Mtj器件及其制作方法以及mram
阅读说明：本技术 Mtj器件及其制作方法以及mram (MTJ device, method of manufacturing the same, and MRAM ) 是由 毛永吉 叶甜春 罗军 赵杰 于 2021-09-03 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种MTJ器件及其制作方法以及MRAM,该MTJ器件包括：衬底；设置在所述衬底上的叠层结构,所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ；所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行,且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向；所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧。应用本发明技术方案,在提高集成度的同时,提高了器件存储性能以及可靠性。(The invention provides an MTJ device, a manufacturing method thereof and an MRAM, wherein the MTJ device comprises: a substrate; a laminated structure provided on the substrate, the laminated structure having a plurality of functional layers laminated in sequence; the laminated structure includes: a first portion MTJ, a second portion MTJ, and a third portion MTJ; the extending direction of any one functional layer in the first partial MTJ is parallel to the extending direction of the same functional layer in the third partial MTJ and perpendicular to the extending direction of the same functional layer in the second partial MTJ; any one functional layer in the first part of MTJ and the same functional layer in the third part of MTJ are positioned at two sides of the same functional layer in the second part of MTJ. By applying the technical scheme of the invention, the integration level is improved, and the storage performance and the reliability of the device are improved.)
技术领域
本发明涉及存储技术领域，更具体的说，涉及一种MTJ器件及其制作方法以及MRAM。
背景技术
磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory,MRAM))是一种新兴的非挥发性存储技术，利用材料的磁电阻效应来实现数据的储存。它拥有高速的读写速度和高集成度，且可以被无限次的重复写入。MRAM不仅可以快速随机读写，而且在断电后能够永久保留数据。MRAM的核心存储单元是磁性隧道结(MTJ器件)。
MTJ器件主要由参考层、隧道势垒层以及自由层组成。一般情况下，三层相对平行层叠形成MTJ器件，但是该MTJ器件在进行两侧刻蚀工艺时，存在刻蚀界面材料磁性弱化的问题，减小MTJ器件的有效面积，影响器件的存储性能。
发明内容
有鉴于此，本发明技术方案提供了一种MTJ器件及其制作方法以及MRAM，以解决器件存储性能以及可靠性的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种MTJ器件，所述MTJ器件包括：
衬底；
设置在所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ；
所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向；
