单层结构或多层结构。换言之，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中的每个的材料和/或堆叠结构可以以各种合适的方式改变，而非受到特别限制。

第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中的每个可具有各种合适的形状。例如，如图7中所示，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中的每个可具有弯曲表面，该弯曲表面具有其宽度向上逐渐减小的半圆形或半椭圆形截面。可选地，如图8中所示，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中的每个可具有其宽度向上逐渐减小的梯形截面。换言之，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中的每个的形状可以以各种合适的方式改变，而不受到特别限制。

在实施方式中，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2以及第一连接电极CNL1和第二连接电极CNL2可以位于设置有第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2的每个子像素区域SPA中。

在实施方式中，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可以在其上已形成像素电路层PCL和/或第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2的衬底SUB上位于彼此间隔开一定距离(例如，预定距离)的位置处。第一连接电极CNL1和第二连接电极CNL2可以分别与第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2一体地联接。

在实施方式中，第一像素电极ELT1可位于相应的第一线堤层BNK1上，并且第二像素电极ELT2可位于相应的第二线堤层BNK2上。在实施方式中，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的任一个可以为阳极电极，且另一个可以为阴极电极。

第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可分别具有与第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2的形状对应的形状。例如，每个第一像素电极ELT1可具有与相应的第一线堤层BNK1的截面对应的倾斜度，并且每个第二像素电极ELT2可具有与相应的第二线堤层BNK2的截面对应的倾斜度。

在实施方式中，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2可以不位于每个子像素区域SPA中。例如，如图9中所示，可以省略第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2，且第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可直接定位在第四绝缘层INS4上。在这种情况下，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的每个可具有基本平坦的形状。

在实施方式中，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可位于相同的平面上并具有相同的高度。这样，如果第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2具有相同的高度，则发光元件LD可以更可靠地联接在第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。然而，本公开不限于此。例如，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2的形状、结构和/或相互设置关系可以以各种合适的方式改变。

在实施方式中，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的每个可包括反射电极，但其不限于此。例如，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的每个可以由具有反射率(例如，预定反射率)的导电材料形成。例如，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的每个可包括金属(诸如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其合金)、导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO))和导电聚合物(诸如PEDOT)中的至少一种，然而，其不限于此。

第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的每个可具有单层结构或多层结构，并且其堆叠结构不受限制。例如，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的每个可具有包括至少一个反射电极层和至少一个导电覆盖层的多层结构。

各自具有以上所提及的结构的第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2使得从每个发光元件LD的相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)发射的光能够在显示图像的方向上(例如，在正面方向上)传播。例如，如果第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的每个具有与第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中相应的一个的形状对应的倾斜度，则从每个发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2发射的光可以被第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2反射，以使得光可以更有效地在正面方向上传播。因此，可以提高从发光元件LD发射的光的效率。

在本公开的实施方式中，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2中的每个也可用作反射构件。例如，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2以及设置在第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2上的第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可以用作反射构件以提高从每个发光元件LD发射的光的效率。

在实施方式中，第一绝缘图案INP1可位于设置有第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2等的每个子像素区域SPA上。在实施方式中，第一绝缘图案INP1可位于像素电路层PCL与发光元件LD之间。第一绝缘图案INP1可用于支承发光元件LD并防止发光元件LD从其正确位置移位。在实施方式中，第一绝缘图案INP1可以与待形成在显示元件层DPL上的任一绝缘层并行地(例如，同时)形成或独立地形成。

在实施方式中，可以在设置有第一绝缘图案INP1的每个子像素区域SPA上设置并对准至少一个发光元件LD(例如，多个发光元件LD)。例如，可以在每个第一子像素区域SPA1上设置并对准多个第一发光元件LD1。

在实施方式中，可通过第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间形成的电场来诱导发光元件LD自对准。因此，发光元件LD可布置在相应的子像素区域SPA的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。

发光元件LD中的每个的形状和/或结构不限于图7至图9中所示的形状和/或结构。例如，每个发光元件LD可具有各种合适的公知的形状、截面结构和/或连接结构。

在实施方式中，覆盖发光元件LD的相应上表面的部分的第二绝缘图案INP2可定位在设置有发光元件LD的每个子像素区域SPA上。在实施方式中，第二绝缘图案INP2可以与要形成在显示元件层DPL上的任一个绝缘层并行地(例如，同时)形成或独立地形成。

