阅读说明：本技术 层叠陶瓷电子部件的制造方法 (The manufacturing method of monolithic ceramic electronic component ) 是由 服部贵之 大和雄斗 于 2019-05-21 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种能够抑制内部电极发生短路的层叠陶瓷电子部件的制造方法。在层叠陶瓷电子部件的制造方法中包括：制作层叠体的步骤,所述层叠体包括在第一方向上层叠的多个陶瓷层、配置于所述多个陶瓷层之间的多个内部电极、和朝向与所述第一方向正交的第二方向的露出所述多个内部电极的侧面；烧制所述层叠体的步骤；在所烧制的所述层叠体的所述侧面形成侧边缘部的步骤。在该结构中,由于在形成侧边缘部之前烧制层叠体,因此不易发生在烧制时内部电极的变形导致的短路。(The present invention provides a kind of manufacturing method for being able to suppress internal electrode and the monolithic ceramic electronic component of short circuit occurring.The step of including: production laminated body in the manufacturing method of monolithic ceramic electronic component, the laminated body include the side of multiple ceramic layers that upper layer is folded in a first direction, the multiple internal electrodes being configured between the multiple ceramic layer and the multiple internal electrode of exposing towards the second direction orthogonal with the first direction；The step of firing the laminated body；In the step of side for the laminated body fired forms lateral edge portion.In this configuration, due to firing laminated body before forming lateral edge portion, it is not susceptible to the short circuit caused by the deformation of internal electrode when firing.)

层叠陶瓷电子部件的制造方法

技术领域

本发明涉及后添设侧边缘部的层叠陶瓷电子部件的制造方法。

背景技术

专利文献1公开有一种大型层叠陶瓷电容器。在这样的大型层叠陶瓷电容器中，能够通过内部电极的交差面积的扩大或层叠数的增加来大电容化。由此，层叠陶瓷电容器例如能够代替电解电容器被使用。

另外，专利文献2公开了一种在使内部电极露出于侧面的层叠体上后添设用于确保内部电极周围的绝缘性的侧边缘部的技术。在该技术中，能够使侧边缘部较薄地形成，能够相对地增大内部电极的交差面积。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开第2001－6964号公报

专利文献2：日本特开第2012－209539号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在后添设侧边缘部的技术中，尺寸越大的层叠陶瓷电容器在烧制时的层叠体与侧边缘部的收缩动作的差越大。由此，由于从侧边缘部向层叠体的侧面施加的应力导致的内部电极的变形，所以容易发生内部电极的短路。

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供一种能够抑制内部电极发生短路的层叠陶瓷电子部件的制造方法。

用于解决问题的技术方案

为了实现上述目的，本发明的一方面提供一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，该方法中，制作层叠体，所述层叠体包括在第一方向上层叠的多个陶瓷层、配置于所述多个陶瓷层之间的多个内部电极、和朝向与所述第一方向正交的第二方向的露出所述多个内部电极的侧面。

烧制所述层叠体。

在所烧制的所述层叠体的所述侧面形成侧边缘部。

在该结构中，由于在形成侧边缘部之前烧制层叠体，因此不易发生在烧制时内部电极的变形导致的短路。

也可以在形成有所述侧边缘部的所述层叠体的所述多个内部电极的所述第二方向的端部形成氧化区域。

在该结构中，通过在层叠体的侧面附近形成氧化区域，内部电极的短路变得更难以发生。另外，由于在形成侧边缘部之后形成氧化区域，所以能够良好地控制氧化区域的尺寸。

上述氧化区域的上述第二方向的尺寸也可以为10μm以上。

在该结构中，可以有效地抑制内部电极发生短路。

在上述层叠陶瓷电子部件中，上述第一方向的尺寸也可以为0.8mm以上。

在上述层叠陶瓷电子部件中，上述多个内部电极的层叠数也可以是500层以上。

在这些结构中，获得了高性能的层叠陶瓷电子部件。

也可以通过浸渍法形成上述侧边缘部。

在该结构中，能够更加有效地抑制内部电极发生短路。

发明效果

可以提供一种能够抑制内部电极发生短路的层叠陶瓷电子部件的制造方法。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的层叠陶瓷电容器的立体图。