所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧。
优选的，在上述的MTJ器件中，所述衬底设置所述层叠结构的表面为第一表面，所述第一表面包括第一区域和第二区域；所述第一区域具有第一绝缘介质层；所述第三部分MTJ位于所述第二区域；
在预设表面依次层叠设置有所述层叠结构的各个功能层；
其中，所述预设表面包括：所述第二区域、所述第一绝缘介质层背离所述第一区域的表面以及所述第一绝缘介质层靠近所述第二区域的侧面。
优选的，在上述的MTJ器件中，所述多层依次层叠的功能层包括：
设置于所述预设表面上的第一电极层；
设置于所述第一电极功能层背离所述预设表面一侧的参考层；
设置于所述参考层背离所述第一电极功能层一侧的隧道势垒层；
设置于所述隧道势垒层背离所述参考层一侧的自由层；
设置于所述自由层背离所述隧道势垒层一侧的第二电极层。
优选的，在上述的MTJ器件中，所述第一表面还包括第三区域；所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；
具有覆盖所述第三区域以及所述叠层结构的第二绝缘介质层；
所述第一表面为金属层，所述金属层与所述第一电极层连接；所述第二绝缘介质层具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔露出所述第三区域的金属层，所述第二通孔露出所述第二电极层；
所述第二绝缘介质层背离所述衬底的一侧表面具有布线层，所述布线层通过所述第一通孔与所述金属层连接，通过所述第二通孔与所述第二电极层连接。
优选的，在上述的MTJ器件中，所述叠层结构进一步包括：位于所述自由层与所述第二电极层之间的欧姆接触层。
本发明还提供了一种MTJ器件的制作方法，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ；
所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直与所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行；
所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧。
优选的，在上述的制作方法中，所述衬底设置所述层叠结构的表面为第一表面，所述第一表面包括第一区域和第二区域；所述第一区域具有第一绝缘介质层；所述第三部分MTJ位于所述第二区域；
在所述衬底上形成叠层结构的方法包括：
在所述第一区域形成第一绝缘介质层；
基于所述第一绝缘介质层，在预设表面依次层叠形成所述层叠结构的各个功能层；
其中，所述预设表面包括：所述第二区域、所述第一绝缘介质层背离所述第一区域的表面以及所述第一绝缘介质层靠近所述第二区域的侧面。
优选的，在上述的制作方法中，基于所述第一绝缘介质层，在预设表面依次层叠设置有所述层叠结构的各个功能层，包括：
在所述预设表面上形成第一电极层；
在所述第一电极层背离所述预设表面的一侧表面形成参考层；
在所述参考层背离所述第一电极层的一侧表面形成隧道势垒层；
在所述隧道势垒层背离所述参考层的一侧表面形成自由层；
在自由层背离所述隧道势垒层的一侧表面形成第二电极层。
优选的，在上述的制作方法中，所述第一表面还包括第三区域；所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；所述第一绝缘介质层背离所述衬底的表面具有第四区域和第五区域，所述第五区域远离所述第二部分MTJ；
所述制作方法还包括：
在所述第二电极层背离所述自由层的表面形成第二绝缘介质层的第一子层；
刻蚀所述第一子层以及所述叠层结构，露出所述第三区域以及第五区域；
形成所述第二绝缘介质层的第二子层，所述第二子层覆盖所述第三区域、所述第五区域以及所述第一子层；
刻蚀所述第二绝缘介质层，形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔露出所述第三区域的金属层，所述第二通孔露出所述第二电极层；
在所述第二绝缘介质层背离所述衬底的一侧表面形成布线层，所述布线层通过所述第一通孔与所述金属层连接，通过所述第二通孔与所述第二电极层连接。
本发明还提供了一种MRAM，所述MRAM包括：
场效应管以及上述的MTJ器件；
所述场效应管与所述MTJ器件之间具有多层层叠的金属层；所述金属层的层叠方向由所述场效应管指向所述MTJ器件；