在实施方式中，第一接触电极CNE1可定位在设置有第二绝缘图案INP2的每个子像素区域SPA上。在实施方式中，每个第一接触电极CNE1可覆盖相应的第一像素电极ELT1并电联接至第一像素电极ELT1。此外，每个第一接触电极CNE1可覆盖子像素区域SPA上的至少一个发光元件LD的第一端EP1，并且将第一端EP1电联接至相应的第一像素电极ELT1。

在实施方式中，第三绝缘图案INP3可位于设置有第一接触电极CNE1的每个子像素区域SPA上。在实施方式中，每个第三绝缘图案INP3可设置成覆盖相应的第一接触电极CNE1。

在实施方式中，第二接触电极CNE2可位于设置有第三绝缘图案INP3的每个子像素区域SPA上。在实施方式中，每个第二接触电极CNE2可覆盖相应的第二像素电极ELT2并且电联接至第二像素电极ELT2。此外，每个第二接触电极CNE2可覆盖位于子像素区域SPA上的至少一个发光元件LD的第二端EP2，并且将第二端EP2电联接至相应的第二像素电极ELT2。

在实施方式中，第五绝缘层INS5可位于设置有第二接触电极CNE2的每个子像素区域SPA上。在实施方式中，第五绝缘层INS5可位于整个显示区域DA上，并且可覆盖全部的发光元件LD(例如，分别定位在第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3上的第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3)和联接至发光元件LD的电极(例如，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2)。

在实施方式中，光转换图案层LCPL可定位在设置有第五绝缘层INS5的显示元件层DPL之上。在实施方式中，光转换图案层LCPL可包括位于设置有第五绝缘层INS5的各个子像素区域SPA上的光转换图案LCP。例如，光转换图案层LCPL可包括位于设置有第五绝缘层INS5的每个第一子像素区域SPA1上的第一光转换图案LCP1。类似地，光转换图案层LCPL可包括位于设置有第五绝缘层INS5的每个第二子像素区域SPA2上的第二光转换图案LCP2。另外，光转换图案层LCPL可可选地包括位于设置有第五绝缘层INS5的每个第三子像素区域SPA3上的第三光转换图案LCP3。

在实施方式中，每个光转换图案LCP可包括至少一个颜色转换层或至少一个光散射层、至少一个覆盖层和/或至少一个滤色器。例如，每个第一光转换图案LCP1可包括第一颜色转换层CCL1、第一覆盖层CPL1和第一滤色器CF1。

在实施方式中，每个颜色转换层可包括至少一种光转换颗粒。例如，如果第一子像素SPX1为红色子像素并且设置在第一子像素SPX1中的第一发光元件LD1为用于发射除红色之外的颜色的光的发光元件，则第一颜色转换层CCL1可包括红色量子点QDr。此外，在这种情况下，第一滤色器CF1可以是红色滤色器。

在前述实施方式中，光转换图案层LCPL直接形成和/或直接定位在衬底SUB的设置有显示元件层DPL等的一个表面上，由此可提高发光显示装置的光学效率，并且发光显示装置可呈现出鲜明的色彩。此外，可有助于制造发光显示装置的过程，并可降低生产成本。本文中稍后将对光转换图案层LCPL进行更详细的描述。

图10至图16是各自示出根据本公开的实施方式的像素PXL的结构的剖视图。例如，图10至图16是根据不同实施方式的沿着图6的线II-II'截取的剖视图。在实施方式中，显示区域DA中的像素PXL的截面结构可以彼此基本相同或相似。因此，将参照示出任一个像素PXL的截面的图10至图16来对每个像素PXL的结构进行全面描述。在图10至图16中，使用相同的附图标记来表示与图1至图9的部件类似或等同的部件，并且将省略对这些类似或等同的部件的详细描述。

参照图10和图11以及图1至图9，像素电路层PCL、显示元件层DPL和光转换图案层LCPL可以相继地形成在衬底SUB的一个表面上。例如，像素电路层PCL可以可选地设置。例如，有源发光显示面板100可包括像素电路层PCL。

