基板、显示面板及拼接显示面板

文档序号:1892033 发布日期:2021-11-26 浏览:2次 >En<

阅读说明:本技术 基板、显示面板及拼接显示面板 (Substrate, display panel and spliced display panel ) 是由 姜贝 于 2021-08-12 设计创作,主要内容包括:本申请实施例公开了一种基板、显示面板及拼接显示面板,基板包括衬底和薄膜晶体管,栅极设置在衬底上;有源层设置在衬底上且与栅极异层设置,有源层与栅极重叠设置;第一绝缘层至少覆盖有源层和栅极;封装结构层至少包覆有源层;第二导电层包括源极和漏极,源极和漏极分别连接于有源层。本申请实施例采用封装结构层包裹薄膜晶体管的有源层,进而提高了薄膜晶体管的防水氧性能。(The embodiment of the application discloses a substrate, a display panel and a spliced display panel, wherein the substrate comprises a substrate and a thin film transistor, and a grid electrode is arranged on the substrate; the active layer is arranged on the substrate and is arranged in a different layer with the grid electrode, and the active layer is overlapped with the grid electrode; the first insulating layer at least covers the active layer and the grid electrode; the packaging structure layer at least covers the active layer; the second conductive layer includes a source electrode and a drain electrode, which are connected to the active layer, respectively. According to the embodiment of the application, the packaging structure layer is adopted to wrap the active layer of the thin film transistor, so that the waterproof oxygen performance of the thin film transistor is improved.)

基板、显示面板及拼接显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种基板、显示面板及拼接显面板。

背景技术

相比传统的液晶面板,有源矩阵有机发光二极管面板具有响应速度快、对比度高、视角较广、能耗低等特点,因而广受欢迎,正在逐步取代液晶显示面板成为下一代主流显示面板。

在对现有技术的研究和实践过程中,本申请的发明人发现,无论是液晶面板、微型发光二极管面板、次毫米级发光二极管面板还是有机发光二极管面板都面临一个难题,就是背板中的有源层容易受外界侵入的氢、水和氧等因素的影响,从而引起薄膜晶体管的电性漂移,最终降低面板可靠性的表现。

发明内容

本申请实施例提供一种基板、显示面板及拼接面板,可以降低外界氢、水和氧侵入薄膜晶体管的风险。

本申请实施例提供一种基板,其包括:

衬底;以及

多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述衬底上;

所述薄膜晶体管包括:

第一导电层,所述第一导电层包括栅极,所述栅极设置在所述衬底上;

有源层,所述有源层设置在所述衬底上且与所述栅极异层设置,所述有源层与所述栅极重叠设置;

第一绝缘层,所述第一绝缘层至少覆盖所述有源层和所述栅极;

至少一封装结构层,所述封装结构层至少包覆所述有源层;以及

第二导电层,所述第二导电层设置在所述封装结构层上,所述第二导电层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极分别连接于所述有源层。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述封装结构层包括至少一有机层和至少一无机层,所述有机层和所述无机层交替层叠设置,所述有机层覆盖在所述第一绝缘层上,且包覆所述有源层;所述无机层覆盖所述有机层,且连接于所述第一绝缘层。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述无机层包括至少一层无机材料层。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述封装结构层包括第一封装结构层和设置在所述第一封装结构层上的第二封装结构层;所述基板还包括第三导电层,所述第三导电层包括第一电极和第二电极;

所述第一封装结构层设置在所述第一绝缘层,所述第二导电层设置在所述第一封装结构层上,所述第二封装结构层设置在所述第二导电层上,所述第三导电层设置在所述第二封装结构层上;所述第一电极连接于所述漏极。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述基板还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第一导电层上,所述有源层设置在所述第二绝缘层上。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述基板还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述有源层上,所述栅极设置在所述第二绝缘层上;

所述有源层、所述第二绝缘层和所述栅极堆叠形成凸出结构,所述第一绝缘层覆盖所述凸出结构的外表面。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述基板还包括遮光层和缓冲层,所述遮光层设置在所述衬底上,所述遮光层与所述有源层重叠设置,所述缓冲层设置在所述遮光层和所述有源层之间;所述第二导电层还包括公共走线;

所述源极连接于所述遮光层,所述第二电极连接于所述公共走线。

相应的,本申请实施例还提供一种显示面板,其包括发光二极管器件和上述任意一项实施例所述的基板;所述发光二极管器件设置在所述基板上。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板包括封装胶和盖板,所述封装胶覆盖所述发光二极管器件和所述基板,所述盖板设置在所述封装胶上。

相应的,本申请实施例还提供一种拼接显示面板,其包括至少两个上述实施例所述的显示面板,相邻的两个所述显示面板拼接设置。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述拼接显示面板还包括有机遮光层,所述有机遮光层至少覆盖所述盖板的侧面,且位于相邻的所述显示面板之间。