图2是上述层叠陶瓷电容器的沿着A－A’线的截面图。

图3是上述层叠陶瓷电容器的沿着B－B’线的截面图。

图4是将上述层叠陶瓷电容器的图3的区域V扩大表示的局部截面图。

图5是表示上述层叠陶瓷电容器的制造方法的流程图。

图6是在上述制造方法的步骤S01中准备的层叠片的俯视图。

图7是表示上述制造方法的步骤S02的层叠片的立体图。

图8是表示上述制造方法的步骤S03的层叠片的俯视图。

图9是表示上述制造方法的步骤S03的层叠片的截面图。

图10是例示上述制造方法的步骤S03之后的层叠体的侧面的状态的截面图。

图11是表示上述制造方法的步骤S05的层叠体的截面图。

图12是表示上述制造方法的步骤S06的层叠体的局部截面图。

图13是表示氧化区域的尺寸L和短路率的关系的图表。

符号说明

10：层叠陶瓷电容器

11：陶瓷主体

12、13：内部电极

12a、13a：氧化区域

14、15：外部电极

16：层叠体

17：侧边缘部

18：电容形成部

19：覆盖部

S：侧面。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

附图适当地表示出了彼此正交的X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴在全部附图中是共通的。

1、层叠陶瓷电容器10的结构

图1～3是表示本发明一实施方式的层叠陶瓷电容器10的图。图1是层叠陶瓷电容器10的立体图。图2是层叠陶瓷电容器10的沿着图1的A－A’线的截面图。图3是层叠陶瓷电容器10的沿着图1的B－B’线的截面图。

典型的是层叠陶瓷电容器10构成为大型的。在大型的层叠陶瓷电容器10中，例如，能够将X轴方向的尺寸设为1.6～5.7mm左右，Y轴和Z轴方向的尺寸设为0.8～5.0mm左右。另外，层叠陶瓷电容器10的电容典型的是100～1000μF左右。

大型的层叠陶瓷电容器10能够广泛用于要求大电容的用途，典型地，能够用于使用着电解电容器的用途。作为一例，层叠陶瓷电容器10可代替在移动通信用的静置型设备中广泛使用的电解电容器来使用。

层叠陶瓷电容器10包括陶瓷主体11、第一外部电极14、第二外部电极15。典型地，陶瓷主体11构成为具有朝向X轴方向的两个端面、朝向Y轴方向的两个侧面、朝向Z轴方向的两个主面的六面体。

外部电极14、15覆盖陶瓷主体11的端面，隔着陶瓷主体11在X轴方向上相对。外部电极14、15从陶瓷主体11的端面向主面和侧面延伸。由此，在外部电极14、15中，与X－Z平面平行的截面以及与X－Y平面平行的截面均为U字形。

此外，外部电极14、15的形状不限于图1所示的形状。例如，外部电极14、15也可以从陶瓷主体11的端面仅向一个主面延伸，与X－Z平面平行的截面成为L字形。另外，外部电极14、15也可以不向任一主面和侧面延伸。

外部电极14、15由电的良导体形成。作为形成外部电极14、15的电的良导体，例如，可举出以铜(Cu)、镍(Ni)、锡(SN)、钯(Pd)、铂(PT)、银(Ag)、金(Au)等为主成分的金属或合金。

陶瓷主体11由电介质陶瓷形成，具有层叠体16和侧边缘部17。层叠体16具有朝向X轴方向的两个端面、朝向Y轴方向的两个侧面S、朝向Z轴方向的两个主面。侧边缘部17分别覆盖层叠体16的两个侧面S。

层叠体16具有将沿着X－Y平面延伸的平板状的多个陶瓷层在Z轴方向上层叠的结构。层叠体16具有电容形成部18和覆盖部19。覆盖部19从Z轴方向上下覆盖电容形成部18，构成层叠体16的两个主面。

电容形成部18配置于多个陶瓷层之间，具有沿着X－Y平面延伸的片状的多个第一内部电极12和第二内部电极13。内部电极12、13沿着Z轴方向交替地配置。即，内部电极12、13隔着陶瓷层在Z轴方向上相对。

内部电极12、13在电容形成部18的Y轴方向的整个宽度上形成，露出于层叠体16的两侧面S。在陶瓷主体11中，通过覆盖层叠体16的两侧面S的侧边缘部17，能够良好地保护露出于层叠体16的两侧面S的内部电极12、13。

第一内部电极12仅向陶瓷主体11的一个端面引出，第二内部电极13仅向陶瓷主体11的另一个端面引出。由此，第一内部电极12仅与第一外部电极14连接，第二内部电极13仅与第二外部电极15连接。