在实施方式中，像素电路层PCL可包括形成每个子像素SPX的像素电路PXC的至少一个电路元件。例如，像素电路层PCL可包括至少一个晶体管T。

在实施方式中，例如，至少一条电力线PL和/或信号线还可位于像素电路层PCL上。例如，用于提供第二电源VSS的电力线PL可位于像素电路层PCL上。在实施方式中，电力线PL可具有单层结构或多层结构，并可包括至少一个导电层，其中，至少一个导电层位于与包括在像素电路层PCL上的电路元件的一个电极所在的层相同的层上。

在一些实施方式中，根据本公开的发光显示装置可以不包括像素电路层PCL。例如，根据实施方式的发光显示装置可以是包括无源发光显示面板的无源发光显示装置。在这种情况下，发光显示装置可以不包括像素电路层PCL，或者可以可选地仅包括至少一个缓冲层BFL和/或至少一个绝缘层。例如，显示元件层DPL可直接形成在衬底SUB和/或缓冲层BFL上。

显示元件层DPL可位于衬底SUB的其上已形成有像素电路层PCL的一个表面上。显示元件层DPL可以在每个像素区域PXA中包括多个发光元件LD。

例如，显示元件层DPL可包括位于每个第一子像素区域SPA1中的至少一个第一发光元件LD1、位于每个第二子像素区域SPA2中的至少一个第二发光元件LD2以及位于每个第三子像素区域SPA3中的至少一个第三发光元件LD3。详细地，第一子像素SPX1可包括位于显示元件层DPL的第一子像素区域SPA1中的第一发光元件LD1，并且可以可选地包括联接至第一发光元件LD1的像素电路PXC。类似地，第二子像素SPX2可包括位于显示元件层DPL的第二子像素区域SPA2中的第二发光元件LD2，并且可以可选地包括联接至第二发光元件LD2的像素电路PXC。另外，第三子像素SPX3可包括显示元件层DPL的第三子像素区域SPA3中的第三发光元件LD3，并且可以可选地包括联接至第三发光元件LD3的像素电路PXC。此外，显示元件层DPL可包括覆盖发光元件LD的至少一个绝缘层(例如，第五绝缘层INS5)。

光转换图案层LCPL可位于衬底SUB的其上定位有显示元件层DPL的一个表面上。光转换图案层LCPL可包括位于第五绝缘层INS5之上的分隔壁PW和光转换图案LCP。

在实施方式中，分隔壁PW可位于第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3之间。例如，分隔壁PW可位于第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3之间的边界区域处。

根据实施方式，分隔壁PW可具有各种合适的形状。例如，分隔壁PW可具有能够满足预定值或更大的视角的形状。例如，如图10中所示，分隔壁PW可具有其宽度从显示元件层DPL向上逐渐减小的弯曲截面(例如，半圆形或半椭圆形的截面)。可选地，如图11中所示，分隔壁PW可具有其宽度在远离显示元件层DPL的方向上减小的梯形截面。作为另一替代方案，在实施方式中，分隔壁PW可具有例如三角形形状的其它截面形状。换言之，在本公开中，例如，分隔壁PW的形状和/或倾斜度不受特别限制，并且其可以以各种合适的方式改变。

在实施方式中，分隔壁PW可以具有比颜色转换层CCL和/或光散射层LSL的高度大的高度。例如，分隔壁PW可具有比第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2以及光散射层LSL中的每个的高度H1大的高度H2。在这种情况下，在形成颜色转换层CCL和光散射层LSL中的每个的操作中，分隔壁PW可用作坝结构以使得至少一个颜色转换层CCL和/或至少一个光散射层LSL可容易通过喷墨印刷方法等形成。

此外，反射层RFL可以可选地位于分隔壁PW的表面上。例如，反射层RFL可以覆盖分隔壁PW的从显示元件层DPL向上暴露的整个表面。在这种情况下，反射分隔壁RPW可位于第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3之间，从而防止光在相邻的子像素SPX之间泄漏。例如，由于反射分隔壁RPW，可防止光在横向方向上从每个子像素SPX泄漏。在这种情况下，即使在未设置单独的黑色矩阵时，也可防止在相邻的子像素SPX之间发生颜色混合。此外，由于反射分隔壁RPW，可以有效地发射从每个子像素SPX的内部产生的光。因此，可提高子像素SPX的光学效率。