所述场效应管与所述MTJ器件分别与相邻的所述金属层连接。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的MTJ器件及其制作方法以及MRAM中，设置于MTJ器件中的叠层结构包括三部分MTJ，且该三部分MTJ呈“Z”型结构，其中，Z”型MTJ器件的有效面积主要是延伸方向垂直于衬底的第二部分MTJ，该部分有效面积可以由MTJ器件相邻上下两金属层的间距决定，实现了MTJ器件有效面积的可调节；并且存在磁性变化影响存储性能的第一部分MTJ和第三部分MTJ相对于MTJ器件整体较小，增大了MTJ器件的有效面积，提高了MTJ器件的存储性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
需要说明的是，本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
图1为现有技术中常见的一种MTJ器件的结构示意图；
图2为现有技术中一种存在金属沉积区的MTJ器件的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种MTJ器件的结构示意图；
图4-图11为本发明实施例提供的一种MTJ器件制作方法的流程示意图；
图12为本发明实施例提供的一种MRAM的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种MRAM的架构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
参考图1，图1为现有技术中常见的一种MTJ器件的结构示意图，MTJ器件包括：衬底01；依次层叠在所述衬底01表面上的底电极层03、参考层04、隧道势垒层05、自由层06以及顶电极层07；位于所述顶电极层07背离所述衬底01表面上的金属层02。MTJ器件通过所述衬底01以及金属层02接入实际电路。
现有技术中MTJ器件在工艺过程中，需要对所述底电极层03、参考层04、隧道势垒层05、自由层06以及顶电极层07的周围进行干法刻蚀。在干法刻蚀中，由于带电等离子体轰击表面会改变参考层04和自由层06的磁性，这种磁性影响会存在于等离子体接触的界面以及该材料内部，影响程度会随着与等离子体接触界面的距离增大而减弱，进而导致所述MTJ器件的有效面积减小，影响器件存储性能。如图1所示，两条虚线之外的部分参考层04以及部分自由层06为等离子轰击导致磁性减弱的区域。
由于上述MTJ器件因干法刻蚀的影响导致有效面积减小，为了保证MTJ器件的有效MTJ尺寸，现有技术设计时需要预留一定的区域，不利于MTJ器件提高集成度，并且尺寸越小，干扰越大。
参考图2，图2为现有技术中一种存在金属沉积区的MTJ器件的结构示意图。在MTJ器件实际刻蚀过程中，会发生金属沉积，形成如图2所示的金属沉积区08。金属沉积区08沉积于所述底电极层03、参考层04、隧道势垒层05、自由层06以及顶电极层07的周围，会导致隧道势垒层05上下相邻的参考层04和自由层06短路，影响MTJ器件的可靠性。
为解决上述问题，本申请技术方案提供了一种MTJ器件，在提高集成度的同时，提高了器件存储性能以及可靠性。
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
参考图3，图3为本发明实施例提供的一种MTJ器件的结构示意图。所述MTJ器件包括：
衬底1；设置在所述衬底1上的叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ。图3中虚线L1上方区域的叠层结构为第一部分MTJ，虚线L1和虚线L2之间区域的叠层结构为第二部分MTJ，虚线L2下方区域的叠层结构为第三部分MTJ。
所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向；所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧，即所述叠层结构的形状为图3所示的“Z”。
由所述叠层结构组成的“Z”型MTJ器件相对于现有技术中水平型MTJ器件，所述第二部分MTJ中功能层的层叠方向平行于所述衬底1，其利用垂直于所述衬底1的空间或金属层同层的间隙，节省了空间，提高了器件集成度。“Z”型MTJ器件的有效面积主要为延伸方向垂直于所述衬底1的所述第二部分MTJ，该部分有效面积可以由MTJ器件相邻上下两金属层(图3中衬底1以及布线层11)的间距决定，可以调节，增大MTJ器件的有效面积只需要增大所述第二部分MTJ在垂直于所述衬底1方向的长度即可，并且存在磁性变化的所述第一部分MTJ和所述第三部分MTJ相对于MTJ器件整体较小，有效面积的计算更加精确，相对增大了MTJ器件的有效面积，提高了MTJ器件的存储性能。
所述衬底1设置所述层叠结构的表面为第一表面，所述第一表面包括第一区域和第二区域。所述第一区域具有第一绝缘介质层2。所述第三部分MTJ位于所述第二区域，所述第三部分MTJ中各功能层沿平行于所述衬底1的方向延伸，层叠方向垂直于所述衬底1。