根据这种结构，在层叠陶瓷电容器10中，当在第一外部电极14与第二外部电极15之间施加电压时，电压施加于第一内部电极12与第二内部电极13之间的多个陶瓷层。由此，在层叠陶瓷电容器10中能够蓄积与第一外部电极14和第二外部电极15之间的电压相应的电荷。

在陶瓷主体11中，为了增大内部电极12、13之间的各陶瓷层的电容，采用高介电常数的电介质陶瓷。作为高介电常数的电介质陶瓷，例如，可举出以钛酸钡(BATiO₃)为代表的、包含钡(Ba)和钛(Ti)的钙钛矿结构的材料。

此外，陶瓷层也可以由钛酸锶(SrTiO₃)、钛酸钙(CaTiO₃)、钛酸镁(MgTiO₃)、锆酸钙(CaZrO₃)、锆钛酸钙(CA(Zr，Ti)O₃)、锆酸钡(BaZrO₃)、氧化钛(TiO₂)等的组成系构成。

内部电极12、13由电的良导体形成。作为形成内部电极12、13的电的良导体，典型地，可举出镍(Ni)，除此之外，还可以举出以铜(Cu)、钯(Pd)、铂(Pt)、银(Ag)、金(Au)等作为主成分的金属或合金。

图4是将层叠陶瓷电容器10的用图3的点划线包围的区域V扩大表示的局部截面图。图4表示了内部电极12、13的Y轴方向的端部。在内部电极12、13，在与层叠体16的侧面S相邻的Y轴方向的两端部形成有氧化区域12a、13a。

氧化区域12a、13a由包含构成内部电极12、13的金属元素的氧化物构成。因此，氧化区域12a、13a具有绝缘性。由此，在层叠陶瓷电容器10中，能够抑制层叠体16的侧面S及其附近的内部电极12、13发生短路。

绝缘性的氧化区域12a、13a对电容的形成没有贡献。因此，氧化区域12a、13a的Y轴方向的尺寸L越大，层叠陶瓷电容器10的电容越降低。但是，在电容大的大型层叠陶瓷电容器10中，能够将氧化区域12a、13a引起的电容的降低视为在误差范围内。

因此，在大型层叠陶瓷电容器10中，通过在能够确保必要的电容的范围内增大氧化区域12a、13a的尺寸L，能够更可靠地防止内部电极12、13发生短路。从这个观点来看，氧化区域12a、13a的尺寸L优选为10μm以上。

此外，为了便于观察层叠结构，在图2、3中将内部电极12、13的总共的层叠数较少地显示出了8层。但是，在大型层叠陶瓷电容器10中，为了得到大电容，内部电极12、13的总共的层叠数优选为500层以上。

另外，本实施方式的层叠陶瓷电容器10的基本结构不限于图1～3所示的结构，能够适当地变更。例如，陶瓷主体11和外部电极14、15的形状能够根据层叠陶瓷电容器10需要的尺寸或性能适当地决定。

2、层叠陶瓷电容器10的制造方法

图5是表示本实施方式的层叠陶瓷电容器10的制造方法的流程图。图6～12是示意性地表示层叠陶瓷电容器10的制造过程的图。以下，按照图5，适当地参照图6～12，对层叠陶瓷电容器10的制造方法进行说明。

2.1步骤S01：陶瓷片的准备

在步骤S01中，准备用于形成电容形成部18的第一陶瓷片101和第二陶瓷片102、以及用于形成覆盖部19的第三陶瓷片103。陶瓷片101、102、103构成为以电介质陶瓷为主成分的未烧制的电介质生片。

陶瓷片101，102，103例如用辊涂机或刮刀等成形为片状。陶瓷片101、102的厚度根据烧制后的电容形成部18中的陶瓷层的厚度调节。陶瓷片103的厚度能够适当地调节。

图6是陶瓷片101、102、103的俯视图。在该阶段，陶瓷片101、102、103没有被单片化。在图6中表示了按每个层叠陶瓷电容器10单片化时的切割线Lx、Ly。切割线Lx与X轴平行，切割线Ly与Y轴平行。

如图6所示，在第一陶瓷片101上形成有与第一内部电极12对应的未烧制的第一内部电极112，在第二陶瓷片102上形成有与第二内部电极13对应的未烧制的第二内部电极113。此外，在与覆盖部19对应的第三陶瓷片103没有形成内部电极。