反射层RFL的材料不限于特定材料。例如，反射层RFL可以由各种公知的合适的反射材料形成。

在实施方式中，光转换图案LCP可包括分别位于第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3中的第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3。在实施方式中，第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3中的每个可包括颜色转换层CCL或光散射层LSL、覆盖层CPL和/或滤色器CF。

在本公开的实施方式中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以是发射不同颜色的光的子像素。例如，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3分别可以是分别发射红光、绿光和蓝光的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可发射相同颜色的光。例如，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3全部可以由发射蓝光的蓝色发光二极管形成。

在这种情况下，第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3中的至少一个可包括颜色转换层CCL。例如，每个第一光转换图案LCP1可包括第一颜色转换层CCL1和第一滤色器CF1，并且可以可选地包括位于第一颜色转换层CCL1与第一滤色器CF1之间的第一覆盖层CPL1。类似地，每个第二光转换图案LCP2可包括第二颜色转换层CCL2和第二滤色器CF2，并且可以可选地包括位于第二颜色转换层CCL2与第二滤色器CF2之间的第二覆盖层CPL2。在一些实施方式中，每个第三光转换图案LCP3可以不包括颜色转换层。例如，每个第三光转换图案LCP3可包括光散射层LSL和第三滤色器CF3，并且在一些实施方式中，可以可选地包括位于光散射层LSL与第三滤色器CF3之间的第三覆盖层CPL3。

在实施方式中，第一颜色转换层CCL1可在每个第一子像素区域SPA1中位于第五绝缘层INS5上并且被分隔壁PW包围。第一颜色转换层CCL1可包括用于将从第一发光元件LD1发射的具有特定波长和/或颜色的光转换成具有其它波长和/或颜色的光的光转换颗粒(例如，包括量子点的荧光颗粒)。

例如，在第一发光元件LD1为蓝色发光元件并且第一子像素SPX1为红色子像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可包括红色量子点QDr，红色量子点QDr吸收蓝光、通过能量转换来转变其波长并且因此发射具有范围从620nm到780nm的波长的红光。例如，第一颜色转换层CCL1可包括分布在诸如透明树脂的基质材料(例如，预定的基质材料)中的多个红色量子点QDr。在第一子像素SPX1为其它颜色的子像素中的一个子像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可包括具有与第一子像素SPX1的颜色对应的颜色的第一量子点。

在实施方式中，第一滤色器CF1可形成在第一颜色转换层CCL1之上。例如，在第一子像素SPX1为红色子像素的情况下，第一滤色器CF1可以为红色滤色器。

在实施方式中，第一覆盖层CPL1可位于第一颜色转换层CCL1与第一滤色器CF1之间。例如，第一覆盖层CPL1可形成在第一颜色转换层CCL1之上以覆盖第一颜色转换层CCL1，并且可以由透明材料形成以最小化(或减少)从第一发光元件LD1发射的光的损失。第一覆盖层CPL1可以防止第一颜色转换层CCL1在例如制造发光显示装置的过程期间被损坏，并且可以增强第一颜色转换层CCL1与第一滤色器CF1之间的粘合强度。在实施方式中，可以省略第一覆盖层CPL1。

在实施方式中，第一覆盖层CPL1可以在每个子像素区域SPA中单独形成，或者可以在整个显示区域DA中一体地形成。换言之，第一覆盖层CPL1、第二覆盖层CPL2和第三覆盖层CPL3可由彼此分离的单独的图案形成或者可以由一体的图案形成。

在实施方式中，第二颜色转换层CCL2可在每个第二子像素区域SPA2中形成在第五绝缘层INS5上，并被分隔壁PW包围(或被分隔壁PW围绕)。第二颜色转换层CCL2可包括用于将从第二发光元件LD2发射的具有特定波长和/或颜色的光转换成具有其它波长和/或颜色的光的光转换颗粒。

例如，在第二发光元件LD2为蓝色发光元件并且第二子像素SPX2是绿色子像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可包括绿色量子点QDg，绿色量子点QDg吸收蓝光、通过能量转换来转变其波长并且因此发射具有范围从500nm到570nm的波长的绿光。例如，第二颜色转换层CCL2可包括分布在诸如透明树脂的基质材料(例如，预定的基质材料)中的多个绿色量子点QDg。在第二子像素SPX2为其它颜色的子像素中的一个子像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可包括具有与第二子像素SPX2的颜色对应的颜色的第二量子点。

