具体实施方式

图1A是依照本发明的一实施例的一种可伸缩式基板10的上视示意图。

请参考图1A，可伸缩式基板10包括图案化基板100、多个装置部200以及多个线路部300。在本实施例中，可伸缩式基板10还包括连接部400。

图案化基板100为软性材质，举例来说，图案化基板100的材质可包括聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚砜(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)、其它合适的材料或前述至少二种材料的组合，但本发明不以此为限。

在本实施例中，图案化基板100具有多个贯孔TH。在本实施例中，各贯孔TH为哑铃状。在本实施例中，部分贯孔TH沿着第一方向E1延伸，且另一部分贯孔TH沿着第二方向E2延伸。沿着第一方向E1延伸的部分贯孔TH以及沿着第二方向E2延伸的另一部分贯孔TH交替排列，由此提升可伸缩式基板10的伸缩性。

装置部200、线路部300以及连接部400位于图案化基板100上。装置部200、线路部300以及连接部400相连在一起，且贯孔TH中之一个至少被四个装置部200实质上环绕。在本实施例中，一个贯孔TH被四个装置部200、两个线路部300以及两个连接部400实质上环绕。举例来说，在图1A中，位于中央的贯孔TH被左右两个线路部300、上下两个连接部400以及四个角落的装置部200所环绕。

各装置部200包括主动区AR以及环绕主动区AR的周边区PR。各装置部200包括设置于主动区AR中的第一主动元件T1以及第二主动元件T2。在本实施例中，各装置部200还包括第三主动元件T3。在一些实施例中，各装置部200为长度为L且宽度为W的矩形，在各装置部200的宽度W的方向上，周边区PR的宽度W1为16％W至40％W，且在各装置部200的长度L的方向上，周边区PR的宽度W2为16％L至40％L。周边区PR的宽度W1以及宽度W2为10至250微米。

在本实施例中，各装置部200包括第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3，其中第二子像素SP2位于第一子像素SP1以及第三子像素SP3之间。第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3分别包括第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3，且第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3分别包括第一发光二极管(图1A未绘出)、第二发光二极管(图1A未绘出)以及第三发光二极管(图1A未绘出)。第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3分别适用于驱动前述第一发光二极管、第二发光二极管以及第三发光二极管。

在本实施例中，可伸缩式基板10适用于显示装置，但本发明不以此为限。在其他实施例中，可伸缩式基板10并非显示装置，且装置部200不包括子像素。

线路部300连接对应的装置部200。在本实施例中，各线路部300连接对应的两个装置部200。各线路部300包括至少一信号线310。信号线310电连接至对应的第一子像素SP1、对应的第二子像素SP2及/或对应的第三子像素SP3。虽然在图1A仅绘出信号线310延伸至装置部200边缘，但实际上，装置部200中还包括许多其他导线(图1A未绘出)，由此使信号线310与对应的第一子像素SP1、对应的第二子像素SP2及/或对应的第三子像素SP3电连接。

连接部400邻近于对应的线路部300。在本实施例中，各连接部400连接对应的两个装置部200，且位于对应的一个线路部300的一侧。各连接部400包括依序排列的多个加强结构410。加强结构410与信号线310隔开。在一些实施例中，加强结构410可调整连接部400与线路部300的中性轴位置，并降低信号线310因为拉伸而断线的风险。此外，由于加强结构410与信号线310隔开，因此，即便加强结构410出现裂痕，裂痕也不易延裂至信号线310，造成信号线310断线。在一些实施例中，加强结构410为备用导线。在一些实施例中，加强结构410为绝缘图案。

图1B是图1A的可伸缩式基板10在拉伸后的上视示意图。图2是图1B的可伸缩式基板的应变量模拟示意图，其中在图2中，位于左边的数值代表的是应变量。

请参考图1B与图2，拉伸可伸缩式基板10，并使其变形。在本实施例中，可伸缩式基板10受到不同方向的拉力F，拉力F使可伸缩式基板10的形状改变。由图2的模拟图可以知道，在装置部200中，靠近外围的周边区PR容易出现比中央的主动区AR还要大的应变，因此，使第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3设置于主动区AR中而非周边区PR中，由此避免可伸缩式基板10在拉伸后出现第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3的故障问题。

在一些实施例中，第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3是直接电连接至发光二极管的驱动元件，即第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3与对应的发光二极管中间没有其他薄膜晶体管，因此，第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3的品质对显示画面的影响较第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3中的其他薄膜晶体管(例如开关元件)大。因此，将第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3设置于主动区AR比将其他未直接电连接至发光二极管的薄膜晶体管设置于主动区AR能更佳的改善可伸缩式基板10在拉伸后出现画面Mura的问题。