内部电极112、113能够通过以烧制后的电容形成部18的与内部电极12、13的厚度对应的厚度将任意的导电性膏涂布在陶瓷片101、102上来形成。作为导电性膏的塗布方法，例如，可以使用丝网印刷法或凹版印刷法。

在内部电极112、113上，每隔一根切割线Ly1形成沿着切割线Ly的X轴方向的间隙。第一内部电极112的间隙与第二内部电极113的间隙在X轴方向上相互交错地配置。即，通过第一内部电极112的间隙的切割线Ly与通过第二内部电极113的间隙的切割线Ly交错地排列。

2.2步骤S02：层叠

在步骤S02中，如图7所示，通过将在步骤S01中所准备的陶瓷片101、102、103层叠来制作层叠片104。在层叠片104中，与电容形成部18对应的第一陶瓷片101和第二陶瓷片102在Z轴方向上交替层叠。

另外，在层叠片104中，在交替层叠了的陶瓷片101、102的Z轴方向的上下表面层叠与覆盖部19对应的第三陶瓷片103。此外，图7所示例子中，第三陶瓷片103每分别各层叠3片，但是第三陶瓷片103的片数能够适当地变更。

层叠片104通过压接陶瓷片101、102、103而一体化。在陶瓷片101、102、103的压接时，例如，优选使用静水压加压或单轴加压等。由此，能够使层叠片104高密度化。

2.3步骤S03：切割

在步骤S03中，如图8所示，通过将在步骤S02所得的层叠片104用带T1固定的状态下沿着切割线Lx、Ly切割来制作未烧制的层叠体116。层叠体116与烧制后的层叠体16对应。层叠片104的切割例如可以使用压切刀或滚切刀等。

图9是表示使用具备压切刀200的切割装置切割层叠片104的步骤的截面图。如图9的A中所示，压切刀200以其前端朝向Z轴方向的下方的状态配置于被带T1固定的层叠片104的Z轴方向的上侧。

如图9的B中所示，使压切刀200向Z轴方向的下方移动，直至压切刀200的前端从图9的A中所示状态到达带T1为止，由此切割层叠片104。然后，如图9的C中所示，使压切刀200向Z轴方向的上方移动，将压切刀200从层叠片104拔出。

由此，层叠片104被单片化成多个层叠体116。层叠片104的沿着X轴方向的切断面成为层叠体116的朝向Y轴方向的侧面S。图10是例示在步骤S03中紧接着被单片化之后的层叠体116的侧面S的状态的放大截面图。

因压切刀200导致的异物的夹入等，在图10的A中所示的层叠体116的侧面S上形成了伤痕H。在伤痕H形成的过程中，当压切刀200沿着层叠体116的侧面S拖拉内部电极112、113时，内部电极112、113沿着伤痕H被拉长，从而形成展延部R1。

在图10的B中所示的层叠体116的侧面S没有形成如图10的A中所示的伤痕H。但是，在该情况下，当压切刀200沿着层叠体116的侧面S拖拉内部电极112、113时，由于内部电极112、113沿着侧面S被拉长，也形成展延部R2。

在图10的C中所示的层叠体116的侧面S附着有具有导电性的异物R3。作为在步骤S03中假设附着在层叠体116的侧面S的异物R3，例如，可举例在切割的过程中由内部电极112、113或压切刀200等产生的金属性异物。

若展延部R1、R2从内部电极112、113的一者到达另一者、或者异物R3附着在内部电极112、113的两者，则内部电极112、113彼此经由展延部R1、R2或异物R3而连接。这样，在层叠体116的侧面S中，内部电极112、113就会发生短路。

在本实施方式中，在步骤S03阶段，即使层叠体116的侧面S中的内部电极112、113发生短路，在后述步骤S06(氧化区域形成)中也可以消除短路。因此，在步骤S03中，没有必要消除层叠体116的侧面S中的内部电极112、113的短路。

2.4步骤S04：烧制

在步骤S04中，烧制通过步骤S03所得到的未烧制的层叠体116。由此得到层叠体16。层叠体116的烧制温度例如在使用钛酸钡类材料的情况下可以设为1000～1300℃左右。烧制例如可以在还原气氛下或者低氧分压气氛下进行。