第一量子点和第二量子点(或红色量子点QDr和绿色量子点QDg)中的每个可以从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合之中进行选择。

II-VI族化合物可选自由以下项构成的群组：二元化合物，选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物构成的群组；三元化合物，选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物构成的群组；以及四元化合物，选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物构成的群组。

III-V族化合物可选自由以下项构成的群组：二元化合物，选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物构成的群组；三元化合物，选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物构成的群组；以及四元化合物，选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物构成的群组。

IV-VI族化合物可选自由以下项构成的群组：二元化合物，选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物构成的群组；三元化合物，选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物构成的群组；以及四元化合物，选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物构成的群组。IV族元素可选自由Si、Ge及其混合物构成的群组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其混合物构成的群组的二元化合物。

第一量子点和第二量子点可具有约45nm或更小的发射波长谱的半峰全宽(FWHM)，并且经由第一量子点和第二量子点发射的光可以在所有方向上发射。因此，可增大发光显示装置的视角。

第一量子点和第二量子点中的每个可呈纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、具有球形形状、金字塔形形状、多臂形状或立方体形状的二维纳米颗粒的形式，但其不限于此。换言之，第一量子点和第二量子点的形状可以以各种合适的方式改变。

在本公开的实施方式中，在可见光范围中具有相对短的波长的蓝光入射至红色量子点QDr和绿色量子点QDg中的每个上，从而可提高红色量子点QDr和绿色量子点QDg的吸收系数。因此，最终可提高从第一子像素SPX1和第二子像素SPX2发射的光的效率，并可确保令人满意的色彩再现性。此外，分别位于第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3中的第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可具有相同的颜色(例如，蓝色)。因此，可提高发光显示装置的生产效率。

在实施方式中，第二滤色器CF2可形成在每个第二颜色转换层CCL2之上。例如，在第二子像素SPX2为绿色子像素的情况下，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器。

在实施方式中，第二覆盖层CPL2可位于第二颜色转换层CCL2与第二滤色器CF2之间。例如，第二覆盖层CPL2可形成在第二颜色转换层CCL2之上以覆盖第二颜色转换层CCL2，并且可以由透明材料形成以减少或最小化从第二发光元件LD2发射的光的损失。第二覆盖层CPL2可防止第二颜色转换层CCL2在例如制造发光显示装置的过程期间被损坏，并且可以增强第二颜色转换层CCL2与第二滤色器CF2之间的粘合强度。在实施方式中，可省略第二覆盖层CPL2。

在实施方式中，光散射层LSL可以在每个第三子像素区域SPA3中可选地层叠在第五绝缘层INS5上，并被分隔壁PW包围(或者被分隔壁PW围绕)。在实施方式中，当第三发光元件LD3为蓝色发光元件且第三子像素SPX3为蓝色子像素时，可以可选地设置光散射层LSL以有效地利用从第三发光元件LD3发射的光。光散射层LSL可包括至少一种散射颗粒SCT。例如，光散射层LSL可包括诸如TiO₂或二氧化硅的散射颗粒SCT。例如，光散射层LSL可包括分布在诸如透明树脂的基质材料(例如，预定的基质材料)中的多个散射颗粒SCT。在本公开中，散射颗粒SCT的材料不受特别限制，且光散射层LSL可以由各种合适的公知材料形成。

这里，散射颗粒SCT可位于除了第三子像素区域SPA3之外的区域中。例如，散射颗粒SCT可以可选地包括在第一颜色转换层CCL1和/或第二颜色转换层CCL2中。

在实施方式中，第三滤色器CF3可以可选地形成在每个光散射层LSL之上。例如，在第三子像素SPX3为蓝色子像素的情况下，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。

在实施方式中，第三覆盖层CPL3可以可选地形成在光散射层LSL与第三滤色器CF3之间。例如，第三覆盖层CPL3可以形成在光散射层LSL之上以覆盖光散射层LSL，并且可以由透明材料形成以最小化或减少从第三发光元件LD3发射的光的损失。第三覆盖层CPL3可防止光散射层LSL在例如制造发光显示装置的过程期间被损坏，并可增强光散射层LSL与第三滤色器CF3之间的粘合强度。在实施方式中，可省略第三覆盖层CPL3。