在预设表面依次层叠设置所述层叠结构的各个功能层。其中，所述预设表面包括：所述第二区域、所述第一绝缘介质层2背离所述第一区域的表面以及所述第一绝缘介质层2靠近所述第二区域的侧面。所述第一绝缘介质层2作为支撑结构用以形成“Z”型叠层结构。所述第一绝缘介质层2包括：氧化硅。所述第一绝缘介质层2有利于所述“Z”型叠层结构的制作，且工艺简单。
所述第二部分MTJ中各个功能层依次层叠设置在所述第一绝缘介质层2靠近所述第二区域的侧面，各层功能层的延伸方向垂直于所述衬底1，层叠方向平行于所述衬底1。所述第一部分MTJ中各层功能层设置在所述第一绝缘介质层2背离所述衬底1的侧面，各功能层的延伸方形平行于所述衬底1，层叠方向垂直于所述衬底1。
另外，所述多层依次层叠的功能层包括：设置于所述预设表面上的第一电极层3；设置于所述第一电极功能层背离所述预设表面一侧的参考层4；设置于所述参考层4背离所述第一电极功能层一侧的隧道势垒层5；设置于所述隧道势垒层5背离所述参考层4一侧的自由层6；设置于所述自由层6背离所述隧道势垒层5一侧的第二电极层7。
其中，所述第一电极层3和所述第二电极层7为Ta或Ti；所述参考层4由四层膜层构成，四层膜层自上而下分别为、Ru、CoFe、PtMn；所述隧道势垒层5为MgO；所述自由层6为CoFeB或NiFe；所述参考层4是磁性材料，其磁性方向是固定的；所述自由层6也是磁性材料，但是其磁性方向是可以变化的；当所述自由层6的磁性方向与所述参考层4的磁性方向相同时，存储单元呈现低阻态“0”；当所述自由层6的磁性方向与所述参考层4的磁性方向不同时，存储单元呈现高阻态“1”。MTJ器件通过存储单元的电阻的高低来存储信息，读取MTJ器件存储信息的过程就是对MTJ器件的电阻进行测量。
所述衬底1的第一表面还包括第三区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间。如图3，所述MTJ器件还包括：具有覆盖所述第三区域以及所述叠层结构的第二绝缘介质层8。所述第一表面为金属层，所述金属层与所述第一电极层3连接；所述第二绝缘介质层8具有第一通孔9和第二通孔10，在垂直于所述衬底1的方向上，所述第二通孔10和所述第一部分MTJ相对设置，所述第一通孔9露出所述第三区域的金属层，所述第二通孔10露出所述第二电极层7；所述第二绝缘介质层8背离所述衬底1的一侧表面具有布线层11，所述布线层11通过所述第一通孔9与所述金属层连接，通过所述第二通孔10与所述第二电极层7连接。
所述第二绝缘介质层8包括：氧化硅。所述第二绝缘介质层8用于保护所述“Z”型叠层结构，增加了器件的可靠性。
所述叠层结构进一步包括：位于所述自由层6与所述第二电极层7之间的欧姆接触层，所述欧姆接触层为单层Ru或三层结构，所述三层结构为上下两层Ru以及两层Ru之间的Ta层。所述欧姆接触层降低所述第二电极层7与所述自由层6之间的电阻，提高了MTJ器件的可靠性。
基于上述实施例，本申请技术方案另一实施例提供了一种MTJ器件的制作方法，参考图4-图11，图4-图11为本发明实施例提供的一种MTJ器件制作方法的流程示意图，所述制作方法包括：
步骤S1：提供一衬底1。
步骤S2：在所述衬底1上形成叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ。所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直与所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行。所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧。
其中，所述衬底1设置所述层叠结构的表面为第一表面，所述第一表面包括第一区域和第二区域；所述第一区域具有第一绝缘介质层2；所述第三部分MTJ位于所述第二区域。
其中，在所述衬底1上形成叠层结构的方法包括：
步骤S2.1：参考图4，在所述第一区域形成图形化的第一绝缘介质层2。其中，在所述衬底1的第一表面生长一层第一绝缘介质层2，通过光刻工艺形成如图4所示图形化的第一绝缘介质层2，以露出第二区域和第三区域。
步骤S2.2：参考图5，基于图形化的所述第一绝缘介质层2，在预设表面依次层叠形成所述层叠结构的各个功能层。其中，所述预设表面包括：所述第二区域、所述第一绝缘介质层2背离所述第一区域的表面以及所述第一绝缘介质层2靠近所述第二区域的侧面。
另外，基于所述第一绝缘介质层2，在预设表面依次层叠设置有所述层叠结构的各个功能层，包括：在所述预设表面上形成第一电极层3；在所述第一电极层3背离所述预设表面的一侧表面形成参考层4；在所述参考层4背离所述第一电极层3的一侧表面形成隧道势垒层5；在所述隧道势垒层5背离所述参考层4的一侧表面形成自由层6；在自由层6背离所述隧道势垒层5的一侧表面形成第二电极层7。形成如图5所示的结构。