本申请实施例的基板,其包括衬底和薄膜晶体管,栅极设置在衬底上;有源层设置在衬底上且与栅极异层设置,有源层与栅极重叠设置;第一绝缘层至少覆盖有源层和栅极;封装结构层至少包覆有源层;第二导电层包括源极和漏极,源极和漏极分别连接于有源层。本申请实施例采用封装结构层包裹薄膜晶体管的有源层,进而提高了薄膜晶体管的防水氧性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请第一实施例提供的基板的结构示意图;

图2是本申请第二实施例提供的基板的结构示意图;

图3是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图;

图4是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B1的流程示意图;

图5是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B2的流程示意图;

图6是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B3的流程示意图;

图7是本申请实施例提供的拼接显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种基板、显示面板及拼接显示面板,其中本申请的薄膜晶体管的源极、漏极是可以互换的。在本申请实施例中,为区分薄膜晶体管除栅极之外的两极,将其中一极称为源极,另一极称为漏极。下文进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

请参照图1,本申请第一实施例提供一种基板100,其包括衬底11和多个薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT设置在衬底11上。

薄膜晶体管TFT包括第一导电层12、有源层13、第一绝缘层14、至少一封装结构层15和第二导电层16。

第一导电层12包括栅极121,栅极121设置在衬底11。有源层13设置在衬底11上且与栅极121异层设置。有源层13与栅极121重叠设置。

第一绝缘层14至少覆盖有源层13和栅极121。封装结构层15至少包覆有源层13。第二导电层16设置在封装结构层15上。第二导电层16包括源极161和漏极162,源极161和漏极162分别连接于有源层13。

本申请实施例的基板100采用封装结构层15包裹薄膜晶体管TFT的有源层13,进而提高了薄膜晶体管TFT的防水氧性能。

可选的,衬底11可为硬性基板或者柔性衬底。衬底11的材质包括玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种。

可选的,第一绝缘层14可是无机材料层。第一绝缘层14的材料可包括氮化硅、氧化硅以及金属氧化物中的至少一种。采用无机材料的第一绝缘层14覆盖有源层13和栅极121,以提高薄膜晶体管TFT的防水氧性能。

在一些实施例中,第一绝缘层14的材料也可以是有机材料。

可选的,封装结构层15包括至少一有机层151和至少一无机层152,有机层151和无机层152交替层叠设置。有机层151覆盖在第一绝缘层14上,且包覆有源层13。无机层152覆盖有机层151,且连接于第一绝缘层14。

其中有机层151一方面起到平坦栅极121和有源层13堆叠的地势的作用,另一方面有机层具有吸收无机层152和第一绝缘层14的应力的作用,从而降低了无机层152破裂的风险,进而提高薄膜晶体管TFT防水氧的性能。

可选的,有机层151的材料可以是有机透明膜层,比如透明光刻胶,环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸酯、聚苯乙烯等。

无机层152的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或金属氧化物,比如氧化铝、氧化镁和氧化镍等。

可选的,无机层152包括至少一层无机材料层。也就是说,无机层152可以是单膜层结构,也可以是复合膜层结构。

可选的,在本第一实施例的基板100中,封装结构层15包括第一封装结构层15a和设置在第一封装结构层15a上的第二封装结构层15b。基板100还包括第三导电层17。第三导电层17包括第一电极171和第二电极172。

第一封装结构层15a设置在第一绝缘层14。第二导电层16设置在第一封装结构层15a上。第二封装结构层15b设置在第二导电层16上。第三导电层17设置在第二封装结构层15b上。第一电极171连接于漏极162。

本第一实施例的基板100采用第一封装结构层15a封装有源层13,采用第二封装结构层15b封装有源层13、源极161和漏极162,进一步提高了薄膜晶体管TFT的防水氧性能。

可选的,基板100还包括第二绝缘层18。第二绝缘层18设置在第一导电层12上。有源层13设置在第二绝缘层18上。也即,本第一实施例的基板100包括底栅结构的薄膜晶体管TFT。

可选的,有源层13的材料可以是金属氧化物半导体或多晶硅半导体或单晶硅半导体。

可选的,第一导电层12、第二导电层16和第三导电层17的材料各自可以是氧化铟锡、氧化铟锌等等,还可以为金属、合金以及化合物及其混合物,例如可以使用金、银、钨、钼、铁、铝、铜、铝-硅、铝-钛、钼-铜、金属材料氮化物等。

可选的,基板100可作为微型发光二极管(Micro-LED)面板或次毫米级发光二极管(Mini-LED)面板的背板。

可选的,基板100也可作为电致发光面板的背板,电致发光面板可以是有机发光二极管面板(OLED)或量子点发光二极管面板(QLED)。

可选的,基板100也可作为液晶显示面板(LCD)的阵列基板。

请参照图2,本第二实施例的基板200包括衬底11和多个薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT设置在衬底11上。