在实施方式中，虽然未示出，但是可以在设置有光转换图案层LCPL的衬底SUB之上可选地形成外涂层、封装层等。在这种情况下，即使在未使用单独的上衬底(或封装衬底)的情况下，也可以有效地密封和保护显示区域DA。

参照图12，每个第三子像素区域SPA3可以不包括光散射层LSL。例如，如果第三子像素区域SPA3中的第三发光元件LD3的发射性能(例如，亮度、光的量和/或光学效率)足以满足预定范围的条件，则可省略光散射层LSL。在这种情况下，第三滤色器CF3可在每个第三子像素区域SPA3中直接位于第五绝缘层INS5上。

参照图13和图14，每个滤色器CF可位于比反射分隔壁RPW的位置高的位置处。在这种情况下，如图13中所示，单独的黑色矩阵BM可位于在相邻的子像素SPX之间的反射分隔壁RPW上，从而防止光泄漏。可选地，如图14中所示，相邻的滤色器CF可以与彼此部分重叠以代替黑色矩阵BM，从而防止光泄漏。

参照图15，第一颜色转换层CCL1'和第二颜色转换层CCL2'可以具有彼此基本相同的配置。例如，如果第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3全部发射蓝光且第一子像素SPX1和第二子像素SPX2分别是红色子像素和绿色子像素，则第一颜色转换层CCL1'和第二颜色转换层CCL2'中的每个可包括红色量子点QDr和绿色量子点QDg的组合，且第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以分别为红色滤色器和绿色滤色器。

在这种情况下，第一颜色转换层CCL1'和第二颜色转换层CCL2'可经由相同的工艺并行地(例如，同时)形成，由此可进一步有助于制造发光显示装置的工艺。

参照图16，一对相邻的第一颜色转换层CCL1'和第二颜色转换层CCL2'可以彼此一体化为单个的颜色转换层CCL'。例如，在每个像素PXL中，一体化的颜色转换层CCL'可形成在第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2中，而不包括形成在第一子像素SPX1与第二子像素SPX2之间的分隔壁PW。

在这种情况下，在第一子像素区域SPA1中，可以在颜色转换层CCL'之上形成第一滤色器CF1(例如，红色第一滤色器CF1)。在第二子像素区域SPA2中，可以在颜色转换层CCL'之上形成第二滤色器CF2(例如，绿色第二滤色器CF2)。此外，黑色矩阵BM可位于第一滤色器CF1与第二滤色器CF2之间。因此，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可分别形成红色子像素和绿色子像素。另外，可以在一对第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2中可选地形成一体的覆盖层CPL'。

在上述实施方式中，光转换图案层LCPL可直接形成在其上定位有发光元件LD的衬底SUB上。因此，可减小光转换图案层LCPL与发光元件LD之间的距离，从而可减轻或防止漏光现象。此外，可以可选地省略发光显示装置的上衬底等。如果省略上衬底，则可以不需要将上衬底和下衬底彼此联结的工艺。因此，可有助于制造发光显示装置的工艺，可降低制造成本，并可提高光学效率。

此外，由于光转换图案层LCPL直接形成在衬底SUB上，因此与需要将上衬底和下衬底彼此联结的工艺的情况下的工艺误差相比，可减少工艺误差。因此，可减少子像素SPX之间的死区，并且子像素SPX可以接近于彼此。

此外，形成在子像素SPX之间的分隔壁PW可具有至少比颜色转换层CCL'和/或光散射层LSL的高度H1大的高度H2。因此，可简化和/或有助于形成颜色转换层CCL'和/或光散射层LSL的工艺。此外，可以减轻或防止可能在子像素SPX之间导致的漏光现象。

在通过在分隔壁PW的表面上形成反射层RFL来形成反射分隔壁RPW的情况下，可减轻或防止子像素SPX的在横向方向或对角线方向上的光泄漏，并可进一步提高子像素SPX的光学效率。此外，在这种情况下，可以减小黑色矩阵BM的宽度，或者可以可选地省略黑色矩阵BM。由此，可提高发光显示装置的孔径比，还可进一步简化制造过程，并可降低生产成本。