步骤S2.3：在所述第二电极层7背离所述自由层6的表面形成第二绝缘介质层8的第一子层，形成如图6所示的结构。
其中，如图6所示，所述第一表面还包括第三区域，所述第三区域为图中右虚线以右的第一表面区域，所述第一区域为图中左虚线以左的第一表面区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间，即第二区域为图中左虚线与右虚线之间的第一表面区域。
所述第一绝缘介质层2背离所述衬底1的表面具有第四区域和第五区域，所述第五区域远离所述第二部分MTJ，即所述第五区域为图中左侧虚线以左的所述第一绝缘介质层2背离所述衬底1的表面区域，所述第四区域为图中左侧虚线以右的所述第一绝缘介质层2背离所述衬底1的表面区域。
步骤S2.4：参考图7，刻蚀所述第一子层以及所述叠层结构，露出所述第三区域以及第五区域。
步骤S2.5：参考图8，形成所述第二绝缘介质层8的第二子层，所述第二子层覆盖所述第三区域、所述第五区域以及所述第一子层。
步骤S2.6：参考图9，刻蚀所述第二绝缘介质层8，形成第一通孔9和第二通孔10，所述第一通孔9露出所述第三区域的金属层，所述第二通孔10露出所述第二电极层7。其中，刻蚀过程采用干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀优先刻蚀所述第一通孔9和所述第二通孔10中的一个，再刻蚀另一个。在干法刻蚀之后，利用湿法刻蚀所述第一部分MTJ和所述第二部分MTJ的干法刻蚀侧，去除干法刻蚀生成的金属沉积，有效的控制器件短路的问题，提高了器件可靠性。
步骤S2.7：参考图10，在所述第二绝缘介质层8背离所述衬底1的一侧表面形成布线层11，其中，所述布线层11覆盖所述第二绝缘介质层8并填充所述第一通孔9和第二通孔10。所述布线层11通过所述第一通孔9与所述金属层连接，通过所述第二通孔10与所述第二电极层7连接，形成如图3所示的结构。
本发明实施例所述制作方法中，可以制作上述实施例所述的MTJ器件，通过提供第一绝缘介质层2以及干法刻蚀与湿法刻蚀相结合形成“Z”型叠层结构，可以去除生成的金属沉积，有效的控制器件短路的问题，提高了器件可靠性。
基于上述实施例，本申请技术方案另一实施例还提供了一种MRAM。参考图12和图13，图12为本发明实施例提供的一种MRAM的结构示意图，图13为本发明实施例提供的一种MRAN的架构示意图，所述MRAM包括：场效应管以及上述的MTJ器件；所述场效应管与所述MTJ器件之间具有多层层叠的金属层；所述金属层的层叠方向由所述场效应管指向所述MTJ器件；所述场效应管与所述MTJ器件分别与相邻的所述金属层连接。
如图12所示，所述MRAM包括：与所述场效应管连接的金属层M1；位于所述金属层M1背离所述场效应管一侧的金属层M2；位于所述金属层M2背离所述金属层M1一侧的金属层M3；位于所述金属层M3背离所述金属层M2一侧的MTJ器件；位于所述MTJ器件背离所述金属层M3一侧的金属层M4；位于所述金属层M4背离所述MTJ器件一侧的金属层M5；为与所述金属层M5背离所述金属层M4一侧的金属层M6；其中，场效应管可以为NMOS。
其中，所述场效应管通过连接孔T连接所述金属层M1；所述金属层M1与所述金属层M2、所述金属层M2与所述金属层M3、所述金属层M4与所述金属层M5以及所述金属层M5与所述金属层M6均通过绝缘层连接，所述MTJ器件直接与所述金属层M3和金属层M4连接。
另外，所述MRAM中与MTJ器件相连接的晶体管可采用COMS场效应管也可以采用全耗尽绝缘硅SOI场效应管。
在图12所示方式中，以MTJ器件位于金属层M4和金属层M3之间为例进行说明，此时，金属层M3为所述衬底1，金属层M4为所述布线层11。显然，可以基于需求设置MTJ器件位于M1-M6任意两相邻金属层之间。
参考图13，所述MRAM还包括：位线BL，用于读写存储单元；字线WL，用于控制存储和BL的连通；源线SL。其中，WL连接NMOS的栅极以及BL，SL连接所述NMOS的源(漏)极，BL连接所述自由层6。所述MRAM通过NMOS与MTJ器件记性信息的读取和存储。
本发明实施例中提供的MTJ器件，将现有技术下的水平型MTJ器件优化为“Z”型MTJ器件，在节省空间，提高集成度的同时，增加了MTJ器件的可调节性。并且“Z”型MTJ器件减小了磁性影响区域在总面积的占比，相对增加了MTJ器件的有效面积，提高了存储性能以及有效面积计算的精度。而且本发明实施例中提供MTJ器件的制作方法，减少了MTJ器件中发生短路的情况，提高了器件的可靠性。
本说明书中各个实施例采用递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
- 上一篇：一种医用注射器针头装配设备
- 下一篇：半导体器件及其制造方法