图3A是依照本发明的一实施例的一种可伸缩式基板20的上视示意图，其中为了更清楚的说明图3A的可伸缩式基板20，省略可伸缩式基板20的部分构件并绘示于图3B与图3C中，在图3A至图3D中，相同层别的导电层(即利用同一道图案化制作工艺形成的导电层)以相同的斜线或网点绘示，而不同层别的导电层通过贯穿绝缘层(例如绝缘层GI及/或绝缘层ILD)的导通孔V而电连接。图3D是图3A的线A-A’的剖面示意图。图3E是依照本发明的一实施例的一种子像素的等效电路图，在本实施例中，第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3具有类似的等效电路，且图3E以第一子像素SP1的等效电路为例。

在此必须说明的是，图3A至图3E的实施例沿用图1A和图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图3A至图3E，装置部200与线路部300位于图案化基板100上。在一些实施例中，图案化基板100表面设置有缓冲层BL，且装置部200与线路部300位于缓冲层BL上。

各线路部300包括多条信号线SGL。信号线SGL为扫描线SL、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第一电源线PL1及/或第二电源线PL2。

各装置部200包括第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3。

第一子像素SP1包括第一开关元件SE1、第一主动元件T1以及第一发光二极管L1。第一开关元件SE1包括半导体层CHa、栅极Ga、源极Sa与漏极Da。栅极Ga电连接至扫描线SL。栅极Ga重叠于通道层CHa，且栅极Ga与通道层CHa之间夹有绝缘层GI。绝缘层ILD覆盖栅极Ga。源极Sa与漏极Da位于绝缘层ILD上，且电连接至通道层CHa。源极Sa电连接至第一数据线DL1。

第一主动元件T1包括半导体层CHb、栅极Gb、源极Sb与漏极Db。栅极Gb电连接至第一开关元件SE1的漏极Da。栅极Gb重叠于通道层CHb，且栅极Gb与通道层CHb之间夹有绝缘层GI。绝缘层ILD覆盖栅极Gb。源极Sb与漏极Db位于绝缘层ILD上，且电连接至通道层CHb。源极Sb电连接至第一电源线PL1。

平坦层PL位于源极Sa、漏极Da、源极Sb与漏极Db上，且第一发光二极管L1位于平坦层PL上。在一些实施例中，第一发光二极管L1通过接垫PD1以及接垫PD2而分别电连接至源极Sb以及第二电源线PL2。

第二子像素SP2包括第二开关元件SE2、第二主动元件T2以及第二发光二极管L2。第二开关元件SE2包括半导体层CHc、栅极Gc、源极Sc与漏极Dc。栅极Gc电连接至扫描线SL。栅极Gc重叠于通道层CHc，且栅极Gc与通道层CHc之间夹有绝缘层GI。绝缘层ILD覆盖栅极Gc。源极Sc与漏极Dc位于绝缘层ILD上，且电连接至通道层CHc。源极Sc电连接至第二数据线DL2。

第二主动元件T2包括半导体层CHd、栅极Gd、源极Sd与漏极Dd。栅极Gd电连接至第二开关元件SE2的漏极Dc。栅极Gd重叠于通道层CHd，且栅极Gd与通道层CHd之间夹有绝缘层GI。绝缘层ILD覆盖栅极Gd。源极Sd与漏极Dd位于绝缘层ILD上，且电连接至通道层CHd。源极Sd电连接至第一电源线PL1。

第二发光二极管L2位于平坦层PL上。在一些实施例中，第二发光二极管L2通过接垫PD3以及接垫PD4而分别电连接至源极Sd以及第二电源线PL2。

第三子像素SP3包括第三开关元件SE3、第三主动元件T3以及第三发光二极管L3。第三开关元件SE3包括半导体层CHe、栅极Ge、源极Se与漏极De。栅极Ge电连接至扫描线SL。栅极Ge重叠于通道层CHe，且栅极Ge与通道层CHe之间夹有绝缘层GI。绝缘层ILD覆盖栅极Ge。源极Se与漏极De位于绝缘层ILD上，且电连接至通道层CHe。源极Se电连接至第二数据线DL3。

第三主动元件T3包括半导体层CHf、栅极Gf、源极S与漏极Df。栅极Gf电连接至第三开关元件SE3的漏极De。栅极Gf重叠于通道层CHf，且栅极Gf与通道层CHf之间夹有绝缘层GI。绝缘层ILD覆盖栅极Gf。源极Sf与漏极Df位于绝缘层ILD上，且电连接至通道层CHf。源极Sf电连接至第一电源线PL1。

第三发光二极管L3位于平坦层PL上。在一些实施例中，第三发光二极管L3通过接垫PD5以及接垫PD6而分别电连接至源极Sf以及第二电源线PL2。在本实施例中，第一主动元件T1相对于第一发光二极管L1的位置、第二主动元件T2相对于第二发光二极管L2的位置以及第三主动元件T3相对于第三发光二极管L3的位置彼此不同，由此使第一发光二极管L1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3能更容易的设置于主动区AR中。