因此，本公开的各种实施方式可以提供能够提高光学效率并呈现鲜明色彩的发光显示装置。此外，在各种实施方式中，可有助于制造发光显示装置的过程，并可降低生产成本。

图17A至图17E是顺序地示出根据本公开的实施方式的制造发光显示装置的方法的剖视图，例如，顺序地示出制造图10中所示的像素PXL的操作。在下文参照图17A至图17E的描述中，将省略对上文提及的实施方式中描述的各个部件的更详细描述。

参照图17A，制备包括第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3的衬底SUB。在实施方式中，可以可选地在衬底SUB的一个表面上形成像素电路层PCL。

参照图17B，在所制备的衬底SUB的一个表面上形成显示元件层DPL，例如，在衬底SUB的其上已形成有像素电路层PCL的一个表面上形成显示元件层DPL。在实施方式中，形成显示元件层DPL的操作可包括分别在第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3中设置(例如，提供和对准)第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3的操作，以及在衬底SUB的其上已形成有第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3的一个表面上形成至少一个绝缘层(例如，第五绝缘层INS5)的操作。

参照图17C，在衬底SUB的其上已形成有显示元件层DPL的一个表面上形成分隔壁PW。例如，可以在第五绝缘层INS5上在第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3之间形成一体的分隔壁PW或分离的分隔壁PW。在实施方式中，可以通过在分隔壁PW的表面上形成另外的反射层RFL来形成反射分隔壁RPW。

参照图17D，可以在衬底SUB的其上已形成有显示元件层DPL和分隔壁PW的一个表面上形成第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2。例如，可以在显示元件层DPL上分别在第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2中形成第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2。

在实施方式中，还可以在衬底SUB的一个表面上形成光散射层LSL。例如，可以在显示元件层DPL上在第三子像素区域SPA3中形成光散射层LSL。

在实施方式中，可以顺序地形成第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2以及光散射层LSL。例如，可以顺序地执行在相应的第一子像素区域SPA1中形成每个第一颜色转换层CCL1的操作、在相应的第二子像素区域SPA2中形成每个第二颜色转换层CCL2的操作以及在相应的第三子像素区域SPA3中形成每个光散射层LSL的操作。这里，执行形成第一颜色转换层CCL1的操作、形成第二颜色转换层CCL2的操作和形成光散射层LSL的操作的顺序不受特别限制，并且其可以以各种合适的方式改变。

在实施方式中，可经由相同的工艺并行地(例如，同时)形成第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2以及光散射层LSL中的一些。例如，第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2可形成为包括红色量子点QDr和绿色量子点QDg的组合的一体的颜色转换层CCL'，并且可以并行地(例如，同时)形成在第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2中。

在实施方式中，形成第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2(或一体的颜色转换层CCL')的操作可包括通过喷墨印刷方法向限定在分隔壁PW内侧的第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2施加包括至少一种颜色的量子点的流体材料的操作。例如，可通过喷墨印刷方法等使用呈类似于坝结构方式的分隔壁PW将包括光转换颗粒的基质材料提供至第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2中，并且可执行诸如硬化过程的后续过程来形成第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2。类似地，在形成光散射层LSL的操作中，可使用分隔壁PW通过喷墨印刷方法形成光散射层LSL。

参照图17E，可以在衬底SUB的其上形成有第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2和/或光散射层LSL的一个表面上可选地形成覆盖层CPL。此外，可以在衬底SUB的一个表面上形成第一滤色器CF1和第二滤色器CF2。例如，可以在第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2上分别形成第一滤色器CF1和第二滤色器CF2。

在实施方式中，还可在衬底SUB的一个表面上形成第三覆盖层CPL3和/或第三滤色器CF3。例如，可以在第三子像素区域SPA3中在第五绝缘层INS5和/或光散射层LSL上形成第三覆盖层CPL3和/或第三滤色器CF3。

此外，在实施方式中，还可在光转换图案层LCPL上形成保护层等。

本公开的各种实施方式可提供能够提高光学效率并呈现鲜明色彩的发光显示装置以及制造发光显示装置的方法。此外，在各种实施方式中，可有助于制造发光显示装置的过程，并可降低生产成本。

本文中已公开了示例性实施方式，并且虽然采用特定术语，但这些术语仅以一般性和描述性含义来使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如将对本申请提交时的本领域普通技术人员显而易见的是，除非另外特别指出，否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不背离如所附权利要求及其等同所阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。