薄膜晶体管TFT包括第一导电层12、有源层13、第一绝缘层14、至少一封装结构层15和第二导电层16。

第一导电层12包括栅极121,栅极121设置在衬底11。有源层13设置在衬底11上且与栅极121异层设置。有源层13与栅极121重叠设置。

第一绝缘层14至少覆盖有源层13和栅极121。封装结构层15至少包覆有源层13。第二导电层16设置在封装结构层15上。第二导电层16包括源极161和漏极162,源极161和漏极162分别连接于有源层13。

可选的,本第二实施例的基板200与第一实施例的基板100的不同之处在于:基板100还包括第二绝缘层18。第二绝缘层18设置在有源层13上,栅极121设置在第二绝缘层18上。

有源层13、第二绝缘层18和栅极121堆叠形成凸出结构。第一绝缘层14覆盖凸出结构的外表面。

也就是说,本第二实施例的基板200包括顶栅结构的薄膜晶体管TFT。

可选的,基板200还包括遮光层19和缓冲层110。遮光层19设置在衬底11上。遮光层19与有源层13重叠设置。缓冲层110设置在遮光层19和有源层13之间。第二导电层16还包括公共走线163。

源极161连接于遮光层19。第二电极172连接于公共走线163。

可选的,遮光层19材料可以是无机的金属材料,如Cr(铬)、Mo(钼)、Mn(锰)等。

可选的,缓冲层110的材料可包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。

请参照图3,相应的,本申请实施例还提供一种显示面板1000,其包括发光二极管器件el和上述任意一项实施例的基板(100/200)。发光二极管器件el设置在基板(100/200)上。

本申请实施例的显示面板1000的基板的结构与上述实施例的基板(100/200)的结构相似或相同,具体请参照上文关于上述实施例的基板(100/200)的阐述,此处不再赘述。其中本实施例的显示面板1000以基板100为例进行示意,但并不限于此。

可选的,发光二极管器件el可以是微型发光二极管(Micro-LED)或次毫米级发光二极管(Mini-LED)。

可选的,显示面板1000包括封装胶te和盖板co,封装胶te覆盖发光二极管器件el和基板100。盖板co设置在封装胶te上。

其中,采用封装胶te封装基板100可提高基板100的防水氧效果,另外,封装胶te具有耐高温、抗紫外线、厚度可控、长时间使用不会黄化等特点,作为发光二极管器件el封装材料可以保证较好的光学效果。

请参照图4-图6,显示面板1000的制备方法包括以下步骤:

步骤B1,在衬底11上形成多个薄膜晶体管TFT,以形成基板100;随后在基板100上转移发光二极管器件el。

其中,采用黄光制程制备薄膜晶体管TFT。且在形成封装结构层15的过程中,无机层152包裹有机层151的侧面。

发光二极管器件el采用打件或巨量转移方式转移到基板100上,形成周期性阵列结构。随后转入步骤B2。

步骤B2,提供封装结构。即将封装胶te通过软贴硬设备贴附到盖板co上,然后通过激光将封装结构切割到设定尺寸。设定尺寸的大小根据实际基板100的尺寸而定。随后转入步骤B3。

步骤B3,在基板100上贴设封装结构,形成显示面板1000,并在显示面板1000的侧面涂布有机遮光层。

可选的,通过硬贴硬设备将上封装结构和发光二极管器件el转移后的基板100对组贴合,贴合精度±5微米。

这样便完成了本申请实施例的显示面板1000的制备过程。

相应的,请参照图7,本申请实施例还提供一种拼接显示面板PJ,其包括至少两个上述实施例的显示面板1000,相邻的两个显示面板1000拼接设置。

可选的,拼接显示面板PJ还包括有机遮光层zg,有机遮光层zg至少覆盖盖板co的侧面,且位于相邻的显示面板1000之间。

本申请实施例的拼接显示面板PJ的显示面板1000的结构与上述实施例的显示面板1000的结构相似或相同,具体请参照关于上述实施例的显示面板1000的阐述,此处不再赘述。

有机遮光层zg的设置一方面具有遮光效果,避免光线从基板100的侧面出光,另一方面有机遮光层zg具有缓冲的效果,当两个显示面板1000进行对组拼接时,可降低显示面板1000之间碰撞的损伤的风险。

本申请实施例的基板,其包括衬底和薄膜晶体管,栅极设置在衬底上;有源层设置在衬底上且与栅极异层设置,有源层与栅极重叠设置;第一绝缘层至少覆盖有源层和栅极;封装结构层至少包覆有源层;第二导电层包括源极和漏极,源极和漏极分别连接于有源层。本申请实施例采用封装结构层包裹薄膜晶体管的有源层,进而提高了薄膜晶体管的防水氧性能。

以上对本申请实施例所提供的一种基板、显示面板及拼接显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

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