这样，在本实施方式中，烧制在后述的步骤S05中形成侧边缘部117之前的层叠体116。由此，能够从侧面S很好地去除未烧制的层叠体116中包含的溶剂或粘合剂。因此，在本实施方式中，能够制造质量稳定的层叠陶瓷电容器10。

2.5步骤S05：侧边缘部的形成

在步骤S05中，通过在由步骤S04烧制后的层叠体16的侧面S形成侧边缘部17来制作陶瓷主体11。具体而言，在步骤S05中，将利用浸渍法在层叠体16的侧面S所形成的未烧制的侧边缘部117烧结在层叠体16的侧面S上。

更详细而言，首先，如图11的A中所示，准备收容于容器中的陶瓷浆料SL，使利用带T2保持着一个侧面S的层叠体16的另一个侧面S与陶瓷浆料SL相对。能够通过陶瓷浆料SL中的溶剂或粘结剂的含量等来调节侧边缘部117的厚度。

接着，通过使图11的A中所示的层叠体16向下方移动，将层叠体16的侧面S浸渍于陶瓷浆料SL中。之后，如图11的B中所示，在侧面S上附着有陶瓷浆料SL的状态下提起层叠体16，由此能够在层叠体16的侧面S上形成侧边缘部117。

接着，通过将层叠体16转印到与图11的B中所示的带T2不同的带上，使层叠体16的侧面S的Y轴方向的朝向反转。然后，在未形成侧边缘部117的层叠体16的另一个侧面S上，也以与上述相同的方式形成未烧制的侧边缘部117。

并且，再次烧制在侧面S上形成有侧边缘部117的层叠体16。由此，侧边缘部117烧结而成为侧边缘部17，并且烧结在层叠体16的侧面S上。由此，得到具有侧边缘部17的陶瓷主体11。

通常，在层叠体116上设置有侧边缘部117之后同时烧制层叠体116和侧边缘部117的方法中，由于层叠体116和侧边缘部117的收缩动作的差而对层叠体116的侧面S施加应力。因此，内部电极112、113的变形导致的短路变得容易发生。

烧制时的层叠体116和侧边缘部117的收缩动作的差在Z轴方向上容易变大。因此，使用Z轴方向的尺寸为0.8mm以上的层叠陶瓷电容器10容易发生短路，使用Z轴方向的尺寸为1.25mm以上的层叠陶瓷电容器10更容易发生短路。

即，具体而言，使用1608尺寸(1.6mm×0.8mm×0.8mm)以上的层叠陶瓷电容器10容易发生短路，使用2012尺寸(2.0mm×1.25mm×1.25mm)以上的层叠陶瓷电容器10更容易发生短路。

与此不同，在本实施方式中，在步骤S05中，在通过步骤S04预先烧结了的层叠体16上形成侧边缘部17。即，层叠体16和侧边缘部17在不同的阶段烧结。因此，在本实施方式中，层叠体16和侧边缘部17的烧结举动的差不成为问题。

因此，在本实施方式中，即使使用1608尺寸以上甚至2012尺寸以上的大型层叠陶瓷电容器10，层叠体16的侧面S的附近中的内部电极112、113也不易发生变形。由此，能够抑制层叠体16的侧面S及其附近的短路的发生。

此外，在利用本实施方式烧结侧边缘部117时，对层叠体16的侧面S施加由侧边缘部117的收缩产生的应力。但是，由于通过陶瓷浆料SL的浸渍形成的侧边缘部117具有灵活性(柔软性)，从而抑制了向层叠体16的侧面S施加的应力。

此外，在层叠体16的侧面S上形成未烧制的侧边缘部117的方法不限于浸渍法。例如，也可以使用陶瓷片来代替陶瓷浆料SL。该情况下，也可以通过在层叠体16的侧面S冲裁陶瓷片，在层叠体16的侧面S形成侧边缘部117。

2.6步骤S06：氧化区域的形成

在步骤S06中，在通过步骤S05形成了侧边缘部17的陶瓷主体11的内部电极12、13中形成氧化区域12a、13a。更详细而言，如图12所示，通过从层叠体16的侧面S使内部电极12、13的氧化进行来形成氧化区域12a、13a。

在步骤S06中，即使在因图10所示的展延部R1、R2或异物R3等而在层叠体16的侧面S中发生内部电极12、13短路的情况下，展延部R1、R2或异物R3也会与内部电极12、13一起氧化。由此，可以消除层叠体16的侧面S中的内部电极12、13的短路。