在一些实施例中，接垫PD1～PD6为多层结构，举例来说，接垫PD1～PD6各自包括第一导垫层CL1、第二导电层CL2以及第三导电层CL3。在一些实施例中，第一导电层CL1为金属氧化物(例如铟锡氧化物)，第二导电层CL2为金属(例如铟)，第三导电层CL3为金属(例如金)，但本发明不以此为限。在本实施例中，第一发光二极管L1、第二发光二极管L2以及第三发光二极管L3为无机发光二极管(例如微型发光二极管(micro-LED))，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一发光二极管L1、第二发光二极管L2以及第三发光二极管L3为有机发光二极管、电致发光元件或其他自发光元件。

在本实施例中，为了使传输不同信号的信号线彼此不会短路，各信号线选择性地包括不同层别的导电层，且不同层别的导电层通过导通孔V而彼此电连接。

在本实施例中，第一主动元件T1的半导体层CHb、第二主动元件T2的半导体层CHd以及第三主动元件T3的半导体层CHf设置于主动区AR而非主动区AR外围的周边区PR，由此能避免可伸缩式基板20在拉伸后故障并导致画面Mura的问题。

在本实施例中，第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3分别直接电连接至第一发光二极管L1、第二发光二极管L2以及第三发光二极管L3，因此，第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3的品质对显示画面的影响较第一开关元件SE1、第二开关元件SE2以及第三开关元件SE3大。在一些实施例中，基于布线空间的限制，第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3、第一开关元件SE1、第二开关元件SE2以及第三开关元件SE3没办法全部都设置于主动区AR中，优先选择将第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3设置于主动区AR能较佳的改善可伸缩式基板20在拉伸后出现画面Mura的问题，但本发明不以此为限。在其他实施例中，若布线空间足够，第一主动元件T1、第二主动元件T2以及第三主动元件T3、第一开关元件SE1、第二开关元件SE2以及第三开关元件SE3都设置于主动区AR。

图4是依照本发明的一实施例的一种可伸缩式基板的上视示意图，其中图4绘示了第一子像素SP1中的第一主动元件T1的半导体层、第二子像素SP2中的第二主动元件T2的半导体层以及第三子像素SP3中的第三主动元件T3的半导体层，并省略绘出了第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3中的其他构件。

在此必须说明的是，图4的实施例沿用图3A至图3E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图4，在本实施例中，可伸缩式基板30的第二主动元件T2的形状不同于第一主动元件T1的形状与第三主动元件T3的形状。举例来说，第二主动元件T2的半导体层形状不同于第一主动元件T1的半导体层的形状与第三主动元件T3的半导体层的形状。在本实施例中，第二主动元件T2的半导体层实质上为直条形，第一主动元件T1的半导体层与第三主动元件T3的半导体层实质上为L形。半导体层为L形或弯曲形可以分散所受到的应力，减少半导体层因为应变或应力而导致电性出现不良影响。

在一些实施例中，各装置部200为长度为L且宽度为W的矩形，在各装置部200的宽度W的方向上，周边区PR的宽度W1为16％W至40％W，且在各装置部200的长度L的方向上，周边区PR的宽度W2为16％L至40％L。

基于上述，第一主动元件T1的半导体层、第二主动元件T2的半导体层以及第三主动元件T3的半导体层设置于主动区AR而非主动区AR外围的周边区PR，由此能避免可伸缩式基板30在拉伸后故障并导致画面Mura的问题。

图5是依照本发明的一实施例的一种可伸缩式基板的上视示意图，其中图5绘示了第一子像素SP1中的第一主动元件T1的半导体层、第二子像素SP2中的第二主动元件T2的半导体层以及第三子像素SP3中的第三主动元件T3的半导体层，并省略绘出了第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3中的其他构件。

在此必须说明的是，图5的实施例沿用图3A至图3E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图5，在本实施例中，可伸缩式基板40的第二主动元件T2的形状不同于第一主动元件T1的形状与第三主动元件T3的形状。举例来说，第二主动元件T2的半导体层形状不同于第一主动元件T1的半导体层的形状与第三主动元件T3的半导体层的形状。在本实施例中，第一主动元件T1的半导体层与第三主动元件T3的半导体层实质上为直条形，第二主动元件T2的半导体层实质上为S形。

半导体层为S形或弯曲形可以分散所受到的应力，减少半导体层因为应变或应力而导致电性出现不良影响。

在相同电压差的情况下，长度较长的半导体层的电流较小。在本实施例中，第二主动元件T2的半导体层的长度较长，且可对应于蓝色子像素设置。第一主动元件T1的半导体层与第三主动元件T3的半导体层的长度较短，且可分别对应于红色子像素与绿色子像素设置。

在一些实施例中，各装置部200为长度为L且宽度为W的矩形，在各装置部200的宽度W的方向上，周边区PR的宽度W1为16％W至40％W，且在各装置部200的长度L的方向上，周边区PR的宽度W2为16％L至40％L。

基于上述，第一主动元件T1的半导体层、第二主动元件T2的半导体层以及第三主动元件T3的半导体层设置于主动区AR而非主动区AR外围的周边区PR，由此能避免可伸缩式基板40在拉伸后故障并导致画面Mura的问题。