步骤S06中的氧化区域12a、13a的形成方法只要能够从覆盖在侧边缘部17上的层叠体16的侧面S使内部电极12、13进行氧化即可，不限于特定的结构。典型地的是，可以采用一边对层叠体16的侧面S供给氧，一边对陶瓷主体11施加热处理的结构。

例如，向侧边缘部17添加促进内部电极12、13的氧化的添加剂是有效的。在该情况下，通过对陶瓷主体11施加热处理，伴随着来自层叠体16的侧面S的添加剂的扩散进行内部电极12、13的氧化，形成氧化区域12a、13a。

作为一例，在使用镍形成内部电极12、13的情况下，可以向侧边缘部17添加作为促进镍的氧化的添加剂的镁。由此，在内部电极12、13中形成包含镍和镁的氧化物构成的氧化区域12a、13a。

在这样的使用添加剂的方法中，通过对陶瓷主体11施加的热处理的时间和温度、对于侧边缘部17的添加剂的添加量等来控制氧化区域12a、13a的尺寸L。由此，可以将氧化区域12a、13a的尺寸L调整为10μm以上。

通常，在形成侧边缘部17之前的层叠体16中，氧化区域12a、13a的尺寸L难以控制。即，当从层叠体16的裸露的侧面S供给氧时，在内部电极12、13的很大范围内快速进行氧化，由此，氧化区域12a、13a的尺寸L难以保持适当的大小。

在这一点上，在本实施方式中，可以通过利用侧边缘部17覆盖层叠体16的侧面S之后形成氧化区域12a、13a，由此使内部电极12、13的氧化缓慢进行。由此，能够很好的控制氧化区域12a、13a的尺寸L。

此外，用于在内部电极12、13中形成氧化区域12a、13a的热处理也可以在步骤S05中在烧结侧边缘部117之前进行。由此，可以通过一次热处理一并进行侧边缘部117的烧结和氧化区域12a、13a的形成。

2.7步骤S07：外部电极的形成

在步骤S07中，在通过步骤S06形成了氧化区域12a、13a的陶瓷主体11的X轴方向的两端部形成外部电极14、15，由此来制作图1～3所示的层叠陶瓷电容器10。步骤S07中的外部电极14、15的形成方法能够从公知的方法中任意地选择。

3.实施例

作为本发明的实施例，制作仅氧化区域12a、13a的尺寸L彼此不相同的多个种类的层叠陶瓷电容器10的样品各100个。在所有的样品中，将X轴方向的尺寸均设为20μm，将Y轴和Z轴方向的尺寸均设为12.5μm，将电容均设为100μF。

通过对氧化区域12a、13a的尺寸L彼此不同的样品各100个进行电阻测定，判定有无发生短路。并且求出短路率，即氧化区域12a、13a的尺寸L相等的100个样品中发生了短路的样品的比率。

图13是表示氧化区域12a、13a的尺寸L和短路率的关系的图表。在图13中，作为短路率表示出了相对值，该相对值是将没有形成氧化区域12a、13a即氧化区域12a、13a的尺寸L为零的样品的短路率设为1而标准化的值。

参照图13，相对于没有形成氧化区域12a、13a、即氧化区域12a、13a的尺寸L为零的样品，在形成有氧化区域12a、13a的样品中得到了较低的短路率。

另外，能得知这样的趋势：氧化区域12a、13a的尺寸L越大的样品，短路率越低。并且发现了在氧化区域12a、13a的尺寸L小于10μm的区域中短路率的变化是急剧的，与之相对，在氧化区域12a、13a的尺寸L为10μm以上的区域中短路率的变化变得较缓和。

由此确认了通过在层叠陶瓷电容器10中将氧化区域12a、13a的尺寸L设为10μm以上，能够有效地抑制短路的发生。另外，由于氧化区域12a、13a的尺寸L即使大于10μm，也不能期待短路率的大幅提高，因此优选保持在20μm以下。

4.其它实施方式

以上对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不仅限于上述实施方式，当然可以加入各种改变。

例如，在上述实施方式中，作为层叠陶瓷电子部件的一例，对层叠陶瓷电容器进行了说明，但是本发明通常能够应用于具有一对外部电极的全部层叠陶瓷电子部件。作为这样的层叠陶瓷电子部件，例如，可举出贴片压敏电阻、贴片热敏电阻，层叠电感器等。